JPH0253222A - 磁気記録体 - Google Patents
磁気記録体Info
- Publication number
- JPH0253222A JPH0253222A JP63202978A JP20297888A JPH0253222A JP H0253222 A JPH0253222 A JP H0253222A JP 63202978 A JP63202978 A JP 63202978A JP 20297888 A JP20297888 A JP 20297888A JP H0253222 A JPH0253222 A JP H0253222A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- film
- magnetic recording
- magnetic
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 15
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000007712 rapid solidification Methods 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 abstract 2
- 229910018084 Al-Fe Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018192 Al—Fe Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 101100055113 Caenorhabditis elegans aho-3 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12625—Free carbon containing component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/12743—Next to refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、コンピュータやデータプロセッサーにおいて
情報信号の記録、再生、交換の媒介体として使用される
磁気ディスク等の磁気記録体に関する。
情報信号の記録、再生、交換の媒介体として使用される
磁気ディスク等の磁気記録体に関する。
(従来の技術)
従来技術の代表的なものとして特公昭4B−18842
号、特開昭58−51024号、特開昭60−2610
22号等があげられる。
号、特開昭58−51024号、特開昭60−2610
22号等があげられる。
第10図(イ)(ロ)および(ハ)は従来技術において
実用化されている代表的な磁気ディスクの成層構造を示
す。非磁性の1−Mg合金の基板上に強磁性の金属ある
いは酸化物が無電解メツキ法あるいはスパッタリング法
により成膜される。第10図(イ)はメツキディスクで
、A1−Mg合金の基体(a)上に基体表面の精密加工
性を上げるためN1−P膜(b)を無電解メツキ法によ
り厚さ10〜30μ−に成膜し、電解研磨あるいはダイ
ヤターン切削研磨加工により鏡面に仕上げて基板とし、
その上に実際に磁気情報が記録される強磁性材料のN1
−Co−P合金をメツキ法により成膜して磁性膜(C)
を形成したもので、その上にSiOx等の表面保護膜(
d)を成膜する。(e)は磁性膜(C)の下地膜である
。各膜厚数値を括弧内に参考記入している。
実用化されている代表的な磁気ディスクの成層構造を示
す。非磁性の1−Mg合金の基板上に強磁性の金属ある
いは酸化物が無電解メツキ法あるいはスパッタリング法
により成膜される。第10図(イ)はメツキディスクで
、A1−Mg合金の基体(a)上に基体表面の精密加工
性を上げるためN1−P膜(b)を無電解メツキ法によ
り厚さ10〜30μ−に成膜し、電解研磨あるいはダイ
ヤターン切削研磨加工により鏡面に仕上げて基板とし、
その上に実際に磁気情報が記録される強磁性材料のN1
−Co−P合金をメツキ法により成膜して磁性膜(C)
を形成したもので、その上にSiOx等の表面保護膜(
d)を成膜する。(e)は磁性膜(C)の下地膜である
。各膜厚数値を括弧内に参考記入している。
第10図(ロ)はN1−P膜(b)を成膜した基板上に
強磁性材料のNi−Co合金をスパッタリング法により
成膜して磁性膜(Co)を形成したものでそれとNj−
P膜(b)との間にCrの下地膜(e゛)を、また表面
にCの保護膜(d゛)を成膜する。第10図(ハ)は基
板(a)上にN1−P膜に代りアルマイト法によりAi
、、0.膜(b”)を形成し、その上に強磁性材料の7
Fe2O,の磁性膜(C”)を成膜したものである。
強磁性材料のNi−Co合金をスパッタリング法により
成膜して磁性膜(Co)を形成したものでそれとNj−
P膜(b)との間にCrの下地膜(e゛)を、また表面
にCの保護膜(d゛)を成膜する。第10図(ハ)は基
板(a)上にN1−P膜に代りアルマイト法によりAi
、、0.膜(b”)を形成し、その上に強磁性材料の7
Fe2O,の磁性膜(C”)を成膜したものである。
(発明が解決しようとする問題点)
この種の磁気記録体では、磁性膜(C)(c′)(c”
)の層が薄いため、その基板との密着性や基板の硬度が
耐摩耗性の制限要因になる。磁気記録体が要求される各
種の特性を兼備するものとするには、その前堤として磁
性膜の基板が次の諸条件を満足することを先ず要求され
る。
)の層が薄いため、その基板との密着性や基板の硬度が
耐摩耗性の制限要因になる。磁気記録体が要求される各
種の特性を兼備するものとするには、その前堤として磁
性膜の基板が次の諸条件を満足することを先ず要求され
る。
(1)機械的表面精度のよいこと
(表面あらさRa<0.01μa+)。
(II)回転する磁気記録体からの記録再生ヘッドの安
定浮上を阻害するようなヘッドヒツト突起が皆無である
こと。
定浮上を阻害するようなヘッドヒツト突起が皆無である
こと。
(III)信号エラーの原因となる欠陥が皆無または極
小のこと。
小のこと。
(TV)ヘッドとの接触摺動時に変形損傷を生じないだ
けの硬さを有すること。
けの硬さを有すること。
要求特性(IV)については表面保護膜(d)あるいは
潤滑膜の寄与も大きいため基板だけについての具体的条
件は明確でないが、他の要求特性については、磁性膜を
情報記録密度の点で薄くしなければならないので、これ
らの上層皮膜によって基板の欠点あるいは不完全性は是
正あるいは救済されない。
潤滑膜の寄与も大きいため基板だけについての具体的条
件は明確でないが、他の要求特性については、磁性膜を
情報記録密度の点で薄くしなければならないので、これ
らの上層皮膜によって基板の欠点あるいは不完全性は是
正あるいは救済されない。
この問題に対処するため、従来技術では、非磁性^ff
1−Mg合金基体(a)上にN1−P膜(b)を無電解
メツキにより10〜30μm厚に施工しあるいはA l
gos膜(b′)を施工し、無電解研磨により表面仕
上げしたものが基板として使用され、その上に磁性膜を
成膜する。すなわち従来技術ではAffi−Mg合金基
体(a)面に直接磁性膜を成膜することは行われていな
い。これが実用にならない理由は、従来技術ではAlM
g合金表面を平坦にする適当な方法がなかったこと、ま
た^1Mg合金基合金面にAf−Fe 、 Mg−3t
等の金属間化合物が多く存在し、これが磁性膜(C)の
特性を多くの点で害することになるからである。
1−Mg合金基体(a)上にN1−P膜(b)を無電解
メツキにより10〜30μm厚に施工しあるいはA l
gos膜(b′)を施工し、無電解研磨により表面仕
上げしたものが基板として使用され、その上に磁性膜を
成膜する。すなわち従来技術ではAffi−Mg合金基
体(a)面に直接磁性膜を成膜することは行われていな
い。これが実用にならない理由は、従来技術ではAlM
g合金表面を平坦にする適当な方法がなかったこと、ま
た^1Mg合金基合金面にAf−Fe 、 Mg−3t
等の金属間化合物が多く存在し、これが磁性膜(C)の
特性を多くの点で害することになるからである。
しかしN1−P膜(b)あるいはA E !0.膜(b
゛)は本来磁気記録には不要な層であり、これらの形成
は磁気記録体のコストを高める原因となる。特にNiは
概して高価のため、−層のコスト高を招く。
゛)は本来磁気記録には不要な層であり、これらの形成
は磁気記録体のコストを高める原因となる。特にNiは
概して高価のため、−層のコスト高を招く。
(問題点を解決するための手段)
従来技術の前記問題点を解決するため、本発明において
はアルミニウム−マグネシウム合金の基体そのものから
特性の向上を図り、この基体を電解複合研磨するだけで
要求特性のすべてを満足する基板とし、こうして基体上
にN1−P膜等の形成を行う必要をなくして直接に強磁
性材料の薄膜の成膜を可能として満足な磁気記録体が得
られるようにする。
はアルミニウム−マグネシウム合金の基体そのものから
特性の向上を図り、この基体を電解複合研磨するだけで
要求特性のすべてを満足する基板とし、こうして基体上
にN1−P膜等の形成を行う必要をなくして直接に強磁
性材料の薄膜の成膜を可能として満足な磁気記録体が得
られるようにする。
すなわち、本発明の磁気記録体は、構成上、純度99.
99%のアルミニウム地金を用いて製造した合金を電解
複合研磨して基板とし、その上に強磁性材料の薄膜を成
膜して記録用磁性膜とすることを特徴とする。
99%のアルミニウム地金を用いて製造した合金を電解
複合研磨して基板とし、その上に強磁性材料の薄膜を成
膜して記録用磁性膜とすることを特徴とする。
アルミニウム−マグネシウム合金の製造に象、速凝固法
を用いれば本発明は一層有利に実施されるので、純度9
9.9%以上のアルミニウム地金を用い急速凝固法によ
り合金を製造し、これを同様に電解複合研磨して基板と
しその上に強磁性材料の薄膜を成膜して記録用磁性膜と
することも本発明の対象となる。
を用いれば本発明は一層有利に実施されるので、純度9
9.9%以上のアルミニウム地金を用い急速凝固法によ
り合金を製造し、これを同様に電解複合研磨して基板と
しその上に強磁性材料の薄膜を成膜して記録用磁性膜と
することも本発明の対象となる。
前記強磁性材料としてCo合金を用いる場合は、Co合
金の磁気特性を向上させるため、アルミニウム−マグネ
シウム合金基板上にCr等の下地層を施工するのが有利
である。
金の磁気特性を向上させるため、アルミニウム−マグネ
シウム合金基板上にCr等の下地層を施工するのが有利
である。
また強磁性材料膜上に中間層を形成してその上に形成す
る保護層との密着性を向上させるようにする。
る保護層との密着性を向上させるようにする。
(作 用)
本発明では、99.9%以上の高純度のアルミニラム地
金を用いてアルミニウム−マグネシウム合金の基体を製
造するので、その表面にはへ〇−Fe等の金属間化合物
の面密度およびそれぞれの粒径が減少する。そしてその
表面を電解複合研磨により平坦化することにより、例え
ばダイヤターン切削研磨やポリッシングで生ずる結晶粒
界段差やポリッシングで生じる傷の発生がない、従って
基板としての要求特性は満足され、これを基板としてス
パッタリングあるいはメツキにより強磁性材料の磁気記
録膜を成膜することにより、これらに起因する磁気記録
膜の欠陥が減少あるいは縮小され、記録再生時の信号エ
ラー(ビットエラー)の発生率が減少し信号エラーのビ
ット長が縮小される。
金を用いてアルミニウム−マグネシウム合金の基体を製
造するので、その表面にはへ〇−Fe等の金属間化合物
の面密度およびそれぞれの粒径が減少する。そしてその
表面を電解複合研磨により平坦化することにより、例え
ばダイヤターン切削研磨やポリッシングで生ずる結晶粒
界段差やポリッシングで生じる傷の発生がない、従って
基板としての要求特性は満足され、これを基板としてス
パッタリングあるいはメツキにより強磁性材料の磁気記
録膜を成膜することにより、これらに起因する磁気記録
膜の欠陥が減少あるいは縮小され、記録再生時の信号エ
ラー(ビットエラー)の発生率が減少し信号エラーのビ
ット長が縮小される。
また急速凝固法によりアルミニウム−マグネシウム合金
の基板を製造することにより、合金組成は同じでも金属
間化合物が減少し、上記信号エラーの数およびビット長
は一層減少する。
の基板を製造することにより、合金組成は同じでも金属
間化合物が減少し、上記信号エラーの数およびビット長
は一層減少する。
電解複合研磨としては各種のうちKMC研磨技術を用い
ると良好な結果が確保できる。 KMC研磨法とは不働
態化電解液を用いて基体表面に不働態化皮膜を形成させ
、その皮膜の凸部のみを砥粒擦過によ恨選択的に除去し
、そこに電解作用を集中させて凸部のみを効率よく溶出
させて鏡面を得るものであるから、単独の砥粒加工や電
解研磨よりも平坦性の優れた超鏡面が能率的に得られ、
形状精度が維持され、機械的な加工変質層が生成されな
い。
ると良好な結果が確保できる。 KMC研磨法とは不働
態化電解液を用いて基体表面に不働態化皮膜を形成させ
、その皮膜の凸部のみを砥粒擦過によ恨選択的に除去し
、そこに電解作用を集中させて凸部のみを効率よく溶出
させて鏡面を得るものであるから、単独の砥粒加工や電
解研磨よりも平坦性の優れた超鏡面が能率的に得られ、
形状精度が維持され、機械的な加工変質層が生成されな
い。
(実施例)
第1図は本発明の磁気記録体の製造順序の1例を示し、
第2図はこの製造順序により3m Torrでスパッタ
リングしてCr下地膜およびCo−Ni−Cr合金磁性
膜を成膜した本発明磁気記録体の成層構造の1例を示す
、アルミニウム−マグネシウム合金の基体(1)の複合
電解研磨された面(1゛)上にスパッタリングされたC
r下地膜(2)が形成され、Cr下地膜(2)上に強磁
性材料のCo−Ni−Cr合金の磁性膜(3)が基板面
上直接スパッタリングにより形成される。 Cr下地膜
(2)は磁性膜(3)と基体(1)との結合強度を一層
大にするための中間膜であり本発明磁気記録体の必須構
成ではない、磁性膜(3)上にCの保護膜を形成する。
第2図はこの製造順序により3m Torrでスパッタ
リングしてCr下地膜およびCo−Ni−Cr合金磁性
膜を成膜した本発明磁気記録体の成層構造の1例を示す
、アルミニウム−マグネシウム合金の基体(1)の複合
電解研磨された面(1゛)上にスパッタリングされたC
r下地膜(2)が形成され、Cr下地膜(2)上に強磁
性材料のCo−Ni−Cr合金の磁性膜(3)が基板面
上直接スパッタリングにより形成される。 Cr下地膜
(2)は磁性膜(3)と基体(1)との結合強度を一層
大にするための中間膜であり本発明磁気記録体の必須構
成ではない、磁性膜(3)上にCの保護膜を形成する。
各膜厚数値を括弧内に参考記入した。
第3図は本発明に従い製造したアルミニウム−マグネシ
ウム合金基体につき、横軸に析出した金属間化合物の大
きさ(μm)をとり、縦軸にその面密度(個数/■2)
をとり両者の関係を示す。試料(A)は純度99.9%
のアルミニウム地金を使用し、試料(B) (C)は純
度99.99%のアルミニウム地金を使用し、(A)
(B)は急速凝固法を使用したもので、本発明範囲内に
属し得るものである。試料(D) (E)は比較例であ
る。
ウム合金基体につき、横軸に析出した金属間化合物の大
きさ(μm)をとり、縦軸にその面密度(個数/■2)
をとり両者の関係を示す。試料(A)は純度99.9%
のアルミニウム地金を使用し、試料(B) (C)は純
度99.99%のアルミニウム地金を使用し、(A)
(B)は急速凝固法を使用したもので、本発明範囲内に
属し得るものである。試料(D) (E)は比較例であ
る。
試料(A)の金属間化合物の大きさは、純度99.99
%以上であるが、急速凝固法によらない試料(C)と同
程度であるが、試料(B)は比較試料(C)に較べて金
属間化合物の大きさ数とも顕著に減少している。尚比較
試料(D)はアルミニウム地金純度99.9%で急速凝
固法によらないもの、比較試料(E)はアルミニウム地
金99%の従来技術のJIS規格のものである。これか
ら本発明ではアルミニウム地金純度99.9%以上が必
要条件であることが知られる。
%以上であるが、急速凝固法によらない試料(C)と同
程度であるが、試料(B)は比較試料(C)に較べて金
属間化合物の大きさ数とも顕著に減少している。尚比較
試料(D)はアルミニウム地金純度99.9%で急速凝
固法によらないもの、比較試料(E)はアルミニウム地
金99%の従来技術のJIS規格のものである。これか
ら本発明ではアルミニウム地金純度99.9%以上が必
要条件であることが知られる。
第4図は前記のアルミニウム−マグネシウム合金の基体
試料につき、電解複合研磨(KMC)で表面加工して基
板とした本発明範囲に属し得るものと、比較例としての
ダイヤターン切削研磨(DT)で表面加工して基板とし
たものとの比較図表で、横軸に各基板上に成膜したディ
スクのエラーの大きさ (長さ)(ビット)をとり、縦
軸にそのエラー長以上の大きさを持つエラーの数(個/
面)をとって示したものである。尚ディスク径5.25
吋のため1面76.7cjで4面の平均値で表示した。
試料につき、電解複合研磨(KMC)で表面加工して基
板とした本発明範囲に属し得るものと、比較例としての
ダイヤターン切削研磨(DT)で表面加工して基板とし
たものとの比較図表で、横軸に各基板上に成膜したディ
スクのエラーの大きさ (長さ)(ビット)をとり、縦
軸にそのエラー長以上の大きさを持つエラーの数(個/
面)をとって示したものである。尚ディスク径5.25
吋のため1面76.7cjで4面の平均値で表示した。
尚試料(F)は従来技術のN1−P膜を形成した参考比
較例である。
較例である。
第4図からは明らかに本発明に属する基板の優位性が認
められる。
められる。
第5図は各アルミニウム−マグネシウム合金基体試料に
つき、横軸に鏡面光沢加工(B/G)中の衝突回数をと
り、縦軸にその衝突回数をもつ面の数をとって比較した
もので、第5図(イ)は電解複合研摩(MMC)の場合
で試料(A)のものは本発明範囲内となり試料(C)
(D) (E)は比較例となり、第5図(ロ)はダイヤ
ターン切削研磨の場合、第5図(ハ)はN1−P膜形成
のもので何れにしても本発明外となる。
つき、横軸に鏡面光沢加工(B/G)中の衝突回数をと
り、縦軸にその衝突回数をもつ面の数をとって比較した
もので、第5図(イ)は電解複合研摩(MMC)の場合
で試料(A)のものは本発明範囲内となり試料(C)
(D) (E)は比較例となり、第5図(ロ)はダイヤ
ターン切削研磨の場合、第5図(ハ)はN1−P膜形成
のもので何れにしても本発明外となる。
第5図からも本発明のものの衝突回数の面数の少ないこ
とが知られる。
とが知られる。
上記およびその他の試験結果から本発明の磁気記録体の
特性を従来技術のN1−P膜を形成するものと比較して
総合的にまとめると次のとおりである。
特性を従来技術のN1−P膜を形成するものと比較して
総合的にまとめると次のとおりである。
(1)エラー数 従来技術のものより良好である(第
4図参照) 磁気記録体を磁気ヘッドと組合 わせてCSS試験(接触停止試験) を行ったところ、2万回をクリ アーし問題はない。
4図参照) 磁気記録体を磁気ヘッドと組合 わせてCSS試験(接触停止試験) を行ったところ、2万回をクリ アーし問題はない。
(3)ヘッドとの衝突 従来技術のものより良好である
(第5図参照)。
(第5図参照)。
(4)静磁気特性 抗磁力()lc)、残留磁気(Br
δ)、(2)耐久性 角形比(So)は従来技術のもの と同等である。
δ)、(2)耐久性 角形比(So)は従来技術のもの と同等である。
(5)記録再生特性 2FTAA、D、。とも従来技術
と同等である。
と同等である。
(6)機械的性質 合金基体の引張り強度、耐力、伸び
とも従来技術のものと同等 である。
とも従来技術のものと同等 である。
本発明の磁気記録体は、第2図に示す成層構造の前記実
施例の他に、成層構造に種々の変更を加えた形態で実施
することができる。
施例の他に、成層構造に種々の変更を加えた形態で実施
することができる。
第6図は、第2図の成層構造のC保護膜(4)の上に、
液体潤滑剤(5)をスピンコードしたもので、この媒体
は薄膜ヘッドのAhO3、Tic等の硬質スライダーに
対してもCSS 2万回をクリアーし、耐久性に関し問
題を生しない。
液体潤滑剤(5)をスピンコードしたもので、この媒体
は薄膜ヘッドのAhO3、Tic等の硬質スライダーに
対してもCSS 2万回をクリアーし、耐久性に関し問
題を生しない。
第7図は、第2図の成層構造のC保護膜(4)の代わり
に、St島、ZrOを等の酸化物の保護膜(4゛)を形
成したもので、第2図実施例と同等の特性を持つ。
に、St島、ZrOを等の酸化物の保護膜(4゛)を形
成したもので、第2図実施例と同等の特性を持つ。
第8図は、第2図の成層構造の磁性膜(3)をCr膜(
2)を含めてスパッタリング形成する代わりに、Co−
Pの磁性膜(3゛)をメツキにより成膜したもので、第
2図実施例と同等の特性を持つ。
2)を含めてスパッタリング形成する代わりに、Co−
Pの磁性膜(3゛)をメツキにより成膜したもので、第
2図実施例と同等の特性を持つ。
第9図は、従来技術では基板、トのN1−P膜上には良
好な特性を持たせることがむつかしいとされているγ−
Fe2O3の磁性膜(3”)をスパッタリングにより成
膜したもので、やはり第2図実施例と同等の特性を持つ
。
好な特性を持たせることがむつかしいとされているγ−
Fe2O3の磁性膜(3”)をスパッタリングにより成
膜したもので、やはり第2図実施例と同等の特性を持つ
。
(発明の効果)
以上のように、本発明によると、アルミニウム−マグネ
シウム合金の基体表面に生ずるへ2−Fe等の金属間化
合物の粒径および面密度が急速凝固法と相伴って顕著に
減少し、その表面平坦化の電解複合研磨により仕上げた
鏡面には結晶粒界段差や研磨擦摺痕を含まない基板とす
ることができ、その上に直接極薄の磁性膜を形成して、
記録作用特性上の欠陥が顕著に少なく記録再生時の信号
エラー(ビットエラー)の発生率の少ない磁気記録体を
得ることができ、その製造の工程に困難が加わらず工数
が減少し、優良品質のものを量産可能とする効果がある
。
シウム合金の基体表面に生ずるへ2−Fe等の金属間化
合物の粒径および面密度が急速凝固法と相伴って顕著に
減少し、その表面平坦化の電解複合研磨により仕上げた
鏡面には結晶粒界段差や研磨擦摺痕を含まない基板とす
ることができ、その上に直接極薄の磁性膜を形成して、
記録作用特性上の欠陥が顕著に少なく記録再生時の信号
エラー(ビットエラー)の発生率の少ない磁気記録体を
得ることができ、その製造の工程に困難が加わらず工数
が減少し、優良品質のものを量産可能とする効果がある
。
第1図は本発明の第1実施例の磁気記録体の製造順序を
示す工程図、第2図はその磁気記録体の成層構造を示す
図、第3図はそのアルミニウム−マグネシウム合金基体
の金属間化合物の性状をその大きさと面密度との関係に
より従来技術例、比較例と比較して示す図、第4図はそ
の基体と表面仕上げとの関連結果を発生するエラーの大
きさとエラー数との関係により従来技術例、比較例と比
較して示す図、第5図はその関連結果を衝突回数と面数
との関係により示し第5図(イ)は電解複合研磨の場合
の図、第5図(ロ)は比較のためのダイヤターン切削研
磨の場合の図、第5図(ハ)は対比のための従来技術の
N1−P膜を含む場合の図、第6図は本発明の磁気記録
体の第2実施例の成層構造を示す図、第7図はその第3
実施例の成層構造を示す図、第8図はその第4実施例の
成層構造を示す図、第9図はその第5実施例の図、第1
0図(イ)は従来技術の磁気記録体の1例の成層構造を
示す図、第10図(ロ)はその他例の成層構造を示す図
、第10図(ハ)はそのさらに他例の成層構造を示す図
である。 (1)・・・基体、(1゛)・・・電解複合研磨面、(
2)・・・Cr下地膜、(3)(3’)(3”)・・・
磁性膜、(4)(4’)・・・保護膜、(5)・・・液
体潤滑剤、(a)・・・基体、ら)・・・N1−P膜、
(b゛)−Aj!、0.膜、(C) (c’ ) (c
”)・・・磁性膜、(d)(d’)・・・表面保護膜、
(e)(e”)・・・下地膜。
示す工程図、第2図はその磁気記録体の成層構造を示す
図、第3図はそのアルミニウム−マグネシウム合金基体
の金属間化合物の性状をその大きさと面密度との関係に
より従来技術例、比較例と比較して示す図、第4図はそ
の基体と表面仕上げとの関連結果を発生するエラーの大
きさとエラー数との関係により従来技術例、比較例と比
較して示す図、第5図はその関連結果を衝突回数と面数
との関係により示し第5図(イ)は電解複合研磨の場合
の図、第5図(ロ)は比較のためのダイヤターン切削研
磨の場合の図、第5図(ハ)は対比のための従来技術の
N1−P膜を含む場合の図、第6図は本発明の磁気記録
体の第2実施例の成層構造を示す図、第7図はその第3
実施例の成層構造を示す図、第8図はその第4実施例の
成層構造を示す図、第9図はその第5実施例の図、第1
0図(イ)は従来技術の磁気記録体の1例の成層構造を
示す図、第10図(ロ)はその他例の成層構造を示す図
、第10図(ハ)はそのさらに他例の成層構造を示す図
である。 (1)・・・基体、(1゛)・・・電解複合研磨面、(
2)・・・Cr下地膜、(3)(3’)(3”)・・・
磁性膜、(4)(4’)・・・保護膜、(5)・・・液
体潤滑剤、(a)・・・基体、ら)・・・N1−P膜、
(b゛)−Aj!、0.膜、(C) (c’ ) (c
”)・・・磁性膜、(d)(d’)・・・表面保護膜、
(e)(e”)・・・下地膜。
Claims (2)
- (1)アルミニウム−マグネシウム合金基板上に磁気記
録媒体の薄膜を形成するため、純度99.99%以上の
アルミニウム地金を用いて製造した合金を電解複合研磨
して基板とし、その上に強磁性材料の薄膜を成膜して記
録用磁性膜としたことを特徴とする磁気記録体。 - (2)純度99.9%以上のアルミニウム地金を用い急
速凝固法により製造した合金を電解複合研磨して基板と
し、その上に強磁性材料の薄膜を成膜して記録用磁性膜
としたことを特徴とする磁気記録体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202978A JPH0253222A (ja) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | 磁気記録体 |
US07/326,641 US5122423A (en) | 1988-08-15 | 1989-03-21 | Magnetic recording medium comprising a chromium underlayer deposited directly on an electrolytic abrasive polished high purity aluminum alloy substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202978A JPH0253222A (ja) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | 磁気記録体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0253222A true JPH0253222A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16466302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63202978A Pending JPH0253222A (ja) | 1988-08-15 | 1988-08-15 | 磁気記録体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5122423A (ja) |
JP (1) | JPH0253222A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH683188A5 (de) * | 1991-01-11 | 1994-01-31 | Alusuisse Lonza Services Ag | Aluminiumoberflächen. |
US5413873A (en) * | 1991-04-26 | 1995-05-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer |
US5456978A (en) * | 1993-08-03 | 1995-10-10 | Hmt Technology Corporation | Thin-film recording medium with thin metal sublayer |
US5441788A (en) * | 1993-11-03 | 1995-08-15 | Hewlett-Packard Company | Method of preparing recording media for a disk drive and disk drive recording media |
US5738945A (en) * | 1993-12-16 | 1998-04-14 | Hmt Technology Corporation | Multilayer magnetic medium with soft magnetic interlayer |
JP3011880B2 (ja) * | 1996-01-22 | 2000-02-21 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気ディスク基盤用ブランク及びその製造方法 |
US6303217B1 (en) | 1998-10-02 | 2001-10-16 | Hmt Technology, Corporation | Longitudinal recording medium with a dual underlayer |
US7003188B2 (en) * | 2001-04-17 | 2006-02-21 | Ying Wen Hsu | Low loss optical switching system |
US9575223B2 (en) * | 2011-05-13 | 2017-02-21 | Raytheon Company | Magnesium mirrors and methods of manufacture thereof |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4152487A (en) * | 1976-12-17 | 1979-05-01 | Nippon Electric Co., Ltd. | Magnetic record member |
JPS60140B2 (ja) * | 1980-01-28 | 1985-01-05 | 株式会社神戸製鋼所 | 磁気デイスク用Al基合金板の製造法 |
JPS63288620A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-25 | Kobe Steel Ltd | アルミニウムの電解複合超鏡面加工方法 |
-
1988
- 1988-08-15 JP JP63202978A patent/JPH0253222A/ja active Pending
-
1989
- 1989-03-21 US US07/326,641 patent/US5122423A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5122423A (en) | 1992-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4079169A (en) | Cobalt base alloy as protective layer for magnetic recording media | |
CN100485785C (zh) | 垂直磁记录介质的磁盘基板和用该基板的垂直磁记录介质 | |
KR100287262B1 (ko) | 자기기록매체, 그 제조방법 및 자기기억장치 | |
JP3018762B2 (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
US6524730B1 (en) | NiFe-containing soft magnetic layer design for multilayer media | |
JPH0253222A (ja) | 磁気記録体 | |
JP4023408B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体用基板、垂直磁気記録媒体及びそれらの製造方法 | |
JPS59142738A (ja) | 磁気記憶体 | |
US20030049497A1 (en) | Oriented magnetic medium on a nonmetallic substrate | |
JPH0770037B2 (ja) | 面内磁化記録用金属薄膜型磁気記録媒体 | |
JPS6018817A (ja) | 磁気記憶体 | |
JPH0451885B2 (ja) | ||
CN100414611C (zh) | 磁记录介质 | |
JP2732153B2 (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
JPH0315254B2 (ja) | ||
JPH03102615A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2991688B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
JPH04137217A (ja) | 磁気特性に優れた磁気ディスクの製造法 | |
JPS61199236A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2006155844A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 | |
JPH0467251B2 (ja) | ||
JPH03154222A (ja) | 磁気記録体 | |
JPH03102616A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0291813A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0793738A (ja) | 磁気記録媒体 |