JPS60219638A - 磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
磁気デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS60219638A JPS60219638A JP7495284A JP7495284A JPS60219638A JP S60219638 A JPS60219638 A JP S60219638A JP 7495284 A JP7495284 A JP 7495284A JP 7495284 A JP7495284 A JP 7495284A JP S60219638 A JPS60219638 A JP S60219638A
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- JP
- Japan
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- film
- substrate
- oxide
- fe2o3
- gamma
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野」
本発明は、ＡＩ系系板板表面Ｎ１−Ｐめっき膜を介して
酸化鉄薄膜を形成する磁気ディスクの製造方法に関する
。
酸化鉄薄膜を形成する磁気ディスクの製造方法に関する
。
酸化鉄連続薄膜を媒体として用いるいわゆるスパッタ・
ディスクにおいては、従来アルマイト基板が公知であっ
たが、熱処理クラック欠陥等の問題があった。それに対
し、Ａ１合金表面にＮ１−Ｐめつき膜を形成して用いる
基板は上記の問題を本質的に解決できるため、スパッタ
・ディスク用基板として優れている。しかし、Ｎ１−ｐ
めっき膜を用いた基板では、その上に酸化鉄膜（１−Ｆ
ｅｔｕｓ）を形成すると、Ｎ１−Ｐと１ Ｐｅｔ’ｓと
の間で化学反応が生じ、γ−Ｆｅａｒｓが酸化不足とな
って磁気特性が劣化したり、界面密着力が低下したシす
るという問題が生じた。
ディスクにおいては、従来アルマイト基板が公知であっ
たが、熱処理クラック欠陥等の問題があった。それに対
し、Ａ１合金表面にＮ１−Ｐめつき膜を形成して用いる
基板は上記の問題を本質的に解決できるため、スパッタ
・ディスク用基板として優れている。しかし、Ｎ１−ｐ
めっき膜を用いた基板では、その上に酸化鉄膜（１−Ｆ
ｅｔｕｓ）を形成すると、Ｎ１−Ｐと１ Ｐｅｔ’ｓと
の間で化学反応が生じ、γ−Ｆｅａｒｓが酸化不足とな
って磁気特性が劣化したり、界面密着力が低下したシす
るという問題が生じた。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解決し電磁変換
特性および耐ヘッド摺動強度に優れた、冒頭に述べた種
類の磁気ディスクの製造方法を提供することにある。
特性および耐ヘッド摺動強度に優れた、冒頭に述べた種
類の磁気ディスクの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明による磁気ディスク
の製造方法は、酸化鉄薄膜を形成する前にＮ１−Ｐ下地
めっき膜の表面を酸化することを要旨とする。
の製造方法は、酸化鉄薄膜を形成する前にＮ１−Ｐ下地
めっき膜の表面を酸化することを要旨とする。
本発明によれば、Ｎ１−Ｐ下地めっき膜の表面を強制的
ｌこ酸化して酸化膜を形成し、しかる後に１−Ｆｅｗα
酸化膜を形成するため、 Ｎ１−Ｐ表面酸化膜がＮ１−
Ｐめっき膜とγ−Ｆｅ禦α酸化膜との反応のバリヤ一層
として機能する。したがって、その酸化膜がｒ Ｐｅｔ
’ｓとＮ１−Ｐ間での反応・拡散を抑止し、さらに１−
Ｆｅｗαと基板間との密着力を向上する。
ｌこ酸化して酸化膜を形成し、しかる後に１−Ｆｅｗα
酸化膜を形成するため、 Ｎ１−Ｐ表面酸化膜がＮ１−
Ｐめっき膜とγ−Ｆｅ禦α酸化膜との反応のバリヤ一層
として機能する。したがって、その酸化膜がｒ Ｐｅｔ
’ｓとＮ１−Ｐ間での反応・拡散を抑止し、さらに１−
Ｆｅｗαと基板間との密着力を向上する。
以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があシ得
ることは勿論である。
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があシ得
ることは勿論である。
実施例１
第１図は本発明に係る磁気ディスクの断面図で、図中１
は外径２１０朋、内径１００ｍｍ、板厚ｚＯＩＩ１１！
の寸法のＡ／−Ｍｐ金合金りなる基板であシ、表面は研
削加工によって０．２μｍｆＬｍに加工しである。
は外径２１０朋、内径１００ｍｍ、板厚ｚＯＩＩ１１！
の寸法のＡ／−Ｍｐ金合金りなる基板であシ、表面は研
削加工によって０．２μｍｆＬｍに加工しである。
ＡＪ合金基板１０表面に脱脂処理後亜鉛置換処理を施し
、銅ストライクめっき膜を形成し、基板表面をめっき可
能な表面に改質した。ついで、以下の方法でＮ１−Ｐめ
っき膜２を５０μｍ厚に形成した。使用しためっき液の
組成およびめりき条件は下記の通りであった。
、銅ストライクめっき膜を形成し、基板表面をめっき可
能な表面に改質した。ついで、以下の方法でＮ１−Ｐめ
っき膜２を５０μｍ厚に形成した。使用しためっき液の
組成およびめりき条件は下記の通りであった。
この場合、Ｎ１−Ｐめっき膜の半径方向の分布均一化が
重要であるが、それには特公昭４５−９４４７１号に開
示されている補助陰極、電流分布制御板を用いる方法を
適用した。その結果、めっき厚の分布は面内±２，７％
であった。つぎに基板を５２０℃の温度で６時間気中熱
処理し、Ｎ１−Ｐ皮膜の安定化を図った。
重要であるが、それには特公昭４５−９４４７１号に開
示されている補助陰極、電流分布制御板を用いる方法を
適用した。その結果、めっき厚の分布は面内±２，７％
であった。つぎに基板を５２０℃の温度で６時間気中熱
処理し、Ｎ１−Ｐ皮膜の安定化を図った。
上記安定化熱処理温度は、後工程での１−ＦｅｌＯａ形
成温度が３００℃でおるため、プロセス・マージンを２
０℃と見込み、３２Ｄ℃に設定し、Ｎ１−Ｐ皮膜のエー
ジングによる安定化を目的とした。つぎに、Ｎ１−Ｐめ
っき膜表面に研削加工および研磨加工を施し、表面粗さ
０．０５μｍＲｗｗｔに仕上げた。
成温度が３００℃でおるため、プロセス・マージンを２
０℃と見込み、３２Ｄ℃に設定し、Ｎ１−Ｐ皮膜のエー
ジングによる安定化を目的とした。つぎに、Ｎ１−Ｐめ
っき膜表面に研削加工および研磨加工を施し、表面粗さ
０．０５μｍＲｗｗｔに仕上げた。
仕上加工後の残存膜厚は４０μｍであった。
つぎにＮ１−Ｐ仕上加工面を清浄化する目的で、クロロ
セン脱脂、アルカリ脱脂および２１）ＨＦ溶液による酸
洗浄を行なった後、本発明に係る、Ｎ１−Ｐ表面酸化処
理を以下の熱酸化条゛件で行なった。
セン脱脂、アルカリ脱脂および２１）ＨＦ溶液による酸
洗浄を行なった後、本発明に係る、Ｎ１−Ｐ表面酸化処
理を以下の熱酸化条゛件で行なった。
上記熱酸化処理により、Ｎ１−Ｐ表面には０１〜０．２
μｍの酸化ニッケルを主体とする酸化物が形成した。こ
の酸化物はＮ１−Ｐ膜を空気中に室温放置した場合に形
成する自然酸化膜が約数１０ｎｍであることと比較する
と、膜厚が１桁程大きく（０，１〜０．２μｍ）かつ過
不足なく十分に酸化した物であるため、本発明の目的で
ある記録媒体（γ−Ｆｅ、α）と下地金属（Ｎｉ −Ｐ
）間の反応拡散防止機能および両者の密着方向上に十
分な効果を持つ。
μｍの酸化ニッケルを主体とする酸化物が形成した。こ
の酸化物はＮ１−Ｐ膜を空気中に室温放置した場合に形
成する自然酸化膜が約数１０ｎｍであることと比較する
と、膜厚が１桁程大きく（０，１〜０．２μｍ）かつ過
不足なく十分に酸化した物であるため、本発明の目的で
ある記録媒体（γ−Ｆｅ、α）と下地金属（Ｎｉ −Ｐ
）間の反応拡散防止機能および両者の密着方向上に十
分な効果を持つ。
自然酸化では十分な厚さの膜が得られず、満足できる効
果を得ることができない。
果を得ることができない。
引続き上記の熱酸化後の基板を記録媒体形成のために、
スパッタ装置内にセットし、つぎに記す反応性スパッタ
条件によシマグネタイト膜（Ｆｅｓα）を０．２ μｔ
ｌＬ成膜した。
スパッタ装置内にセットし、つぎに記す反応性スパッタ
条件によシマグネタイト膜（Ｆｅｓα）を０．２ μｔ
ｌＬ成膜した。
マグネタイ）（Ｆｅ、α）膜を成膜後にディスクを真空
槽よシ取り出し、気中熱酸化炉を用い、３００℃の温度
で３時間の酸化処理によシ、マグネタイト膜（Ｆｅｎ
０４ ）をマグヘマタイト膜（ｒ Ｆｅｔｅ−）に変換
し、磁気記録膜６とした。さらに、その上層に潤滑保護
膜としてポリイミド膜４をスパッタリング法で２０ ｎ
ｍ厚に形成し、磁気ディスりとして完成した。
槽よシ取り出し、気中熱酸化炉を用い、３００℃の温度
で３時間の酸化処理によシ、マグネタイト膜（Ｆｅｎ
０４ ）をマグヘマタイト膜（ｒ Ｆｅｔｅ−）に変換
し、磁気記録膜６とした。さらに、その上層に潤滑保護
膜としてポリイミド膜４をスパッタリング法で２０ ｎ
ｍ厚に形成し、磁気ディスりとして完成した。
実施例２
本実施例は、仕上加工後のＮ１−Ｐ表面を酸化する方法
として真空槽中で酸素イオン・ガンを用いる例を示す。
として真空槽中で酸素イオン・ガンを用いる例を示す。
実施例１と同様な方法により、外径２１０１１１１゜内
径１００龍、板厚２，０朋のＡ／金合金上Ｎ１−Ｐめっ
き膜２を形成し、３２０℃の安定化熱処理を行なった後
に、研削・研磨加工を行なって平坦・平滑なＮ１−Ｐ表
面を得た。つぎに、クロロセン脱脂、アルカリ脱脂、酸
洗浄および純水スピン乾燥を行なってＮ１−Ｐ仕上加工
面を清浄化し、本基板を真空槽内にセントした。真空槽
中にセットしたＮ１−Ｐ基板は３０ｒｙｍで回転しつつ
、イオン・ガンを用いて酸素イオンを表面に照射して酸
化処理を行なった。放電条件は以下の通りである。
径１００龍、板厚２，０朋のＡ／金合金上Ｎ１−Ｐめっ
き膜２を形成し、３２０℃の安定化熱処理を行なった後
に、研削・研磨加工を行なって平坦・平滑なＮ１−Ｐ表
面を得た。つぎに、クロロセン脱脂、アルカリ脱脂、酸
洗浄および純水スピン乾燥を行なってＮ１−Ｐ仕上加工
面を清浄化し、本基板を真空槽内にセントした。真空槽
中にセットしたＮ１−Ｐ基板は３０ｒｙｍで回転しつつ
、イオン・ガンを用いて酸素イオンを表面に照射して酸
化処理を行なった。放電条件は以下の通りである。
上記のイオン・ガンを用いた酸化処理により、Ｎ１−Ｐ
表面には約０．１μｍの酸化ニッケルを主体とした酸化
物が形成した。
表面には約０．１μｍの酸化ニッケルを主体とした酸化
物が形成した。
続いて同一の真空槽内で連続して、上記基板上にマグネ
タイト膜（Ｆｅｓα）を０２μｍ形成した。
タイト膜（Ｆｅｓα）を０２μｍ形成した。
この酸化鉄形成のためのスパッタ条件は実施例１と同様
である。マグネタイト膜（Ｆｅｓα）形成後に、実施例
１と同様にして、マグヘマタイト（γ−Ｆｅ！α）６に
変換し、さらにポリイミド膜４をスパッタ法にて潤滑保
護膜として形成し、高記録密度磁気ディスクを完成した
。
である。マグネタイト膜（Ｆｅｓα）形成後に、実施例
１と同様にして、マグヘマタイト（γ−Ｆｅ！α）６に
変換し、さらにポリイミド膜４をスパッタ法にて潤滑保
護膜として形成し、高記録密度磁気ディスクを完成した
。
形成したＮ１−Ｐ膜表面の酸化膜は酸化鉄記録膜（１Ｐ
ｅｗ’ｓ ）と下地金属（Ｎｉ −Ｐ ）間の酸化還元
反応の障壁層（バリヤ）として機能するから、１−Ｆｅ
ｗαの酸素がＮ１−Ｐによって消費されること、あるい
は下地金属層（Ｎｉ −Ｐ ）から酸化鉄層（γ−Ｆｅ
、０． ）へのＰおよびＮｉの拡散を抑止できる。
ｅｗ’ｓ ）と下地金属（Ｎｉ −Ｐ ）間の酸化還元
反応の障壁層（バリヤ）として機能するから、１−Ｆｅ
ｗαの酸素がＮ１−Ｐによって消費されること、あるい
は下地金属層（Ｎｉ −Ｐ ）から酸化鉄層（γ−Ｆｅ
、０． ）へのＰおよびＮｉの拡散を抑止できる。
そのため、本発明以前では問題となった記録媒体磁気特
性の劣化、特に飽和磁束密度、角型比の低下を防ぐこと
ができ、第１表に示すように高性能な磁気特性を実現で
きる。このため、電磁変換特性の面で高出力、高８７Ｎ
比を実現でき、高記録密度化に大いに寄与できた。第１
表には、比較のために従来法によって得られる緒特性も
合せて記した 第１表 特性比較 従来法では、Ｎ１−Ｐ表面に酸化鉄膜（γ−Ｆｅｗα）
を直接形成していたため、両者の密着力は低く、そのた
めヘッドの摺動試験後にディスク表面を観察したところ
では、 Ｎ１−Ｐ膜と酸化鉄膜（γ−Ｆｅ、０．）界面
で剥離が生じて破壊に至る場合が多かったが、本発明に
よれば、Ｎ１−Ｐ表面酸化膜と酸化鉄膜が同じ酸化物で
あるため、密着力が非常に優れてお夛、本発Ｆ！Ａ＃こ
よ多形成したディスクは耐ヘツド摺動強度に優れている
。また、本発明により形成したディスクには、媒体剥離
による破壊は生ぜず、耐ヘツド摺動強度は、Ｃ８８（Ｃ
ｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔ ５ｔｏｐ ）試験で評価し
た結果では、４５．０００回（従来法では１７．０００
回）を達成し、機械的信頼性の面でも優れていることが
証萌された。
性の劣化、特に飽和磁束密度、角型比の低下を防ぐこと
ができ、第１表に示すように高性能な磁気特性を実現で
きる。このため、電磁変換特性の面で高出力、高８７Ｎ
比を実現でき、高記録密度化に大いに寄与できた。第１
表には、比較のために従来法によって得られる緒特性も
合せて記した 第１表 特性比較 従来法では、Ｎ１−Ｐ表面に酸化鉄膜（γ−Ｆｅｗα）
を直接形成していたため、両者の密着力は低く、そのた
めヘッドの摺動試験後にディスク表面を観察したところ
では、 Ｎ１−Ｐ膜と酸化鉄膜（γ−Ｆｅ、０．）界面
で剥離が生じて破壊に至る場合が多かったが、本発明に
よれば、Ｎ１−Ｐ表面酸化膜と酸化鉄膜が同じ酸化物で
あるため、密着力が非常に優れてお夛、本発Ｆ！Ａ＃こ
よ多形成したディスクは耐ヘツド摺動強度に優れている
。また、本発明により形成したディスクには、媒体剥離
による破壊は生ぜず、耐ヘツド摺動強度は、Ｃ８８（Ｃ
ｏｎｔａｃｔ ５ｔａｒｔ ５ｔｏｐ ）試験で評価し
た結果では、４５．０００回（従来法では１７．０００
回）を達成し、機械的信頼性の面でも優れていることが
証萌された。
以上説明した通り、本発明によれば、電磁変換特性およ
び耐ヘツド摺動強度に優れ、かつ高記録密度の磁気ディ
スクを実現することができる。
び耐ヘツド摺動強度に優れ、かつ高記録密度の磁気ディ
スクを実現することができる。
第１図はＡ７またはＡ／合金基板表面にＮ１−Ｐ下地め
っき膜を介して酸化鉄薄膜を形成した磁気ディスクの断
面図である。 代理人弁理士 高 倫 明 天
っき膜を介して酸化鉄薄膜を形成した磁気ディスクの断
面図である。 代理人弁理士 高 倫 明 天
Claims (1)
- ＡＩまたはＭ合金基板表面にＮ１−Ｐ下地めっき膜を形
成した後、該めっき膜上化酸化鉄薄膜を形成する磁気デ
ィスクの製造方法において、±記酸化鉄薄膜を形成する
前に上記Ｎ１−Ｐ下地めりき膜の表面を酸化することを
特徴とする磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7495284A JPS60219638A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7495284A JPS60219638A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219638A true JPS60219638A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13562168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7495284A Pending JPS60219638A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219638A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0676261A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録ディスクファイル |
| JPH0676279A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録ディスク及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7495284A patent/JPS60219638A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0676261A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録ディスクファイル |
| JPH0676279A (ja) * | 1992-08-07 | 1994-03-18 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気記録ディスク及びその製造方法 |
| US5302434A (en) * | 1992-08-07 | 1994-04-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk for contact recording |
| US5307223A (en) * | 1992-08-07 | 1994-04-26 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk file for contact recording |
| JPH07105031B2 (ja) * | 1992-08-07 | 1995-11-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気記録ディスクファイル |
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