JPS58224436A - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
- Publication number
- JPS58224436A JPS58224436A JP10691882A JP10691882A JPS58224436A JP S58224436 A JPS58224436 A JP S58224436A JP 10691882 A JP10691882 A JP 10691882A JP 10691882 A JP10691882 A JP 10691882A JP S58224436 A JPS58224436 A JP S58224436A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- iron oxide
- film
- magnetic
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ディスクに関する。
薄膜スパッタ磁気ディスクの薄膜種層構造は庇またはＡ
ｉＶ、Ｙ主成分とする金属基板上にこ扛ら金楓基板ケ陽
極酸化して形成したアルマイト層と面接法あるいは間接
法によって形成したγ−Ｆ’、、０５を主成分とする強
磁性酸化鉄薄膜層の２層構造となっている。
ｉＶ、Ｙ主成分とする金属基板上にこ扛ら金楓基板ケ陽
極酸化して形成したアルマイト層と面接法あるいは間接
法によって形成したγ−Ｆ’、、０５を主成分とする強
磁性酸化鉄薄膜層の２層構造となっている。
ＡｋまたはＡｋ火火成成分する金属基板上にアルマイト
層を設けた在な理由は、（１）平滑な磁気ディスク基板
とするための刀ロエ精度の同上、 （２）６ｆＩ性媒体
形成時の熱処理に対する耐熱性同上、（３）−ツドクラ
ソシュ乞防止する高硬度膜の実現等であるが、同時に、
（１）アルマイト層が本質的に持つ細孔を含めて、穴、
〈はみ、などの表面欠陥が発生しやすいこと、（２）熱
処理にニジクラックが発生しやすく必ずしも耐熱性が優
扛ているわけではないこと、（３）工程数が多くなりコ
スト高となること、などの欠虞乞もっている。
層を設けた在な理由は、（１）平滑な磁気ディスク基板
とするための刀ロエ精度の同上、 （２）６ｆＩ性媒体
形成時の熱処理に対する耐熱性同上、（３）−ツドクラ
ソシュ乞防止する高硬度膜の実現等であるが、同時に、
（１）アルマイト層が本質的に持つ細孔を含めて、穴、
〈はみ、などの表面欠陥が発生しやすいこと、（２）熱
処理にニジクラックが発生しやすく必ずしも耐熱性が優
扛ているわけではないこと、（３）工程数が多くなりコ
スト高となること、などの欠虞乞もっている。
と（Ｋ表面欠陥の存在は磁気記録における信号エラー、
信号ノイズの直接原因となるもので、磁気記録密ＩＷの
高密度化かす＼めはす＼むほど、間鵬となるのは必至で
ある。
信号ノイズの直接原因となるもので、磁気記録密ＩＷの
高密度化かす＼めはす＼むほど、間鵬となるのは必至で
ある。
本発明の目的は上記従来技術の欠点乞なくし、表面欠陥
がなく、１制食性に優ｎ、高信頼性を有する磁気ティス
フ？提供−することにある。
がなく、１制食性に優ｎ、高信頼性を有する磁気ティス
フ？提供−することにある。
即ち本発明はＡｆｉ’ｆ＊はＡβ乞主成分とする金属基
板上に形成した磁気記録用強磁性酸化鉄薄膜とその上に
形成した側滑保膿膜からなる磁気ディスク基板であって
、該金属基板と該強磁性酸化鉄薄膜との間に非６ｉ？性
酸化鉄薄膜ケ設けること乞特徴とする磁気ディスクであ
る。
板上に形成した磁気記録用強磁性酸化鉄薄膜とその上に
形成した側滑保膿膜からなる磁気ディスク基板であって
、該金属基板と該強磁性酸化鉄薄膜との間に非６ｉ？性
酸化鉄薄膜ケ設けること乞特徴とする磁気ディスクであ
る。
以下本発明について具体的に説明する。即ち安定なヘッ
ド浮上な保障する磁気ディスクの表面平滑精度は実質的
にはディスク用基板の表面精度にほぼ支配さｊるもので
ある。従って現在用いら扛ているＡｎｆたはＡ２合金基
板の表面精度が向上す釘はアルマイト層ケ設けること、
または様々な酸化物層ン設けて平滑研磨する必要がｌ（
ｌる。
ド浮上な保障する磁気ディスクの表面平滑精度は実質的
にはディスク用基板の表面精度にほぼ支配さｊるもので
ある。従って現在用いら扛ているＡｎｆたはＡ２合金基
板の表面精度が向上す釘はアルマイト層ケ設けること、
または様々な酸化物層ン設けて平滑研磨する必要がｌ（
ｌる。
しかし、このディスク用基板では、高純度Ａ ”Ｍｇｔ
素材？ベースとする。Ａ４−４％Ｍ９合金基板１合金結
晶組織の倣維均−化、硬度の向上など、材料面から検討
７５靭口えらｎ７、これをダイヤモンドレース刀ロエ（
ＤＰＬ）、メカノボリシイング技術（ＭＣＰ）などの高
度な研磨平滑化技術を駆使することにより、ティスフ用
基板表面鞘度は飛躍的に向上し。
晶組織の倣維均−化、硬度の向上など、材料面から検討
７５靭口えらｎ７、これをダイヤモンドレース刀ロエ（
ＤＰＬ）、メカノボリシイング技術（ＭＣＰ）などの高
度な研磨平滑化技術を駆使することにより、ティスフ用
基板表面鞘度は飛躍的に向上し。
磁気ヘッド暑狭いスペースで浮上し得る平滑化は央現し
ている。
ている。
□
また従来のアルマイトＪ―に面ト胎耗性を要求する必ｇ
は無くヘッドと直接々触する潤滑保護展層と強磁性酸化
鉄薄膜層に耐磨耗性かあｔ′Ｌはよく。
は無くヘッドと直接々触する潤滑保護展層と強磁性酸化
鉄薄膜層に耐磨耗性かあｔ′Ｌはよく。
、 ５
γ−Ｆ、２０ 、を主成分とする強磁性酸化鉄薄膜では
そｎは十分達成している。
そｎは十分達成している。
従って、残さｎた最も重要な問題は、＠接法あるいは間
接法に工Ｖγ−Ｆ６□０５を主成分とする強磁性酸化鉄
薄Ｍ’Ｙ熱酸化によって形成する際のＦｏおよび酸素の
Ａ２合金基板への拡散およびＡｉｔの酸化鉄層への拡散
に依るプロセス余裕度の低下お工ひ磁気特性の低化、劣
化である。
接法に工Ｖγ−Ｆ６□０５を主成分とする強磁性酸化鉄
薄Ｍ’Ｙ熱酸化によって形成する際のＦｏおよび酸素の
Ａ２合金基板への拡散およびＡｉｔの酸化鉄層への拡散
に依るプロセス余裕度の低下お工ひ磁気特性の低化、劣
化である。
こｒＬヲ解決するためγ−Ｆ’、２０．ヶ主成分トする
強主成分化鉄薄膜と、高精度に平滑加工さｎ ｙｃ Ａ
Ｉｔ合金基板表面との間にα−Ｆ＠、０．Ｙ主成分と
する非磁性酸化鉄薄膜層な設けた。この非磁性酸化鉄薄
膜は、直接法においてはＡ２合金基板上に反応性スパッ
タリングに依って形成し’ｆＣＦａ ５０４ Ｙ ｉ
”ｆた間接法においては、Ａ１合金基板上にスパッタリ
ングに工って形成したα−Ｆａ２０５ を水素還元し
て得たＦｏ５０４ Ｙ谷、々熱酸化する際に、Ｆｅ２Ｏ
２層か′□：□ らのＦやお工ひ酸素のＡ２合金基板への拡散とＡ１のＦ
ｅ３０ａ）＊への拡散ン防止し、磁気特性の優ｒｔたｒ
Ｆｌ１２０５ ン主成分とする強磁性酸化鉄薄膜が
得ら扛ることか明らかとなった。
強主成分化鉄薄膜と、高精度に平滑加工さｎ ｙｃ Ａ
Ｉｔ合金基板表面との間にα−Ｆ＠、０．Ｙ主成分と
する非磁性酸化鉄薄膜層な設けた。この非磁性酸化鉄薄
膜は、直接法においてはＡ２合金基板上に反応性スパッ
タリングに依って形成し’ｆＣＦａ ５０４ Ｙ ｉ
”ｆた間接法においては、Ａ１合金基板上にスパッタリ
ングに工って形成したα−Ｆａ２０５ を水素還元し
て得たＦｏ５０４ Ｙ谷、々熱酸化する際に、Ｆｅ２Ｏ
２層か′□：□ らのＦやお工ひ酸素のＡ２合金基板への拡散とＡ１のＦ
ｅ３０ａ）＊への拡散ン防止し、磁気特性の優ｒｔたｒ
Ｆｌ１２０５ ン主成分とする強磁性酸化鉄薄膜が
得ら扛ることか明らかとなった。
このＡ１と酸素、Ｆ６の相互拡散を効果的に防止するに
は、このγ−Ｆ、２０．Ｙ主成分とする強磁性酸化鉄薄
膜は、０．２μｍ以上の膜厚が好ましく、０．２μｍ〜
０．５μｍが最も好ましい。０，５μｍ以上では成膜時
間が長くなるため好ましくない。
は、このγ−Ｆ、２０．Ｙ主成分とする強磁性酸化鉄薄
膜は、０．２μｍ以上の膜厚が好ましく、０．２μｍ〜
０．５μｍが最も好ましい。０，５μｍ以上では成膜時
間が長くなるため好ましくない。
実施例１゜
表面粗さ Ｒａ：０．００７μｍ以下１１（ｍａｘよ０
．０８μｍ以下であり、シかもヘット浮上を達成できる
工すに十分平滑処理したＡｉｔ−４％Ｍｇ合金ディスク
基板上［Ｆ’、’ａ？主成分とするターゲラ）Ｙ用い、
酸素を所定槍含有するＡｒガスの減圧下で高周波反応ス
パッタリングに依りα−Ｆ’−２０ｓ Ｍ’ｌ形成し。
．０８μｍ以下であり、シかもヘット浮上を達成できる
工すに十分平滑処理したＡｉｔ−４％Ｍｇ合金ディスク
基板上［Ｆ’、’ａ？主成分とするターゲラ）Ｙ用い、
酸素を所定槍含有するＡｒガスの減圧下で高周波反応ス
パッタリングに依りα−Ｆ’−２０ｓ Ｍ’ｌ形成し。
次に酸素含有量を減らすことによってα−Ｆａ２０５膜
上にＦｅ５０ａ膜を高周波反応スパッタリングにエフ約
０．２μｍの膜厚に形成した。次にこ扛を３００℃の温
度で６時間熱酸化しγ−ｐ、２ｏ、 ’ｌ主成分とする
強磁性酸化鉄薄膜に変換しＡｘ合金基板上に、α−Ｆａ
２０ｓとγ−Ｆａ２０５の２層膜を形成した。＠滑保護
膜はＤＩＳＫＰＲＯ’ｒＥＫ■で形成し′ｆｃ、第１衣
はその具体例７示す。表中、角型比は、印刀０磁界２Ｋ
ｏｅの飽和研化楡二８２にと残留磁化量：ＢｒＯ比で示
した。浮上特性は、磁気ディスクと磁気ヘッドの浮上で
きる最少スペースとして示した。
上にＦｅ５０ａ膜を高周波反応スパッタリングにエフ約
０．２μｍの膜厚に形成した。次にこ扛を３００℃の温
度で６時間熱酸化しγ−ｐ、２ｏ、 ’ｌ主成分とする
強磁性酸化鉄薄膜に変換しＡｘ合金基板上に、α−Ｆａ
２０ｓとγ−Ｆａ２０５の２層膜を形成した。＠滑保護
膜はＤＩＳＫＰＲＯ’ｒＥＫ■で形成し′ｆｃ、第１衣
はその具体例７示す。表中、角型比は、印刀０磁界２Ｋ
ｏｅの飽和研化楡二８２にと残留磁化量：ＢｒＯ比で示
した。浮上特性は、磁気ディスクと磁気ヘッドの浮上で
きる最少スペースとして示した。
α−Ｐ・２０５が０．１μｍでは熱酸化に依り、 拡散
を十分防止で起す、Ｈｏの増大、角型比の低下がおきて
おり好１しくない。
を十分防止で起す、Ｈｏの増大、角型比の低下がおきて
おり好１しくない。
第 １ 表
実施例２゜
実施例１で用いたものと同様のｊｌｌ−４％ 合金基板
上にＦ、ン主成分とするターゲットＹ用い、酸索乞所定
量含有するＡｒガスの減圧下で高周波スパッタリングに
よジα−Ｆａ ２０ｓ 膜Ｙ ０．３〜１，２μｍの膜
厚に形成した。次にこ′ｎを約３００℃の水系気流中で
光面から約０．２μｍがＦｅ５Ｏ４に変換さ扛るよりに
処理時間２変え還元処理した。次に実施例１と同様に熱
酸化し、Ｆｅ３Ｏ４層乞γ−Ｆ＊ ２０５ １ｃ 変換
し同様の＠滑保護膜を形成した。第１衣と同様の結果を
得た実施例１に比べ熱処理工程が多いにもかかわらず表
面粗さは劣化しなかった。
上にＦ、ン主成分とするターゲットＹ用い、酸索乞所定
量含有するＡｒガスの減圧下で高周波スパッタリングに
よジα−Ｆａ ２０ｓ 膜Ｙ ０．３〜１，２μｍの膜
厚に形成した。次にこ′ｎを約３００℃の水系気流中で
光面から約０．２μｍがＦｅ５Ｏ４に変換さ扛るよりに
処理時間２変え還元処理した。次に実施例１と同様に熱
酸化し、Ｆｅ３Ｏ４層乞γ−Ｆ＊ ２０５ １ｃ 変換
し同様の＠滑保護膜を形成した。第１衣と同様の結果を
得た実施例１に比べ熱処理工程が多いにもかかわらず表
面粗さは劣化しなかった。
以上説明したように、本発明に１扛ば、非磁性酸化鉄薄
膜は、Ａ接法においては、強磁性酸化鉄薄膜ケ形成する
工程で連続的に形成できること、間接法においては、非
磁性酸化鉄薄膜の水素還元の工程で、非磁性層ン所定量
残すことによって得ら扛ることから、工程数が従来に比
し大幅に少くなり経済的効果が太きい。
膜は、Ａ接法においては、強磁性酸化鉄薄膜ケ形成する
工程で連続的に形成できること、間接法においては、非
磁性酸化鉄薄膜の水素還元の工程で、非磁性層ン所定量
残すことによって得ら扛ることから、工程数が従来に比
し大幅に少くなり経済的効果が太きい。
１だ本発明に１扛ばＡ２合金基板上に形成した非磁性酸
化鉄膜Ｍは耐食性に優扛るため、磁気ディスクの信頼性
同上にも効果を発揮することかできる。
化鉄膜Ｍは耐食性に優扛るため、磁気ディスクの信頼性
同上にも効果を発揮することかできる。
図は本発明の磁気ディスクの層構造を示す断面図である
。 １・・・潤滑保膣膜 ２・・・γ−Ｆａ２０５を主成分どする強磁性酸化鉄膜
３°°・α−Ｆ”ａ２０５ＹＢＩＥ成分とする非磁性酸
化鉄膜４・・・ＡＲ’ＥたｔよＡ２合金基板 、 ８ 。
。 １・・・潤滑保膣膜 ２・・・γ−Ｆａ２０５を主成分どする強磁性酸化鉄膜
３°°・α−Ｆ”ａ２０５ＹＢＩＥ成分とする非磁性酸
化鉄膜４・・・ＡＲ’ＥたｔよＡ２合金基板 、 ８ 。
Claims (1)
- 八βまたはＡｋを主成分とする金属基板上に形成した磁
気記録用強磁性酸化鉄薄膜とその上に形成した潤滑保睡
膜からなる磁気ディスク基板であって１該金属基板と該
強磁性酸化鉄薄膜との間に非磁性酸化鉄薄膜を設けるこ
とｔ特徴とする磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10691882A JPS58224436A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 磁気デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10691882A JPS58224436A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 磁気デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224436A true JPS58224436A (ja) | 1983-12-26 |
Family
ID=14445800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10691882A Pending JPS58224436A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 磁気デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224436A (ja) |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10691882A patent/JPS58224436A/ja active Pending
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