JPS63217521A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気配電装置（ｆｆｌ気ディスク装置及び山気
ドラム装置及びフロッピー装置及び磁気テープ等）罠用
いられる磁気記憶体に関するものである。

（従来の技術） 従来、金稿薄換媒体からなる磁気記ｔｍ体は、コバルト
ニッケル燐鍍金膜や、記憶体として作用できるような保
磁力を有するように非磁性金属下地層として、クロム膜
を被覆し、その上にコバルトニッケル合金膜を被覆した
ものが、実用化されている。

（発明が解決しようとする間騙点） しかし、上述の従来の磁気記憶体は、高温、高湿の劣悪
な雰囲気では腐食しやすく、この意味で十分耐食性のあ
る金属薄膜媒体＆′！まだ知られていないと言える。ま
た、上記コバルトニ、ケルスパ、り膜は記録再生特性に
おける信号対雑音比（ＳＮ比）が悪く、高密度記録には
適さない。本発明は、上述の塊況に鑑み、上記の記憶体
よりはるかに耐食性が優れ、高い８Ｎ比と高記録密度が
得られる磁気記を体を提供するものである。

（間亀点を解決する為の手段） 本発明の磁気記憶体は、下地体と、この下地体上に被覆
される非磁性金属下地層と、この非磁性金属下地層上に
被覆され少なくとも銅とニッケルを同時に含むコバルト
磁性合金薄膜媒体とを具備して構成される。

この磁気記憶体は、磁性合金薄膜媒体として、少なくと
も銅とニッケルを同時に含むコバル）ｆｆｌ性合金を用
いたことが１要な点である。

（実施例） 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例の部分断の１図で、下地体１
はアルミ合金又は陽′＆酸化アルマイト、ニッケルー燐
鍍金膜等を被覆したアルミ合金父はポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミドなどのグラスチ、り又は窒化
硅素、酸化アルミと炭化チタン焼結体等のセラミックス
又はステンレス、チタン合金又はガラス板などである。

次に、下地体１の上に非磁性全編下地Ｎ１２とじてクロ
ム、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニ９ム
、金、ビスマスなどの金属又はそれらのうち少なくとも
一つの元素を含む合金が０．１から０．８ミクロン（μ
ｍ）程度高周波マグネトロンスパ、り法等により被覆さ
れる。使用したガスはアルゴンやネオン等の不活性ガス
で、その圧力は５から１００ミリトール（ｍｔｏｒｒ）
の広い範囲で被覆される。スパッタパワー密度もｌから
２５Ｗ／ｃＩｎ２の広い範囲である。

次に、上記非磁性金属下地層２の上に、磁性合金４Ｍ媒
体３として少なくとも銅とニッケルを同時に含むコバル
ト合金に代表されるような磁性合金薄膜媒体が３００か
ら１０００オングストローム（Ａ）Ｎ度高周波マグネト
ロンスパ、り法等により被覆される。高密度記録が得ら
れる磁気特性（保磁力は５００工ルステツド以上、飽和
磁束密度は５０００ガウス以上）、優れた耐食性、高い
信号対雑音比（ＳＮ比）、大きい杏生出力等が得られる
ことを考慮すると、銅の含有量は２から１５原子俤、ニ
ッケルの含鳴蓋は１０から５３原子チ程度であることが
望ましい。但し、コバルトの含有量は４５原子俤以上で
あることが望ましい。使用したガスはアルゴンやネオン
等の不活性ガスで、その圧力は５から１００　ｍｔｏｒ
ｒの広い範囲で被覆される。スパッタパワー密度も１か
ら２５　Ｗ／２２の広い範囲である。

さらに１上記磁性合金薄膜媒体３の上に保護膜として、
醸化硅素或は酸化アルミに代表される酸化物、窒化硅素
或は窒化チタンに代表される窒化物、炭化チタン或は炭
化タングステンに代表される炭化物、カーボン、タング
ステン、イリジウム等を１００から６００オングストロ
一ム囚程度高周波マグネトロンスパッタ法等によシ被覆
し、その保護膜の上に鈎滑剤を塗布しても良い。

次の第１表に示すように本実施例の１６−類の試料を作
った。非母性金属下地層２、磁性合金薄膜媒体３、保護
膜の膜厚は、それぞれ、０．５μｍ１第１表 第１表の試料は、いずれも保磁力（Ｈｃ）５００エルス
テ、ド（Ｏｅ）以上、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ）０．７５以
上、保磁力角形比（Ｓ＊）０．７５以上であシ、磁気記
憶体として優れたヒステリシス時性を示した０ 次に比較例として、第１表の試料１あるいは２と同様に
して、ただし、ａｌ性合金薄膜媒体として銅を含まない
コバルトニッケル磁性合金薄膜媒体を用いた磁気ディス
クを作成した。本発明の実施例により作成した磁気ディ
スク及び比較例で示した磁気ディスクを用いて摩耗試験
としてヘッドとディスクの起動停止縁シ返し試験（Ｃ８
Ｓ試験）及び温度６０’Ｏ，相対湿度８０チにおける耐
食性試験を１ケ月行ったところ、実施例罠対してはＣ８
Ｓ試験では、２万回以上傷か発生せず、耐食性試験では
、エラー増加率は変化しなかった。−力、比較例に対し
ては、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で錫が発生し、耐食
性試験では、エラー増加率が１０倍に冷加した。

また、電磁変換特性は実施例について３００００〜７０
０００８ＰＩの高市度記録ができ、かつ、３５ｄＢ以上
の優れたＳＮ比が得られたが、比較例のディスクについ
ては、２００００ＢＰＩ　　と高密度記録１丁達成でき
ず、かつ、ＳＮ比が２５ｄＢと実施例のＳＮ比よシ１０
ｄＢも悪かった。

なお、上述の実施例では、成膜法として為周波ｉグネト
ロンスバッタ法を代表例として使用したが、本発明にお
いては、その他に高周波スパッタ法、直流マグネトロン
スバ、り法、直流スバ、り法、イオンビームスパ、り法
、真空蒸着法等を使用してもよい。

（発明の効果） 以上説明したように本発明の磁気記１体は、優れた耐摩
耗性及び耐食性（ｉｌｔｊＪ！境性）及び高記録密度特
性及びｉ％８Ｎ比を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図で
ある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下地体と、この下地体上に被覆される非磁性金属下地層
   と、この非磁性金属下地層上に被覆され少なくとも銅と
   ニッケルを同時に含むコバルト磁性合金薄膜媒体とを具
   備したことを特徴とする磁気記憶体。