JPS61243928A - 磁気記憶体 - Google Patents

磁気記憶体

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Publication number
JPS61243928A
JPS61243928A JP8583885A JP8583885A JPS61243928A JP S61243928 A JPS61243928 A JP S61243928A JP 8583885 A JP8583885 A JP 8583885A JP 8583885 A JP8583885 A JP 8583885A JP S61243928 A JPS61243928 A JP S61243928A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
medium
coated
nickel
molybdenum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8583885A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotaka Yamaguchi
弘高 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP8583885A priority Critical patent/JPS61243928A/ja
Publication of JPS61243928A publication Critical patent/JPS61243928A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁気的記憶装置(磁気ディスク装置及び磁気ド
ラム装置等)に用いられる磁気記憶体に関するものであ
る。
(従来技術とその問題点) 現在、磁気記憶体は、非磁性金属下地層のクロム・スパ
ッタ膜上にコバル)−ニッケル・スハッ膜形成された構
成が実用化されている。しかし、とこで非磁性金属下地
層として用いられているクロム・スパッタ膜は、突起f
ひびが多く、ヘット−クラッシュを起こしやすく、信頼
性に欠ける欠点があった。
(発明の目的) 本発明は上述の現況に鑑み、上記の媒体よりはるかにヘ
ッド・クラッシュを起こしに<<、信頼性の高い磁気記
憶体を提供するものであるう(発明の構成) 本発明の磁気記憶体は下地体の上に非磁性金属下地層と
して、モリブデンが被覆され、該非磁性金属下地層上に
少なくともニッケルt−10〜40原子パーセント含む
コバルト合金薄膜媒体が被覆されて構成を備えている。
(構成の詳細な説明) 次に図面を参照して本発明の構造及び製造方法の例を詳
細に説明する。第1図本発明の磁気記憶体の部分断面図
で、下地体lは、アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、
ニッケルー燐めつき膜等を被覆したアルミ合金又は窒化
ケイ素、酸化アルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体な
どのセラミックス又はSi、ステンレス、チタン合金な
どの金属又はガラス板である。
次に、この下地体lの上に非磁性金属下地層2としてモ
リブデンを高周波マグネトロンスパッタ法によシ被覆す
る。
次に上記非磁性金属下地層2の上に金属磁性媒体3とし
て、少なくともニッケル金10〜40原子パーセント含
むコバルト合金からなる金属薄膜媒体が高周波マグネト
ロンスパッタ法により仮積される。このようにして作ら
れた金属薄膜媒体は保磁力(He) 5000e (エ
ルステッド)以上、飽和磁束密度(Bs) 1500G
 (ガウス)以下、角形比(Br/Bs ) 0.75
〜0.98 、 保磁力角形比(8本)0.75〜0.
98の範囲にあシ、磁気記憶媒体として優れ之ヒステリ
ミス特性を示す。
さらに上記金属薄膜媒体3の上に保護膜を被覆し、該保
護膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
第2図はニッケルを20原子パーセント含む金属薄膜媒
体の保磁力の非磁性金属下地ノーとしてのモリブデン及
びのクロムの厚さに対する変化を示したもので、モリブ
デンの万がクロムより少ない膜厚で、高い保磁力が得ら
れ、より生産性が良くよシ高密度に記録できる磁気記憶
体として使用できる。
次に具体的に実施例及び比較例によp本発明を説明する
(実施例1) アルミ合金の上にニッケルー燐めっ@膜が4fL覆され
、表面粗さα005μmに鏡面仕上された下地体1の上
に金属下地層2としてモリブデンを高周波マグネトロン
スパッタ法により0.3μm被覆した。
このモリブデン・スパッタ膜の上に金属磁性媒体3とし
て高周波マグネトロン・スパッタ法によシ、7 ルーf
 7圧4QmtOrr 、パワー密度6.0W/−で、
膜厚5oonのニッケルを20原子パーセント含むμバ
ルト合金薄展を被覆した。さらにこの金属磁性媒体3の
上に8:0.を300Xの膜厚に高周波マグネトロンス
パッタ法によシ被覆して磁気ディスクを作った。保磁力
比、残留磁束密度Br (BsXS)はそれぞれ600
oe 、 13000Gテあった。
(実施例2) 実施例1と同様に、但し、金属磁性媒体3として、二y
ケkを3ON子パ一セント含ムコバルト合金薄膜を被覆
して磁気ディスクを作った。Hc。
Brはそれぞれ600oe 、 l100OGであった
(実施例3) 実施例1と同様に但し、金属下地層2のモリブデンをα
5.gn被覆して、磁気ディスクを作った。
Hc、BrはそれぞtL 650 oe 、 1300
0Gであった。
(実施例4) 実施例1と同様に、但し、下地体1としてアルミ合金を
陽極酸化により酸化アルミを被覆して、磁気ディスクを
作った。
(実施例5) 実施例1と同様に但し、保護膜としてカーボンをスパッ
タ法により被覆して磁気ディスクを作った。
(実施例6) 実施例1と同様に但し、金属磁性媒体3としてニッケル
40原子パーセント含むコバルト合金薄膜を被覆して磁
気ディスクを作った。
(実施例7) 実施例1と同様に但し、金属磁性媒体3として。
ニッケル10原子パーセント含むコバルト合金薄膜を被
覆して磁気ディスクを作った。
(比較例) 実施例1と同様に但し、金属下地層2として、クロムを
被覆して、磁気ディスクを作った。Hc。
Brはそれぞれ、500 oe  13000 Gでl
hッた。
(実施例8) 以上、実施例1〜7で示した磁気ディスクを用いて電磁
変換特性及びヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行なっ
た結果、次の特性を得た。ヘッドとの摩耗試験は2万回
のコンタクト・スタート・ストップテストを行ない、デ
ィスク表面に傷は全く見られなかった。又、環境試験に
つ匹て温度90℃、相対湿度90%で1ケ月行なりたと
ころ、エラー増加率は変わらなかった。一方、比較例に
対しても同様な摩耗試験及び環境試験を行なり友ところ
、コンタクトスタートストップテストでは。
5千回を過ぎると傷が生じ、ヘッドクラッシュを起こし
てしまった。環境試験については、クロム膜と下地体の
境から浮き上がシ、エラーの測定が困難となった。
又、電磁変換特性は実施例のディスクについて3000
0〜70000 B P Iの高密度記録ができ、かつ
、30 dB以上の優れたSN比が得られたが、比較例
のディスクについては20000 B P Iと高密度
記録は達成でさず、かつSN比が20dBと実施例の8
N比よ#)10dBも悪かった。なおNiが10〜40
原子パーセントの範囲以外では薄膜媒体の耐候性は劣化
する。
(発明の効果) 以上の結果のように本発明の磁気記憶体は優れた耐摩耗
性及び耐環境性及び高記録密度特性を有している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。図中
、1は下地体、2は非磁性金属下地層、3は金属薄膜媒
体である。 tsz図はニッケルを20原子パーセント含む金属薄膜
媒体の保磁力の、金属下地層のモリブデン及びクロムの
厚さに対する変化を示した特性図である。 〆、8′1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 下地体の上に非磁性金属下地層として、モリブデンが被
    覆され、該非磁性金属下地層上に、少なくともニッケル
    を10〜40原子パーセント含むコバルト合金薄膜媒体
    が被覆された構成を備えたことを特徴とする磁気記憶体
JP8583885A 1985-04-22 1985-04-22 磁気記憶体 Pending JPS61243928A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8583885A JPS61243928A (ja) 1985-04-22 1985-04-22 磁気記憶体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8583885A JPS61243928A (ja) 1985-04-22 1985-04-22 磁気記憶体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61243928A true JPS61243928A (ja) 1986-10-30

Family

ID=13869998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8583885A Pending JPS61243928A (ja) 1985-04-22 1985-04-22 磁気記憶体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61243928A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413873A (en) * 1991-04-26 1995-05-09 Victor Company Of Japan, Ltd. Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413873A (en) * 1991-04-26 1995-05-09 Victor Company Of Japan, Ltd. Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer

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