JPS61267923A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は磁気記憶装置ｔ（磁気ディスク装置及び磁気ド
ラム装置及び７０ツビイー装置及び磁気テープ等）に用
いられる磁気記憶体に関するものである。

（従来技術とその問題点） χ　　　　　　　現在、スパッタ薄膜媒体からなる磁気
記憶体は、非磁性金属下地層のクロム・スパッタ膜上の
Ｃｏ−Ｎｉスパッタ膜が実用化されている。しかし、こ
むで非磁性金属下地層として用いられるクロム畳スパッ
タ膜は突起やひび割れが多く、ヘッド・クラッシュを起
こしやすく、信頼性に欠けている。

さらに、ひび割れから水分が浸入しやすく、十分な耐候
性を有していない欠点があった。

（発明の目的） 本発明は上述の現況に鑑がみ、上記の媒体よシはるかに
信頼性が高く、十分な耐候性を有する磁気記憶体を提供
するものである。

（発明の構成） 本発明の磁気記憶体は下地体の上に非磁性金属下地層と
して６ａ崇合金が被覆され、該非磁性金属層上に、少な
くともコバルトを含む合金薄膜媒体が被覆されて構成さ
れている。

（構成の詳細な説明） 次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で下地体１は
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッケルー燐鍍金
膜等を被覆したアルミ合金又は窒化ケイ素、酸化アルミ
、酸化アルミと炭化チタン焼結体などのセラミックス又
は８１１　ステンレス、チタン合金などの金属又はガラ
ス板又はプラスチックフィルムである。

次に、この下地体１の上に非磁性金属下地層２として６
ａ族合金がたとえば高周波マグネトロンスパッタ法によ
り被覆される。

次に上記非磁性金属下地層２の上に金属磁性媒体３とし
て少なくともコバルトを含む合金からなる合金薄膜媒体
が高周波マグネトロンスパッタ法により被覆される。こ
のようにして作られた合金薄膜媒体は保磁力（Ｈｃ）５
０００ｅ　（エルステッド）以上、角形比（Ｂｒ／Ｈｇ
）α７５〜０．９８ｓ保磁力角形比（Ｓ＊）０．７５〜
０．９８の範囲にあり、磁気記憶体としてｆｌｒしたヒ
ステリシス特性を示す。さらに、上記合金薄膜媒体３の
上に保護膜を被覆し、該保護膜の上に潤滑剤を塗布して
もよい。

第２図は合金薄膜媒体（８０Ｃｏ−２ＯＮｉ）の保磁力
の、非磁性金属下地層としての６８族元素を２以上含む
合金及びクロム単体の厚さに対する変化を示したもので
、６ａ族元素を２以上含む合金の方がクロムより少ない
膜厚で高い保磁力が得られ、よシ高密度に記録できる磁
気記憶体として使用できる。またクロム、モリブデン、
タングステンの単体金属よシ、これらの合金を下地層と
して用いたほうが高い保磁力が得られ、よシ高密度に記
録できる磁気記憶体となる。

次に具体的に実施例及び比較例によシ本発明を説明する
。

（実施例） アルミ合金の上にニッケルー燐鍍金膜が被覆され、表面
粗さα５μｍに鏡面仕上げされた下地体１の上に金属下
地層２としてモリブデン′ｔ−５°０原子パーセント含
むクロム合金を高周波マグネトロンスパッタ法により０
．３μｍ被覆した。次にこの金属下地層２の上に金属磁
性媒体３として高周波マグネトロンスパッタ法によシ膜
厚ｇＱｎｍのニッケルを２０原子パーセント含むコバル
ト合金薄膜媒体を被覆した。さらにこの合金薄膜媒体３
の上に（Ｓｌｕｍ）　”Ｉｔ　３０ｎｍの膜厚に高周波
マグネトロンスパッタ法によシ被覆して磁気ディスクを
作った。

保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ　（Ｈｓ＊ｄ）はそれぞ
れｓ　６５０ｔｌｅ％　１３ＫＧであった。さらに構成
部分を以下のように変更した試料を作製した。なお以下
の膜厚は前述の値と同じである。

合金薄膜媒体３としてニッケルを３０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜媒体を被覆して、磁気ディスクを作
った。）ｆｃ％Ｂｒはそれぞれ７０００ｅ　。

１２５００Ｇであった。

金属下地層２の５０Ｍｏ−５０Ｃｒを０．５μｍ被覆し
て磁気ディスクを作った。ｌ（ｃ、Ｂｒはそれぞれ７０
００ｅ、１３ＫＧであった。

下地体ｌとしてアルミ合金を陽極酸化によシは化アルミ
ｔａ＊して磁気ディスクを作った。

保護膜としてカーボンをスパッタ法によシ被覆して磁気
ディスクを作った。

合金薄膜媒体３として、ニッケルを４０原子パーセント
含むコバルト合金薄膜媒体を被覆して磁気ディスクを作
っ九。

金属薄膜媒体３として、ニッケルを３０原子パーセント
及びクロムを７原子パ一セント同時に含むコバルト合金
薄膜媒体を被覆して磁気ディスクを作った。

合金薄膜媒体３として、ニッケルを２０原子パーセント
及びモリブデンを１０原子パ一セント同時に含むコバル
ト合金薄膜媒体を被覆して磁気ディスクを作った。

合金薄膜媒体３として、ニッケルを２０原子パーセント
及びタングステンを１０Ｊｇｔ子パーセント同時に含む
コバルト合金薄膜媒体を被覆して磁気ディスクを作った
。

金属下地層２として、モリブデンを５０原子パーセント
含むタングステンを被覆して磁気ディスクを作り友。

全域下地層２として、クロムを５０原子パーセント含む
タングステンに４１覆して磁気ディスク作った。

金属下地層２として、クロムを２０原子パー七ント言む
モリブデンを被覆して磁気ディスクを作った。

下地体ｌとしてポリイミドフィルムとして磁気ディスク
を作った。

（比較例） 実施例１と同様に但し、金属下地層２として、クロムを
被覆して磁気ディスクを作った。これ以外は最先の試料
と同じ構成にした。１４ｃ、Ｂｒはそれぞれ５０００ｅ
、１３１（Ｇでｈつだ。

以上、実施例で示した磁気ディスクを用いて電磁変換特
性及びヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタクト・スタ
ートストップテストを行い、ディスク表面に傷は全く見
られなかった。又、環境試験について、温度９０℃、相
対湿度９０％で−１か月行ったところ、エラー増加率は
変わらなかった。一方、比較例に対しても同様な摩耗試
験及び環境試験を行ったところ、コンタクト・スタート
ストップテストでは、５０００回を過ぎると傷が生じ、
ヘッドクラッシュを起こしてしまった。環境試験につい
ては、クロム膜と下地体の境から浮き上がり、エラーの
測定が困難と；ｔった。

また、電磁変換特性は実施例のディスクについて、３０
０００〜７００００ＢＰＩ　の高密度記録ができ。

かつ、３０ｄＢ以上の優れたＳＮ比が得られたが、比較
例のディスクについては２００００ＨＰＩと高密度記録
は達成できず、かつ、８Ｎ比が２０ｄＢと実施例の８Ｎ
比よ＃）１０ｄＢも悪かった。なお３種類の６ａ施金属
からなる合金も前述とかわらない効果があった。

（発明の効果） 以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐摩耗性及
び耐環境性及び高記録密度特性を有していることがわか
った。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す部分断面図である。図中
、１は下地体、２は非磁性金属下地層、３はＣｏを含む
合金薄膜媒体である。 第２図は合金薄膜媒体（８０Ｃｏ−２ＯＮｉ）の保磁力
の、金属下地層の６ａ族元素ｔ−２以上含む合金及びク
ロム単体の厚さに対する変化を示した特性第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 下地体の上に非磁性金属下地層としてクロム、モリブデ
   ン、タングステンのうちの２以上からなる合金が被覆さ
   れ、該非磁性金属下地層上に少なくともコバルトを含む
   合金薄膜媒体が被覆されて構成されたことを特徴とする
   磁気記憶体。