JPS61267924A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS61267924A JPS61267924A JP10866985A JP10866985A JPS61267924A JP S61267924 A JPS61267924 A JP S61267924A JP 10866985 A JP10866985 A JP 10866985A JP 10866985 A JP10866985 A JP 10866985A JP S61267924 A JPS61267924 A JP S61267924A
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- Japan
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- contg
- thin film
- alloy
- magnetic storage
- alloy thin
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶装置（磁気ディスク装置及び磁気ドラ
ム装置及びフロッピィ−装置及び磁気テープ等）に用い
られる磁気記憶体に関するものでるる。
ム装置及びフロッピィ−装置及び磁気テープ等）に用い
られる磁気記憶体に関するものでるる。
（従来技術とその問題点）
現在、スパッタ薄膜媒体からなる磁気記憶体は、非磁性
金属下地層のクロム・スパッタ膜上のＣｏ−Ｎｉスパッ
タ膜が実用化されている。しかし、ここで非磁性金属下
地層として用いられるクロム・スパッタ膜は矢起やひび
割れが多く、ヘッド・クララシー１起こしやすく、信頼
性に欠けている。
金属下地層のクロム・スパッタ膜上のＣｏ−Ｎｉスパッ
タ膜が実用化されている。しかし、ここで非磁性金属下
地層として用いられるクロム・スパッタ膜は矢起やひび
割れが多く、ヘッド・クララシー１起こしやすく、信頼
性に欠けている。
さらに、ひび割れから水分が侵入しやすく、十分な耐候
性を有していない欠点があった。
性を有していない欠点があった。
（発明の目的）
本発明は上述の現況に鑑み、上記の媒体よシはるかに信
頼性が高く、十分な耐候性を有する磁気記憶体を提供す
るものである。
頼性が高く、十分な耐候性を有する磁気記憶体を提供す
るものである。
（発明の構成）
本発明の磁気記憶体は下地体の上に非磁性金属下地層と
して少なくともし昇つムを含む金属が被覆され、該 非
磁性金属下地層上Ｋ、少なくともコバルトを含む合金薄
膜媒体が被覆されて構成されている。
して少なくともし昇つムを含む金属が被覆され、該 非
磁性金属下地層上Ｋ、少なくともコバルトを含む合金薄
膜媒体が被覆されて構成されている。
（構成の詳細な説明）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図で下地体１は
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニツクルー燐鍍金
膜等を被覆したアルミ合金又は窒化ケイ素、酸化アルミ
、酸化アルミと炭化チタン焼結体などのセラミックス又
はＳｉ１ステンレス、チタン合金などの金属又は方ラス
板又はプラスチックフィルムでめる。
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニツクルー燐鍍金
膜等を被覆したアルミ合金又は窒化ケイ素、酸化アルミ
、酸化アルミと炭化チタン焼結体などのセラミックス又
はＳｉ１ステンレス、チタン合金などの金属又は方ラス
板又はプラスチックフィルムでめる。
次に、この下地体１の上に非磁性金属下地層２として少
なくともレニウムを含む金属がたとえば高周波マグネト
ロンスパッタ法によシ被覆されている。
なくともレニウムを含む金属がたとえば高周波マグネト
ロンスパッタ法によシ被覆されている。
次に上記非磁性金属下地層２の上に合金薄膜媒体３とし
て少なくともコバルトを含む合金薄膜媒体が高周波マグ
ネトロンスパッタ法等の方法によシ被覆される。このよ
うにして作られｆ５ｃｏを含む合金薄膜媒体は保磁力（
Ｈｃ）ｓｏｏｏｅ （エルステッド）以上、角形比（Ｂ
ｒ／Ｂｓ ） ０．７５〜０．９ｇ、保磁力角形比（Ｓ
＊）０．７５〜０．９８の範囲にあり、磁気記憶体とし
て優れたヒステリシス特性を示す。
て少なくともコバルトを含む合金薄膜媒体が高周波マグ
ネトロンスパッタ法等の方法によシ被覆される。このよ
うにして作られｆ５ｃｏを含む合金薄膜媒体は保磁力（
Ｈｃ）ｓｏｏｏｅ （エルステッド）以上、角形比（Ｂ
ｒ／Ｂｓ ） ０．７５〜０．９ｇ、保磁力角形比（Ｓ
＊）０．７５〜０．９８の範囲にあり、磁気記憶体とし
て優れたヒステリシス特性を示す。
さらに、上記合金薄膜媒体３の上に保護膜を被覆し、該
保Ｉｄｉ膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
保Ｉｄｉ膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
第２図は合金簿膜媒体（８０Ｃｏ−２ＯＮｉ）の保磁力
の、非磁性金属下地層としてのレニウム及びクロム単体
の厚さく対する変化を示したもので、レニウムの方がク
ロムより少ない膜厚で高い保磁力が得られ、よシ高密度
に記録できる磁気記憶体として使用できることを示して
いる。
の、非磁性金属下地層としてのレニウム及びクロム単体
の厚さく対する変化を示したもので、レニウムの方がク
ロムより少ない膜厚で高い保磁力が得られ、よシ高密度
に記録できる磁気記憶体として使用できることを示して
いる。
次に具体的に実施例及び比較例によシ本発明を説明する
。
。
（実施例）
まず、実施例の試料として次の試料を作成した。
アルミ合金の上にニッケルー燐鍍金膜が被覆され、表面
粗さα０５μｍＫ鏡面仕上げされた下地体１の上に金属
下地層２としてレニウムを高周波マグネトロンスパッタ
法によ）０．３μｍ被覆した。
粗さα０５μｍＫ鏡面仕上げされた下地体１の上に金属
下地層２としてレニウムを高周波マグネトロンスパッタ
法によ）０．３μｍ被覆した。
次にこのレニウム舎スパッタ膜の上に合金薄膜媒体３と
して高周波マグネトロンスパッタ法によシ膜厚８Ｑｎｍ
のニッケルを２０原子パーセント含むコバルト合金薄膜
を被覆した。さらＫこの合金薄膜媒体３の上にＳｔｏｗ
を３Ｑｎｍの膜厚に高周波マグネトロンスパッタ法によ
シ被榎して磁気ディスクを作った。保磁力Ｈｃ、残留磁
束密度Ｂｒ（Ｂｓ＊Ｓ）はそれぞれ、６０００６１１３
ＫＧであった。以構成の一部を変更して次のような試料
を炸裂した。
して高周波マグネトロンスパッタ法によシ膜厚８Ｑｎｍ
のニッケルを２０原子パーセント含むコバルト合金薄膜
を被覆した。さらＫこの合金薄膜媒体３の上にＳｔｏｗ
を３Ｑｎｍの膜厚に高周波マグネトロンスパッタ法によ
シ被榎して磁気ディスクを作った。保磁力Ｈｃ、残留磁
束密度Ｂｒ（Ｂｓ＊Ｓ）はそれぞれ、６０００６１１３
ＫＧであった。以構成の一部を変更して次のような試料
を炸裂した。
なお膜厚は前述と同じである。
合金薄膜媒体３としてニッケルを３０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
Ｈｃ、Ｂｒはそれぞれ６５００ｅ。
１２５００Ｇであった。
金属下地層２のレニウムを０．５μｍ被覆して磁気ディ
スクを作った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ６５００８１１３
ＫＧであった。
スクを作った。Ｈｅ、Ｂｒはそれぞれ６５００８１１３
ＫＧであった。
下地体１としてアルミ合金を陽極酸化により酸化アルミ
を被覆して磁気ディスクを作った。
を被覆して磁気ディスクを作った。
保ｆ１膜としてカーボンをスパッタ法により被覆して、
磁気ディスクを作った。
磁気ディスクを作った。
合金薄膜媒体３として、ニッケルを３０原子パーセント
及びクロムを７原子パ一セント同時に含ひコバルト合金
薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
及びクロムを７原子パ一セント同時に含ひコバルト合金
薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
合金薄膜媒体３として、ニッケルｔ−２０原子パーセン
ト及びモリブデンを１０原子パ一セント同時に含むコバ
ルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
ト及びモリブデンを１０原子パ一セント同時に含むコバ
ルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
合金薄膜媒体３として、ニッケルを２０原子パーセント
及びタングステンを１０原子パ一セント同時に含むコバ
ルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
及びタングステンを１０原子パ一セント同時に含むコバ
ルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った。
金属下地層２のレニウムを８０原子パーセント及びアル
ミを２０原子パーセントを含む合金をα３μｍ被覆して
磁気ディスクを作った。
ミを２０原子パーセントを含む合金をα３μｍ被覆して
磁気ディスクを作った。
下地体１としてポリイミドフィルムとして磁気ディスク
を作った。
を作った。
（比較例）
ニッケルー燐下地体１上に、金属下地層２として、クロ
ムを被覆し、その上にニッケルを２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を形成し磁気ディスクを作った。Ｈ
ｃ％Ｂｒはそれぞれｓ ｏ ｏ ｏ ｅ。
ムを被覆し、その上にニッケルを２０原子パーセント含
むコバルト合金薄膜を形成し磁気ディスクを作った。Ｈ
ｃ％Ｂｒはそれぞれｓ ｏ ｏ ｏ ｅ。
１３ＫＧであった。
以上、実施例の磁気ディスクを用いて電磁変換特性及び
ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行った結果、次の特
性を得た。ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタクト・
スタートストップテストを行い、ディスク表面に傷は見
られなかった。又、環境試験について温度９０℃、相対
湿度９０％で、１か月行ったととる、エラー増加率は変
わらなかった。一方、比較例に対しても同様な摩耗試験
及び環境試験を行ったとζろ、コンタクト・スタートス
トップテストでは、５０００回を過ぎると傷が生じ、ヘ
ッドクラッシ為を起むしてしまった。環境試験について
は、クロム展と下地体の境から浮き上がシ、エラーの測
定が困難となった。
ヘッドとの摩耗試験及び環境試験を行った結果、次の特
性を得た。ヘッドとの摩耗試験は２万回のコンタクト・
スタートストップテストを行い、ディスク表面に傷は見
られなかった。又、環境試験について温度９０℃、相対
湿度９０％で、１か月行ったととる、エラー増加率は変
わらなかった。一方、比較例に対しても同様な摩耗試験
及び環境試験を行ったとζろ、コンタクト・スタートス
トップテストでは、５０００回を過ぎると傷が生じ、ヘ
ッドクラッシ為を起むしてしまった。環境試験について
は、クロム展と下地体の境から浮き上がシ、エラーの測
定が困難となった。
また、電磁変換特性は実施例のディスクについて、３０
０００〜７００００ＢＰＩの高密度記録ができ、かつ、
３０ｄＢ以上の優れた８Ｎ比が得られたが、比較例のデ
ィスクについては２００００ＢＰＩと高密度記録は達成
できず、かつ、８Ｎ比が２０ｄＢと実施例のＳＮ比よｊ
ｊ）ＩＱｄＢも悪かった。
０００〜７００００ＢＰＩの高密度記録ができ、かつ、
３０ｄＢ以上の優れた８Ｎ比が得られたが、比較例のデ
ィスクについては２００００ＢＰＩと高密度記録は達成
できず、かつ、８Ｎ比が２０ｄＢと実施例のＳＮ比よｊ
ｊ）ＩＱｄＢも悪かった。
（発明の効果）
以上の結果から本発明の磁気記憶体は優れた耐摩耗性及
び耐環境性及び高記祿密度特性を有していることがわか
った。
び耐環境性及び高記祿密度特性を有していることがわか
った。
第１図は本発明の実施例を示す部分断面図である０図中
、ｌは下地体、２は非磁性金属下地層、３は合金薄膜媒
体である。 第２図は合金薄膜媒体（８０Ｃｏ−２ＯＮｉ）の保磁力
の、金属下地層のレニウム及びクロム単体の厚さに対す
る変化を示した特性図でるる。 、′、・′二・′−飄 代理人弁理士内ＪＦ ｔ、、−；フ、、＝、′ゝ
−１−′ 第２図
、ｌは下地体、２は非磁性金属下地層、３は合金薄膜媒
体である。 第２図は合金薄膜媒体（８０Ｃｏ−２ＯＮｉ）の保磁力
の、金属下地層のレニウム及びクロム単体の厚さに対す
る変化を示した特性図でるる。 、′、・′二・′−飄 代理人弁理士内ＪＦ ｔ、、−；フ、、＝、′ゝ
−１−′ 第２図
Claims (1)
- 下地体の上に非磁性金属下地層として少なくともレニウ
ムを含む金属が被覆され、該非磁性金属下地層の上に少
なくともコバルトを含む合金薄膜媒体が被覆されて構成
されたことを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10866985A JPS61267924A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10866985A JPS61267924A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267924A true JPS61267924A (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=14490675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10866985A Pending JPS61267924A (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267924A (ja) |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP10866985A patent/JPS61267924A/ja active Pending
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