JPS61204830A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
- Publication number
- JPS61204830A JPS61204830A JP4592585A JP4592585A JPS61204830A JP S61204830 A JPS61204830 A JP S61204830A JP 4592585 A JP4592585 A JP 4592585A JP 4592585 A JP4592585 A JP 4592585A JP S61204830 A JPS61204830 A JP S61204830A
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- Japan
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- magnetic
- medium
- chromium
- coated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気的記憶装置（磁気ディスク装置及び磁気
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関するもので
ある。
ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体に関するもので
ある。
従来の磁気記憶体は、表面に設けられる薄膜媒体として
コバルト−ニッケルー燐めっき膜や、クロム・スパッタ
膜上のコバルト−ニッケル・スパッタ膜等が実用化され
ているが、高温、高湿の劣悪な雰囲気では腐食し易いと
いう欠点があった。
コバルト−ニッケルー燐めっき膜や、クロム・スパッタ
膜上のコバルト−ニッケル・スパッタ膜等が実用化され
ているが、高温、高湿の劣悪な雰囲気では腐食し易いと
いう欠点があった。
まだ、従来の磁気記憶体は、上記のコバルト−ニッケル
ー燐めっき膜と、クロム・スパッタ膜上のコバルト−ニ
ッケル・スパッタ膜が残留磁束密度が太き過ぎるため、
記録密度特性及びＳＮ比が恕く、高密度記録には適さな
いという欠点もあった。
ー燐めっき膜と、クロム・スパッタ膜上のコバルト−ニ
ッケル・スパッタ膜が残留磁束密度が太き過ぎるため、
記録密度特性及びＳＮ比が恕く、高密度記録には適さな
いという欠点もあった。
本発明は上述の欠点に鑑み、耐食性が優れ、残留磁束密
度が小さく、高記録密度及び高ＳＮ比が得られる金属薄
膜媒体を有する磁気記憶体を提供するものである。
度が小さく、高記録密度及び高ＳＮ比が得られる金属薄
膜媒体を有する磁気記憶体を提供するものである。
本発明の磁気記憶体は、下地体と、この下地体上に被覆
される非磁性金属下地層と、この非磁性金属下地層上に
被覆され少なくとも１５〜２５原子′パーセントのニッ
ケル及び５〜２０ 原子バー セントのクロムを含むコ
バルト合金薄膜媒体とを具備して構成される。
される非磁性金属下地層と、この非磁性金属下地層上に
被覆され少なくとも１５〜２５原子′パーセントのニッ
ケル及び５〜２０ 原子バー セントのクロムを含むコ
バルト合金薄膜媒体とを具備して構成される。
本発明は、非磁性金属下地層がクロム、モリブデン、タ
ングステン又はそれらを含む合金であるように構成され
ることもできる。
ングステン又はそれらを含む合金であるように構成され
ることもできる。
（実施例）
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図で
、下地体１はアルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッ
ケルー燐めつき膜等全被核したアルミ合金又は９化ケイ
素、酸化アルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体などの
セラミックス又はｓｉ。
、下地体１はアルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッ
ケルー燐めつき膜等全被核したアルミ合金又は９化ケイ
素、酸化アルミ、酸化アルミと炭化チタン焼結体などの
セラミックス又はｓｉ。
ステンレス、チタン合金などの金総又はガラス板である
。
。
次にこの下地体１の上に非磁性金属下地層２としてＣｒ
、Ｍｏ 、Ｗの金属又は少なくともＣｒ、Ｍｏ、Ｗを
含む合金を高周波スパッタ法又は蒸着法により被覆する
。
、Ｍｏ 、Ｗの金属又は少なくともＣｒ、Ｍｏ、Ｗを
含む合金を高周波スパッタ法又は蒸着法により被覆する
。
さらに上記非磁性金属下地層２の上に金属磁性薄膜媒体
３としてそして少なくともニッケルを１５〜２５原子パ
ーセント及びクロムを５〜２゜原子パーセント、同時に
含むコバルト合金が高周波スパッタ法又は蒸着法により
被覆される。このようにして作られた金属簿膜媒体３は
、保磁力１−Ｉｃが５０００ｅ（エルステッド）以上、
飽和磁束密度ＢＳが１００００Ｇ（ガウス）以下、角形
比Ｂｒ／’Ｅ ｓが０．７〜０．９、保磁力角形比Ｓ＊
が０．７〜０，９の範囲にあり、磁気記憶体として優れ
たヒステリシス特性を示す。
３としてそして少なくともニッケルを１５〜２５原子パ
ーセント及びクロムを５〜２゜原子パーセント、同時に
含むコバルト合金が高周波スパッタ法又は蒸着法により
被覆される。このようにして作られた金属簿膜媒体３は
、保磁力１−Ｉｃが５０００ｅ（エルステッド）以上、
飽和磁束密度ＢＳが１００００Ｇ（ガウス）以下、角形
比Ｂｒ／’Ｅ ｓが０．７〜０．９、保磁力角形比Ｓ＊
が０．７〜０，９の範囲にあり、磁気記憶体として優れ
たヒステリシス特性を示す。
さらに上記金属薄膜媒体３の上に保護膜を被覆し、該保
護膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
護膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
第２図は非磁性金属下地層２が０３μｍのクロムであっ
てニッケルを２０原子パーセント含む金属薄膜媒体３中
のクロムの原子パーセントｌによる飽和磁束密度Ｂｓ１
保磁力Ｈｃ及び角形性・Ｓ・、Ｓｌの変化を示したもの
で、クロムが５〜２０原子パーセント含まれる範囲の金
属薄膜媒体３を高密度記録が可能な磁気記憶媒体として
使用できることを示す。
てニッケルを２０原子パーセント含む金属薄膜媒体３中
のクロムの原子パーセントｌによる飽和磁束密度Ｂｓ１
保磁力Ｈｃ及び角形性・Ｓ・、Ｓｌの変化を示したもの
で、クロムが５〜２０原子パーセント含まれる範囲の金
属薄膜媒体３を高密度記録が可能な磁気記憶媒体として
使用できることを示す。
さらに本発明は、防食効果の高いクロムを含んでいるた
め耐食性についても優れている。
め耐食性についても優れている。
次に、具体的に実施例及び比較例により本発明を説明す
る。
る。
実施例１
第１図に示す下地体１がアルミ合金の上にニッケルー燐
めっき膜が抜機され、表面粗さ０．００５μｍに鏡面仕
上げされたもので、この下地体１の上に第１図に示す金
属下地層２としてクロムを高周波スパッタ法により０３
μｍ被覆した。次にこのクロムスパッタ膜の上に第１図
に示す金属磁性媒体３として高周波スパッタ法により、
アルゴン圧４ Ｘ １０’ ｔｏｒｒ、パワー密度６．
ＯＷ／７で、膜厚６００大のニッケルを２０原子パーセ
ント及びクロムを１０原子パーセント含むコバルト合金
薄膜を被覆した。さらにこの金属磁性媒体３の上に、５
ｉ０２を３００＾の膜厚に高周波スパッタ法により被覆
して磁気ディスクを作った。保磁力Ｈｅ ％ 残留磁束
ｍ１ｉＢｒ （Ｂｓｘ８）はそれぞれ７０００ｅ、６０
００Ｇ＝５−・５、 であった。
めっき膜が抜機され、表面粗さ０．００５μｍに鏡面仕
上げされたもので、この下地体１の上に第１図に示す金
属下地層２としてクロムを高周波スパッタ法により０３
μｍ被覆した。次にこのクロムスパッタ膜の上に第１図
に示す金属磁性媒体３として高周波スパッタ法により、
アルゴン圧４ Ｘ １０’ ｔｏｒｒ、パワー密度６．
ＯＷ／７で、膜厚６００大のニッケルを２０原子パーセ
ント及びクロムを１０原子パーセント含むコバルト合金
薄膜を被覆した。さらにこの金属磁性媒体３の上に、５
ｉ０２を３００＾の膜厚に高周波スパッタ法により被覆
して磁気ディスクを作った。保磁力Ｈｅ ％ 残留磁束
ｍ１ｉＢｒ （Ｂｓｘ８）はそれぞれ７０００ｅ、６０
００Ｇ＝５−・５、 であった。
実施例２
実施例１と同様に、但し、金属磁性媒体３としてニッケ
ルを２０原子パーセント及びクロムを６原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
保磁力ｌ−１０，残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６５００
ｅ、７２００Ｇであった。
ルを２０原子パーセント及びクロムを６原子パーセント
含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作った
保磁力ｌ−１０，残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６５００
ｅ、７２００Ｇであった。
実施例３
実施例１と同様に、但し、金属磁性媒体３としてニッケ
ルを２０原子パーセント及びクロムを１６原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作っ
た。保磁力Ｈｃｓ 残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６．
５００ｅ’、４５００Ｇであった。
ルを２０原子パーセント及びクロムを１６原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作っ
た。保磁力Ｈｃｓ 残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６．
５００ｅ’、４５００Ｇであった。
実施例４
実施例１と同様に、但し、金属磁性媒体３としてニッケ
ルを１５原子パーセント及びクロムを１６原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作っ
た。保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６０００
ｅ、６０００Ｇであった。
ルを１５原子パーセント及びクロムを１６原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を被覆して磁気ディスクを作っ
た。保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６０００
ｅ、６０００Ｇであった。
実施例５
実施例１と同様に、但し、金属磁性媒体３としてニッケ
ルを２５原子パーセント及びクロムを１０原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を畿覆して磁気ディスクを作っ
た。保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６０００
ｅ 、５５００Ｇであった。
ルを２５原子パーセント及びクロムを１０原子パーセン
ト含むコバルト合金薄膜を畿覆して磁気ディスクを作っ
た。保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒはそれぞれ６０００
ｅ 、５５００Ｇであった。
実施例６
実施例１と同様に、但し、非磁性金属下地層２としてモ
リブデンを被覆して磁気ディスクを作った。
リブデンを被覆して磁気ディスクを作った。
実施例７
実施例１と同様に、但し、非磁性金属下地層２としてタ
ングステンを被覆して磁気ディスクを作った０ 実施例８ 実施例１と同様に、但し、下地体１とし２て、アルミ合
金を陽極酸化によシ酸化アルミで被栓して、磁気ディス
クを作った。
ングステンを被覆して磁気ディスクを作った０ 実施例８ 実施例１と同様に、但し、下地体１とし２て、アルミ合
金を陽極酸化によシ酸化アルミで被栓して、磁気ディス
クを作った。
実施例９
実施例１と同様に、但し、保護膜として、カーボンをス
パッタ法によシ、被接して磁気ディスクを作った。
パッタ法によシ、被接して磁気ディスクを作った。
実施例１０
実施例１と同様に、但し、非磁性金属下地層２のクロム
を電気めっき法により、０５μｍ被咎し抜熱気ディスク
を作った。
を電気めっき法により、０５μｍ被咎し抜熱気ディスク
を作った。
比較例
実施例１と同様に、但し、金に磁性媒体３としてニッケ
ルを２０原子パーセント含むコバルト合金薄膜を被覆し
て、眠気ディスクヶ作った。保磁力）ｉｃｌ 残留磁束
密度Ｂｒはそれぞれ、６０００ｅ 。
ルを２０原子パーセント含むコバルト合金薄膜を被覆し
て、眠気ディスクヶ作った。保磁力）ｉｃｌ 残留磁束
密度Ｂｒはそれぞれ、６０００ｅ 。
１００００Ｇであった。
以上実施例１〜１０で示した１１ｋ（気ディスクを用い
て電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試
験を行なった結果、次の特性を荀だ。磁気ヘッドとのＭ
粍試験は２万回のコンタクトスタートストップテストを
行ない、ディスク表面に傷は全く見られなかった。又、
環境試験について温度９０°Ｃ１相対湿度９０チで１ケ
月行なったところ、エラー垢゛加率は変わらなかった。
て電磁変換特性及び磁気ヘッドとの摩耗試験及び環境試
験を行なった結果、次の特性を荀だ。磁気ヘッドとのＭ
粍試験は２万回のコンタクトスタートストップテストを
行ない、ディスク表面に傷は全く見られなかった。又、
環境試験について温度９０°Ｃ１相対湿度９０チで１ケ
月行なったところ、エラー垢゛加率は変わらなかった。
一方、比較１１１に対しても同様々環境試験・を行なっ
たところ、エラー増加率は、５倍に増えた。
たところ、エラー増加率は、５倍に増えた。
又、電磁変換特性は、実施例１〜１０のディスクについ
て、３００００〜７００００ＢＰＩの高密度配録ができ
、かつ、３０ ｄＢ以上の優れたＳＮ比が得られたが、
比較例のディスクについては、２００００ＤＰＩと高密
度記録は達成できず、かつ、ＳＮ比が２０ ｄＢと、実
施例１〜１０のＳＮ比より１０ｄＢ も悪かった。
て、３００００〜７００００ＢＰＩの高密度配録ができ
、かつ、３０ ｄＢ以上の優れたＳＮ比が得られたが、
比較例のディスクについては、２００００ＤＰＩと高密
度記録は達成できず、かつ、ＳＮ比が２０ ｄＢと、実
施例１〜１０のＳＮ比より１０ｄＢ も悪かった。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の磁気記憶体は、耐食性（耐
環境性）、耐摩耗性及び高記録密度特性に優れるという
効果がある。
環境性）、耐摩耗性及び高記録密度特性に優れるという
効果がある。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例の部分断面図、
第２図は第１図に示す金属薄膜媒体３の特性図である。 １・・・・・・下地体、２・・・・・・非磁性金属下地
層、３・・・・・・金属磁性薄膜媒体。 代理人 弁理士 内 原 ”゛・ ”目、・
第２図は第１図に示す金属薄膜媒体３の特性図である。 １・・・・・・下地体、２・・・・・・非磁性金属下地
層、３・・・・・・金属磁性薄膜媒体。 代理人 弁理士 内 原 ”゛・ ”目、・
Claims (2)
- （１）下地体と、この下地体上に被覆される非磁性金属
下地層と、この非磁性金属下地層上に被覆され少なくと
も１５〜２５原子パーセントのニッケル及び５〜２０原
子パーセントのクロムを含むコバルト合金薄膜媒体とを
具備したことを特徴とする磁気記憶体。 - （２）非磁性金属下地層が、クロム、モリブデン、タン
グステン又はそれらを含む合金である特許請求の範囲第
１項記載の磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4592585A JPS61204830A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4592585A JPS61204830A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61204830A true JPS61204830A (ja) | 1986-09-10 |
Family
ID=12732836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4592585A Pending JPS61204830A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61204830A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641524A (en) * | 1979-07-23 | 1981-04-18 | Datapoint Corp | Magentic recording disk and forming same |
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
| JPS57170507A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Tdk Corp | Magnetic recording media |
| JPS60170022A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-03 | Sony Corp | 薄膜磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP4592585A patent/JPS61204830A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641524A (en) * | 1979-07-23 | 1981-04-18 | Datapoint Corp | Magentic recording disk and forming same |
| JPS5715406A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin-metalic-film type magnetic recording medium and manufacture thereof |
| JPS57170507A (en) * | 1981-04-14 | 1982-10-20 | Tdk Corp | Magnetic recording media |
| JPS60170022A (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-03 | Sony Corp | 薄膜磁気記録媒体 |
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