JPS63122013A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS63122013A JPS63122013A JP27018686A JP27018686A JPS63122013A JP S63122013 A JPS63122013 A JP S63122013A JP 27018686 A JP27018686 A JP 27018686A JP 27018686 A JP27018686 A JP 27018686A JP S63122013 A JPS63122013 A JP S63122013A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気記憶装置(磁気ディスク装置及び磁気ドラ
ム装置及びフロッピー装置及び磁気テープ等)に用いら
れる磁気記憶体に関するものである。
ム装置及びフロッピー装置及び磁気テープ等)に用いら
れる磁気記憶体に関するものである。
(従来の技術)
現在、金属薄膜媒体からなる磁気記憶体は、記憶体とし
て作用できるような保磁力を有するように非磁性金属下
地層どして、クロム膜を被覆し、その上にコバルトニッ
ケル合金膜を被覆したものが、実用化されている。
て作用できるような保磁力を有するように非磁性金属下
地層どして、クロム膜を被覆し、その上にコバルトニッ
ケル合金膜を被覆したものが、実用化されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、ここで非磁性金属下地層として用いられるクロ
ム膜は突起やひび割れが多く、ヘッド・クラッシュを起
こしやすく、信頼性を欠いている。
ム膜は突起やひび割れが多く、ヘッド・クラッシュを起
こしやすく、信頼性を欠いている。
さらに、ひび割れから水分が侵入しやすく、十分な耐候
性を有していない欠点があった。
性を有していない欠点があった。
本発明は、上述の現況に鑑み、上記の記憶体よりはるか
に信頼性が高く、十分な耐候性を有する磁気記憶体を提
供するものである。
に信頼性が高く、十分な耐候性を有する磁気記憶体を提
供するものである。
(問題点を解決する為の手段)
本発明の磁気記憶体は、下地体と、このこの下地体上に
被覆され少なくとも酸素を含む非磁性金属下地層と、こ
の非磁性金属下地層上に被覆される磁性金属薄膜媒体と
を具備した構成を備えている。
被覆され少なくとも酸素を含む非磁性金属下地層と、こ
の非磁性金属下地層上に被覆される磁性金属薄膜媒体と
を具備した構成を備えている。
この磁気記憶体は、非磁性金属下地層として、少なくと
も酸素を含む金属を用いたことが重要な点である。なお
、酸素は金属酸化物として非磁性金属下地層中に含まれ
ているのではなく、ただ単に非磁性金属下地層中に混合
している。
も酸素を含む金属を用いたことが重要な点である。なお
、酸素は金属酸化物として非磁性金属下地層中に含まれ
ているのではなく、ただ単に非磁性金属下地層中に混合
している。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例の部分断面図で、下地体1は
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッケルー燐鍍金
膜等を被覆したアルミ合金又はポリエステル、ポリイミ
ド、ポリアミドイミドなどのプラスチック又は窒化珪素
、酸化アルミと炭化チタン焼結体等のセラミックス又は
ステンレス、チタン合金又はガラス板などである。
アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッケルー燐鍍金
膜等を被覆したアルミ合金又はポリエステル、ポリイミ
ド、ポリアミドイミドなどのプラスチック又は窒化珪素
、酸化アルミと炭化チタン焼結体等のセラミックス又は
ステンレス、チタン合金又はガラス板などである。
次に、下地体1の上に非磁性金属下地層2としてクロム
、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニウム、
金、ビスマスなどの金属又はそれらのうち少なくとも一
つの元素を合金が高周波マグネトロンスパッタ法等によ
り被覆される。
、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニウム、
金、ビスマスなどの金属又はそれらのうち少なくとも一
つの元素を合金が高周波マグネトロンスパッタ法等によ
り被覆される。
次に、上記非磁性金属下地層2の上に、金属薄膜媒体3
としてコバルトニッケル合金に代表されるような金属薄
膜媒体が高周波マグネトロンスパッタ法等により被覆さ
れる。
としてコバルトニッケル合金に代表されるような金属薄
膜媒体が高周波マグネトロンスパッタ法等により被覆さ
れる。
さらに、上記金属薄膜媒体3の上に保護膜を被覆し、そ
の保護膜の上に潤滑剤を塗布しても良い。
の保護膜の上に潤滑剤を塗布しても良い。
(作用)
このようにして作製した磁気記憶体は、保磁力(He)
500エルステツド(Oe)以上、角形比(Br/Bs
)0.75以上、保磁力角形比(81)0.75以上で
あり、磁気記憶体として優れたヒステリシス特性を示す
。
500エルステツド(Oe)以上、角形比(Br/Bs
)0.75以上、保磁力角形比(81)0.75以上で
あり、磁気記憶体として優れたヒステリシス特性を示す
。
次に具体的に実施例及び比較例により本発明を説明する
。
。
(実施例)
第1表に示すような試料を作った。
(比較例)
実施例1と同様の方法により、ただし、バイヤスを印加
して非磁性金属下地層として酸素をほとんど含まないク
ロム膜を被覆した。
して非磁性金属下地層として酸素をほとんど含まないク
ロム膜を被覆した。
次に実施例及び比較例で示した磁気ディスクを用いて摩
耗試験としてヘッドとディスクの起動停止繰り返し試験
(C88試験)及び温度60°、相対湿度80%におけ
る耐食性試験を1ケ月行ったところ、実施例に対しては
C8S試験では、2万回以上傷が発生せず、耐食性試験
では、エラー増加率は変化しなかった。一方、比較例に
対しては、C8S試験では、3000回で傷が発生し、
耐食性試験では、エラー増加率が10倍に増加した。
耗試験としてヘッドとディスクの起動停止繰り返し試験
(C88試験)及び温度60°、相対湿度80%におけ
る耐食性試験を1ケ月行ったところ、実施例に対しては
C8S試験では、2万回以上傷が発生せず、耐食性試験
では、エラー増加率は変化しなかった。一方、比較例に
対しては、C8S試験では、3000回で傷が発生し、
耐食性試験では、エラー増加率が10倍に増加した。
(発明の効果)
以上の結果から本発明の磁気記憶体は、優れた耐摩耗性
及び耐食性を有していることがわかった。
及び耐食性を有していることがわかった。
第1図の本発明の磁気記憶体の部分断面図である。
Claims (1)
- 下地体と、この下地体上に被覆され少なくとも酸素を含
む非磁性金属下地層と、この非磁性金属下地層上に被覆
される磁性金属薄膜媒体とを具備したことを特徴とする
磁気記憶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27018686A JPS63122013A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27018686A JPS63122013A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63122013A true JPS63122013A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17482720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27018686A Pending JPS63122013A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63122013A (ja) |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP27018686A patent/JPS63122013A/ja active Pending
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