JPS63104214A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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- JPS63104214A JPS63104214A JP24849486A JP24849486A JPS63104214A JP S63104214 A JPS63104214 A JP S63104214A JP 24849486 A JP24849486 A JP 24849486A JP 24849486 A JP24849486 A JP 24849486A JP S63104214 A JPS63104214 A JP S63104214A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は磁気記憶装置、たとえば磁気ディスク装置、磁
気ドラム装置、フロッピー装置、磁気テープ等に用いら
れる磁気記憶体に関するものである。
気ドラム装置、フロッピー装置、磁気テープ等に用いら
れる磁気記憶体に関するものである。
［従来の技術とその問題点］
現在、金属薄膜媒体からなる磁気記憶体は、耐 □候
性や機械的耐久性を維持するために、金属薄膜媒体上に
カーボン膜等の保護膜を被覆している。
性や機械的耐久性を維持するために、金属薄膜媒体上に
カーボン膜等の保護膜を被覆している。
しかし、ここで使用されているカーボン膜は十分な耐候
性や機械的耐久性を有していない。また、カーボン膜を
成膜するときの成膜速度が遅いので生産性が悪いなどの
問題点があった。
性や機械的耐久性を有していない。また、カーボン膜を
成膜するときの成膜速度が遅いので生産性が悪いなどの
問題点があった。
本発明は以上述べたような問題点を解決するためになさ
れたもので、耐候性および機械的耐久性に優れていると
共に、生産性も良好な磁気記憶体およびその製造方法を
提供することを目的とする。
れたもので、耐候性および機械的耐久性に優れていると
共に、生産性も良好な磁気記憶体およびその製造方法を
提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明は下地体と、この下地体上に被覆される非磁性金
属下地層と、この非磁性金属下地層上に被覆され少なく
ともニッケルおよびクロムを含むコバルト合金薄膜媒体
と、このコバルト合金薄膜媒体上に被覆される酸化クロ
ム膜とを有していることを特徴とする磁気記憶体で必り
、またその製造方法は下地体上に非磁性金属下地層を被
覆し、次いでこの非磁性金属下地層上に少なくともニッ
ケルおよびクロムを含むコバルト合金薄膜媒体を被覆し
た後、この積層体を熱処理して前記コバルト合金薄膜媒
体上に酸化クロム膜を形成することを特徴とする。
属下地層と、この非磁性金属下地層上に被覆され少なく
ともニッケルおよびクロムを含むコバルト合金薄膜媒体
と、このコバルト合金薄膜媒体上に被覆される酸化クロ
ム膜とを有していることを特徴とする磁気記憶体で必り
、またその製造方法は下地体上に非磁性金属下地層を被
覆し、次いでこの非磁性金属下地層上に少なくともニッ
ケルおよびクロムを含むコバルト合金薄膜媒体を被覆し
た後、この積層体を熱処理して前記コバルト合金薄膜媒
体上に酸化クロム膜を形成することを特徴とする。
本発明において、下地体としてはアルミ合金又は陽極酸
化アルマイト、ニッケルー燐鍍金膜等を被覆したアルミ
合金又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド
などのプラスチック又は窒化珪素、酸化アルミと炭化チ
タン焼結体等のセラミックス又はステンレス、チタン合
金又はガラス板などが挙げられる。
化アルマイト、ニッケルー燐鍍金膜等を被覆したアルミ
合金又はポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド
などのプラスチック又は窒化珪素、酸化アルミと炭化チ
タン焼結体等のセラミックス又はステンレス、チタン合
金又はガラス板などが挙げられる。
次に、下地体の上に被覆する非磁性金属下地層としては
クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニ
ウム、金、ビスマスなどの金属またはそれらのうち少な
くとも一つの元素を含む合金が挙げられ、被着方法とし
ては例えば高周波マグネトロンスパッタ法がある。
クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、レニ
ウム、金、ビスマスなどの金属またはそれらのうち少な
くとも一つの元素を含む合金が挙げられ、被着方法とし
ては例えば高周波マグネトロンスパッタ法がある。
また非磁性金属下地層上に被覆するコバルト合金薄膜媒
体は少なくともニッケルおよびクロムを含むコバルト合
金でおり、その組成はＮｉ５Ｎｉ５５ａｔｏ％以下、Ｃ
ｒ １ｓａｔｏｍｉｃ％以下、ＣＯ残部でめることが
望ましい。このコバルト合金薄膜媒体は高周波マグネト
ロンスパッタ法等により被覆される。
体は少なくともニッケルおよびクロムを含むコバルト合
金でおり、その組成はＮｉ５Ｎｉ５５ａｔｏ％以下、Ｃ
ｒ １ｓａｔｏｍｉｃ％以下、ＣＯ残部でめることが
望ましい。このコバルト合金薄膜媒体は高周波マグネト
ロンスパッタ法等により被覆される。
次に、上記金属Ｎ膜媒体を被覆した積層体を熱処理する
ことにより、金属薄膜媒体上に酸化クロム膜を形成する
。熱処理条件としては１５０〜３５０°Ｃ程度が望まし
く、この熱処理によって通常酸化クロム膜が２００〜３
００人の膜厚で形成される。
ことにより、金属薄膜媒体上に酸化クロム膜を形成する
。熱処理条件としては１５０〜３５０°Ｃ程度が望まし
く、この熱処理によって通常酸化クロム膜が２００〜３
００人の膜厚で形成される。
さらに、上記酸化クロムの上に潤滑剤を塗布しても良い
。
。
［作 用］
このようにして作製した磁気記憶体の酸化クロム膜は、
高い硬度及び水分の進入を防ぐ緻密さを有しており、優
れた耐候性と機械的耐久性を有している。また、従来使
用されている磁気記憶体のカーボン膜等は、金属薄膜媒
体の上にざらに高周波マグネトロンスパッタ法等により
被覆されるが、本発明の磁気記憶体の酸化クロム膜は、
金属薄膜媒体まで構成したものを所定の熱処理により成
膜されるために、生産性が高い。
高い硬度及び水分の進入を防ぐ緻密さを有しており、優
れた耐候性と機械的耐久性を有している。また、従来使
用されている磁気記憶体のカーボン膜等は、金属薄膜媒
体の上にざらに高周波マグネトロンスパッタ法等により
被覆されるが、本発明の磁気記憶体の酸化クロム膜は、
金属薄膜媒体まで構成したものを所定の熱処理により成
膜されるために、生産性が高い。
［実施例］
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例１〜１１
第１図は本発明の一実施例を示す部分断面図でおる。ニ
ッケルー燐鍍金膜が被覆されたアルミ合金よりなる下地
体１上に第１表に示す金属を被覆して非磁性金属下地層
２とした。次いてＮｉ３５％−Ｃｒ５％−ＣＯ残部より
なる金属薄膜媒体３を被覆復、第１表に示す条件で熱処
理した。
ッケルー燐鍍金膜が被覆されたアルミ合金よりなる下地
体１上に第１表に示す金属を被覆して非磁性金属下地層
２とした。次いてＮｉ３５％−Ｃｒ５％−ＣＯ残部より
なる金属薄膜媒体３を被覆復、第１表に示す条件で熱処
理した。
（以下余白）
第１表
−次に実施例で得られた磁気ディスクを用いて摩耗試験
としてヘッドとディスクの起動停止繰り返し試験（Ｃ８
Ｓ試験）及び温度６０°Ｃ１相対湿度８０％における耐
食性試験を１ケ月行ったところ、Ｃ８Ｓ試験では、２万
回以上傷が発生せず、耐食性試験では、エラー増加率は
変化しなかった。
としてヘッドとディスクの起動停止繰り返し試験（Ｃ８
Ｓ試験）及び温度６０°Ｃ１相対湿度８０％における耐
食性試験を１ケ月行ったところ、Ｃ８Ｓ試験では、２万
回以上傷が発生せず、耐食性試験では、エラー増加率は
変化しなかった。
比較例
実施例と同様にして、ただし、熱処理を行わず、カーボ
ンを金属薄膜媒体３上に５０ｎｍ被覆した。
ンを金属薄膜媒体３上に５０ｎｍ被覆した。
得られた磁気ディスクについて実施例と同様の試験を行
ったところ、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で傷が発生し
、耐食性試験では、エラー増加率が１０倍に増加した。
ったところ、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で傷が発生し
、耐食性試験では、エラー増加率が１０倍に増加した。
また、実施例の生産効率に比較して、比較例の生産効率
は１／１０であった。
は１／１０であった。
「発明の効果］
以上の結果から本発明の磁気記憶体及びその製造方法は
、優れた耐摩耗性及び耐食性を有し、生産にあたっても
、従来の技術よりもはるかに効率がよいことがわかった
。
、優れた耐摩耗性及び耐食性を有し、生産にあたっても
、従来の技術よりもはるかに効率がよいことがわかった
。
第１図は本発明の磁気記憶体の一実施例を示す部分断面
図である。
図である。
Claims (2)
- （１）下地体と、この下地体上に被覆される非磁性金属
下地層と、この非磁性金属下地層上に被覆され少なくと
もニッケルおよびクロムを含むコバルト合金薄膜媒体と
、このコバルト合金薄膜媒体上に被覆される酸化クロム
膜とを有していることを特徴とする磁気記憶体。 - （２）下地体上に非磁性金属下地層を被覆し、次いでこ
の非磁性金属下地層上に少なくともニッケルおよびクロ
ムを含むコバルト合金薄膜媒体を被覆した後、この積層
体を熱処理して前記コバルト合金薄膜媒体上に酸化クロ
ム膜を形成することを特徴とする磁気記憶体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24849486A JPS63104214A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24849486A JPS63104214A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63104214A true JPS63104214A (ja) | 1988-05-09 |
Family
ID=17179000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24849486A Pending JPS63104214A (ja) | 1986-10-21 | 1986-10-21 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63104214A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1328336C (zh) * | 2005-07-11 | 2007-07-25 | 西安交通大学 | 高温自润滑涂层的制备方法 |
-
1986
- 1986-10-21 JP JP24849486A patent/JPS63104214A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1328336C (zh) * | 2005-07-11 | 2007-07-25 | 西安交通大学 | 高温自润滑涂层的制备方法 |
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