JPS62219227A - 磁気記憶体 - Google Patents

磁気記憶体

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JPS62219227A
JPS62219227A JP6331986A JP6331986A JPS62219227A JP S62219227 A JPS62219227 A JP S62219227A JP 6331986 A JP6331986 A JP 6331986A JP 6331986 A JP6331986 A JP 6331986A JP S62219227 A JPS62219227 A JP S62219227A
Authority
JP
Japan
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magnetic
metallic layer
surface roughness
nonmagnetic metallic
metal layer
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Pending
Application number
JP6331986A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotaka Yamaguchi
弘高 山口
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁気記憶装置(磁気ディスク装置及び磁気ドラ
ム装置及びフロッピィ−装置及び磁気テープ等)に用い
られる磁気記憶体に関するものである。
(従来の技術) 現在、金属薄膜媒体からなる磁気記憶体は、記憶体とし
て作用できるような保磁力を有するように非磁性金属層
として、クロム膜を被覆し、その上にCo−Ni膜を被
覆したものが、実用化されている。
(発明が解決しようとする問題点) しかし、ここで非磁性金属層として用いられるクロム膜
は、Co−Ni膜の保磁力を高めるために、0゜5pm
程度と厚く被覆してあり、突起やひび割れが多く、ヘッ
ド・クラッシュを起こしやすく、信頼性に欠けている。
さらに、このように膜厚を厚くするために、成膜時間が
長くなり、生産の効率がわるい。
本発明は、前述の現況に鑑がみ、前記の磁気記憶体の非
磁性金属層を薄くすることによって、はるかに信頼性が
高く、生産の効率がよい磁気記憶体を提供するものであ
る。
(問題点を解決するための手段) 本発明の磁気記憶体は、最大面粗さ0,02〜0゜11
1mの凹凸(いわゆるテックスチャ−)をほどこした下
地体の上に非磁性金属層が被覆され、該非磁性金属層上
に、磁性薄膜媒体が被覆されて構成されている。
この磁気記憶体は、最大面粗さ0.02〜0.1μmの
テックスチャ−をほどこした下地体を用いていることが
重要な点である。例えば、最大面粗さ0゜05μmのテ
ックスチャ−をほどこした下地体上に、非磁性金属層と
してクロム膜を0.05pmだけ被覆しても磁性薄膜媒
体のGo−Ni膜の保磁力(He)は記憶体として作用
が十分な700エルステツド(Oe)が得られる。Co
−Ni膜に代表される磁性薄膜媒体の保磁力(He)は
、テックスチャ−の最大面粗さにより、非磁性金属層と
してクロム膜を0.05pm被覆した場合、第1図のよ
うに変化する。最大面粗さが0.02μm以上で、Co
−Ni膜のHeは5000e以上になり、磁気記憶体と
して利用でき、0.111m以上になるとCo−Ni膜
のHeは5000e以上になり、かつ、ヘッド・クラッ
シュが生じやすくなる。以上の観点から、下地体の最大
面粗さは、0.02μm〜0.1pmはどこせば、十分
であることがわかる。一方、テックスチャ−をほどこし
ていない下地体を用いた場合は、Hcが3000eと低
く、磁気記憶体として利用できない。
第2図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。下地
体1は、アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッケル
ー燐鍍金膜等を被覆したアルミ合金で、かつ、それらに
は最大面粗さ0.02〜0.1μmのテックスチャ−を
ほどこしである。
次に、この下地体1の上に非磁性金属層2として、たと
えば、クロム、モリブデン、タングステン又は、それら
を少なくとも1つ含む合金が高周波マグネトロンスパッ
タ法により被覆される。
次に、上記非磁性金属層2の上に、磁性薄膜媒体3とし
て、たとえば、コバルト、鉄を少なくとも1つ含む合金
が、高周波マグネトロンスパッタ法により被覆される。
さらに、上記磁性薄膜媒体3の上に、保護膜を被覆し、
°該保護膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
前述のように、下地体に最大面粗さ0.02〜0゜lp
mテックスチャ−をほどこすことにより、非磁性金属層
を薄くでき、突起やひび割れが皆無になり、ヘッド・ク
ラッシュが起きなくなり、信頼性が向上した。また、非
磁性金属層の成膜時間が大幅に短縮され、生産性も向上
した。
次に具体的に実施例及び比較例により本発明を説明する
(実施例) (比較例) 実施例1と同様にして、ただし、下地体1には、テック
スチャ−をほどこすこさず、非磁性金属層2のクロムは
、0.5μm被覆した。
以上、実施例で示した磁気ディスクを用いて、ヘッドと
の摩耗試験として2万回のコンタクト・スタートストッ
プテストを行い、ディスク表面に傷は全く見られなかっ
た。一方比較例に対しても同様な摩耗試験を行ったとこ
ろ、コンタクト・スタートストップテストでは5000
回を過ぎると傷が生じ、ヘッドクラッシュを起こしてし
まった。また、実施例に比して、生産が効率が1110
であった。
(発明の効果) 以上の結果から本発明の磁気記憶体は、優れた耐摩耗性
を有し、生産にあたっても、従来の技術よりもはるかに
効率がよいことがわかった。
【図面の簡単な説明】
第1図は磁性薄膜体(Co−2ONi)の保磁力の、最
大面粗さに対する変化を示した特性図である。 第2図は本発明の部分断面図である。図中、1は下地体
、2は非磁性金属層、3は磁性薄膜媒体である。 亭  1  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 最大面粗さ0.02〜0.1μmの凹凸をほどこした下
    地体の上に、非磁性金属層が被覆され、該非磁性金属層
    上に磁性薄膜媒体が被覆されて構成されたことを特徴と
    する磁気記憶体。
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