JPS62219227A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS62219227A JPS62219227A JP6331986A JP6331986A JPS62219227A JP S62219227 A JPS62219227 A JP S62219227A JP 6331986 A JP6331986 A JP 6331986A JP 6331986 A JP6331986 A JP 6331986A JP S62219227 A JPS62219227 A JP S62219227A
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Links
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気記憶装置(磁気ディスク装置及び磁気ドラ
ム装置及びフロッピィ−装置及び磁気テープ等)に用い
られる磁気記憶体に関するものである。
ム装置及びフロッピィ−装置及び磁気テープ等)に用い
られる磁気記憶体に関するものである。
(従来の技術)
現在、金属薄膜媒体からなる磁気記憶体は、記憶体とし
て作用できるような保磁力を有するように非磁性金属層
として、クロム膜を被覆し、その上にCo−Ni膜を被
覆したものが、実用化されている。
て作用できるような保磁力を有するように非磁性金属層
として、クロム膜を被覆し、その上にCo−Ni膜を被
覆したものが、実用化されている。
(発明が解決しようとする問題点)
しかし、ここで非磁性金属層として用いられるクロム膜
は、Co−Ni膜の保磁力を高めるために、0゜5pm
程度と厚く被覆してあり、突起やひび割れが多く、ヘッ
ド・クラッシュを起こしやすく、信頼性に欠けている。
は、Co−Ni膜の保磁力を高めるために、0゜5pm
程度と厚く被覆してあり、突起やひび割れが多く、ヘッ
ド・クラッシュを起こしやすく、信頼性に欠けている。
さらに、このように膜厚を厚くするために、成膜時間が
長くなり、生産の効率がわるい。
長くなり、生産の効率がわるい。
本発明は、前述の現況に鑑がみ、前記の磁気記憶体の非
磁性金属層を薄くすることによって、はるかに信頼性が
高く、生産の効率がよい磁気記憶体を提供するものであ
る。
磁性金属層を薄くすることによって、はるかに信頼性が
高く、生産の効率がよい磁気記憶体を提供するものであ
る。
(問題点を解決するための手段)
本発明の磁気記憶体は、最大面粗さ0,02〜0゜11
1mの凹凸(いわゆるテックスチャ−)をほどこした下
地体の上に非磁性金属層が被覆され、該非磁性金属層上
に、磁性薄膜媒体が被覆されて構成されている。
1mの凹凸(いわゆるテックスチャ−)をほどこした下
地体の上に非磁性金属層が被覆され、該非磁性金属層上
に、磁性薄膜媒体が被覆されて構成されている。
この磁気記憶体は、最大面粗さ0.02〜0.1μmの
テックスチャ−をほどこした下地体を用いていることが
重要な点である。例えば、最大面粗さ0゜05μmのテ
ックスチャ−をほどこした下地体上に、非磁性金属層と
してクロム膜を0.05pmだけ被覆しても磁性薄膜媒
体のGo−Ni膜の保磁力(He)は記憶体として作用
が十分な700エルステツド(Oe)が得られる。Co
−Ni膜に代表される磁性薄膜媒体の保磁力(He)は
、テックスチャ−の最大面粗さにより、非磁性金属層と
してクロム膜を0.05pm被覆した場合、第1図のよ
うに変化する。最大面粗さが0.02μm以上で、Co
−Ni膜のHeは5000e以上になり、磁気記憶体と
して利用でき、0.111m以上になるとCo−Ni膜
のHeは5000e以上になり、かつ、ヘッド・クラッ
シュが生じやすくなる。以上の観点から、下地体の最大
面粗さは、0.02μm〜0.1pmはどこせば、十分
であることがわかる。一方、テックスチャ−をほどこし
ていない下地体を用いた場合は、Hcが3000eと低
く、磁気記憶体として利用できない。
テックスチャ−をほどこした下地体を用いていることが
重要な点である。例えば、最大面粗さ0゜05μmのテ
ックスチャ−をほどこした下地体上に、非磁性金属層と
してクロム膜を0.05pmだけ被覆しても磁性薄膜媒
体のGo−Ni膜の保磁力(He)は記憶体として作用
が十分な700エルステツド(Oe)が得られる。Co
−Ni膜に代表される磁性薄膜媒体の保磁力(He)は
、テックスチャ−の最大面粗さにより、非磁性金属層と
してクロム膜を0.05pm被覆した場合、第1図のよ
うに変化する。最大面粗さが0.02μm以上で、Co
−Ni膜のHeは5000e以上になり、磁気記憶体と
して利用でき、0.111m以上になるとCo−Ni膜
のHeは5000e以上になり、かつ、ヘッド・クラッ
シュが生じやすくなる。以上の観点から、下地体の最大
面粗さは、0.02μm〜0.1pmはどこせば、十分
であることがわかる。一方、テックスチャ−をほどこし
ていない下地体を用いた場合は、Hcが3000eと低
く、磁気記憶体として利用できない。
第2図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。下地
体1は、アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッケル
ー燐鍍金膜等を被覆したアルミ合金で、かつ、それらに
は最大面粗さ0.02〜0.1μmのテックスチャ−を
ほどこしである。
体1は、アルミ合金又は陽極酸化アルマイト、ニッケル
ー燐鍍金膜等を被覆したアルミ合金で、かつ、それらに
は最大面粗さ0.02〜0.1μmのテックスチャ−を
ほどこしである。
次に、この下地体1の上に非磁性金属層2として、たと
えば、クロム、モリブデン、タングステン又は、それら
を少なくとも1つ含む合金が高周波マグネトロンスパッ
タ法により被覆される。
えば、クロム、モリブデン、タングステン又は、それら
を少なくとも1つ含む合金が高周波マグネトロンスパッ
タ法により被覆される。
次に、上記非磁性金属層2の上に、磁性薄膜媒体3とし
て、たとえば、コバルト、鉄を少なくとも1つ含む合金
が、高周波マグネトロンスパッタ法により被覆される。
て、たとえば、コバルト、鉄を少なくとも1つ含む合金
が、高周波マグネトロンスパッタ法により被覆される。
さらに、上記磁性薄膜媒体3の上に、保護膜を被覆し、
°該保護膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
°該保護膜の上に潤滑剤を塗布してもよい。
前述のように、下地体に最大面粗さ0.02〜0゜lp
mテックスチャ−をほどこすことにより、非磁性金属層
を薄くでき、突起やひび割れが皆無になり、ヘッド・ク
ラッシュが起きなくなり、信頼性が向上した。また、非
磁性金属層の成膜時間が大幅に短縮され、生産性も向上
した。
mテックスチャ−をほどこすことにより、非磁性金属層
を薄くでき、突起やひび割れが皆無になり、ヘッド・ク
ラッシュが起きなくなり、信頼性が向上した。また、非
磁性金属層の成膜時間が大幅に短縮され、生産性も向上
した。
次に具体的に実施例及び比較例により本発明を説明する
。
。
(実施例)
(比較例)
実施例1と同様にして、ただし、下地体1には、テック
スチャ−をほどこすこさず、非磁性金属層2のクロムは
、0.5μm被覆した。
スチャ−をほどこすこさず、非磁性金属層2のクロムは
、0.5μm被覆した。
以上、実施例で示した磁気ディスクを用いて、ヘッドと
の摩耗試験として2万回のコンタクト・スタートストッ
プテストを行い、ディスク表面に傷は全く見られなかっ
た。一方比較例に対しても同様な摩耗試験を行ったとこ
ろ、コンタクト・スタートストップテストでは5000
回を過ぎると傷が生じ、ヘッドクラッシュを起こしてし
まった。また、実施例に比して、生産が効率が1110
であった。
の摩耗試験として2万回のコンタクト・スタートストッ
プテストを行い、ディスク表面に傷は全く見られなかっ
た。一方比較例に対しても同様な摩耗試験を行ったとこ
ろ、コンタクト・スタートストップテストでは5000
回を過ぎると傷が生じ、ヘッドクラッシュを起こしてし
まった。また、実施例に比して、生産が効率が1110
であった。
(発明の効果)
以上の結果から本発明の磁気記憶体は、優れた耐摩耗性
を有し、生産にあたっても、従来の技術よりもはるかに
効率がよいことがわかった。
を有し、生産にあたっても、従来の技術よりもはるかに
効率がよいことがわかった。
第1図は磁性薄膜体(Co−2ONi)の保磁力の、最
大面粗さに対する変化を示した特性図である。 第2図は本発明の部分断面図である。図中、1は下地体
、2は非磁性金属層、3は磁性薄膜媒体である。 亭 1 図
大面粗さに対する変化を示した特性図である。 第2図は本発明の部分断面図である。図中、1は下地体
、2は非磁性金属層、3は磁性薄膜媒体である。 亭 1 図
Claims (1)
- 最大面粗さ0.02〜0.1μmの凹凸をほどこした下
地体の上に、非磁性金属層が被覆され、該非磁性金属層
上に磁性薄膜媒体が被覆されて構成されたことを特徴と
する磁気記憶体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6331986A JPS62219227A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6331986A JPS62219227A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62219227A true JPS62219227A (ja) | 1987-09-26 |
Family
ID=13225826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6331986A Pending JPS62219227A (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62219227A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5202810A (en) * | 1989-04-27 | 1993-04-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk having an improved surface configuration |
US5737159A (en) * | 1987-07-29 | 1998-04-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk and its manufacturing method |
US5985402A (en) * | 1986-12-19 | 1999-11-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk and its manufacturing method |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
JPS6151619A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP6331986A patent/JPS62219227A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
JPS6151619A (ja) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5985402A (en) * | 1986-12-19 | 1999-11-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk and its manufacturing method |
US5737159A (en) * | 1987-07-29 | 1998-04-07 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk and its manufacturing method |
US5202810A (en) * | 1989-04-27 | 1993-04-13 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk having an improved surface configuration |
US5353182A (en) * | 1989-04-27 | 1994-10-04 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk unit having magnetic disks and a magnetic head with a head slider which is in contact with surfaces of the magnetic disk |
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