JPS63217520A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPS63217520A JPS63217520A JP5233287A JP5233287A JPS63217520A JP S63217520 A JPS63217520 A JP S63217520A JP 5233287 A JP5233287 A JP 5233287A JP 5233287 A JP5233287 A JP 5233287A JP S63217520 A JPS63217520 A JP S63217520A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（厘東上のオリ用分野）
本発明は、磁気記憶装Ｒ（磁気ディスク装置及び−気ド
ラム装置及びフロッピー装置及び磁気テープ等）に用い
られる磁気記憶体に関するものである。
ラム装置及びフロッピー装置及び磁気テープ等）に用い
られる磁気記憶体に関するものである。
（従来の技術）
従来、金稿博膜媒体からなる磁気記憶体は、コバルトニ
アケル燐鈑金膜や、記憶体として作用できるような保磁
力を有するように非磁性金属下地層とし℃、クロム膜を
被覆し、その上にコバルトニッケル合金膜を被覆したも
のが、実用化されている。
アケル燐鈑金膜や、記憶体として作用できるような保磁
力を有するように非磁性金属下地層とし℃、クロム膜を
被覆し、その上にコバルトニッケル合金膜を被覆したも
のが、実用化されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし、上述の従来の磁気記憶媒体は、高温、高湿の劣
悪な雰囲気では腐食しやすく、この意味で十分耐食性の
ある金楓湊膜媒体はまだ知られていないと言える。また
、上記コバルトニ、ケルスバ、り膜は記録今生特性にお
ける信号対雑音比（８Ｎ比）が悪く、高＠度記録には適
さない。本発明は、上述の境況に鑑み、上記の記憶体よ
りｆｉるかに耐食性が浸れ、尚いＳＮ比と尚記録密度が
得られる磁気記憶媒体を提供するものである。
悪な雰囲気では腐食しやすく、この意味で十分耐食性の
ある金楓湊膜媒体はまだ知られていないと言える。また
、上記コバルトニ、ケルスバ、り膜は記録今生特性にお
ける信号対雑音比（８Ｎ比）が悪く、高＠度記録には適
さない。本発明は、上述の境況に鑑み、上記の記憶体よ
りｆｉるかに耐食性が浸れ、尚いＳＮ比と尚記録密度が
得られる磁気記憶媒体を提供するものである。
（問題点を解決する為の＋段）
本発明の磁気記憶体は、下地体と、この下地体上に被債
される非磁性金属下地層と、この非磁性金属下地層上に
被覆され少なくともパラジウムと二、ケルを同時に含む
コバルト磁性合金博膜媒体とを具備して構成される。
される非磁性金属下地層と、この非磁性金属下地層上に
被覆され少なくともパラジウムと二、ケルを同時に含む
コバルト磁性合金博膜媒体とを具備して構成される。
この磁気記憶体は、磁性合金薄膜媒体として、少なくと
もパラジウムとニッケルを同時に含むコバルトｍ性合金
を用いたことがｈａな点である。
もパラジウムとニッケルを同時に含むコバルトｍ性合金
を用いたことがｈａな点である。
（実施例）
次に１図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一′！に識別の部分断面図で、下地体
１はアルミ合金又は陽＆酸化アルマイト、ニッケルー燐
鍍金膜等を被覆したアルミ合金又はポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミドなどのグラスチック又は望化
硅素、酸化アルミと炭化チタン焼結体等のセラミ、クス
又はステンレス、チタン合金又はガラス板などで６る。
１はアルミ合金又は陽＆酸化アルマイト、ニッケルー燐
鍍金膜等を被覆したアルミ合金又はポリエステル、ポリ
イミド、ポリアミドイミドなどのグラスチック又は望化
硅素、酸化アルミと炭化チタン焼結体等のセラミ、クス
又はステンレス、チタン合金又はガラス板などで６る。
次に、下地体ｌの上に非磁性金属下地層２としてクロム
、モリブデン、タングステン、バナジワム、レニウム、
金、ビスマスなどの金属又はそれらのうち少なくとも一
つの元素を含む合金が０．１から０．８ミクロン（μｍ
）程度高周波マグネトロンスパッタ法等により被ａされ
る。使用したガスはアルゴンやネオン等の不活性ガスで
、その圧力は５から１００ミリトール（ｍｔｏｒｒ ）
の広い範囲で被覆される。スパッタパワー密度も１から
２５Ｗ／ｃＩｎ２の広い範囲である。
、モリブデン、タングステン、バナジワム、レニウム、
金、ビスマスなどの金属又はそれらのうち少なくとも一
つの元素を含む合金が０．１から０．８ミクロン（μｍ
）程度高周波マグネトロンスパッタ法等により被ａされ
る。使用したガスはアルゴンやネオン等の不活性ガスで
、その圧力は５から１００ミリトール（ｍｔｏｒｒ ）
の広い範囲で被覆される。スパッタパワー密度も１から
２５Ｗ／ｃＩｎ２の広い範囲である。
次に１上記非磁性金編下地層２の上に１磁性合金薄膜媒
体３として少なくともパラジウムとニラローム（５）程
度高周波マグネトロンスパッタ法等により被覆される。
体３として少なくともパラジウムとニラローム（５）程
度高周波マグネトロンスパッタ法等により被覆される。
高密度記録が得られる磁気特性（保磁力は５００工ルス
テツド以上、飽和Ｆｉ！ｉ束密度は５０００ガワス以上
）、優れた耐食性、筒い信号対雑音比（ＳＮ比）、大き
い再生出力等が得られることを考慮すると、パラジウム
の含有−ヲマ２から１０原子優、二、ケルの含有量は１
０から５３原子俤程度であることが望ましい。但し、コ
バルトの含有量は４５原子優以上であることが望ましい
。使用したガスはアルゴンやネオン等の不活性ガスで、
その圧力は５から１００ ｍｔｏｒｒの広い範囲で被覆
される。スパッタパワー密度もｌから２５ ｗ／ｃｍ２
の広い範囲である。
テツド以上、飽和Ｆｉ！ｉ束密度は５０００ガワス以上
）、優れた耐食性、筒い信号対雑音比（ＳＮ比）、大き
い再生出力等が得られることを考慮すると、パラジウム
の含有−ヲマ２から１０原子優、二、ケルの含有量は１
０から５３原子俤程度であることが望ましい。但し、コ
バルトの含有量は４５原子優以上であることが望ましい
。使用したガスはアルゴンやネオン等の不活性ガスで、
その圧力は５から１００ ｍｔｏｒｒの広い範囲で被覆
される。スパッタパワー密度もｌから２５ ｗ／ｃｍ２
の広い範囲である。
ざらに、上記磁性合金薄膜媒体３の上に保賎膜として、
酸化硅素或は酸化１ルミに代表される酸化物、鼠化硅索
双は電比チタ／に代狭される家化物、炭化チタン或は炭
化タングステンに代表される炭化物、カーボン、タング
ステン、イリジワム等を１００から６００オングストロ
ーム（Ａ）ａ度高局波マグネトロンスパッタ法等により
被覆し、その保護膜の上に潤滑剤を塗布しても良い。
酸化硅素或は酸化１ルミに代表される酸化物、鼠化硅索
双は電比チタ／に代狭される家化物、炭化チタン或は炭
化タングステンに代表される炭化物、カーボン、タング
ステン、イリジワム等を１００から６００オングストロ
ーム（Ａ）ａ度高局波マグネトロンスパッタ法等により
被覆し、その保護膜の上に潤滑剤を塗布しても良い。
次の第１表に示すように本実施例の１６ａｉ類の試料を
作った。非磁性金属下地層２、磁性合金薄膜媒体３、保
！！膜の膜厚１丁、それぞれ、０．５μｍ１’−、−’ 第 １ 表 第１表の試料は、いずれも保磁力（Ｈｃ）５００エルス
テツド（Ｏｅ）以上、角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ）０．７５
以上、保磁力角形比１＊）０．７５以−ヒであり、磁気
記ｔｉ体として優れたヒステリンス特性を示したＯ 次に、比較例として、第１表の試料１あるいは２と同様
にして、ただし、磁性合金薄膜媒体としてパラジウムを
含まないコ磁性合金薄膜媒体合金ｆ４模媒体を用いた磁
気ディスクを作成した。本発明の実施例により作成した
磁気ディスク及び比較例で示した磁気ディスクを用いて
摩耗試験とし王ヘッドとｆ４スクの起動停止繰り返し試
験（Ｃ８Ｓ試験）及びｍ度６０℃、相対湿度８０％にお
ける耐食性試験を１ケ月行ったところ、実施例に対して
はＣ８Ｓ試験では、２万回以上傷が発生せず、耐食性試
験では、エラー増加率は変化しなかった。−刀、比較例
に対しては、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で傷が発生し
、耐食性試験で（丁、エラー増加率が１０倍に増加した
。
作った。非磁性金属下地層２、磁性合金薄膜媒体３、保
！！膜の膜厚１丁、それぞれ、０．５μｍ１’−、−’ 第 １ 表 第１表の試料は、いずれも保磁力（Ｈｃ）５００エルス
テツド（Ｏｅ）以上、角形比（Ｂｒ／ Ｂｓ）０．７５
以上、保磁力角形比１＊）０．７５以−ヒであり、磁気
記ｔｉ体として優れたヒステリンス特性を示したＯ 次に、比較例として、第１表の試料１あるいは２と同様
にして、ただし、磁性合金薄膜媒体としてパラジウムを
含まないコ磁性合金薄膜媒体合金ｆ４模媒体を用いた磁
気ディスクを作成した。本発明の実施例により作成した
磁気ディスク及び比較例で示した磁気ディスクを用いて
摩耗試験とし王ヘッドとｆ４スクの起動停止繰り返し試
験（Ｃ８Ｓ試験）及びｍ度６０℃、相対湿度８０％にお
ける耐食性試験を１ケ月行ったところ、実施例に対して
はＣ８Ｓ試験では、２万回以上傷が発生せず、耐食性試
験では、エラー増加率は変化しなかった。−刀、比較例
に対しては、Ｃ８Ｓ試験では、３０００回で傷が発生し
、耐食性試験で（丁、エラー増加率が１０倍に増加した
。
また、電磁変換特性は実施例について３００００〜７０
０００ＢＰＩの高密度記録ができ、かつ、３５ｄＢ以上
の優れたＳＮ比が得られたが、比較例のディスクについ
ては、２００００ＢＰＩ と高密度記録は達成できず
、かつ、ＳＮ比が２５ｃｌＢと実施例のＳＮ比よシ１Ｏ
ｄＢも慈かった。
０００ＢＰＩの高密度記録ができ、かつ、３５ｄＢ以上
の優れたＳＮ比が得られたが、比較例のディスクについ
ては、２００００ＢＰＩ と高密度記録は達成できず
、かつ、ＳＮ比が２５ｃｌＢと実施例のＳＮ比よシ１Ｏ
ｄＢも慈かった。
なお、上述の実施例では、成膜法として晶周波マグネト
ロンスパッタ法を代表例とし℃使用したが、本発明にお
いては、その他に面周波スバ、り法、直流マグネトロン
スパッタ法、直流スパッタ法、イオンビームスパッタ法
、真空蒸着法等を使用してもよい。
ロンスパッタ法を代表例とし℃使用したが、本発明にお
いては、その他に面周波スバ、り法、直流マグネトロン
スパッタ法、直流スパッタ法、イオンビームスパッタ法
、真空蒸着法等を使用してもよい。
（発明の効果）
以上説明したように本発明の一気記憶体は、優れた耐摩
耗性及び耐食性（耐環境性）及び高記録密度特性及び高
ＳＮ比を有している。
耗性及び耐食性（耐環境性）及び高記録密度特性及び高
ＳＮ比を有している。
第１図は本発明の一気記憶体の一実施例の部分断面図で
ある。 １・・・・・・下地体、２・・・・・・非磁性金属下地
層、３・・・・・・磁性合金薄膜媒体。
ある。 １・・・・・・下地体、２・・・・・・非磁性金属下地
層、３・・・・・・磁性合金薄膜媒体。
Claims (1)
- 下地体と、この下地体上に被覆される非磁性金属下地層
と、この非磁性金属下地層上に被覆され少なくともパラ
ジウムとニッケルを同時に含むコバルト磁性合金薄膜媒
体とを具備したことを特徴とする磁気記憶体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233287A JPS63217520A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233287A JPS63217520A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63217520A true JPS63217520A (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=12911841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233287A Pending JPS63217520A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63217520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0581638A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-04-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP5233287A patent/JPS63217520A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0581638A (ja) * | 1991-04-26 | 1993-04-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
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