JPS631010A - 垂直磁気異方性薄膜 - Google Patents
垂直磁気異方性薄膜Info
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- JPS631010A JPS631010A JP14408586A JP14408586A JPS631010A JP S631010 A JPS631010 A JP S631010A JP 14408586 A JP14408586 A JP 14408586A JP 14408586 A JP14408586 A JP 14408586A JP S631010 A JPS631010 A JP S631010A
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術の分野)
、この発明は、垂直磁気異方性の強磁性薄膜に関づるも
のである。さらに詳しくは、膜面に垂直の方向に優れた
磁気異方性を右し、磁化が大ぎく、しかも耐食性、耐l
亨耗性に例れ、動摩隙係数が小さな、磁化記録媒体、面
内おJ:び重直磁化記1.f媒体として有用な強磁性薄
膜に関するものである。
のである。さらに詳しくは、膜面に垂直の方向に優れた
磁気異方性を右し、磁化が大ぎく、しかも耐食性、耐l
亨耗性に例れ、動摩隙係数が小さな、磁化記録媒体、面
内おJ:び重直磁化記1.f媒体として有用な強磁性薄
膜に関するものである。
(技術の背朗)
これまで磁気記録の方式としては、塗布型記録媒体を用
いた面内記録方式が一般的に採用されている。この塗布
型の記録媒体としては、針状の磁性粉を面内のQ4j定
の方向に配向させて塗布したものが主に用いられてぎて
いる。この場合の針状の磁性粉の代表的なものはγ−「
e203である。
いた面内記録方式が一般的に採用されている。この塗布
型の記録媒体としては、針状の磁性粉を面内のQ4j定
の方向に配向させて塗布したものが主に用いられてぎて
いる。この場合の針状の磁性粉の代表的なものはγ−「
e203である。
このγ−「e203媒体は劃−デイ副テープ、ビデオテ
ープ、フロッピーディスク等に広く用いられてきている
が、その特性、いずれの用途においても)!1足できる
ものではない。克服づべき数多くの問題をかかえている
のが現状でおる。
ープ、フロッピーディスク等に広く用いられてきている
が、その特性、いずれの用途においても)!1足できる
ものではない。克服づべき数多くの問題をかかえている
のが現状でおる。
たとえば、フロッピーディスク用のγ−Fe2Q3媒体
の場合には、11状のγ−Fe′203が面内である特
定の方向に配向しているために、再生時にディスクの場
所によって出力に山と谷が現われる。このため、平均的
なS/N比の低下が起る。
の場合には、11状のγ−Fe′203が面内である特
定の方向に配向しているために、再生時にディスクの場
所によって出力に山と谷が現われる。このため、平均的
なS/N比の低下が起る。
また、近年、オーディオビデ刺のデジタル化が進んでお
り、これに対応して記録媒体の高記録密度化が必要にな
っている。γ−Fe203!A!体は、このようなデジ
タル記録・再生、高密度記Hのニーズに対応覆るには原
理的にも不利なしのである。
り、これに対応して記録媒体の高記録密度化が必要にな
っている。γ−Fe203!A!体は、このようなデジ
タル記録・再生、高密度記Hのニーズに対応覆るには原
理的にも不利なしのである。
使方、磁化記録方式として一般的な面内磁化記録の方式
では平面内の磁化記録であるため、高記録密度にすると
減磁作用によって再生出力が低下するという問題がある
。
では平面内の磁化記録であるため、高記録密度にすると
減磁作用によって再生出力が低下するという問題がある
。
このような問題を解決覆るしのとして、原理的により一
層の高密度記録が可能な垂直磁気記録方式が提案され、
その実用化のための開発も話発に進められている。この
垂直磁気記録については、この方式に用いる磁気記録媒
体としては膜面内に磁化するより−b乗直に磁化した場
合の方がエネルギー的に低いことが望ましいことから、
co−Cr系1合金、13aフ1ライトが記録媒体とし
て有望視されてもいる。
層の高密度記録が可能な垂直磁気記録方式が提案され、
その実用化のための開発も話発に進められている。この
垂直磁気記録については、この方式に用いる磁気記録媒
体としては膜面内に磁化するより−b乗直に磁化した場
合の方がエネルギー的に低いことが望ましいことから、
co−Cr系1合金、13aフ1ライトが記録媒体とし
て有望視されてもいる。
co−Cr系合金の薄膜は、現在はスパッタ法または蒸
着法で、またBaフェライト薄膜はスパッタ法でff¥
Jされており、これら媒体を用いた垂直磁気記録方式に
よって優れた高密度記録ら実現されている。たとえば、
Co−Cr合金のスパッタ薄膜を媒体とした垂直磁気記
録方式によるフ1」ツピーディスクで100KBPI
(キ[I・ビット・パー・インチ)の超高密度記録が可
能となったことも報告されている( I E E E
、 T rans、onMaon MAG−20,No
、5. pp657−662、984>。
着法で、またBaフェライト薄膜はスパッタ法でff¥
Jされており、これら媒体を用いた垂直磁気記録方式に
よって優れた高密度記録ら実現されている。たとえば、
Co−Cr合金のスパッタ薄膜を媒体とした垂直磁気記
録方式によるフ1」ツピーディスクで100KBPI
(キ[I・ビット・パー・インチ)の超高密度記録が可
能となったことも報告されている( I E E E
、 T rans、onMaon MAG−20,No
、5. pp657−662、984>。
しかしながら、現在の垂直磁気記録11式の媒体として
提案されているco−Cr系合金の場合には、媒体が全
屈であるため動産I察が大きく、?rJ摩耗性に問題が
おる。この点は、実用上の観点からは極めて重大な問題
である。J:た、このC0−Cr系合金)iシ膜の場合
には、Coとともに、供給の安定性、価格の安定性に不
安の人さいCrを用いることが必要になる。
提案されているco−Cr系合金の場合には、媒体が全
屈であるため動産I察が大きく、?rJ摩耗性に問題が
おる。この点は、実用上の観点からは極めて重大な問題
である。J:た、このC0−Cr系合金)iシ膜の場合
には、Coとともに、供給の安定性、価格の安定性に不
安の人さいCrを用いることが必要になる。
3aフエライト薄膜の場合には、垂直磁気異方性と密接
に関係する高配向性結晶を形成するために基板の)54
度を500 ’C程度にまで高温加熱する必要が必り、
また、基板にあらかじめ高配向性結晶をイ」着させてお
く必要がある。このため、製造条件、価格の面で3aフ
1ライ1〜薄膜には問題が多い。特に、実用−し、安価
なPFT等の右13フイルムを使用覆ることができない
ことは重大な問題である。
に関係する高配向性結晶を形成するために基板の)54
度を500 ’C程度にまで高温加熱する必要が必り、
また、基板にあらかじめ高配向性結晶をイ」着させてお
く必要がある。このため、製造条件、価格の面で3aフ
1ライ1〜薄膜には問題が多い。特に、実用−し、安価
なPFT等の右13フイルムを使用覆ることができない
ことは重大な問題である。
さらにまた、co−Cr系合金d3よび[3a)1−ラ
イトの薄膜のいずれの場合においても、磁気特性は依然
として満足できるものではない。
イトの薄膜のいずれの場合においても、磁気特性は依然
として満足できるものではない。
このため、記録方式として今後の発展の可能e[が大き
い垂直磁気記録方式を実用技術として可能とげるために
、以上の従来技術の問題を克服した、新しい磁気記録媒
体とぞのためのa、9膜の実現が強く望まれていた。
い垂直磁気記録方式を実用技術として可能とげるために
、以上の従来技術の問題を克服した、新しい磁気記録媒
体とぞのためのa、9膜の実現が強く望まれていた。
(発明の「1的)
この発明は、以上のとおりの事情を鑑みてなされ、!こ
らのであり、垂直磁気異方[生に優れ、fjd化が大き
く、しかも耐I!?:耗性、耐食外にFワれ、動摩1寮
係数が小さく、その製造が容易な垂直磁気異方性の強磁
性)1.9膜を提供づることを目的としている。
らのであり、垂直磁気異方[生に優れ、fjd化が大き
く、しかも耐I!?:耗性、耐食外にFワれ、動摩1寮
係数が小さく、その製造が容易な垂直磁気異方性の強磁
性)1.9膜を提供づることを目的としている。
(発明の(を成)
この発明の垂直磁気異方性の強磁性薄膜は、上記の目的
を実現するために、鉄(FC)J5よび/またはコバル
ト(Co )と酸素(0)とを主とづる組成を右し、膜
面に垂直の方向に磁気異方性を有することを特徴として
いる。
を実現するために、鉄(FC)J5よび/またはコバル
ト(Co )と酸素(0)とを主とづる組成を右し、膜
面に垂直の方向に磁気異方性を有することを特徴として
いる。
この鉄(FC)−コバルト(Co )−酸素(0)系の
垂直磁気異方性薄膜はこの発明の発明者ににってはじめ
て実現されたものでおり、この鉄(Fe)、コバルト(
Co )および酸素(0)を薄膜組成の主元素としてい
るものである。
垂直磁気異方性薄膜はこの発明の発明者ににってはじめ
て実現されたものでおり、この鉄(Fe)、コバルト(
Co )および酸素(0)を薄膜組成の主元素としてい
るものである。
鉄(「0)おJ:び/またはコバル1〜(CO)、そし
て酸素(0)を組成にOvる限り、他の任意の元素をさ
らに含有してもよいし、あるいは含有しなくともよい。
て酸素(0)を組成にOvる限り、他の任意の元素をさ
らに含有してもよいし、あるいは含有しなくともよい。
各元素の組成比について・し適宜に選択することができ
る。組成比に対応して、この発明の強磁性薄膜は、面内
もしくは垂直磁化記録媒体として好適に用いることがで
きる。
る。組成比に対応して、この発明の強磁性薄膜は、面内
もしくは垂直磁化記録媒体として好適に用いることがで
きる。
鉄(Fl−コバルト(Go )−酸素(0)の組成から
なる乙のとしては、次の(i>の組成範囲にあるもが特
に好ましいものである。
なる乙のとしては、次の(i>の組成範囲にあるもが特
に好ましいものである。
(I)FcxCoyOz
(ここで、x、y、zは次の原子比範囲にある。
0≦X≦90゜
O≦y≦90゜
10≦z≦50゜
ただし、x=y=oとなることはない。)もちろん、こ
の発明は、この範囲に限定されるものではない。この(
I>の組成のものが、強磁44 RjJ 膜として好適
に用いられるのである。
の発明は、この範囲に限定されるものではない。この(
I>の組成のものが、強磁44 RjJ 膜として好適
に用いられるのである。
5X(Fc)、]コバルトCo)によびM、Ij(0)
以外の他の元素を薄膜の組成成分として用いる場合には
、B(C1う素)、AI (アルミニウム)、Si
(けい素>、−rzチタン)、■(バナジウム)、Cr
(クロム)、Mn(?ンガン>、Nrにッケル)、CI
(銅)、Zn(亜’l+’+ ) 、G e(、ゲルマ
ニウム)、Zr (ジルコニウム)、Nb(ニオブ)、
MO(モリブデン)、RlJ(ルテニウム)、Pb(パ
ラジウム)、Ag (銀)、Cd(カドミウム)、In
(インジウム)、SL!(錫)、Sb (アンチモ
ン)、トIf (ハフニウム)、Ta (タンタル)
、W(タングステン)、Re(レニウム)、OS(オス
ミウム)、Pt(白金)、AU (金)、Pb (鎗
)、Bi (ビスマス)およびレア・アースの1種また
は2種以上の元素を好適に含有さけることができる。レ
ア・アースとしては、Nd 、 Sm 、 Gd 、
TLI 、 DV 、1−1oなどを組成に含有させる
ことができる。
以外の他の元素を薄膜の組成成分として用いる場合には
、B(C1う素)、AI (アルミニウム)、Si
(けい素>、−rzチタン)、■(バナジウム)、Cr
(クロム)、Mn(?ンガン>、Nrにッケル)、CI
(銅)、Zn(亜’l+’+ ) 、G e(、ゲルマ
ニウム)、Zr (ジルコニウム)、Nb(ニオブ)、
MO(モリブデン)、RlJ(ルテニウム)、Pb(パ
ラジウム)、Ag (銀)、Cd(カドミウム)、In
(インジウム)、SL!(錫)、Sb (アンチモ
ン)、トIf (ハフニウム)、Ta (タンタル)
、W(タングステン)、Re(レニウム)、OS(オス
ミウム)、Pt(白金)、AU (金)、Pb (鎗
)、Bi (ビスマス)およびレア・アースの1種また
は2種以上の元素を好適に含有さけることができる。レ
ア・アースとしては、Nd 、 Sm 、 Gd 、
TLI 、 DV 、1−1oなどを組成に含有させる
ことができる。
これら元素の比率は適宜に選択することができるが、た
とえば、好適には、次の組成範囲において用いることが
できる。
とえば、好適には、次の組成範囲において用いることが
できる。
(H) (FexCoyOz ) 1−A
MへXX100(は上記の元素の1種J:たは2(!1
以上を示万。A、x、y、zは、次の範囲にある。
MへXX100(は上記の元素の1種J:たは2(!1
以上を示万。A、x、y、zは、次の範囲にある。
O≦A≦0.25
0≦X≦90
0≦y≦90
10≦7≦55
ただし、x=y=oとなることはない。)この発明の強
磁性薄膜は、通常のスパッタ法等の薄11Diの形成の
方法によって製造することができる。スパッタ法の場合
には、鉄、コバルト、その他元素の金鼠シート、酸化物
ペレットなどをターゲット月わ1として用いることがで
きる。製造条1′[は、通常の方法に基づいて適宜に選
択することができる。
磁性薄膜は、通常のスパッタ法等の薄11Diの形成の
方法によって製造することができる。スパッタ法の場合
には、鉄、コバルト、その他元素の金鼠シート、酸化物
ペレットなどをターゲット月わ1として用いることがで
きる。製造条1′[は、通常の方法に基づいて適宜に選
択することができる。
鉄(「e)−コバルI−(Co)−酸素(0)とを主と
する組成からなるこの発明の強磁1([肪Br、”4は
、後述の実施例にも示すとおり膜面に垂直の方向にfつ
れた磁気異方性を右している。この例れた重i′i!1
磁気異方・i/lまたは匝直磁化特↑)[は、1!rに
次の点にa′3いできわたっている。
する組成からなるこの発明の強磁1([肪Br、”4は
、後述の実施例にも示すとおり膜面に垂直の方向にfつ
れた磁気異方性を右している。この例れた重i′i!1
磁気異方・i/lまたは匝直磁化特↑)[は、1!rに
次の点にa′3いできわたっている。
■膜面に重直な磁化曲線における高角型比。
(たとえば、角型比0.9以上を右する)■大きな保磁
力。
力。
(たとえば、1000c以上を有する)■飽和磁化、垂
直磁気異方性がともに大きい。
直磁気異方性がともに大きい。
(たとえば、飽和磁化560emu/ccの滋fl薄膜
にd3いて、垂直磁気異方性磁界6.8 kC+eを有
する) これらの諸点から明らかなように、この発明の磁性薄膜
は理想的な祠お1といえるものである。
にd3いて、垂直磁気異方性磁界6.8 kC+eを有
する) これらの諸点から明らかなように、この発明の磁性薄膜
は理想的な祠お1といえるものである。
また、この薄膜は、磁気記録媒体として使用する場合に
欠かt!ない特性である耐食性、耐摩耗性に優れ、動摩
擦係数が小さい。
欠かt!ない特性である耐食性、耐摩耗性に優れ、動摩
擦係数が小さい。
このような諸特性を付する垂直磁気異方i生薄膜は、こ
れまで全く知られていないものである。
れまで全く知られていないものである。
以下、さらに詳しくこの発明を説明するために実施例を
示す。この実施例は、いくつかの例を示すものであり、
この発明がこれら実施例に限られるものでないことはい
うまで:bない。
示す。この実施例は、いくつかの例を示すものであり、
この発明がこれら実施例に限られるものでないことはい
うまで:bない。
実施例1
RF2JiRスパッタ法にJ、す、鉄(Fl−:lパル
1〜(Co ”)−酸素(0)の薄膜を作成した。
1〜(Co ”)−酸素(0)の薄膜を作成した。
ターゲットとしては、Fe2O3、Fe、’Coo。
またはCO3O4ターグツ1−の上にのUたFC1Co
シート(5X5×11)、「C203、C00、Co
304カ冒、ペレッ1〜(3t×8φ)のうらの1種ま
たは2種のシートもしくはペレットからなる複合ターゲ
ット、または、Fe 、Co、Fc 203 、Co
Oの粉末のうらの2杆または3種からなる混合粉末を焼
結したターゲットを用いた。組成は、投合ターゲットの
組合け、または、粉末の割合を変えることにより調整し
た。作成のための条例は、アルゴン圧2Paとし、水冷
されたパイレックスガラスを塁仮に用いた。
シート(5X5×11)、「C203、C00、Co
304カ冒、ペレッ1〜(3t×8φ)のうらの1種ま
たは2種のシートもしくはペレットからなる複合ターゲ
ット、または、Fe 、Co、Fc 203 、Co
Oの粉末のうらの2杆または3種からなる混合粉末を焼
結したターゲットを用いた。組成は、投合ターゲットの
組合け、または、粉末の割合を変えることにより調整し
た。作成のための条例は、アルゴン圧2Paとし、水冷
されたパイレックスガラスを塁仮に用いた。
19られた薄膜の組成は、次のとおりであった。
Fe 53,3o46.7 (1)
Fe 38.3c014.5o47.2 (2>F04
3.IC014,6042,3(3)Fe56.3C0
13゜1030.7(4)この1〜4の試11薄膜につ
いて、振動試料型磁力計によって測定した磁化曲線は、
それぞれ誰何した第1図、第2図、第3図および第4図
に示1と、おりであった。
3.IC014,6042,3(3)Fe56.3C0
13゜1030.7(4)この1〜4の試11薄膜につ
いて、振動試料型磁力計によって測定した磁化曲線は、
それぞれ誰何した第1図、第2図、第3図および第4図
に示1と、おりであった。
飽和磁化(MS)、異方’+lLm界(t−1k )
、垂1iffl方向の保磁力(+−1c上)、面内の保
磁力N−IC/)面内方向と、垂直方向に磁化させた場
合の残留磁化の比(Mr / /Mr −L ) 、膜
厚、R= 2 anのり”ファイアに29の圧力を加え
て測定した動摩擦係数等の値は、第1表に示すと21ゴ
っであった。
、垂1iffl方向の保磁力(+−1c上)、面内の保
磁力N−IC/)面内方向と、垂直方向に磁化させた場
合の残留磁化の比(Mr / /Mr −L ) 、膜
厚、R= 2 anのり”ファイアに29の圧力を加え
て測定した動摩擦係数等の値は、第1表に示すと21ゴ
っであった。
なお、薄膜の組成は、EPMAににって定量分析した。
第1図〜第3図より明らかなように、磁性薄膜は、膜面
に垂直の方向に大ぎな磁気異方性を有している。また、
−般に垂直磁化膜として必要な条件でおる ト1k ≧ 4 πM 5 N−1に:異方性磁界、MS:飽和磁化)をi!:1足
しており、垂直磁化記録方式を可能とする薄膜であるこ
とがわかる。
に垂直の方向に大ぎな磁気異方性を有している。また、
−般に垂直磁化膜として必要な条件でおる ト1k ≧ 4 πM 5 N−1に:異方性磁界、MS:飽和磁化)をi!:1足
しており、垂直磁化記録方式を可能とする薄膜であるこ
とがわかる。
さらに、軟磁性層を実行らして二層(1η造とした垂直
磁気記録媒体では、この必要条件を満足する必要がない
ことから、1〜4の薄膜はざらに有利なものとなる。
磁気記録媒体では、この必要条件を満足する必要がない
ことから、1〜4の薄膜はざらに有利なものとなる。
第4図においては、1−1k<4足Msであるが、飽和
磁化が970 emu/ccと非常に大ぎいにしかかわ
らず、垂直磁気異方↑(1磁界は3.7 kQeあり、
垂直磁気記録媒体としてtりれた磁性薄膜である。
磁化が970 emu/ccと非常に大ぎいにしかかわ
らず、垂直磁気異方↑(1磁界は3.7 kQeあり、
垂直磁気記録媒体としてtりれた磁性薄膜である。
第1表
また、垂直方向の保磁力としても、薄形)1が6700
e 、21fi7200e 、31fi1320oO1
4が780o(!を示し、十分な値を有している。
e 、21fi7200e 、31fi1320oO1
4が780o(!を示し、十分な値を有している。
さらに飽和磁化も薄膜1がi 9 Q 01lljl/
CCl2が20 Q emu/cc、 3が470cm
u/cc、 Aが970emu/ccと大ぎく、優れた
垂直磁気異方性)iq膜である。
CCl2が20 Q emu/cc、 3が470cm
u/cc、 Aが970emu/ccと大ぎく、優れた
垂直磁気異方性)iq膜である。
この実施例から:b明らかなように、辞n’r>の組成
の変化は、磁気特性の変化をと・しなうのが−殻内であ
るが、この発明の磁性薄膜に43いては、低酸素濃度の
組成の場合には酸素の比率の減少にともなって磁化は増
加づる傾向にある。
の変化は、磁気特性の変化をと・しなうのが−殻内であ
るが、この発明の磁性薄膜に43いては、低酸素濃度の
組成の場合には酸素の比率の減少にともなって磁化は増
加づる傾向にある。
この酸素1filUの変化による特性の変化を示したも
のが第5図である。
のが第5図である。
この第5図の場合には、コバルト(CO)の原子比を1
2〜15%に保ら、酸素温度を変化ざU、試お1薄膜の
磁化と垂直異方性磁界との関係を示している。
2〜15%に保ら、酸素温度を変化ざU、試お1薄膜の
磁化と垂直異方性磁界との関係を示している。
芽6図は、この第5図の関係を、磁化と異方性磁界につ
いて示したものである。第5図76よび第6図からみて
、M素の原子比率は、10〜50%とJるのが、特に好
ましいことがわかる。
いて示したものである。第5図76よび第6図からみて
、M素の原子比率は、10〜50%とJるのが、特に好
ましいことがわかる。
実施例2
RF2極スパッタ法で、FcxCoyOz 、おヨヒ(
FexCoyOz ) HMAxlOO(ここで、O≦
X≦90、O≦y≦90、0≦7≦55で、x=y=O
となることはない。また、Oく△≦0.25でおる)か
らなる組成の磁性薄膜を作成した。
FexCoyOz ) HMAxlOO(ここで、O≦
X≦90、O≦y≦90、0≦7≦55で、x=y=O
となることはない。また、Oく△≦0.25でおる)か
らなる組成の磁性薄膜を作成した。
作成は実施例1と同様にして行った。
電+bi圧は1.3〜2kV、印加磁場50 (〉e、
電極間距離40〜50nmrとした。
電極間距離40〜50nmrとした。
(ワられた磁性薄膜の磁気特性、成膜時における電(ル
ミ圧を第2表および第3表に示した。なお、従来例とし
て、Co−CrR,9膜についても併記した。
ミ圧を第2表および第3表に示した。なお、従来例とし
て、Co−CrR,9膜についても併記した。
この第2表および第3表に示した薄膜の膜厚は約1.5
μ7nである。
μ7nである。
また、17られた薄膜について耐食性能についても試験
した。試験に用いた試料は、Fe12.2CO3,60
46,2・F03B、3C014,5047,2・F0
39,3Co 3.5 Srl 9、048、とした口
この3種の試料を5wt%塩化プトリウム水溶液に72
04間浸Uぎし、空気中で72時間放置した。
した。試験に用いた試料は、Fe12.2CO3,60
46,2・F03B、3C014,5047,2・F0
39,3Co 3.5 Srl 9、048、とした口
この3種の試料を5wt%塩化プトリウム水溶液に72
04間浸Uぎし、空気中で72時間放置した。
磁気特性を測定した結果、特↑(1の変化1吋1つたく
みら机なかった。
みら机なかった。
また、R= 2 mmのりファイアに2gの圧力を加え
て動摩隙係数も測定した。上記の3 H’の試料にJ3
いては0、3〜0、5の値であり、従来例のco−Cr
垂直磁化膜の0.8に比べてはるかに小さな値であり、
この発明の磁性薄1/3が耐摩耗性に極めて優れたもの
であることがわかる。
て動摩隙係数も測定した。上記の3 H’の試料にJ3
いては0、3〜0、5の値であり、従来例のco−Cr
垂直磁化膜の0.8に比べてはるかに小さな値であり、
この発明の磁性薄1/3が耐摩耗性に極めて優れたもの
であることがわかる。
第2表および第3表から−b明らかなように、この実施
例のいずれの磁性薄膜も優れた垂直磁気異方性を示し、
従来のco−Cr薄膜と同等以上の持廿を示してもいる
。
例のいずれの磁性薄膜も優れた垂直磁気異方性を示し、
従来のco−Cr薄膜と同等以上の持廿を示してもいる
。
(発明の効、果)
以上詳しく示したように、この発明の磁性薄膜は、優れ
た垂直磁気異方性を有するとともに、耐食性、耐摩耗性
に優れており、面内および垂直磁化記録媒体として極め
て有用な薄膜である゛。
た垂直磁気異方性を有するとともに、耐食性、耐摩耗性
に優れており、面内および垂直磁化記録媒体として極め
て有用な薄膜である゛。
鉄(FC)−コバルト(Co )−酸素(0)から主と
してなるこの発明の強磁性薄膜は、垂直磁化記録の実用
展開に大ぎく寄与するものである。
してなるこの発明の強磁性薄膜は、垂直磁化記録の実用
展開に大ぎく寄与するものである。
第1図〜第4図はこの発明の薄膜1の具体例についての
磁化曲線を示したものでおる。 第5図および第6図は、酸素)開度と磁気′17r性と
の関係を示したものである。 代理人 弁理士 西 澤 利 夫 第 1 図 第2図 第 3 図 第 4 図 第 5 図 酸素原子比(%) 第 6 図 Ms(emu/g)
磁化曲線を示したものでおる。 第5図および第6図は、酸素)開度と磁気′17r性と
の関係を示したものである。 代理人 弁理士 西 澤 利 夫 第 1 図 第2図 第 3 図 第 4 図 第 5 図 酸素原子比(%) 第 6 図 Ms(emu/g)
Claims (4)
- (1)鉄(Fe)および/またはコバルト(Co)と酸
素(O)とを主とする組成を有し、膜面に垂直の方向に
磁気異方性を有することを特徴とする垂直磁気異方性薄
膜。 - (2)鉄(Fe)および/またはコバルト(Co)と酸
素(O)からなる組成を右し、その組成が原子比で、 Fe_xCo_yO_z (0≦x≦90、0≦y≦90、10≦z≦50。 ただし、x=y=0となることはない) の範囲のある特許請求の範囲第1項記載の垂直磁気異方
性薄膜。 - (3)B、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、
Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、A
g、Cd、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、
Os、Pt、Au、Pb、Biおよびレア・アースのう
らの1種または2種以上の元素をその組成に有する特許
請求の範囲第1項記載の垂直磁気異方性薄膜。 - (4)その組成が原子比で、 (Fe_xCo_yO_z)_1_−_AMAX100
(Mは、B、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni
、Cu、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Pd、
Ag、Cd、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re
、Os、Pt、Au、Pb、Biおよびレア・アースの
1種または2種以上の元素を示す。また、A、x、yお
よびzは次の範囲にある。 0<A≦0.25、0≦x≦90、0≦y≦90、10
≦z≦55で、x=y=0となることはない)の範囲に
ある特許請求の範囲第3項記載の垂直磁気異方性薄膜。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14408586A JPS631010A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 垂直磁気異方性薄膜 |
DE3710477A DE3710477C2 (de) | 1986-03-31 | 1987-03-30 | Dünne Schicht mit senkrechter Magnetisierungsisotropie |
NL8700756A NL8700756A (nl) | 1986-03-31 | 1987-03-31 | Voor loodrechte magnetisatie bestemde anisotrope dunne film. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14408586A JPS631010A (ja) | 1986-06-20 | 1986-06-20 | 垂直磁気異方性薄膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS631010A true JPS631010A (ja) | 1988-01-06 |
Family
ID=15353888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14408586A Pending JPS631010A (ja) | 1986-03-31 | 1986-06-20 | 垂直磁気異方性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS631010A (ja) |
-
1986
- 1986-06-20 JP JP14408586A patent/JPS631010A/ja active Pending
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