JPS5982637A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5982637A JPS5982637A JP57192460A JP19246082A JPS5982637A JP S5982637 A JPS5982637 A JP S5982637A JP 57192460 A JP57192460 A JP 57192460A JP 19246082 A JP19246082 A JP 19246082A JP S5982637 A JPS5982637 A JP S5982637A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic recording
- recording medium
- perpendicular magnetic
- oxide
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、垂直磁気記録用媒体に用いられているＣｏ−
Ｃｒ磁性薄膜の構造とその製造方法に関するものであり
、特にＣｏ−（：ｒ磁性薄膜の耐ヘツド摺動性の向上に
関するものである。
Ｃｒ磁性薄膜の構造とその製造方法に関するものであり
、特にＣｏ−（：ｒ磁性薄膜の耐ヘツド摺動性の向上に
関するものである。
ｃｏ−ｃｒａ性薄膜は強い垂直ａ気異方性を示し、垂直
磁気記録用媒体として優れた特性をもっている。しかし
、その実用化には解決すべきいくつかの問題がある。そ
の中で最つとも大きな問題点は、ヘッドとの接触に対す
る強度、すなわち、耐摺動性である。例えば、ウィンチ
ェスタ型ヘッドを用い、Ｃｏ−Ｃｒ磁性膜が被着された
ディスクの、高速回転下における記録・再生実験を行な
うと、ヘッドクラッシュによりスクラッチが発生し、出
力の低下を招くことがしばしば発生する。
磁気記録用媒体として優れた特性をもっている。しかし
、その実用化には解決すべきいくつかの問題がある。そ
の中で最つとも大きな問題点は、ヘッドとの接触に対す
る強度、すなわち、耐摺動性である。例えば、ウィンチ
ェスタ型ヘッドを用い、Ｃｏ−Ｃｒ磁性膜が被着された
ディスクの、高速回転下における記録・再生実験を行な
うと、ヘッドクラッシュによりスクラッチが発生し、出
力の低下を招くことがしばしば発生する。
このＣｏ−Ｃｒ膜の耐摺動性を改良するため、ＣＯ−Ｃ
ｒ膜表面に保護膜を設け、耐摺動性を向上させる方法が
ある。しかし、強組をあげるために、この保護膜をあ−
１，＃）厚くすると、記録・再生時におけるスペーシン
グ損失が増大する。この損失の大きさけ記録ビット長が
短かくなると指数函数的に増大する。特に垂直磁気記録
のよ“うに、きわめて線密度の高い条件での使用を要求
されている場合、その保護膜は厚さが０．０５μｍ以下
である必要がある。従来、Ｃ０−Ｃｒ磁性膜用の保護膜
としては、スパッタリング法で作製した５１０２膜があ
るが、上記したような極薄の条件においては、得られｆ
ｃ膜にピンホールが多く発生し、耐摺動性も十分な強度
をもつものといえガい。
ｒ膜表面に保護膜を設け、耐摺動性を向上させる方法が
ある。しかし、強組をあげるために、この保護膜をあ−
１，＃）厚くすると、記録・再生時におけるスペーシン
グ損失が増大する。この損失の大きさけ記録ビット長が
短かくなると指数函数的に増大する。特に垂直磁気記録
のよ“うに、きわめて線密度の高い条件での使用を要求
されている場合、その保護膜は厚さが０．０５μｍ以下
である必要がある。従来、Ｃ０−Ｃｒ磁性膜用の保護膜
としては、スパッタリング法で作製した５１０２膜があ
るが、上記したような極薄の条件においては、得られｆ
ｃ膜にピンホールが多く発生し、耐摺動性も十分な強度
をもつものといえガい。
本発明の目的は、上述したような従来技術の問題点を解
決するために、垂直磁気記録媒体としてのｃｏ−ｃｒｍ
性薄膜の表面に形成する膜厚０．０２〜０，０５μｍの
極薄で、緻密なＭ棺・造をもち、かり、耐摺動性の優れ
た保護膜を提供することにある。
決するために、垂直磁気記録媒体としてのｃｏ−ｃｒｍ
性薄膜の表面に形成する膜厚０．０２〜０，０５μｍの
極薄で、緻密なＭ棺・造をもち、かり、耐摺動性の優れ
た保護膜を提供することにある。
本発明はＣｒの酸化物、特に−Ｃｒ２Ｏ３が極薄栄件下
においても緻密な膜構造をもち、しかも硬度の高い膜特
性を有することに着目し、その目的を達成したものであ
る。
においても緻密な膜構造をもち、しかも硬度の高い膜特
性を有することに着目し、その目的を達成したものであ
る。
以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例 １
鏡面研磨のなされた直径１００闘のＡｔ円板上に膜厚０
．３μｍの非晶質膜（本実施例では８１０２膜）をスパ
ッタリング法で被着し、さらに、その上に膜厚０．５μ
ｍのＣｏ−Ｃｒ磁性膜をスパッタリング法で被着し、こ
れをディスクＡ−１とする。
．３μｍの非晶質膜（本実施例では８１０２膜）をスパ
ッタリング法で被着し、さらに、その上に膜厚０．５μ
ｍのＣｏ−Ｃｒ磁性膜をスパッタリング法で被着し、こ
れをディスクＡ−１とする。
このＣｏ−Ｃｒ合金膜のＣｒ含有量は１６重景％である
。上記非晶質膜はＣｏ−Ｃｒ合金膜の結晶の配向性を改
善し、磁気特性を向上させるのに効果があるが、必ずし
も設ける必要はない。
。上記非晶質膜はＣｏ−Ｃｒ合金膜の結晶の配向性を改
善し、磁気特性を向上させるのに効果があるが、必ずし
も設ける必要はない。
さらに、Ｃｒターゲットを用い、酸素５％を含んだフル
ボンガスの圧力２ｍＴｏｒｒ 、 ／：’７−３００Ｗ
の条件で、３０秒間スパッタリングを行ない、ディスク
Ａ−１の表面に膜厚１００人のＣｒ酸化物を被着した。
ボンガスの圧力２ｍＴｏｒｒ 、 ／：’７−３００Ｗ
の条件で、３０秒間スパッタリングを行ない、ディスク
Ａ−１の表面に膜厚１００人のＣｒ酸化物を被着した。
このディスクをＢ−１とする。以下、スパッタ時間を４
５秒、６０秒、９０秒とし、被着されるＣｒ酸化物の膜
厚を１５０人、２００人、３００人と変化させたディス
クを作成した。
５秒、６０秒、９０秒とし、被着されるＣｒ酸化物の膜
厚を１５０人、２００人、３００人と変化させたディス
クを作成した。
これらのディスクをそれぞれＢ−２，Ｂ二３．Ｂ−４と
する。
する。
これらの５種類のディスクについて、下記の方法で耐摺
動性テストを行なった。すなわち、荷重２ｇのウィンチ
ェスタ型ヘッドを用い、最初、ディスクの停止状態にお
いてヘッドをディスク表面に接月中させておく。ディス
クの回転を始め、６秒後に１５ｍ／Ｓの定速状態に達し
た後、３秒間記録・再生を行ない、出力値を記録する。
動性テストを行なった。すなわち、荷重２ｇのウィンチ
ェスタ型ヘッドを用い、最初、ディスクの停止状態にお
いてヘッドをディスク表面に接月中させておく。ディス
クの回転を始め、６秒後に１５ｍ／Ｓの定速状態に達し
た後、３秒間記録・再生を行ない、出力値を記録する。
さらに、次の６秒間でディスクの回転を停止させ、最初
の状態に戻す。このようなサイクルを繰返し行ない、出
力値が最初の値の９０％になった回数をもって保護膜強
度のパラメータとした。以下においてはこのテストを０
８／Ｓテストと呼ぶことにする。
の状態に戻す。このようなサイクルを繰返し行ない、出
力値が最初の値の９０％になった回数をもって保護膜強
度のパラメータとした。以下においてはこのテストを０
８／Ｓテストと呼ぶことにする。
上記したＡ−１，Ｂ−１，Ｂ−２，Ｂ−３，Ｂ−４の５
揮類のディスクについてＣ８／Ｓテストを行、ない、次
のような結果を得た。すなわち、保護膜の被覆されてい
ないＡ−１のディスクでは、１７０回のＣ８／８テスト
で出力が１０％低下したが、Ｃｒ酸化物保護膜を被着し
たＢ＝１〜Ｂ−４のディスクについては保護膜の厚さに
応じて、それぞれ６５００回、１３０００回、２０５０
０回。
揮類のディスクについてＣ８／Ｓテストを行、ない、次
のような結果を得た。すなわち、保護膜の被覆されてい
ないＡ−１のディスクでは、１７０回のＣ８／８テスト
で出力が１０％低下したが、Ｃｒ酸化物保護膜を被着し
たＢ＝１〜Ｂ−４のディスクについては保護膜の厚さに
応じて、それぞれ６５００回、１３０００回、２０５０
０回。
３３０００回のＣ８／Ｓ テス）Ｋ耐えることがわか
り、大幅な耐摺動性の改善を見ることができた。
り、大幅な耐摺動性の改善を見ることができた。
また、保護膜の結晶構造を反射電子回折像から固定した
結果、ｃｒ２ｏ３ であることが明らかとなった。
結果、ｃｒ２ｏ３ であることが明らかとなった。
以上において、Ａｔ円板の代りに、真鍮などの非磁性金
属あるいはポリイミドなどのポリマーからなる円板ある
いはテープを用いることができる。
属あるいはポリイミドなどのポリマーからなる円板ある
いはテープを用いることができる。
実施例 ２
鏡面研磨のなされた直径ｌｏｏｍのＡｔ円板上にＣｕ−
３ｎ合金を厚さ２０μｍに電気めっきし、この基叛上釦
実施例１と同じぐ膜厚０．３μｍの５ｉＯｚ膜を被着し
、さらにその上をて膜厚０．５μｍのｃｏ−Ｃｒ磁性膜
をスパッタリング法で被着し、このディスクをＡ−２と
する。
３ｎ合金を厚さ２０μｍに電気めっきし、この基叛上釦
実施例１と同じぐ膜厚０．３μｍの５ｉＯｚ膜を被着し
、さらにその上をて膜厚０．５μｍのｃｏ−Ｃｒ磁性膜
をスパッタリング法で被着し、このディスクをＡ−２と
する。
また同様に鏡面研磨のなされた直径１００＋＋ｍのＡＡ
円板をアルマイト処理し、膜厚５μｍのアルミナ膜を被
りし、再度その表面を鏡面研磨し、ｆイスク基板とした
。この基板上に実施例１と同じく、膜厚０．３μｍの８
’０２Ｍを被着し、さらにその上に膜厚０．５μｍのＣ
ｏ−Ｃｒ磁性膜をスパッタリング法で被着し、このディ
スクをＡ−３とする。
円板をアルマイト処理し、膜厚５μｍのアルミナ膜を被
りし、再度その表面を鏡面研磨し、ｆイスク基板とした
。この基板上に実施例１と同じく、膜厚０．３μｍの８
’０２Ｍを被着し、さらにその上に膜厚０．５μｍのＣ
ｏ−Ｃｒ磁性膜をスパッタリング法で被着し、このディ
スクをＡ−３とする。
実施例１で記載したディスクＡ−１と上記したディスク
Ａ−２，Ａ−３の磁性膜の表面に純アルゴンガス圧２ｍ
Ｔｏｒｒ 、パワ−３００Ｗ％スパッタリング時間４
５秒の条件で、Ｃｒターゲットを用いて、Ｃｒの金属薄
膜（膜厚は約２０ＯＡ）を被着した。さらに、これらの
ディスクを空気中、２５０Ｃで１時間熱酸化を行ない、
Ｃｒ金属膜を酸化膜に転化した。これらのディスクをＣ
２ｌＩＣ２２＋ Ｃ２３とする。また、ディスクＡ−１
゜Ａ−２，Ａ−３の表面に上記したものと同条件でＣｒ
の金属膜を被着し、空気中、３００ｃで１時間熱酸化し
たディスクをそれぞれＣａ １ ＃ Ｃ３−２、Ｃｓ
−ａとする。
Ａ−２，Ａ−３の磁性膜の表面に純アルゴンガス圧２ｍ
Ｔｏｒｒ 、パワ−３００Ｗ％スパッタリング時間４
５秒の条件で、Ｃｒターゲットを用いて、Ｃｒの金属薄
膜（膜厚は約２０ＯＡ）を被着した。さらに、これらの
ディスクを空気中、２５０Ｃで１時間熱酸化を行ない、
Ｃｒ金属膜を酸化膜に転化した。これらのディスクをＣ
２ｌＩＣ２２＋ Ｃ２３とする。また、ディスクＡ−１
゜Ａ−２，Ａ−３の表面に上記したものと同条件でＣｒ
の金属膜を被着し、空気中、３００ｃで１時間熱酸化し
たディスクをそれぞれＣａ １ ＃ Ｃ３−２、Ｃｓ
−ａとする。
これら６種類のディスクについて実施例１と同条件でＣ
８／Ｓテストを行なった。その結果を表にして第１図に
示した。同表から明らかなように、Ａｔ基板を処理せず
にｃｏ−ｃｒａ性膜を被着したディスクＣ２−１，Ｃｓ
ｌにオイテハ、２５０Ｃ，６るいｕａ ｏｏｃの熱処理
のため、ディスク表面が粗れ、その而粗さがＰ−Ｐ値で
０．０６〜０．１μｍ Ｐ−Ｐとなり、走行が不安定と
なった。一方、Ａｊ円板上にＣｕ −Ｂ ｎめっき、あ
るいはアルマイト処理を行なったディスクＦｉ３００ｃ
の熱処理においても表面の粗れがほとんど認められず、
しかも優れた耐摺動性を示すことがわかった。また、熱
処理温麿が２５０ｃの場合は、まだ酸化の度合が少なく
、３００′Ｃの場合に比較して耐摺動性が劣ることがわ
かった。
８／Ｓテストを行なった。その結果を表にして第１図に
示した。同表から明らかなように、Ａｔ基板を処理せず
にｃｏ−ｃｒａ性膜を被着したディスクＣ２−１，Ｃｓ
ｌにオイテハ、２５０Ｃ，６るいｕａ ｏｏｃの熱処理
のため、ディスク表面が粗れ、その而粗さがＰ−Ｐ値で
０．０６〜０．１μｍ Ｐ−Ｐとなり、走行が不安定と
なった。一方、Ａｊ円板上にＣｕ −Ｂ ｎめっき、あ
るいはアルマイト処理を行なったディスクＦｉ３００ｃ
の熱処理においても表面の粗れがほとんど認められず、
しかも優れた耐摺動性を示すことがわかった。また、熱
処理温麿が２５０ｃの場合は、まだ酸化の度合が少なく
、３００′Ｃの場合に比較して耐摺動性が劣ることがわ
かった。
実施例 ３
実施例２で記載したＡｔ円板上にＣｕ−８ｎめつき膜、
あるいはアルマイト処理によりアルミナ膜を設け、その
上に５ｊ０２膜、Ｃｏ−（：、ｒ磁性膜の設けたディス
クＡ−２，Ａ−３を空気中、３００Ｃで１時間熱酸化し
、ＣＯ，−Ｃｒ合金磁性膜表面に、酸化物からなる被膜
を形成した。それらのディスクをＤ−２，Ｄ−３とする
。この２種類のディスクについ”０％Ｃ８／Ｓテストを
行なった結果を第２図に示した。同図かられかるように
、ディスクＤ−２，Ｄ−３ともにそれぞれ２５１００回
、２７８００回のＣ８／Ｓテストに耐え、優れた耐摺動
性を示すことがわかった。また、熱酸化処理前後におけ
る出力は１μｍビット長の記録を行なった場合、１．５
ｄＢ程度、熱処理によって低下するが、それほど大きな
影響は及ぼさない。さらに、Ｃｏ−（！ｒ磁性膜上の被
膜の結晶構造を反射電子線回折法で同定した結果、Ｃｒ
の選択的酸化により、Ｃｒ２０ｇ からなる熱酸化膜か
らなっていることかわかった。
あるいはアルマイト処理によりアルミナ膜を設け、その
上に５ｊ０２膜、Ｃｏ−（：、ｒ磁性膜の設けたディス
クＡ−２，Ａ−３を空気中、３００Ｃで１時間熱酸化し
、ＣＯ，−Ｃｒ合金磁性膜表面に、酸化物からなる被膜
を形成した。それらのディスクをＤ−２，Ｄ−３とする
。この２種類のディスクについ”０％Ｃ８／Ｓテストを
行なった結果を第２図に示した。同図かられかるように
、ディスクＤ−２，Ｄ−３ともにそれぞれ２５１００回
、２７８００回のＣ８／Ｓテストに耐え、優れた耐摺動
性を示すことがわかった。また、熱酸化処理前後におけ
る出力は１μｍビット長の記録を行なった場合、１．５
ｄＢ程度、熱処理によって低下するが、それほど大きな
影響は及ぼさない。さらに、Ｃｏ−（！ｒ磁性膜上の被
膜の結晶構造を反射電子線回折法で同定した結果、Ｃｒ
の選択的酸化により、Ｃｒ２０ｇ からなる熱酸化膜か
らなっていることかわかった。
以上説明したところから明らかなように、Ｃ０−Ｃｒ磁
性膜上に設けるＣｒ２Ｏ３からなる極薄酸化被膜、は、
０．０２〜０．０５μｍの膜厚において、記録・再生特
性を損なうことなく、ディスクの耐摺動性を著しく向上
させ得る保護膜となることがわかった。この保護膜の作
製は、酸素導入条件下における反応性スパッタリング法
、あるいはＣｒの真空蒸着法により直接作製することが
可能であるが、Ａｔ円板にＣＩ！−ｊ９ ｎめつき、あ
るいはアルマイト処理を施こして耐熱性を付与した基板
を用いれば、Ｃ０−Ｃｒ磁性膜上にスパッタリング法あ
るいは真空蒸着法で被着したＣｒ金属膜、あるいはＣ０
−Ｃｒ磁性膜表面を直接空気中で酸化することにより作
成することができ、基板の耐熱性により、任；はにその
作製法を選択することができる。
性膜上に設けるＣｒ２Ｏ３からなる極薄酸化被膜、は、
０．０２〜０．０５μｍの膜厚において、記録・再生特
性を損なうことなく、ディスクの耐摺動性を著しく向上
させ得る保護膜となることがわかった。この保護膜の作
製は、酸素導入条件下における反応性スパッタリング法
、あるいはＣｒの真空蒸着法により直接作製することが
可能であるが、Ａｔ円板にＣＩ！−ｊ９ ｎめつき、あ
るいはアルマイト処理を施こして耐熱性を付与した基板
を用いれば、Ｃ０−Ｃｒ磁性膜上にスパッタリング法あ
るいは真空蒸着法で被着したＣｒ金属膜、あるいはＣ０
−Ｃｒ磁性膜表面を直接空気中で酸化することにより作
成することができ、基板の耐熱性により、任；はにその
作製法を選択することができる。
以上説明したところから明らかなように、本発明によれ
ば、極めて薄く、緻密で、しかも、硬度が高く、極めて
耐摺動性に優れた保護膜をＣ０−Ｃｒ磁性膜の表面にも
った垂直磁気記録謀体を提供することができ、実用上の
効果大である。
ば、極めて薄く、緻密で、しかも、硬度が高く、極めて
耐摺動性に優れた保護膜をＣ０−Ｃｒ磁性膜の表面にも
った垂直磁気記録謀体を提供することができ、実用上の
効果大である。
第１図及び第２図は本発明の実施例による磁気記録媒体
の特性を比較例の特性と共に示した表図である。
の特性を比較例の特性と共に示した表図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アルミニウム、真鍮などの非磁性金属あるいはポリ
イミドなどのポリマーからなる円板あるいはテープ状基
体表面に非晶質膜を介し、または介さずに被着されたＣ
ＯとＣｒを主成分とする垂直磁化膜を有する垂直磁気記
録媒体において、前記Ｃｏ−Ｃｒ垂直磁化膜の表面をＣ
ｒ酸化物からなる薄膜で被覆してなることを特徴とする
垂直磁気記録媒体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体にお
いて、前記Ｃｒ酸化物の薄膜の膜厚が・０．０２〜０．
０５μｍであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ３、％許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体にお
いて、前記基体はアルミニウム円板表面に電気めっき法
あるいは真空蒸着法によシＣｕ−８ｎ合金膜を被着した
ものであることを特徴とする垂直磁気記録々ダ体。 ４、特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体にお
いで、前記基体はアルミニウム円板表面にアルマイト処
理によりアルミニウム酸化物膜を設けたものであること
を特徴とする垂直磁気記録媒体。 ５、特許請求の範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体にお
いて、前記Ｃｒ酸化物からなる薄膜は前記ＣＯとＣｒを
主成分とする垂ｉＭｍ化′膜上に酸素を含む雰囲気中に
おいてＣｒを真空蒸着法あるいは反応性スパッタリング
法で徘着して形成したものであることを特徴とする垂直
磁気記録媒体。 ６、特許請求の範囲第３項あるいは第４項記載の垂直磁
気記録媒体において、前記Ｃｒ酸化物からなる薄膜は前
記ＣＯとＣｒを主成分とする垂直磁化膜の表面に該層の
熱酸化によシ形成したものであることを特徴とする垂直
磁気記録媒体。 ７、特許請求の範囲第３項あるいは第４項記載の垂直磁
気記録媒体において、前記Ｃｒ酸化物からなる薄膜は前
記ＣＯとＣｒを主成分とする垂直磁化膜上にスパッタリ
ング法あるいは真空蒸着法によシ被着したＣｒの薄膜を
熱酸化して形成したものであることを特徴とする垂直磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192460A JPS5982637A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57192460A JPS5982637A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982637A true JPS5982637A (ja) | 1984-05-12 |
| JPH0416855B2 JPH0416855B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16291662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57192460A Granted JPS5982637A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4698716A (en) * | 1984-02-03 | 1987-10-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Support for magnetic recording disk and its production process |
| JPH04281214A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH05151567A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 磁気記録体の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5633810A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Sony Corp | Preparation of magnetic recording medium |
| JPS5671821A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-15 | Hitachi Ltd | Substrate for magnetic disc and its manufacture |
| JPS5746323A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Seiko Epson Corp | Vertical magnetized recording medium |
| JPS57167133A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-14 | Hitachi Maxell Ltd | Production for magnetic recording medium |
| JPS57176537A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-29 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
| JPS57180110A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57192460A patent/JPS5982637A/ja active Granted
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| JPH05151567A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 磁気記録体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0416855B2 (ja) | 1992-03-25 |
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