JPH0731807B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0731807B2 JPH0731807B2 JP62066775A JP6677587A JPH0731807B2 JP H0731807 B2 JPH0731807 B2 JP H0731807B2 JP 62066775 A JP62066775 A JP 62066775A JP 6677587 A JP6677587 A JP 6677587A JP H0731807 B2 JPH0731807 B2 JP H0731807B2
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- protective
- recording medium
- magnetic
- magnetic recording
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は情報処理装置に用いられる磁気記録媒体の保護
潤滑膜に関する。
潤滑膜に関する。
第５図に従来用いられている磁気記録媒体の模型的な構
成断面図を示す。第５図の磁気記録媒体は、基板１上に
Ni−Ｐめつき膜２を被覆し、このめつき膜２の上にさら
にCr下地膜３を介して磁性膜４を被着し、磁性膜４上に
保護膜５を設けてあり、基板１にNi−Ｐめつき膜２から
保護膜５までを、この符号順に積み重ねたように構成し
たものである。
成断面図を示す。第５図の磁気記録媒体は、基板１上に
Ni−Ｐめつき膜２を被覆し、このめつき膜２の上にさら
にCr下地膜３を介して磁性膜４を被着し、磁性膜４上に
保護膜５を設けてあり、基板１にNi−Ｐめつき膜２から
保護膜５までを、この符号順に積み重ねたように構成し
たものである。
基板１は非磁性体であり、例えばセラミツクやプラスチ
ツクのような非金属板やAl,ステンレスなどの金属板が
用いられる。磁性膜４は従来γ−Fe2O3,Coを含んだγ−
Fe2O3,CrO2または強磁性体合金などの微小粉末磁性材料
を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体やエポキシ樹脂な
どの有機バインダ中に分散させ、基板１上に塗布，乾燥
させる塗布型のものが広く使用されてきたが、近年高記
録密度の要求が高まるとともに、スパツタ，真空蒸着，
プラズマCVDなどのように、減圧雰囲気中で分子または
原子の飛散により成膜される蒸着型の磁性薄膜、例えば
Co−Ni合金磁性膜などが実用化されつつある。しかし磁
性膜４は蒸着型の方が塗布型に比べて、媒体の走行中に
磁気ヘツドとの接触によつて剥離や傷の発生が多く、こ
れを改良するために磁性膜４に潤滑材として高分子材料
や界面活性剤などを塗布する方法もあるが、これらは湿
式法であるから、膜厚数百Å以下の超薄膜を効率よく均
一な厚さに形成することがむづかしく、さらに潤滑材は
液体であるという点から、使用中に蒸発により失われる
こともある。そこで最近では磁性膜４の上にスパツタ法
などにより、カーボン,SiO2やSi3N4のようなシリコン化
合物もしくはCrを保護膜５として形成している。
ツクのような非金属板やAl,ステンレスなどの金属板が
用いられる。磁性膜４は従来γ−Fe2O3,Coを含んだγ−
Fe2O3,CrO2または強磁性体合金などの微小粉末磁性材料
を、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体やエポキシ樹脂な
どの有機バインダ中に分散させ、基板１上に塗布，乾燥
させる塗布型のものが広く使用されてきたが、近年高記
録密度の要求が高まるとともに、スパツタ，真空蒸着，
プラズマCVDなどのように、減圧雰囲気中で分子または
原子の飛散により成膜される蒸着型の磁性薄膜、例えば
Co−Ni合金磁性膜などが実用化されつつある。しかし磁
性膜４は蒸着型の方が塗布型に比べて、媒体の走行中に
磁気ヘツドとの接触によつて剥離や傷の発生が多く、こ
れを改良するために磁性膜４に潤滑材として高分子材料
や界面活性剤などを塗布する方法もあるが、これらは湿
式法であるから、膜厚数百Å以下の超薄膜を効率よく均
一な厚さに形成することがむづかしく、さらに潤滑材は
液体であるという点から、使用中に蒸発により失われる
こともある。そこで最近では磁性膜４の上にスパツタ法
などにより、カーボン,SiO2やSi3N4のようなシリコン化
合物もしくはCrを保護膜５として形成している。
次にこの磁気記録媒体の製造方法について簡単に触れて
おく。
おく。
まず外径95mmφ，内径25mmφのAl基板１に、厚さ約20μ
ｍのNi−Ｐめつき膜２を形成し、このめつき膜２の表面
を研磨した後、さらに平均粗さ0.05μｍ以下となるまで
鏡面研磨を行なう。次にめつき膜２の上に厚さ0.25μｍ
のCr下地膜３を形成し、その上に厚さ0.05μｍのCo−Ni
磁性膜４と引続き磁性膜４上に、例えば0.03μｍのカー
ボン保護膜５などをスパツタ法で形成することにより、
第５図に示した磁気記録媒体を得ることができる。なお
磁性膜４はめつき法でも形成することができる。
ｍのNi−Ｐめつき膜２を形成し、このめつき膜２の表面
を研磨した後、さらに平均粗さ0.05μｍ以下となるまで
鏡面研磨を行なう。次にめつき膜２の上に厚さ0.25μｍ
のCr下地膜３を形成し、その上に厚さ0.05μｍのCo−Ni
磁性膜４と引続き磁性膜４上に、例えば0.03μｍのカー
ボン保護膜５などをスパツタ法で形成することにより、
第５図に示した磁気記録媒体を得ることができる。なお
磁性膜４はめつき法でも形成することができる。
以上第５図を参照して従来の磁気記録媒体について述べ
たが、問題は保護膜５の潤滑性にある。すなわち、カー
ボン膜などを保護膜５として形成したとき、その表面に
形成される水分子層の存在によつて潤滑性が大きく異な
り、磁気ヘツドの連続的な摺動によつて保護膜５が損な
われ、磁性膜４に摩耗や傷を生ずることである。このこ
とは保護膜５にシリコン化合物やCrを用いても同様であ
る。そのほか真空蒸着法，プラズマCVD法などで保護膜
５を形成する方法もあるが、いずれもいまだに十分な潤
滑性を得るに至つていない。
たが、問題は保護膜５の潤滑性にある。すなわち、カー
ボン膜などを保護膜５として形成したとき、その表面に
形成される水分子層の存在によつて潤滑性が大きく異な
り、磁気ヘツドの連続的な摺動によつて保護膜５が損な
われ、磁性膜４に摩耗や傷を生ずることである。このこ
とは保護膜５にシリコン化合物やCrを用いても同様であ
る。そのほか真空蒸着法，プラズマCVD法などで保護膜
５を形成する方法もあるが、いずれもいまだに十分な潤
滑性を得るに至つていない。
したがつて、本発明の目的は上述の欠点を除去し、すぐ
れた保護潤滑膜をもつた磁気記録媒体を提供することに
ある。
れた保護潤滑膜をもつた磁気記録媒体を提供することに
ある。
本発明は基板上にめつき膜，下地膜，磁性膜および保護
膜をこの順に堆積形成した磁気記録媒体の保護膜上に、
減圧雰囲気中で分子または原子の飛散により成膜される
ふつ化カーボンを、保護潤滑膜として形成することによ
り達成することができる。
膜をこの順に堆積形成した磁気記録媒体の保護膜上に、
減圧雰囲気中で分子または原子の飛散により成膜される
ふつ化カーボンを、保護潤滑膜として形成することによ
り達成することができる。
本発明の磁気記録媒体に形成された保護潤滑膜は、ANSI
規格に基づく媒体と磁気ヘツドとの回転数381mm/secの
摺動に対する摩擦係数が、従来の保護膜に比べて非常に
小さくなるように作用する。
規格に基づく媒体と磁気ヘツドとの回転数381mm/secの
摺動に対する摩擦係数が、従来の保護膜に比べて非常に
小さくなるように作用する。
以下本発明を実施例に基づき説明する。
第１図は本発明により得られた磁気記録媒体の模型的な
構成断面図を示したものであり、第５図と共通部分を同
一符号で表わしてある。第１図が第５図と異なる点は、
保護膜５の上にさらに保護潤滑膜６を形成したことにあ
る。すなわち、基板１から保護膜５までを符号順に積層
した従来の磁気記録媒体に対して、本発明の磁気記録媒
体は、その上にさらに保護潤滑膜６としてふつ化カーボ
ン膜を設けたものである。
構成断面図を示したものであり、第５図と共通部分を同
一符号で表わしてある。第１図が第５図と異なる点は、
保護膜５の上にさらに保護潤滑膜６を形成したことにあ
る。すなわち、基板１から保護膜５までを符号順に積層
した従来の磁気記録媒体に対して、本発明の磁気記録媒
体は、その上にさらに保護潤滑膜６としてふつ化カーボ
ン膜を設けたものである。
製造方法は第５図の場合との重復を避け、ふつ化カーボ
ンの保護潤滑膜６についてのみ述べるが、ふつ化カーボ
ン保護潤滑膜６を形成するには、よく知られたスパツタ
法，プラズマCVD法，真空蒸着法などが適用可能であ
る。
ンの保護潤滑膜６についてのみ述べるが、ふつ化カーボ
ン保護潤滑膜６を形成するには、よく知られたスパツタ
法，プラズマCVD法，真空蒸着法などが適用可能であ
る。
スパツタの場合は、ターゲツトにフツ素樹脂を用いると
きはArやN2などの不活性ガスを供給し、ターゲツトをカ
ーボンとするときはCF4を供給する。プラズマCVDの場合
は、供給ガスにCF4,SF6などを用いる。スパツタとプラ
ズマCVDのいずれの場合もガス圧はグロー放電が生じる
範囲であればよいが、10-3〜1torrとするのが望まし
い。蒸着の場合は蒸着源としてフツ素樹脂を用いること
ができる。
きはArやN2などの不活性ガスを供給し、ターゲツトをカ
ーボンとするときはCF4を供給する。プラズマCVDの場合
は、供給ガスにCF4,SF6などを用いる。スパツタとプラ
ズマCVDのいずれの場合もガス圧はグロー放電が生じる
範囲であればよいが、10-3〜1torrとするのが望まし
い。蒸着の場合は蒸着源としてフツ素樹脂を用いること
ができる。
以上の方法により形成されるふつ化カーボンの保護潤滑
膜６の厚さは、磁性膜４を保護するに足る膜面強度と、
磁気ヘツドに対する摺動時の滑り性が良好であれば、と
くに限定する必要はないが、できるだけ薄い方が好まし
い。
膜６の厚さは、磁性膜４を保護するに足る膜面強度と、
磁気ヘツドに対する摺動時の滑り性が良好であれば、と
くに限定する必要はないが、できるだけ薄い方が好まし
い。
このようにして得られた本発明の磁気記録媒体の保護潤
滑膜６の潤滑性を評価するために、ANSI規格による摩擦
係数の測定と膜面の傷の有無を観察した。摩擦係数はMn
−Zn磁気ヘツドを用いて相対速度381mm/secで回転させ
ながら測定し、時間経過に対する変化を求めたが、この
試験は保護膜５にカーボン,Si3N4および,Crを用いそれ
ぞれ異なる保護膜５上に形成したふつ化カーボン保護潤
滑膜６に対して行つたものである。また保護潤滑膜６の
形成方法も、上述のスパツタ法，プラズマCVD法など異
なる方法を採用して比較しているが、保護潤滑膜６の厚
さはいずれも0.03μｍとした。
滑膜６の潤滑性を評価するために、ANSI規格による摩擦
係数の測定と膜面の傷の有無を観察した。摩擦係数はMn
−Zn磁気ヘツドを用いて相対速度381mm/secで回転させ
ながら測定し、時間経過に対する変化を求めたが、この
試験は保護膜５にカーボン,Si3N4および,Crを用いそれ
ぞれ異なる保護膜５上に形成したふつ化カーボン保護潤
滑膜６に対して行つたものである。また保護潤滑膜６の
形成方法も、上述のスパツタ法，プラズマCVD法など異
なる方法を採用して比較しているが、保護潤滑膜６の厚
さはいずれも0.03μｍとした。
これらの結果を第２図〜第４図に示したが、いずれも保
護潤滑膜６と磁気ヘツドとの摺動時間に対する摩擦係数
の変化を表わす線図であり、第２図は保護膜５としてカ
ーボンを用いた場合を示し、第３図は同じくSi3N4,第４
図は同じくCrである。また各図とも曲線Ａはふつ化カー
ボンの保護潤滑膜６をプラズマCVDにより成膜したも
の、曲線ＢはカーボンをターゲツトとするCF4ガス中のR
Fスパツタによる成膜、曲線Ｃはフツ素樹脂をターゲツ
トとするArガス中のRFスパツタにより成膜した保護潤滑
膜６についての摩擦係数変化を示したものである。また
第２図〜第４図にはそれぞれ比較のために、保護潤滑膜
６を形成してない保護膜５のままのもの、すなわち第２
図ではカーボン膜，第３図はSi3N4膜，第４図はCr膜を
保護膜５として有する従来の磁気記録媒体の場合を曲線
Ｄで表わし併記してある。
護潤滑膜６と磁気ヘツドとの摺動時間に対する摩擦係数
の変化を表わす線図であり、第２図は保護膜５としてカ
ーボンを用いた場合を示し、第３図は同じくSi3N4,第４
図は同じくCrである。また各図とも曲線Ａはふつ化カー
ボンの保護潤滑膜６をプラズマCVDにより成膜したも
の、曲線ＢはカーボンをターゲツトとするCF4ガス中のR
Fスパツタによる成膜、曲線Ｃはフツ素樹脂をターゲツ
トとするArガス中のRFスパツタにより成膜した保護潤滑
膜６についての摩擦係数変化を示したものである。また
第２図〜第４図にはそれぞれ比較のために、保護潤滑膜
６を形成してない保護膜５のままのもの、すなわち第２
図ではカーボン膜，第３図はSi3N4膜，第４図はCr膜を
保護膜５として有する従来の磁気記録媒体の場合を曲線
Ｄで表わし併記してある。
第２図〜第４図の線図はほぼ同様の結果を示し、本発明
におけるふつ化カーボン保護潤滑膜６は、下地となつて
いる保護膜５の種類の如何にかかわらず、60分経過後の
摩擦係数の変化は少なく、製造法ではプラズマCVDの曲
線A,カーボンターゲツトのスパツタ,B,フツ素樹脂ター
ゲツトのスパツタ,Cの順に良好な潤滑性を有するが、こ
れらは保護膜５のみの曲線Ｄが第２図，第３図，第４図
とも60分経過後には摩擦係数が飛躍的に上昇するのに比
べて著しく低いことが明らかである。60分経過後の表面
には、磁性膜４上に保護膜５のみを形成してある従来の
媒体に傷の発生がみられたのに対し、保護膜５の上に、
さらにふつ化カーボンの保護潤滑膜６を備えた本発明の
媒体は、いずれも傷は全くなく、すぐれた潤滑性をもつ
ことが確認された。
におけるふつ化カーボン保護潤滑膜６は、下地となつて
いる保護膜５の種類の如何にかかわらず、60分経過後の
摩擦係数の変化は少なく、製造法ではプラズマCVDの曲
線A,カーボンターゲツトのスパツタ,B,フツ素樹脂ター
ゲツトのスパツタ,Cの順に良好な潤滑性を有するが、こ
れらは保護膜５のみの曲線Ｄが第２図，第３図，第４図
とも60分経過後には摩擦係数が飛躍的に上昇するのに比
べて著しく低いことが明らかである。60分経過後の表面
には、磁性膜４上に保護膜５のみを形成してある従来の
媒体に傷の発生がみられたのに対し、保護膜５の上に、
さらにふつ化カーボンの保護潤滑膜６を備えた本発明の
媒体は、いずれも傷は全くなく、すぐれた潤滑性をもつ
ことが確認された。
以上実施例で述べたごとく、本発明の磁気記録媒体は、
従来の媒体に形成されているカーボンなどの保護膜の上
に、さらにふつ化カーボンの保護潤滑膜を形成したため
に、この磁気記録媒体の潤滑性を高め、長期間にわたつ
て良好な耐摩耗性を持続し、媒体表面に傷を生ずること
もない。したがつて本発明の磁気記録媒体は、とくに固
定デイスク装置などに用いて、微小間隔で浮上滑空する
磁気ヘツドに対して媒体を保護し、すぐれた潤滑性を発
揮するものとして極めて有効である。
従来の媒体に形成されているカーボンなどの保護膜の上
に、さらにふつ化カーボンの保護潤滑膜を形成したため
に、この磁気記録媒体の潤滑性を高め、長期間にわたつ
て良好な耐摩耗性を持続し、媒体表面に傷を生ずること
もない。したがつて本発明の磁気記録媒体は、とくに固
定デイスク装置などに用いて、微小間隔で浮上滑空する
磁気ヘツドに対して媒体を保護し、すぐれた潤滑性を発
揮するものとして極めて有効である。
第１図は本発明の磁気記録媒体の模型的な構成断面図，
第２図は保護膜をカーボンとして異なる製造法の本発明
の媒体と従来の媒体の摩擦係数をヘツドとの摺動時間経
過で比較した線図，第３図は同じく保護膜をSi3N4とし
たときの線図，第４図は同じく保護膜をCrとしたときの
線図，第５図は従来の磁気記録媒体の模型的な構成断面
図である。 １……基板,2……めつき膜,3……下地膜,4……磁性膜,5
……保護膜,6……保護潤滑膜。
第２図は保護膜をカーボンとして異なる製造法の本発明
の媒体と従来の媒体の摩擦係数をヘツドとの摺動時間経
過で比較した線図，第３図は同じく保護膜をSi3N4とし
たときの線図，第４図は同じく保護膜をCrとしたときの
線図，第５図は従来の磁気記録媒体の模型的な構成断面
図である。 １……基板,2……めつき膜,3……下地膜,4……磁性膜,5
……保護膜,6……保護潤滑膜。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上にめつき膜，下地膜，磁性膜および
保護膜をこの順に堆積形成した磁気記録媒体の前記保護
膜上に、さらに保護潤滑膜としてふつ化カーボンを形成
したことを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066775A JPH0731807B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066775A JPH0731807B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63231721A JPS63231721A (ja) | 1988-09-27 |
| JPH0731807B2 true JPH0731807B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=13325575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066775A Expired - Lifetime JPH0731807B2 (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731807B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6091150B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2017-03-08 | アイ’エムセップ株式会社 | フッ化処理による表面改質方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53137111A (en) * | 1977-05-06 | 1978-11-30 | Fujitsu Ltd | Coating method of lubricant |
| JPS5647926A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-30 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS60101715A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| JPS61126627A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6292114A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Nec Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62109221A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS62183022A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Ulvac Corp | 耐摩耗性磁気記録体 |
| JPS62293509A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Seiko Epson Corp | 磁気記憶体 |
| JPS63205813A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066775A patent/JPH0731807B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53137111A (en) * | 1977-05-06 | 1978-11-30 | Fujitsu Ltd | Coating method of lubricant |
| JPS5647926A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-30 | Hitachi Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS60101715A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスク媒体 |
| JPS61126627A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-14 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS6292114A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-27 | Nec Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JPS62109221A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS62183022A (ja) * | 1986-02-06 | 1987-08-11 | Ulvac Corp | 耐摩耗性磁気記録体 |
| JPS62293509A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-21 | Seiko Epson Corp | 磁気記憶体 |
| JPS63205813A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-25 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63231721A (ja) | 1988-09-27 |
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