JPS62293509A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 五　発明の詳細な説明 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気的記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラ
ム装置及び磁気テープ装置等だ用いられる磁気記憶体（
以下記憶体と呼ぶ）に関し、詳しくは、記憶体の金属磁
性薄膜媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）上の保護に関する
。

〔発明の概要〕

本発明は金属媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素
から選ばれろ少くとも１種の物質より成る薄膜が被覆さ
れ、次に該薄嗅上に１分子内にパーフルオ０フルキ基と
極性基を有する有機化合物の少なくとも１種を被覆せし
めたことにより、磁気ヘッドとの摩擦係数を低下させ、
長期間のコンタクトスタートストップにｂｌｘでもその
摩擦係数が変化せず、又、該保護膜の撥水効果により、
加温湿下の環境においてもすぐれた防食性を示すもので
ある。

〔従来の技術〕

金属媒体を有する記憶体に於いては、ヘッドとの接触に
耐えるだけの充分な機械的信頼性と金属媒体を腐食環境
から守る耐食性を有する保護膜を被覆せしめること／、
１必須で誂る。

従来より種々の保護膜が提案されている。

炭素質膜は、それ自身潤滑特性があり、コンタクトスタ
ートストップを繰り返して屯、ヘッド及び磁性媒体に損
傷を与えない−しかし１表面が平滑化され、摩擦係数ｌ
！ｌ−増加し、スピンドルモーターが停止してしまうス
テッキング現象をおこしたり、その導電性が良好である
ため、磁性媒体の耐食性を悪くしてしまうことｈ′−あ
る。

ｓｉ　ｏｘ　（ポリケイ酸を含む）や、Ｔｉ　Ｎ　、　
ＣｒｚＯｓなどの化合物被ＩＩＩけ、記憶体に優れた耐
食性能を与えるが、潤滑性に劣り、ｍ独での保護膜では
実用化レベルに違していない。

ま急所、　Ｃｒ、　Ｎ１−ｐ、　ｍ　等の金属被膜単独
で保積層として使用したり、更に高級アルコール、エス
テル、脂肪酸等の潤滑剤を被覆して使用する方法も提案
されているｈｔ、効果のあるものが少なく。

又、効果があっても長期に渡りその効果を維持できなか
った。

〔発明が解決しよ５とする問題点〕 従来の技術では、記憶体とヘッドとの接触による記憶体
とヘッドの物理的劣化及びステツそング現象、そして記
憶体の耐食性を充分に確枳できないという問題を有して
ｔ／１７Ｆ−ａ そこで本発明けび豫な問題点を解決するものでその目的
とするところは、酸化物、窒化物、炭化物及び炭素より
選ばれる少なくとも一種の物舅と分子内だパーフルオロ
アルキル基と極性基を有する有機化合物の少なくとも１
種の組み合わせにより、記憶体の機械的信頼性を高め、
同じに優れた耐湿性を有する記憶体を提供するところＫ
ある。

〔問題点を解決する几めの手段〕

本発明の記憶体は、基体上に金属媒体を形成した後、ｃ
ｒ、　Ｚｒ、　Ｔａ、　Ｗｂ、　Ｗ、　Ｍｏ、　Ｔｉか
ら選ばれる少なくとも１種の金属薄膜の有無に於いて酸
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
１種の物質より成る薄膜ｈ；被被覆れ１次に分子内とパ
ーフルオロアルキル基と憧性基を有する有機化合物の少
なくとも１種を被覆せしめ念ことを特徴とする。

金属媒体と酸化物、窒化物、炭化物及び炭素間の金属薄
嘆け、密着性をより確かＫする目的で被覆し、その噂厚
け５０〜２００大で充分であり、必須ではない。

酸化物は、Ｓｉｏ、　、　Ｔｉ　ｏ２．　ｃｒ２ｏ、等
、窒化物けＴｊＮ。

Ｔａ、ｌＮ、　ＡｔＮ、　ＳＩＮ、等、炭化物けＢｉＣ
，ＴｉＯ等、炭素はダイヤモンド状、グラファイト状、
アモシ７オス状のいずれでも良く、膜厚は２００〜８０
０＾である。これらは真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンブレーティンダ法、ＣＶＤ法のいずれの方法でも
形成可能である。

次に分子内にパーフルオロアルキル基と極性基を有する
化合物であるｈ；、極性茎はスルホン醜態カルボニル基
、アミン基等ｈ”＝良い。これらは単独及び混合で用い
てもよい。又これらを有機溶媒に希釈して、スプレー法
、ディピング法やスピンコード法により被覆する。噂厚
け２０〜２００　λである。極性のない基、メチル基等
を用いた場合は、摩擦ｇｉ−数低減効果に乏しく、また
長時間のＣ８Ｂ試験で、摩擦係数の上昇ｂ”−著しい。

〔作用〕

本発明の上記の構成によれば、金属磁性体の上だ防食効
果の優れ次酸化物、窒化物、炭化物、炭素の少なくとも
１種からなる薄ＩＩＩが形成され、金属磁性体を保護す
る。

又、この上にパーフルオロアルキル基トｗ性ｓを有する
有機化合物を被覆する。該化合物は、フッ素原子ｂ”−
ａ　−ｃ鎖の周りに結合されており、摩擦係数ｈｔ低減
し、化学的安定性、熱的安定性カキわめて高く、また撥
水効果があるｔめ、加温湿下の雰囲気においても水分子
か近すけない。

し化合物は、分子内に蓼性基があるｂ＝これが下の層だ
配向して密着性も良好である。極性基ｈ；ないものけ、
ａＳＳ試験の回数を重ねる毎に、摩擦係数が上昇するが
、これは化合物の剥離が進行している状伸と推察される
。

近年、小型ハードディスクドライブがより厳しい環境で
用いられろ事が多くなりつつある／ｌ”−１被膜そのも
のの化学的、熱的安定性ｆ３’＝高いためステヅギング
現象などもおこさない。

〔実施例〕

鏡面仕上げされ之ディスク状アルミニウム合金基板上と
非磁性Ｎｊ　−Ｐ合金メッキを約１０μｍ厚に被覆後、
研磨により８μｍ厚、表面粗さを１０３ＡｆｒＬ以下に
加工し、更にＣｏ　−Ｐ合金を０．０７μｓＶｃメｑ’
ｔを行ｒ（っ之金属磁性媒体上に以下の処理を施し念。

マグネトロンスパッタ法により、Ｔα、　Ｏｒ、　ＭＯ
を０〜２００Ａ、更に酸化物、窒化物、炭化物、炭素を
２００〜８００Ａ成膜し比。更に分子内にパーフルオロ
アルキル基と極性基を有する有機化合物、極性基のない
有機化合物を被覆した。

表−１に実施例１〜４．比較例１〜４の被膜形成条件を
示す。

評価ｈｃＳ日試験及び耐湿試験で行なった。ＣＳＳ試験
はＯ８Ｅ＋前後の外観変化、静摩擦係数の変化を求め比
。

温度２０℃、湿度４０チＲＨ，クラス１００　　の環境
下で２００００回まで行なつｔ０ ヘッドは市販のＭｎ　−Ｚｎフェライト３３７０タイプ
を用い、浮上東口２５μｍ、ヘッド荷重は９．５ｇｆで
あっ念。

耐湿試験は、８０℃　８０係ＲＨ、クラス１００の項境
下に２５日間放置し、入ＤＥＬＰＨＹ　の評価機を用い
て６００　Ｔ　Ｐ　工で碌再を行ない、新しく５ビット
以上のエラー増加がいくつあったかで判１した。

これらの試験は全てクラス１００以下のクリーンルーム
内で行なった。塵、埃１人体からの汗などによる外的要
因はない。

結果を表−２に示す。

鋼面ディスクの他にも同心円状のテキスチャーのつい几
ディスクも同様に評価し九ｂ”−１Ｃ８Ｓ試験、耐湿試
験でも違いはみられなかツ之。

表−１ ※　犬日本インそ化学製、製品名「メガフ了ツク」表−
２ 〔発明の効果〕 以上述べ次様に本発明によれば、より薄膜で機機的信頼
性と耐食性を充分に確僅しｔ高密度記録対応のディスク
の提供が可能になった。

夕、将来高密度配録対応として、より硬度の高いＡ６０
ｓ　−’Ｍ　（！スライダの薄膜ヘッドなどでの耐久性
も問題となる。ＨＣ！１５００硬度の薄膜ヘッドで同様
Ｖｃ　ｃ　ｓ　ｓ　ｆｒ　行ｒｘっ之ｂＳ、静摩擦係数
のト−ａも−１１．５穆度までだ届重り、該保護喚は薄
暉ヘッドでもも使用可能と思われる。

以　　上 出願人　セイコーエプソン株式会社 Ｘ−４；　、７−　、、、。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性薄膜媒体が被覆され、この金属
   磁性薄膜媒体上に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から
   選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜が被覆され
   、次に該薄膜上に分子内にパーフルオロアルキル基と極
   性基を有する有機化合物の少なくとも１種を被覆せしめ
   た事を特徴とする磁気記憶体。
2. （２）金属磁性薄膜媒体と酸化物、窒化物、炭化物及び
   炭素から選ばれる少なくとも１種の物質より成る薄膜と
   の間にＣｒ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉから選
   ばれる少なくとも１種の金属薄膜を形成せしめた事を特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体。