JPH01106315A - 磁気デイスク媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は炭素系保護膜を持つ磁気ディスク媒体に関する
ものである。特に高耐食性、高耐摩耗性、長期安定性を
合わせ持つ含弗素有機物層を持つ磁気ディスク媒体に関
する。

〈従来の技術〉 近年、記録密度の向上のために、鉄、コバルト。

ニッケル又はこれらの合金からなる強磁性金属薄膜を、
真空蒸着、スパッタリング、又はメツキなどの方法で基
体上に形成させた磁気ディスク媒体が注目されており、
既に一部は実用イヒされている。これらの強磁性金属薄
膜型の磁気ディスク媒体は、高密度記憶性には優れてい
るが、高温高温中で腐食し易く。

耐牽粍性に劣ることが難点である。

これらの難点を克服するために、無電解メツキ法やスパ
ッタリング法などによって形成したＣｏ−Ｐ、　Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ　　などの磁性金属薄膜の上にアモルファス
カーボン、グラッシーカーボンなどの炭素系、　５ｉ０
２などの酸化物系、　Ｓｉ３Ｎ４などの窒化物系、　Ｂ
Ｎなどのほう化物系等の無機系保護膜をスパッタリング
法、プラズマ重１合法、塗布法等により形成し、更に該
膜上に弗素系潤滑剤であるパーフルオロアルキルポリエ
ーテル（例えば商品名クライトックス、）オンプリン）
又はシリコーンオイルなどが塗布されている。

〈発明が解決しようとする問題点〉 しかし、パーフルオロアルキルポリエーテルやシリコー
ンオイルは磁気ディスク媒体の高速回転時に。

該無機系保護膜との相互作用が小さいため、使用時間の
経過と共に潤滑剤の膜厚にかたよりが生じるなど長期安
定生に欠けるため、十分な耐摩耗性が得られず、また膜
厚が５０人前後と薄く、膜のち密性。

漬水性も十分ではないため、耐食性向上に寄与しないと
いう難点があった。

これらの難点を解決するためにカルボキシル基などの官
能基を持つ弗素系潤滑剤をエポキシシランなどのシラン
カップリング剤を介して無機系保護膜に化学的に固定し
た磁気ディスク媒体が提案されている（特開昭６２−３
３３３５号公報等）、シかしこれらの方法は主に酸化物
系の保護膜を対象としたものであり、炭素系保護膜に適
用することはできず。

耐食性向上にも寄与しない、炭素系保護膜の使用が主流
となっている現在では実用価値は薄い２よって本発明は
、炭素系保護膜上において長期安定性に漬れ、かつ耐摩
耗性、耐食性を合わせ持つ潤滑膜を持つ磁気ディスク媒
体を提供することを目的とする。

く問題点を解決するための手段〉 前記目的を達成するための本発明の構成は、非磁性 性基体上に磁性金属薄膜、炭素系保護膜が順次う成キル
ポリエーテルまたはパーフルオロアルキルアクリラート
を主成分とする第１の含弗素有機物層を設け、該含弗素
有機物層の表面にイソシアネート基以外の官能基を含む
パーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする第２
の含弗素有機物層を設けた磁気ディスク媒体である。

以下２本発明の磁気ディスク媒体について詳しく説明す
る。　本発明に於て非磁性基体とはアルミ合金、ポリカ
ーボネート、イミド樹脂などを円盤に加工したものであ
る。必要に応じその表面を硬化するための処理、テクス
チャリング処理などの処理を行う、磁性金属薄膜？ｇＣ
ｏ−Ｐ、　Ｃｏ−Ｎｉ、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒなどを無電
解メツキ法、イオンブレーティング法、スパッタリング
法などの方法で形成する。

磁性金属薄膜上に形成される炭素系保護膜は、スパッタ
リング法、イオンブレーティング法、真空蒸着法、プラ
ズマ重合法等の方法により単独あるいは複合膜の形で形
成される。

つぎに炭素系保護膜の表面に、−七イソシアネート基を
もつパーフルオロアルキルポリエーテルまたはパーフル
オロアルキルアクリラートを、うないし２０人の膜厚で
塗布する。塗布方法としては、スピンコード法、浸漬法
、スプレー法、ワイプ法などを適用すればよい。

イソシアネート基を含むパーフルオロアルキルポリエー
テルは塗布後、イソシアネート基の自己重合により多量
体化し、ち密な膜となり、主に本発明の磁気ディスク媒
体の耐食性向上に寄与する。

・　また重合に寄与しないイソシアネート基は、第２の
含弗素有機物層の官能基と反応もしくは、第２の含弗素
有機物層の固定のためのプライマーとして挙動する。

第１の含弗素有機物層としてパーフルオロアルキルアク
リラートを用いた場合もアクリル基の重合により高分子
化し、膜のち密さが増加し、磁気ディスク媒体の耐食性
向上に寄与する。また重合に寄与しないアクリル基は第
２の含弗素有機物層に含まれる官能基と反応するか、も
しくは第２の含弗素有機物層の保持のための１ライマー
として挙動する。

次に第２の含弗素有機物層として、イソシアネート基以
外の官能基を含むパーフルオロアルキルポリエーテルを
２０ないし９５人塗布する。第２の合邦以内に調節され
る。

含弗素有機物層の膜厚はヘッドと磁気記録媒体との吸着
を防止する観点からみて１００人以内であることが好ま
しい。

〈実施例〉 以下、実施例及び比較例により本発明を更に詳細に説明
すｌ。

実施例１ 第１図に本実施例により形成された磁気ディスク媒体の
断面図を示した。同図に示すようにアルミ合笈 金円硬１　に非磁性のＮ１−Ｐ合金層　２　を２０μｍ
の厚さに無電解メツキした後、１５μｍの厚さまで鏡面
研磨し１次いで、テクスチャリング処理を行った後、そ
の表面に磁性金属薄膜　３　としてＣｏ−Ｐを無電解メ
ツキ法により設けた。　ついで、ターゲットとしてアモ
ルファスカーボンを用い、スパッタリング法により炭素
系保護膜４　を設けた。

この炭素系保護膜の表面にまず、謔第１の含弗素有機物
層　５　として、イソシアネート基を含むパーフルオロ
アルキルポリエーテル〈モンテジソン社ル基を含むパー
フルオロアルキルポリエーテル（モンテジソン社　Ｚ−
ＤＯＬ　＞を２０ないし９５人の範囲の厚さで塗布した
。含弗素有機物層全体の厚さは１００人以内にした。

本実施例で作製した磁気ディスク媒体を８０℃のオーブ
ン中で１０００時間、３６００回転／回転目転させたと
ころ、内周部と外周部における含弗素有機物層全体の膜
厚に変化はみられなかった。

また１本実施例にかかる磁気ディスク媒体を荷重９．５
ｇのチタン酸カリウム製のヘッドを用いたＣ８Ｓ試験に
おいてＣ３Ｓ５万回後も磁気ディスクやヘッドに摺動痕
や摩耗粉は見られず正常な回転を続け。

摩擦係数の上昇も図２に示すように小さかった。

また７本実施例にかかる磁気ディスク媒体を６０’ＣＸ
　９０％ＲＨ環境下、１０００時間放置したところ、磁
性金属薄膜の腐食に起因する信号エラーの増加は全くみ
られなかった。

さらに１本実施例にかかる磁気ディスク媒体を０゜１５
Ｎ　　塩化ナトリウム溶液に浸漬したところ、６０分間
表面状態に変化はみられなかった。

実施例２ 実施例１と同様にして作製した炭素系保護膜の上にまず
、第１１含弗素有機物暦として、イソシアネート基を含
むパーフルオロアルキルポリエーテル（モンテジソン社
　Ｚ−ＤＩＳＯＣ）を塗布した。塗膜の厚さは５ないし
２０人にした。　次いで、第２の含弗素有機物層として
フェニル基を含むパーフルオロアルキルポリエーテル（
モンテジソン社　ＡＭ−２００１）を２０ないし９５人
の厚さで塗布した。含弗素有機物層全体の厚さは１００
人以内にした。　本実施例で作製した磁気ディスク媒体
を８０℃のオーブン中でや１０００時間、３６００回転
／回転目転させたところ、内周部と外周部における含弗
素有機物層の膜厚に変化はみられなかった。

また１本実施例にかかる磁気ディスク媒体を荷重９．５
ｇのチタン酸カリウム製のヘッドを用いたＣ８Ｓ試験に
おいてＣ３Ｓ５万回後も磁気ディスクやヘッドに摺動痕
や摩耗粉は見られず正常な回転を続けた。

また３本実施例にかかる磁気ディスク媒体を６０℃×９
０％ＲＨ環境下１０００時間放置したところ。

磁性金属薄膜の腐食に起因する信号エラーの増加は全く
見らｌなか・た。

さらに９本実施例にかかる磁気ディスク媒体を０゜１５
Ｎ　　塩化ナトリウム溶液に浸漬したところ、５０分間
表面状態に変化はみられなかった。

実施例３ 実施例１と同様にして作製した炭素系保護膜の上に第１
の含弗素有機物層として、パーフルオロアルキルアクリ
ラート（ヘキスト社　ＡＥ−６ｏｏ　＞にターシャルブ
チルパーオキシベンゾエートをパーフルオロアルキルア
クリラートに対して０．１％添加したものを塗布した。

塗膜の厚さはうないし２０人とした。

次いで、第２の含弗素有機物層としてＣＰ３側鎖を含む
パーフルオロアルキルポリエーテル（デュポン社　Ｋｒ
ｙｔｏｘ−１４３＞を２０ないし９５人の範囲の厚さで
塗布した。含弗素有機物層全体の厚さは１００人以内に
した。

本実施例で作製した磁気ディスク媒体を８０℃のオーブ
ン中で１０００時間、３６００回転／回転目転させたと
ころ、内周部と外周部における含弗素有機物層の膜厚に
変化ｙみられなかった。

また１本実施例にかかる磁気ディスク媒体を荷重９．５
ｇのチタン酸カリウム製のヘッドを用いてＣ８Ｓ試験を
行ったところ、Ｃ５８５万回後も磁気ディスクやヘッド
に摺動痕や摩耗粉は見られず正常な回転を続けた。

また２本実施例にかかる磁気ディスク媒体を６０℃×９
０％ＲＨ環境下１０００時間放置したところ。

磁性金属薄膜の腐食に起因する信号エラーの増加は全く
見られなかった。

さらに９本実施例にかかる磁気ディスク媒体を０゜１５
Ｎ　　塩化ナトリウム溶液に浸漬したところ、４０分間
表面状態に変化はみられなかった、比較例１ 実施例１と同様にして作製した炭素系保護膜の上に含弗
素有機物層として、パーフルオロアルキルポリエーテル
（モンテジソン社　Ｚ−ＤＩＡＣ＞を塗布する。

膜厚は１００人以内とした。

本比較例で作製した磁気ディスク媒体を８０℃のオーブ
ン中で１０００時間、３６００回転／分で回転させたと
ころ、内周部と外周部で約２０％の膜厚の差が見られた
。

また１本比較例にかかる磁気ディスク媒体を荷重９．５
ｇのチタン酸カリウム製のヘッドを用いたＣ８Ｓ試験に
おいてＣ３Ｓ１万回で磁気ディスクに摺動痕が発生し、
摩擦係数も図２に示すように大きく上昇した。

また１本比較例にかかる磁気ディスク媒体を６０℃×９
０％ＲＨ環境下に２５０時間放置したところ。

磁性金属薄膜の腐食に起因する信号エラーが１面当り平
均５個増加した。

さらに１本比較例にかかる磁気ディスク媒体を０゜１５
Ｎ　　塩化ナトリウム溶液に浸漬したところ、　浸漬後
５分で変色が始まり、１０分で保護膜の剥離が生じた。

比較例２ 実施例１と同様にして作製した炭素系保護膜の上に含弗
素有機物層として、パーフルオロアルキルエし チルアクリラート（ヘキスト社　ＡＥ−６００＞を塗布
す本比較例で作製した磁気ディスク媒体を８０℃のオー
ブン中でで１０００時間、３６００回転／分で回転させ
たところ、内周部と外周部における含弗素有機物層の膜
厚に変化はみられなかった。

また１本比較例にかかる磁気ディスク媒体を荷重９．５
ｇのチタン酸カリウム製のヘッドを用いたＣ８Ｓ試験を
行ったところＣ３Ｓ１万回でヘッドクラッシュを起こし
実験の継続が不可能であった。

また１本比較例にかかる磁気ディスク媒体を６０℃×９
０％ＲＨ環境下２５０時間放置したところ。

磁性金属薄膜の腐食に起因する信号エラーが１面当り平
均２個増加した、 さらに１本比較例にかかる磁気ディスク媒体を０゜１５
Ｎ　　塩化ナトリウム溶液に浸漬したところ、　浸漬後
２０分で変色が始まり、６０分で炭素系保護膜の剥離が
生じな６ 〈発明の効果〉 以上、説明したように１本発明の磁気ディスク媒体は、
炭素系保護膜〆１に２層の含弗素有機物層を設けたこと
により、含弗素有機物層の長期安定性がよく、摩擦係数
の増加や耐Ｃ８Ｓ性の低下がなく。

耐食性も優れており、磁気ディスク媒体として長期間に
わたり高い信頼性をもって記録再生の操作を行うことが
出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気ディスク媒体の断面図、第２図は
実施例と比較例におけるＣ８Ｓ試験でのヘッドと磁気デ
ィスク媒体の摩擦係数の変化を示すグラフである。 符号 １、アルミ合金円盤 ２、Ｎ１−Ｐ合金層 ３、磁性金属薄膜 ４、炭素系保護膜 ５、第１の含弗素有機物層 ６、第２の含弗素有機物層 特許出願人　電気化学二陰株式会社 第１図 第２の含弗素有機物層 第１の含弗素有機物層 炭素系保護膜 磁性金属１膜 Ｎｉ　−Ｐ合金層 アルミ合金円盤

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、非磁性基体上に磁性金属薄膜、炭素系保護膜が順次
   生成された磁気ディスク媒体において、前記炭素系保護
   膜の表面にイソシアネート基含有パーフルオロアルキル
   ポリエーテル、又はパーフルオロアルキルアクリラート
   を主成分とする第１の含弗素有機物層を設け、該含弗素
   有機物層の表面にイソシアネート基以外の官能基を含む
   パーフルオロアルキルポリエーテルを主成分とする第２
   の含弗素有機物層を設けた磁気ディスク媒体。