JPS6180522A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS6180522A JPS6180522A JP20092284A JP20092284A JPS6180522A JP S6180522 A JPS6180522 A JP S6180522A JP 20092284 A JP20092284 A JP 20092284A JP 20092284 A JP20092284 A JP 20092284A JP S6180522 A JPS6180522 A JP S6180522A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic recording
- silicon oxide
- thin film
- recording medium
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- Granted
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- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は金属薄膜型可撓性磁気記録媒体に関する。
（従来技術）
近年、７レキシプル磁気デイスク装置、オーディオ用磁
気テープ装置、ＶＴＲＴＲ用磁気チーブ等を含めて各種
の磁気記録装置の高記録密度化、高信頼性化が進められ
ている。磁気記録における高記録密度化は主として磁気
記録媒体の磁性層の高保磁力化と薄層化とによって実現
されるが、従来使用されている磁性体微粒子を高分子バ
インダ中に分散させたものを媒体上に塗布した礪造のい
わゆる塗布型磁気記録媒体に比べて、高保磁力化が容易
で薄層化に適したＣｏ−Ｎｉ合金の蒸着膜或いはＣｏ−
Ｐｔ合金のス・臂ツタ膜等を用いる金属薄膜型磁気記録
媒体が注目されている。一方このような磁気記録媒体の
面内方向に記録を行う従来の長手記録方式に比較して、
磁気記録媒体の厚さ方向に残留磁化を形成して信号の記
録を行う垂直磁気記録方式は、高い記録密度が得られる
点で最近特に衆目の的となっておりその記録媒体として
Ｃｏ−Ｃｒ合金の蒸着膜またはスノクツタ膜が研究され
ている。
気テープ装置、ＶＴＲＴＲ用磁気チーブ等を含めて各種
の磁気記録装置の高記録密度化、高信頼性化が進められ
ている。磁気記録における高記録密度化は主として磁気
記録媒体の磁性層の高保磁力化と薄層化とによって実現
されるが、従来使用されている磁性体微粒子を高分子バ
インダ中に分散させたものを媒体上に塗布した礪造のい
わゆる塗布型磁気記録媒体に比べて、高保磁力化が容易
で薄層化に適したＣｏ−Ｎｉ合金の蒸着膜或いはＣｏ−
Ｐｔ合金のス・臂ツタ膜等を用いる金属薄膜型磁気記録
媒体が注目されている。一方このような磁気記録媒体の
面内方向に記録を行う従来の長手記録方式に比較して、
磁気記録媒体の厚さ方向に残留磁化を形成して信号の記
録を行う垂直磁気記録方式は、高い記録密度が得られる
点で最近特に衆目の的となっておりその記録媒体として
Ｃｏ−Ｃｒ合金の蒸着膜またはスノクツタ膜が研究され
ている。
これら高密度磁気記録用金属薄膜型磁気記録媒体ヲフレ
キシブル磁気ディスク、磁気テープ等の可撓性磁気記録
媒体として実用化するためには機械的耐久性を向上させ
る必要がある。一般にフレキシブル磁気ディスク装置、
磁気テープ装置では、信号の記録再生時には磁気記録媒
体と磁気ヘッドとは境界摩擦状態にめる。これは信号の
記録再生時には空気流によシ磁気ヘッドを媒体上に浮上
させているリノット磁気ディスクに比べて苛酷な使用条
件でおる。このような理由から磁気記録装置の信頼性を
実現するためには磁気記録媒体は磁気ヘッドとの摺動に
対する機械的耐久性に侵れていることが要求される。
キシブル磁気ディスク、磁気テープ等の可撓性磁気記録
媒体として実用化するためには機械的耐久性を向上させ
る必要がある。一般にフレキシブル磁気ディスク装置、
磁気テープ装置では、信号の記録再生時には磁気記録媒
体と磁気ヘッドとは境界摩擦状態にめる。これは信号の
記録再生時には空気流によシ磁気ヘッドを媒体上に浮上
させているリノット磁気ディスクに比べて苛酷な使用条
件でおる。このような理由から磁気記録装置の信頼性を
実現するためには磁気記録媒体は磁気ヘッドとの摺動に
対する機械的耐久性に侵れていることが要求される。
磁気記録媒体の機械的耐久性を高めるために一酸化シリ
コン蒸着膜を用いることが米国特許３１０９７４６号、
同３３５３１６６号、特開昭５０−８０１０２等により
知られている。
コン蒸着膜を用いることが米国特許３１０９７４６号、
同３３５３１６６号、特開昭５０−８０１０２等により
知られている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしシリコン酸化物の保護層のみでは耐摩耗性、耐久
性にある程度の改善はみられるものの、まだ充分でない
ことが分った。また保護層としてアルコキシシランの加
水分解生成物を用いることも知られている（％開昭５２
−２０８４４号）が、シリコン酸化物と同様に特性が不
充分であり、溶液として塗布した後加熱する必要がある
ため、有機高分子フィルム等耐熱性の低い基体を用いる
可撓性磁気記録媒体には適用できないという欠点がある
。
性にある程度の改善はみられるものの、まだ充分でない
ことが分った。また保護層としてアルコキシシランの加
水分解生成物を用いることも知られている（％開昭５２
−２０８４４号）が、シリコン酸化物と同様に特性が不
充分であり、溶液として塗布した後加熱する必要がある
ため、有機高分子フィルム等耐熱性の低い基体を用いる
可撓性磁気記録媒体には適用できないという欠点がある
。
さらに磁気記録媒体の機械的耐久性を高めるために媒体
表面に潤滑層を形成する方法がメジ、従来より種々の潤
滑剤が提案されている０例えば、ノぐ一フロロアルキル
テリエーテル、シリコーンオイル若しくはフロロシリコ
ンオイル等のオイル類、ポリテトラフロロエチレン若し
くはナイロン等のポリマーまたはカーボン若しくは二硫
化モリブデン等の固体潤滑剤が知られているが、いずれ
も磁気記録媒体表面への付着力が弱いため、ヘッドとの
摺動によシ潤滑剤が容易に剥離し、充分な耐久性が得ら
れないという問題点がおった。これは先に述べた酸化シ
リコン、アルコキシシランの加水分解物等の保護層の上
に潤滑剤を形成した場合でも同様である。
表面に潤滑層を形成する方法がメジ、従来より種々の潤
滑剤が提案されている０例えば、ノぐ一フロロアルキル
テリエーテル、シリコーンオイル若しくはフロロシリコ
ンオイル等のオイル類、ポリテトラフロロエチレン若し
くはナイロン等のポリマーまたはカーボン若しくは二硫
化モリブデン等の固体潤滑剤が知られているが、いずれ
も磁気記録媒体表面への付着力が弱いため、ヘッドとの
摺動によシ潤滑剤が容易に剥離し、充分な耐久性が得ら
れないという問題点がおった。これは先に述べた酸化シ
リコン、アルコキシシランの加水分解物等の保護層の上
に潤滑剤を形成した場合でも同様である。
本発明の目的は機械的耐久性に優れた金属薄膜型可撓性
磁気記録媒体を提供することにおる。
磁気記録媒体を提供することにおる。
（問題点を解決するための手段）
本発明の磁気記録媒体は可撓性基体上に形成した強磁性
金属薄膜と、該強磁性金属薄膜上に形成した。シリコン
酸化物層と、該シリコン酸化物層上に形成したフッ素化
シランよりなる表面処理層と、さらに該表面処理層上に
形成した潤滑層とを有することを特徴とするものである
。
金属薄膜と、該強磁性金属薄膜上に形成した。シリコン
酸化物層と、該シリコン酸化物層上に形成したフッ素化
シランよりなる表面処理層と、さらに該表面処理層上に
形成した潤滑層とを有することを特徴とするものである
。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の磁気記録媒体の部分断面図で、１は可
撓性基体であり、２は強磁性金属薄膜、３はシリコン酸
化物層、４はフッ素化７ランよりなる表面処理層、５は
潤滑層である。
撓性基体であり、２は強磁性金属薄膜、３はシリコン酸
化物層、４はフッ素化７ランよりなる表面処理層、５は
潤滑層である。
本発明に係る可撓性基体としては酢酸セルロース、ニト
ロセルロース、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート
、ポリテトラフルオルエチレン、ホリトリフルオルエチ
レン、エチレン、プロピレン等α−オレフィンの重合体
あるいは共重合体、塩化ビニルの重合体あるいは共重合
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、等の有機高分子フィルムが用いられる。
ロセルロース、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート
、ポリテトラフルオルエチレン、ホリトリフルオルエチ
レン、エチレン、プロピレン等α−オレフィンの重合体
あるいは共重合体、塩化ビニルの重合体あるいは共重合
体、ポリ塩化ビニリデン、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタ
レート、等の有機高分子フィルムが用いられる。
本発明に係る強磁性金属薄膜はＦｅ 、 Ｃｏ 、 Ｎ
ｉその他の強磁性金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ 、 Ｆｅ
−Ｎｉ 、Ｃｏ−Ｎｉ 、 Ｆｅ−８ｉ 、 Ｃｏ−Ｃ
ｒ 、 Ｃｏ−Ｖ 、 Ｃｏ−８ｍ 、 Ｃｏ−Ｐｔ
。
ｉその他の強磁性金属、あるいはＦｅ−Ｃｏ 、 Ｆｅ
−Ｎｉ 、Ｃｏ−Ｎｉ 、 Ｆｅ−８ｉ 、 Ｃｏ−Ｃ
ｒ 、 Ｃｏ−Ｖ 、 Ｃｏ−８ｍ 、 Ｃｏ−Ｐｔ
。
Ｃｏ−Ｐ 、 Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ 、 Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ
等の強磁性合金、あるいはこれらに添加物を加えたもの
を真空蒸着法、スノセンタリング法、イオングレーティ
ング法、電気メツキ法、無電解メッキ法、等によって薄
膜状に形成したものである。
等の強磁性合金、あるいはこれらに添加物を加えたもの
を真空蒸着法、スノセンタリング法、イオングレーティ
ング法、電気メツキ法、無電解メッキ法、等によって薄
膜状に形成したものである。
可撓性基体の厚さは約４〜１００μｍで強磁性金属薄膜
の厚さは０．０１〜２μｍが好ましい。
の厚さは０．０１〜２μｍが好ましい。
シリコン酸化物層はＳｉＯｘ （１＜ Ｘ＜２ ）の組
成を有するもので、酸化性気体雰囲気中でのシリコンの
反応性蒸着、酸化性気体雰囲気中でのシリコンをターゲ
ットとした反応性スノやツタリング、シリコン酸化物を
ターゲットとしたスパッタリング等に° よりて形成さ
れる。膜厚はＩＯＸ〜１００ＯＸの範囲が好ましい。
成を有するもので、酸化性気体雰囲気中でのシリコンの
反応性蒸着、酸化性気体雰囲気中でのシリコンをターゲ
ットとした反応性スノやツタリング、シリコン酸化物を
ターゲットとしたスパッタリング等に° よりて形成さ
れる。膜厚はＩＯＸ〜１００ＯＸの範囲が好ましい。
フッ素化シランとしては
（Ｃ♂２ｎ＋、）ｍＳｌ（Ｒ）４−ｍ ・・・
・・・・・・・・・・・・・・・（Ｉ）ｎは１から３０
までの正の整数、ｍは１から３までの正の整数 （Ｃ４Ｆ２ ｎ＋１ （ＣＨ２）ｍ）ｔＳ ｉ （Ｒ）
ａ −１・・・・・・・・・・・・・・・・・・（Ｉ
Ｉ）ｎ、ｍは１から３０までの正の整数、ｔは１から３
までの正の整（ＣｎＦ２ｎ＋＋Ｏ（ＣＨｚ）ｍ）ｚｓｌ
（Ｒ）４−７ −・・・・・・・・・・・（Ｉｎ）ｎ、
ｍは１から３０までの正の整数、ｔは１から３までの正
の整数 等の一般式で表わせる化合物が適している。ここでＲは
ＯＣＨ３，ＯＣ２Ｈ５，ＱＣ３Ｈ，、ＯＣ４Ｈ７，ＯＣ
５Ｈ１１等のアルコキシ基またはＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ
３Ｈ，。
・・・・・・・・・・・・・・・（Ｉ）ｎは１から３０
までの正の整数、ｍは１から３までの正の整数 （Ｃ４Ｆ２ ｎ＋１ （ＣＨ２）ｍ）ｔＳ ｉ （Ｒ）
ａ −１・・・・・・・・・・・・・・・・・・（Ｉ
Ｉ）ｎ、ｍは１から３０までの正の整数、ｔは１から３
までの正の整（ＣｎＦ２ｎ＋＋Ｏ（ＣＨｚ）ｍ）ｚｓｌ
（Ｒ）４−７ −・・・・・・・・・・・（Ｉｎ）ｎ、
ｍは１から３０までの正の整数、ｔは１から３までの正
の整数 等の一般式で表わせる化合物が適している。ここでＲは
ＯＣＨ３，ＯＣ２Ｈ５，ＱＣ３Ｈ，、ＯＣ４Ｈ７，ＯＣ
５Ｈ１１等のアルコキシ基またはＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｃ
３Ｈ，。
Ｃ４Ｈ９１Ｃ３Ｈ１１等のアルキル基、またはＦ、Ｃ６
，Ｂｒ工等のハロゲノである。
，Ｂｒ工等のハロゲノである。
上記フッ素化シランはシリコン酸化物層表面にそのまま
、もしくはアルコール、ケトン、エステル、ハロゲン化
脂肪族炭化水素等の溶液として、浸漬法、スプレー法、
ローラーコート法、またはスピンコード法等の塗布方法
によって塗布する。
、もしくはアルコール、ケトン、エステル、ハロゲン化
脂肪族炭化水素等の溶液として、浸漬法、スプレー法、
ローラーコート法、またはスピンコード法等の塗布方法
によって塗布する。
その際に前記フッ素化シランは空気中の水分あるいはシ
リコン酸化物層表面の吸着水によって加水分解され、シ
リコン酸化物層表面と強固に反応、結合して優れた密着
性が生ずる。このような反応は下地がシリコン酸化物以
外の金属、化合物の場合でもある程度認められるが、シ
リコン酸化物の場合にはフッ素化７ラン末端のシランと
同種質であるため反応性が高く、強固な結合が生じ、他
の下地に比べて著しく高い密着性が実現される。
リコン酸化物層表面の吸着水によって加水分解され、シ
リコン酸化物層表面と強固に反応、結合して優れた密着
性が生ずる。このような反応は下地がシリコン酸化物以
外の金属、化合物の場合でもある程度認められるが、シ
リコン酸化物の場合にはフッ素化７ラン末端のシランと
同種質であるため反応性が高く、強固な結合が生じ、他
の下地に比べて著しく高い密着性が実現される。
一方、前記７ノ素化シランのＣｎＦ２ｎ＋１の部分は磁
気記録媒体の表面すなわちヘッドと摩擦する面に配向す
る。
気記録媒体の表面すなわちヘッドと摩擦する面に配向す
る。
以上のようにしてシリコン酸化物層上には下地とは強固
な密着性を有し、表面に対してはフッ化炭素特有の抗水
性、潤滑性を有した表面処理層が形成される。
な密着性を有し、表面に対してはフッ化炭素特有の抗水
性、潤滑性を有した表面処理層が形成される。
前記表面処理層上にさらに潤滑層を形成することにより
、実用に際して十分な耐久性が得られる。
、実用に際して十分な耐久性が得られる。
潤滑層としては脂肪能、金属石けん等の炭化水素系ノ潤
ｉ 剤、シリコーンオイル、７０口／リコンオイル、パ
ー７０ロアルキルポリエーテル等の潤滑油、テトラフロ
ロエチレン低重合体、カーｒＷ７、二硫化モリブデン等
の固体潤滑剤、もしくはこれらの混合物を直接、または
適当な溶剤に溶解もしくは分散させたものを前記表面処
理層上に浸漬法、スプレー法、蒸着法、ローラーコート
法、スピンコード法等の塗布方法によって塗布して形成
する。
ｉ 剤、シリコーンオイル、７０口／リコンオイル、パ
ー７０ロアルキルポリエーテル等の潤滑油、テトラフロ
ロエチレン低重合体、カーｒＷ７、二硫化モリブデン等
の固体潤滑剤、もしくはこれらの混合物を直接、または
適当な溶剤に溶解もしくは分散させたものを前記表面処
理層上に浸漬法、スプレー法、蒸着法、ローラーコート
法、スピンコード法等の塗布方法によって塗布して形成
する。
以上の構成の金属薄膜型可撓性磁気記録媒体はシリコン
酸化物の保護層を有し、その上に下地との密着性に優れ
、潤滑性を具えた表面処理層を有し、さらに潤滑層を有
するためヘッドによる長時間の摺動に対しても十分な耐
久性を有する。
酸化物の保護層を有し、その上に下地との密着性に優れ
、潤滑性を具えた表面処理層を有し、さらに潤滑層を有
するためヘッドによる長時間の摺動に対しても十分な耐
久性を有する。
（実施例）
次に本発明の実施例を示す。
（実施例１）
厚さ５０μｍのポリエステルフィルム上にＣｏＣｒ合金
をターゲットとしてＡｒガス中でのスノ（ツタリングに
より厚さ３０００ＸのＣｏＣｒ強磁性金属薄膜を形成し
た。この上にＳ ｉＯ２をターゲットとしてＡｒがス中
でのスパッタリングにより厚さｔｏｏｌのシリコン酸化
物層を形成した。次にこの上に・ぐ−フロロオクタデシ
ルトリメトキシシランの０．１＊ｎ−ブタノール溶液を
塗布し、乾燥させて表面処理層を形成した。この上にテ
トラフロロエチレンテロマーのトリフ０口トリクロルエ
タン分散液を塗布、乾燥させた後ワイピングしてテトラ
フロロエチレフロロアルキルポリエーテルを塗布して潤
滑層を形成した。次に比較例１〜５として同様の工程で
表１に示したようにシリコン酸化物層、表面処理層、潤
滑層のうち１つもしくは２つを省いたものを作製した。
をターゲットとしてＡｒガス中でのスノ（ツタリングに
より厚さ３０００ＸのＣｏＣｒ強磁性金属薄膜を形成し
た。この上にＳ ｉＯ２をターゲットとしてＡｒがス中
でのスパッタリングにより厚さｔｏｏｌのシリコン酸化
物層を形成した。次にこの上に・ぐ−フロロオクタデシ
ルトリメトキシシランの０．１＊ｎ−ブタノール溶液を
塗布し、乾燥させて表面処理層を形成した。この上にテ
トラフロロエチレンテロマーのトリフ０口トリクロルエ
タン分散液を塗布、乾燥させた後ワイピングしてテトラ
フロロエチレフロロアルキルポリエーテルを塗布して潤
滑層を形成した。次に比較例１〜５として同様の工程で
表１に示したようにシリコン酸化物層、表面処理層、潤
滑層のうち１つもしくは２つを省いたものを作製した。
以上の実施例１．比較例１〜５を５Ｖ４インチ径のフレ
キシブルディスクの形状に打抜いたものを市販の５猛イ
ンチフレキシブル磁気ディスク装置に装着してヘッドロ
ード状態で回転させ、ヘッドにより媒体表面に傷が生じ
るまでの回転数を測定することにより、媒体の耐久性を
比較した。その結果を第１表に示す。
キシブルディスクの形状に打抜いたものを市販の５猛イ
ンチフレキシブル磁気ディスク装置に装着してヘッドロ
ード状態で回転させ、ヘッドにより媒体表面に傷が生じ
るまでの回転数を測定することにより、媒体の耐久性を
比較した。その結果を第１表に示す。
第１表にみられるようにシリコン酸化物層、表面処理層
、潤滑層の三層が揃っている実施例１のものは非常に高
い耐久性が得られ、上記層のうちのどれか一つ欠けても
耐久性は大きく劣ることがわかる。
、潤滑層の三層が揃っている実施例１のものは非常に高
い耐久性が得られ、上記層のうちのどれか一つ欠けても
耐久性は大きく劣ることがわかる。
（実施例２〜６）
厚さ３０μｍのポリイミドフィルム上にＮ ｔ Ｆ ｅ
合金をターゲットとしてＡｒガス中でのスパッタリング
により厚さ５０００ ＸのＮｉＦｅ強磁性金属薄膜を形
成し、この上にＣｏＣｒ合金をターゲットとしてＡｒガ
ス中でのスパッタリングにより厚さ２０００ＸのＣｏＣ
ｒ強磁性金属薄膜を形成した。この上に第２表に示した
シリコン酸化物層、フッ素化シランによる表面処理層、
潤滑層を形成して各々実施例２〜６とした。
合金をターゲットとしてＡｒガス中でのスパッタリング
により厚さ５０００ ＸのＮｉＦｅ強磁性金属薄膜を形
成し、この上にＣｏＣｒ合金をターゲットとしてＡｒガ
ス中でのスパッタリングにより厚さ２０００ＸのＣｏＣ
ｒ強磁性金属薄膜を形成した。この上に第２表に示した
シリコン酸化物層、フッ素化シランによる表面処理層、
潤滑層を形成して各々実施例２〜６とした。
シリコン酸化物層について第２表中にスパッタリングと
記したものはＳｉＯ□をターゲットとしてＡｒガス中で
スフ４’ツタリングで作製したものであり、蒸着と記し
たものは酸素分圧５ＸＩＱ Ｔｏｒｒでシリコンを蒸
発させて形成したものである。表面処理層は第２表中に
示したフッ素化シランの０．５チイソプロビルアルコー
ル溶液を塗布した後乾燥して形成した。潤滑剤はモンテ
フルオス社製商品名７オンプリン、デュポン社製商品名
クライトツクスてついては０．１％トリフロロトリクロ
ルエタン溶液、デュポン社製商品名パイダックスについ
ては０．０５％トリフロロトリクロルエタン分散液、ス
テアリン酸については０．１係トルエン溶液をそれぞれ
表面処理層上に塗布した後乾燥させて形成した。
記したものはＳｉＯ□をターゲットとしてＡｒガス中で
スフ４’ツタリングで作製したものであり、蒸着と記し
たものは酸素分圧５ＸＩＱ Ｔｏｒｒでシリコンを蒸
発させて形成したものである。表面処理層は第２表中に
示したフッ素化シランの０．５チイソプロビルアルコー
ル溶液を塗布した後乾燥して形成した。潤滑剤はモンテ
フルオス社製商品名７オンプリン、デュポン社製商品名
クライトツクスてついては０．１％トリフロロトリクロ
ルエタン溶液、デュポン社製商品名パイダックスについ
ては０．０５％トリフロロトリクロルエタン分散液、ス
テアリン酸については０．１係トルエン溶液をそれぞれ
表面処理層上に塗布した後乾燥させて形成した。
第２表は以上の実施例２〜６を実施例１のときと同様に
して耐久性を評価してこれをまとめたものである。第２
表により本発明の構成とすることによりシリコン酸化物
の製法、膜厚、フッ素化シランの種類、潤滑剤の種類に
依らず高い耐久性が（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、可撓性基体上に形成し
た強磁性金属薄膜上にシリコン酸化物層を形成し、該シ
リコン酸化物上にフッ素化シランを形成し、さらに該表
面処理層上に潤滑層を形成することによりｉ気ヘッドと
の摺動に対して耐久性に優れた磁気記録媒体を得ること
ができる効果を有するものである。
して耐久性を評価してこれをまとめたものである。第２
表により本発明の構成とすることによりシリコン酸化物
の製法、膜厚、フッ素化シランの種類、潤滑剤の種類に
依らず高い耐久性が（発明の効果） 以上のように、本発明によれば、可撓性基体上に形成し
た強磁性金属薄膜上にシリコン酸化物層を形成し、該シ
リコン酸化物上にフッ素化シランを形成し、さらに該表
面処理層上に潤滑層を形成することによりｉ気ヘッドと
の摺動に対して耐久性に優れた磁気記録媒体を得ること
ができる効果を有するものである。
第１図は本発明による磁気記録媒体の部分断面図である
。 図中１は可撓性基体であシ、２は強磁性金属薄膜、３は
シリコン酸化物層、４はフッ素化シランよりなる表面処
理層、５は潤滑層である。
。 図中１は可撓性基体であシ、２は強磁性金属薄膜、３は
シリコン酸化物層、４はフッ素化シランよりなる表面処
理層、５は潤滑層である。
Claims (1)
- （１）可撓性基体上に形成した強磁性金属薄膜と、該強
磁性金属薄膜上に形成したシリコン酸化物層と、該シリ
コン酸化物層上に形成したフッ素化シランよりなる表面
処理層と、さらに該表面処理層上に形成した潤滑層とを
有することを特徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20092284A JPH0610854B2 (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20092284A JPH0610854B2 (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6180522A true JPS6180522A (ja) | 1986-04-24 |
| JPH0610854B2 JPH0610854B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=16432504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20092284A Expired - Lifetime JPH0610854B2 (ja) | 1984-09-26 | 1984-09-26 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610854B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273422A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS63220420A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-09-26 JP JP20092284A patent/JPH0610854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6273422A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-04 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| US4849305A (en) * | 1985-09-26 | 1989-07-18 | Nec Corporation | Magnetic recording medium |
| JPS63220420A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体およびその製造方法 |
| JPH0534729B2 (ja) * | 1987-03-09 | 1993-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610854B2 (ja) | 1994-02-09 |
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|---|---|---|
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