JPH01211216A - 磁気記憶体 - Google Patents
磁気記憶体Info
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- JPH01211216A JPH01211216A JP3419788A JP3419788A JPH01211216A JP H01211216 A JPH01211216 A JP H01211216A JP 3419788 A JP3419788 A JP 3419788A JP 3419788 A JP3419788 A JP 3419788A JP H01211216 A JPH01211216 A JP H01211216A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002795 Si–Al–O–N Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910034327 TiC Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical compound FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置）に用いられる磁気記憶体（以
下、記憶体と呼ぶ）に関する。
装置及び磁気テープ装置）に用いられる磁気記憶体（以
下、記憶体と呼ぶ）に関する。
金属磁性薄膜媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記
憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）
との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩
素等の腐食環境に充分耐える耐食性が要求される。
憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）
との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩
素等の腐食環境に充分耐える耐食性が要求される。
従来より、基板はアルマイト処理やＮＬＰメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための研磨が
施こされたＡｊ合金基板等が用いられ、次にＮ１−Ｐ、
Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＣｒ、Ｂｉ等の被覆
の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更にＳｉＯ□
（ポリクイ酸を含む） 、ＡｊＮ、Ｃ，Ｓ ｉ ｓ Ｎ
−とＡＪ１２ＯＳの固溶体等の保護膜が被覆され、更に
、パーフロロポリエーテルに代表される液体潤滑剤や、
高級アルコールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層
が被覆される。
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための研磨が
施こされたＡｊ合金基板等が用いられ、次にＮ１−Ｐ、
Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＣｒ、Ｂｉ等の被覆
の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更にＳｉＯ□
（ポリクイ酸を含む） 、ＡｊＮ、Ｃ，Ｓ ｉ ｓ Ｎ
−とＡＪ１２ＯＳの固溶体等の保護膜が被覆され、更に
、パーフロロポリエーテルに代表される液体潤滑剤や、
高級アルコールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層
が被覆される。
上記の記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回
り始めているものの大きな欠点を有している。
り始めているものの大きな欠点を有している。
上記記憶体を搭載したドライブを４０℃、８０％Ｒ，Ｈ
，の環境下に放置すると記憶体１枚の１．２ケ所に腐食
点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体とヘ
ッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の串擦係数
が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至った
。
，の環境下に放置すると記憶体１枚の１．２ケ所に腐食
点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体とヘ
ッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の串擦係数
が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至った
。
従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッドとの接触による記憶体とヘッドの物
理的劣化及びスティッキングという信頼性の問題点を有
していた。
、又記憶体とヘッドとの接触による記憶体とヘッドの物
理的劣化及びスティッキングという信頼性の問題点を有
していた。
本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分、塩素等の環境下に於ける金属媒
体の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘ
ッド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期
に維持することを可能にしたことにより、信頼性に優れ
る記憶体を提供するところにある。
とするところは、水分、塩素等の環境下に於ける金属媒
体の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘ
ッド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期
に維持することを可能にしたことにより、信頼性に優れ
る記憶体を提供するところにある。
本発明の記憶体は、金属媒体が被覆された基体上に酸化
物、窒化物、炭化物及び炭素がら遍ばれる少なくとも１
種の物質より成る薄膜が被覆され次に一般式Ａで示され
る金属アルコラートの硬化膜が被覆され、更に一般式Ｂ
で示されるパーフルオロポリエーテル重合体を被覆せし
める事を特徴とする。
物、窒化物、炭化物及び炭素がら遍ばれる少なくとも１
種の物質より成る薄膜が被覆され次に一般式Ａで示され
る金属アルコラートの硬化膜が被覆され、更に一般式Ｂ
で示されるパーフルオロポリエーテル重合体を被覆せし
める事を特徴とする。
一般式Ａ Ｍ（ＯＲ）Ｘ
ここでＭは、Ｔｉ−Ｚｒ、、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選ば
れる金属元素を、そしてｘはその価数を表わし、又Ｒは
炭素数が１〜８のアルキル基を表わす。
れる金属元素を、そしてｘはその価数を表わし、又Ｒは
炭素数が１〜８のアルキル基を表わす。
一般式Ｂ
Ｘ−ＣＦ２Ｏ−（Ｃ２Ｆ、 ０）ｉ−（ＣＦｔ ０）ｉ
−ＣＦｉ−、−ＸｎここでＸはＣＨ３ＣＯＯ−１ＨＯＯ
Ｃ−１ＨＯＣＨ２−から選ばれる基を表わし、ｍは１０
以上のＮ数を、ｎはＯｌｌ、２から選ばれる数値を表わ
す。
−ＣＦｉ−、−ＸｎここでＸはＣＨ３ＣＯＯ−１ＨＯＯ
Ｃ−１ＨＯＣＨ２−から選ばれる基を表わし、ｍは１０
以上のＮ数を、ｎはＯｌｌ、２から選ばれる数値を表わ
す。
酸化物、窒化物、炭化物そしてその混合物、積層は、Ａ
Ｊ 、Ｂ、Ｙ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、、Ｍｏ、Ｗから選ばれる化合物であり、炭素は、
グラファイト、ダイアモンド、アモルファス状炭素の単
独、混合、積層であり、いずれも２Ｏ０〜６００人の膜
厚が適切である。
Ｊ 、Ｂ、Ｙ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、、Ｍｏ、Ｗから選ばれる化合物であり、炭素は、
グラファイト、ダイアモンド、アモルファス状炭素の単
独、混合、積層であり、いずれも２Ｏ０〜６００人の膜
厚が適切である。
上記の化合物及び炭素の薄膜は硬度及び緻密性に優れ、
ヘッドとの接触に対し一定レベルの耐久性を示すととも
に、水分、塩素等の透過を抑制する。
ヘッドとの接触に対し一定レベルの耐久性を示すととも
に、水分、塩素等の透過を抑制する。
又いずれのＦＩＲもスパッタリング、イオンブレーティ
ング等のＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成゛可能であり、特に
酸化物は、金属アルコラートの塗布、焼成によっても得
られる。
ング等のＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成゛可能であり、特に
酸化物は、金属アルコラートの塗布、焼成によっても得
られる。
次に一般式Ａで示される金属アルコラートとはＴｉ （
ＯＣ４Ｈｅ ）４ 、Ｚｒ （ＯＣ４Ｈｅ ）４、Ｈｆ
（ＯＣ４Ｈｅ ）ａ 、Ｎｂ２ （ＯＣ３Ｎ７ ）ｓ
、Ｔａ２ （ＯＣ２Ｈｓ ）ｓ等であり、いずれも可溶
性溶媒に希釈され、スプレー法、スピンナー法、ディッ
ピング法や、超音波による噴霧吹き付は等の既知の方法
で塗布され、加熱により硬化膜を形成する。溶媒の制限
は無くアルコール類やハロゲン化炭化水素類を用い、得
ない膜厚により濃度が決定される。加熱は５０〜１００
℃、５分〜２Ｏ分で充分であり、膜厚は単分子層から２
Ｏ０人レベルが適切である。
ＯＣ４Ｈｅ ）４ 、Ｚｒ （ＯＣ４Ｈｅ ）４、Ｈｆ
（ＯＣ４Ｈｅ ）ａ 、Ｎｂ２ （ＯＣ３Ｎ７ ）ｓ
、Ｔａ２ （ＯＣ２Ｈｓ ）ｓ等であり、いずれも可溶
性溶媒に希釈され、スプレー法、スピンナー法、ディッ
ピング法や、超音波による噴霧吹き付は等の既知の方法
で塗布され、加熱により硬化膜を形成する。溶媒の制限
は無くアルコール類やハロゲン化炭化水素類を用い、得
ない膜厚により濃度が決定される。加熱は５０〜１００
℃、５分〜２Ｏ分で充分であり、膜厚は単分子層から２
Ｏ０人レベルが適切である。
次に一般式Ｂで示されるパーフルオロポリエーテル重合
体とは、例えば、モンテジソン社製品の７オング’Ｊン
Ｚ−ＤＩＡＣ，Ｚ−ＤＯＬ、Ｚ−Ｄｅａｌに代表される
ものであり、これらは、ＡＭ−３Ｅｒｃｅｓ、Ｚ−２５
等と混合して用いても良い、これらはフッ素系溶媒に希
釈し、上記金属アルコラートと同様の既知の塗布法によ
り形成する、膜厚は数１０Ａで充分である０次に８０〜
２Ｏ０℃で５分〜２Ｏ分間焼成を行ない、パーフルオロ
ポリエーテル重合体の膜厚の均一性を向上させるととも
に、上記硬化膜とパーフルオロポリエーテル重合体の極
性基とを結合させ記憶媒体上への固定化を図る。
体とは、例えば、モンテジソン社製品の７オング’Ｊン
Ｚ−ＤＩＡＣ，Ｚ−ＤＯＬ、Ｚ−Ｄｅａｌに代表される
ものであり、これらは、ＡＭ−３Ｅｒｃｅｓ、Ｚ−２５
等と混合して用いても良い、これらはフッ素系溶媒に希
釈し、上記金属アルコラートと同様の既知の塗布法によ
り形成する、膜厚は数１０Ａで充分である０次に８０〜
２Ｏ０℃で５分〜２Ｏ分間焼成を行ない、パーフルオロ
ポリエーテル重合体の膜厚の均一性を向上させるととも
に、上記硬化膜とパーフルオロポリエーテル重合体の極
性基とを結合させ記憶媒体上への固定化を図る。
本発明の構成によれば、金属媒体の硬度、緻密性に優れ
る酸化物、窒化物、炭化物或いは炭素から選ばれる少な
くとも１種の物質より成る薄膜によりヘッドの＃Ｉ撃電
耗から、又環境中の水分や塩素等から金属媒体を保護す
る。
る酸化物、窒化物、炭化物或いは炭素から選ばれる少な
くとも１種の物質より成る薄膜によりヘッドの＃Ｉ撃電
耗から、又環境中の水分や塩素等から金属媒体を保護す
る。
しかし上記の薄膜は、数１００Ａ前後以下と薄くピンホ
ールレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭
素以外は潤滑性に乏しく、最も潰れる炭素膜に於いても
、潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を上記の薄膜上
に積層化されるのが一般的であった。しかしながら、上
記の薄膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及び
、ヘッドと記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が除々に記
憶体上から除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれ
てしまった。
ールレスにすることは困難である。又上記薄膜のうち炭
素以外は潤滑性に乏しく、最も潰れる炭素膜に於いても
、潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を上記の薄膜上
に積層化されるのが一般的であった。しかしながら、上
記の薄膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間に及び
、ヘッドと記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が除々に記
憶体上から除去され、初期の優れた潤滑効果が失なわれ
てしまった。
本発明では、金属アルコラートを酸化物、窒化物、炭化
物或いは炭素上に塗布し、仮焼成後、極性基を有するパ
ーフルオロポリエーテルの重合体を塗布し、更に本焼成
を行なうものである。金属アルコラートは、酸化物、窒
化物、炭化物を構成する金属元素と酸素を介して強固な
被覆を作り、又炭素最表面のＯＨ基やＣ０ＯＨ基との、
そしてパーフルオロポリエーテル重合体の極性基との脱
水縮合反応により、記憶体上に潤滑膜を固定し、ヘッド
の衝ｇｉ掌耗により簡単に除去される事を防ぐ作用があ
る。
物或いは炭素上に塗布し、仮焼成後、極性基を有するパ
ーフルオロポリエーテルの重合体を塗布し、更に本焼成
を行なうものである。金属アルコラートは、酸化物、窒
化物、炭化物を構成する金属元素と酸素を介して強固な
被覆を作り、又炭素最表面のＯＨ基やＣ０ＯＨ基との、
そしてパーフルオロポリエーテル重合体の極性基との脱
水縮合反応により、記憶体上に潤滑膜を固定し、ヘッド
の衝ｇｉ掌耗により簡単に除去される事を防ぐ作用があ
る。
又パーフルオロポリエーテル重合体は優れた撥水性を示
し、防錆作用を高める効果があり、上記理由により、そ
の効果は長期間に亘り維持される。
し、防錆作用を高める効果があり、上記理由により、そ
の効果は長期間に亘り維持される。
以上により機械的信頼性及び長期保存信頼性は大巾に向
上した。
上した。
鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研壱により表面粗度０．０２μｍ以下に表面加工し、
更にＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金メツキを約０゜０７μｍ厚に施
こした。
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研壱により表面粗度０．０２μｍ以下に表面加工し、
更にＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金メツキを約０゜０７μｍ厚に施
こした。
次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセ・ｙ ｈ
Ｌ、５ｘｌＯ−’ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板
を８０℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Ａｒガスを導
入し、５Ｘ１０すｔｏｒｒにした後、第１表に示した材
料をターゲットとして、パワー密度４ Ｗ ／ ａＪで
成膜をした。
Ｌ、５ｘｌＯ−’ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板
を８０℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Ａｒガスを導
入し、５Ｘ１０すｔｏｒｒにした後、第１表に示した材
料をターゲットとして、パワー密度４ Ｗ ／ ａＪで
成膜をした。
次に同じく第１表に示す金属アルコラートをダイフロン
Ｓ−３溶媒にＯ，０ＯＩＷ／Ｖ％濃度で溶解し、ディッ
ピング法（１０ａｍ／’ｍ ｉ ｎ ）で塗布し、その
後、６０℃で１５分間焼成した。
Ｓ−３溶媒にＯ，０ＯＩＷ／Ｖ％濃度で溶解し、ディッ
ピング法（１０ａｍ／’ｍ ｉ ｎ ）で塗布し、その
後、６０℃で１５分間焼成した。
更に同じく第１表に示すパーフルオロポリエーテル重合
体をグイフロンＳ−３に０．１５Ｗ／Ｖ％濃度で溶解し
、ディッピング法（１０ｃｍ ／ ｍ ｉｎ）で塗布し
、その後、１１０℃で１５分間、加熱処理を行った。
体をグイフロンＳ−３に０．１５Ｗ／Ｖ％濃度で溶解し
、ディッピング法（１０ｃｍ ／ ｍ ｉｎ）で塗布し
、その後、１１０℃で１５分間、加熱処理を行った。
第 １ 表
上記の記憶体を下記試験で評価した。結果は第２表に示
す。
す。
（Ｃ３Ｓ耐久試験）
Ｃ８Ｓ動作前後の外観変化、静摩擦係数と出力低下率を
求める。（使用ヘッド：薄膜３３７０タイプフライハイ
ド０．２μｍ・・・１０ｍ／ｓ時）（ｉｆＪ湿性試験） ８５℃８０％Ｒ，Ｈ，の環境下放置に於いて、放置時間
の経過をおい、ミッシングピット数を測定し、その増加
が認められた時点で寿命と判断した。
求める。（使用ヘッド：薄膜３３７０タイプフライハイ
ド０．２μｍ・・・１０ｍ／ｓ時）（ｉｆＪ湿性試験） ８５℃８０％Ｒ，Ｈ，の環境下放置に於いて、放置時間
の経過をおい、ミッシングピット数を測定し、その増加
が認められた時点で寿命と判断した。
第２表
〔発明の効果〕
高記録密度対応の記憶体として薄膜型記憶体が登場して
久しいが、長期信頼性に対する不安からその使用は一部
に限られていた。
久しいが、長期信頼性に対する不安からその使用は一部
に限られていた。
本発明によれば、加温瀉下で記憶体が用いられても金属
媒体は実用的に何等の彰響を受けず、又増々硬質化、低
フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられるドラ
イブ体に搭載されても、記憶体、ヘッドはともに特性劣
化はほとんど認められない。
媒体は実用的に何等の彰響を受けず、又増々硬質化、低
フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられるドラ
イブ体に搭載されても、記憶体、ヘッドはともに特性劣
化はほとんど認められない。
以上の如く、高記録密度対応の高耐久記憶体の提供が可
能になった。
能になった。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に金属磁性媒体が被覆され、この金属磁性媒体上
に酸化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なく
とも１種の物質より成る薄膜が被覆され、次に該薄膜上
に少なくとも一般式Ａで示される金属アルコラートの硬
化膜が被覆され、更に該硬化膜上に少なくとも一般式Ｂ
で示されるパーフルオロポリエーテル重合体を被覆せし
めた事を特徴とする磁気記憶体。 一般式ＡＭ（ＯＲ）ｘ ここでＭは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選ばれ
る金属元素を、そしてｘはその価数を表わし、又Ｒは炭
素数が１〜８のアルキル基を表わす。 一般式Ｂ Ｘ−ＣＦ＿２Ｏ−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）ｍ−（ＣＦ＿２Ｏ
）ｍ−ＣＦ＿３＿−＿ｎ−ＸｎここでＸはＣＨ＿３ＣＯ
Ｏ−、ＨＯＯＣ−、ＨＯＣＨ＿２−から選ばれる基を表
わし、ｍは１０以上の整数を、ｎは０、１、２から選ば
れる数値を表わす。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3419788A JPH01211216A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 磁気記憶体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3419788A JPH01211216A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 磁気記憶体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01211216A true JPH01211216A (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=12407440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3419788A Pending JPH01211216A (ja) | 1988-02-17 | 1988-02-17 | 磁気記憶体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01211216A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021758A1 (en) * | 1992-07-06 | 1994-09-29 | Sony Corporation | Lubricant and magnetic recording medium containing the same |
| JPH07141645A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1988
- 1988-02-17 JP JP3419788A patent/JPH01211216A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021758A1 (en) * | 1992-07-06 | 1994-09-29 | Sony Corporation | Lubricant and magnetic recording medium containing the same |
| JPH07141645A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
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