JPH0660368A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 摩擦係数を低減して磁気ヘッドの摺動特性の
向上を図り、磁気ヘッドの低浮上距離化が可能な高記録
密度・大容量の磁気記録媒体を実現すること。 【構成】 基体１の表面には、窒素を含有したアルミニ
ウムが局部的に凝集して金属堆積物６の島をつくり、基
体１の表面全体に離散的に分布している。そして、この
金属堆積物６上に、金属下地層２，磁性層３，保護層４
および潤滑層５が順次積層されて磁気記録ディスク１０
を構成しており、ディスク表面には、金属堆積物６の形
状が反映された微細な凹凸が形成され、摩擦係数の低減
が図られている。
向上を図り、磁気ヘッドの低浮上距離化が可能な高記録
密度・大容量の磁気記録媒体を実現すること。 【構成】 基体１の表面には、窒素を含有したアルミニ
ウムが局部的に凝集して金属堆積物６の島をつくり、基
体１の表面全体に離散的に分布している。そして、この
金属堆積物６上に、金属下地層２，磁性層３，保護層４
および潤滑層５が順次積層されて磁気記録ディスク１０
を構成しており、ディスク表面には、金属堆積物６の形
状が反映された微細な凹凸が形成され、摩擦係数の低減
が図られている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体およびそ
の製造方法に関し、特に、磁気記録媒体の最表層表面に
微細な凹凸を形成することにより磁気ヘッドの低浮上距
離化を達成して、磁気記録媒体の高記録密度化を図る技
術に関するものである。
の製造方法に関し、特に、磁気記録媒体の最表層表面に
微細な凹凸を形成することにより磁気ヘッドの低浮上距
離化を達成して、磁気記録媒体の高記録密度化を図る技
術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータなどの情報処理装置
の外部記録装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られている。図６に、この固定磁気ディスク装置に用い
られている一般的な磁気記録ディスク（磁気記録媒体）
の構成を示してある。この磁気記録ディスクは、非磁性
基板１１上に非磁性金属層１２を形成し、非磁性基体１
として、この非磁性基体１の上に、非磁性の金属下地層
２を積層してある。そして、この金属下地層２上に、強
磁性合金体であるＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ（コバルト−クロム
−タンタル）などにより磁性層３を薄膜状に積層形成
し、さらに、磁性層３上に、アモルファスカーボン保護
層４を形成する。そして、この保護層４の上に、液体潤
滑剤からなる潤滑層５を設けて磁気記録ディスクを形成
している。
の外部記録装置として固定磁気ディスク装置が多く用い
られている。図６に、この固定磁気ディスク装置に用い
られている一般的な磁気記録ディスク（磁気記録媒体）
の構成を示してある。この磁気記録ディスクは、非磁性
基板１１上に非磁性金属層１２を形成し、非磁性基体１
として、この非磁性基体１の上に、非磁性の金属下地層
２を積層してある。そして、この金属下地層２上に、強
磁性合金体であるＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ（コバルト−クロム
−タンタル）などにより磁性層３を薄膜状に積層形成
し、さらに、磁性層３上に、アモルファスカーボン保護
層４を形成する。そして、この保護層４の上に、液体潤
滑剤からなる潤滑層５を設けて磁気記録ディスクを形成
している。
【０００３】非磁性基体１としては、たとえば、鏡面研
磨を施したガラス基板１１に、Ｃｒからなる非磁性金属
層１２を形成したもの、アルマイト基体やセラミック基
体などが用いられる。そして、この非磁性基体１を必要
に応じて研磨し、テクスチャーなどにより凹凸を形成す
る場合もある。この非磁性基体１を３２０℃に加熱する
と共に、２００Ｖの直流バイアスを印加しながらＣｒか
らなる膜厚さが１０００Åの金属下地層２，Ｃｏ86Ｃｒ
12Ｔａ2 からなる膜厚さが５００Åの磁性層３およびア
モルファスカーボンからなる膜厚さが２００Åの保護層
４を順次スパッタ法により積層形成する。そして、保護
層４上に、フロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して、
膜厚さが２０Åの潤滑層５を形成し、磁気記録ディスク
を製造する。このようにして製作された磁気記録ディス
クは、強度，寸法精度などの機械的特性は実用上支障な
く、良好であり、磁気特性も保磁力Ｈｃが１３００Ｏｅ
程度で、残留磁束密度と磁性層膜厚の積であるＢｒ・ｄ
が４００Ｇ・μｍ程度と良好である。
磨を施したガラス基板１１に、Ｃｒからなる非磁性金属
層１２を形成したもの、アルマイト基体やセラミック基
体などが用いられる。そして、この非磁性基体１を必要
に応じて研磨し、テクスチャーなどにより凹凸を形成す
る場合もある。この非磁性基体１を３２０℃に加熱する
と共に、２００Ｖの直流バイアスを印加しながらＣｒか
らなる膜厚さが１０００Åの金属下地層２，Ｃｏ86Ｃｒ
12Ｔａ2 からなる膜厚さが５００Åの磁性層３およびア
モルファスカーボンからなる膜厚さが２００Åの保護層
４を順次スパッタ法により積層形成する。そして、保護
層４上に、フロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して、
膜厚さが２０Åの潤滑層５を形成し、磁気記録ディスク
を製造する。このようにして製作された磁気記録ディス
クは、強度，寸法精度などの機械的特性は実用上支障な
く、良好であり、磁気特性も保磁力Ｈｃが１３００Ｏｅ
程度で、残留磁束密度と磁性層膜厚の積であるＢｒ・ｄ
が４００Ｇ・μｍ程度と良好である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】近年の情報の多量化お
よび多様化が急激に進んだことにより、情報の大量処理
を行なう必要性から固定磁気ディスク装置の高記録密度
化および大容量化が強く要望されている。従って、磁気
ディスク装置に用いられる磁気記録ディスク（磁気記録
媒体）においても、高記録密度，大容量に対応するため
に、磁気ヘッドのの浮上距離を更に圧縮可能な媒体が必
要となっている。一般に、磁気ディスク装置において
は、情報の読み取りおよび書込み方式としてＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）方式が採用されてお
り、稼働時に磁気ヘッドが磁気記録ディスク表面から僅
かに浮上して情報の読み取り動作または書込み動作が行
なわれる。このＣＳＳ方式は、停止時には磁気ヘッドと
磁気記録ディスク表面とが接触するため、磁気記録ディ
スク表面が鏡面状態であると、磁気ヘッドと磁気記録デ
ィスク表面との摩擦係数が大きく、磁気ヘッドが磁気記
録ディスク表面に吸着してしまうことがある。また、始
動時に、磁気ヘッドが磁気記録ディスク表面上を摺動す
る際の大きな摩擦力によって、磁性層が磨耗してしまう
こともある。従って、図６に示す構成の磁気記録ディス
クは、表面平滑性に優れているため、磁気ヘッドの浮上
距離の圧縮が可能であり、高記録容量化できるが、上記
のような磁気ヘッドの摺動特性に起因する磁気記録ディ
スクの信頼面からの問題点がある。一方、磁気記録ディ
スクの表面粗さを大きくすれば、磁気記録ディスク表面
と磁気ヘッドとの摩擦係数が低減されるので、磁気ヘッ
ドの吸着現象などを防止でき、磁気ヘッドの摺動特性が
向上する。しかしながら、磁気記録ディスク表面の粗さ
を大きくした場合には、ヘッドクラッシュなどを防止す
るため必然的に磁気ヘッドの浮上距離を大きく確保する
必要があり、高記録容量化できないという問題点があ
る。
よび多様化が急激に進んだことにより、情報の大量処理
を行なう必要性から固定磁気ディスク装置の高記録密度
化および大容量化が強く要望されている。従って、磁気
ディスク装置に用いられる磁気記録ディスク（磁気記録
媒体）においても、高記録密度，大容量に対応するため
に、磁気ヘッドのの浮上距離を更に圧縮可能な媒体が必
要となっている。一般に、磁気ディスク装置において
は、情報の読み取りおよび書込み方式としてＣＳＳ（コ
ンタクト・スタート・ストップ）方式が採用されてお
り、稼働時に磁気ヘッドが磁気記録ディスク表面から僅
かに浮上して情報の読み取り動作または書込み動作が行
なわれる。このＣＳＳ方式は、停止時には磁気ヘッドと
磁気記録ディスク表面とが接触するため、磁気記録ディ
スク表面が鏡面状態であると、磁気ヘッドと磁気記録デ
ィスク表面との摩擦係数が大きく、磁気ヘッドが磁気記
録ディスク表面に吸着してしまうことがある。また、始
動時に、磁気ヘッドが磁気記録ディスク表面上を摺動す
る際の大きな摩擦力によって、磁性層が磨耗してしまう
こともある。従って、図６に示す構成の磁気記録ディス
クは、表面平滑性に優れているため、磁気ヘッドの浮上
距離の圧縮が可能であり、高記録容量化できるが、上記
のような磁気ヘッドの摺動特性に起因する磁気記録ディ
スクの信頼面からの問題点がある。一方、磁気記録ディ
スクの表面粗さを大きくすれば、磁気記録ディスク表面
と磁気ヘッドとの摩擦係数が低減されるので、磁気ヘッ
ドの吸着現象などを防止でき、磁気ヘッドの摺動特性が
向上する。しかしながら、磁気記録ディスク表面の粗さ
を大きくした場合には、ヘッドクラッシュなどを防止す
るため必然的に磁気ヘッドの浮上距離を大きく確保する
必要があり、高記録容量化できないという問題点があ
る。
【０００５】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、
磁気記録ディスクの表面粗さを小さく維持しながら摺動
特性を向上させ、磁気ヘッドの低浮上距離化による高記
録密度化および大容量化が可能な磁気記録媒体およびそ
の製造方法を実現することにある。
磁気記録ディスクの表面粗さを小さく維持しながら摺動
特性を向上させ、磁気ヘッドの低浮上距離化による高記
録密度化および大容量化が可能な磁気記録媒体およびそ
の製造方法を実現することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る磁気記録媒体において講じた手段は、
保護層の表面に、表面粗さを小さく維持可能な程度の微
細な凹凸を形成することにより、磁気ヘッドとの摩擦係
数を低減して摺動特性および浮上特性の両特性を満足す
る磁気記録媒体を実現したものである。すなわち、非磁
性基体の表面側に、非磁性の金属下地層と、この金属下
地層上に形成された強磁性合金の薄膜磁性層と、この薄
膜磁性層の表面側に形成された保護層とを少なくとも有
する磁気記録媒体であって、非磁性基体の表面および薄
膜磁性層の表面のうちの少なくとも一方の表面には、窒
素を含有する非磁性の金属堆積物によって離散的に分布
する凹凸が形成されており、これらの凹凸が保護層の表
面にまで反映されるものである。
に、本発明に係る磁気記録媒体において講じた手段は、
保護層の表面に、表面粗さを小さく維持可能な程度の微
細な凹凸を形成することにより、磁気ヘッドとの摩擦係
数を低減して摺動特性および浮上特性の両特性を満足す
る磁気記録媒体を実現したものである。すなわち、非磁
性基体の表面側に、非磁性の金属下地層と、この金属下
地層上に形成された強磁性合金の薄膜磁性層と、この薄
膜磁性層の表面側に形成された保護層とを少なくとも有
する磁気記録媒体であって、非磁性基体の表面および薄
膜磁性層の表面のうちの少なくとも一方の表面には、窒
素を含有する非磁性の金属堆積物によって離散的に分布
する凹凸が形成されており、これらの凹凸が保護層の表
面にまで反映されるものである。
【０００７】この磁気記録媒体において、金属堆積物の
大きさをｄ、金属堆積物の相互間の間隔をｔとした場合
に、ｄが１５ｎｍから２００ｎｍまでの範囲にあり、且
つ、ｔがｄ／５から５ｄまでの範囲にあることが好まし
い。
大きさをｄ、金属堆積物の相互間の間隔をｔとした場合
に、ｄが１５ｎｍから２００ｎｍまでの範囲にあり、且
つ、ｔがｄ／５から５ｄまでの範囲にあることが好まし
い。
【０００８】ここで、金属堆積物を形成する非磁性金属
は、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒから
なる群より選ばれた１種の金属、または２種以上の合金
であることが好ましい。
は、Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒから
なる群より選ばれた１種の金属、または２種以上の合金
であることが好ましい。
【０００９】このような磁気記録媒体の製造方法として
は、非磁性基体を所定の温度に加熱した状態で、Ａｒガ
スと窒素ガスとからなる混合スパッタリングガス雰囲気
下において金属堆積物をスパッタ形成するスパッタリン
グ工程を採用でき、この場合、非磁性基体の加熱温度が
１５０℃から４００℃までの範囲にあり、且つ、混合ス
パッタリングガスに占める窒素ガスの分圧比が０．５％
から２０％までの範囲にあることが好ましい。
は、非磁性基体を所定の温度に加熱した状態で、Ａｒガ
スと窒素ガスとからなる混合スパッタリングガス雰囲気
下において金属堆積物をスパッタ形成するスパッタリン
グ工程を採用でき、この場合、非磁性基体の加熱温度が
１５０℃から４００℃までの範囲にあり、且つ、混合ス
パッタリングガスに占める窒素ガスの分圧比が０．５％
から２０％までの範囲にあることが好ましい。
【００１０】
【作用】斯かる手段を講じた本発明に係る磁気記録媒体
においては、非磁性基体の表面および薄膜磁性層の表面
のうちの少なくとも一方の表面に形成される窒素を含有
する非磁性金属層が、所定の膜面上を均一な膜厚さで覆
うのではなく、局部的に凝集して凹凸形状の金属堆積物
として離散的に分布し、所定の膜面の表面一体に不規則
で微細な凹凸が形成される。このため、磁気記録媒体の
保護層（潤滑層）の表面には金属堆積物の凹凸形状が反
映された微細な凹凸が形成されるので、表面粗さが小さ
く、磁気ヘッドの低浮上距離化が可能となることに加え
て、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの摩擦係数を低減する
ことができ、摺動特性の良好な磁気記録媒体を実現する
ことができる。従って、高記録密度化の際に用いられる
各種ヘッドに対応可能な磁気記録媒体を得ることができ
る。
においては、非磁性基体の表面および薄膜磁性層の表面
のうちの少なくとも一方の表面に形成される窒素を含有
する非磁性金属層が、所定の膜面上を均一な膜厚さで覆
うのではなく、局部的に凝集して凹凸形状の金属堆積物
として離散的に分布し、所定の膜面の表面一体に不規則
で微細な凹凸が形成される。このため、磁気記録媒体の
保護層（潤滑層）の表面には金属堆積物の凹凸形状が反
映された微細な凹凸が形成されるので、表面粗さが小さ
く、磁気ヘッドの低浮上距離化が可能となることに加え
て、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの摩擦係数を低減する
ことができ、摺動特性の良好な磁気記録媒体を実現する
ことができる。従って、高記録密度化の際に用いられる
各種ヘッドに対応可能な磁気記録媒体を得ることができ
る。
【００１１】ここで、保護層の表面に形成される凹凸は
金属堆積物の凹凸形状が反映されたものであるので、金
属堆積物の形状を制御することにより保護層の表面粗さ
を所望の値とすることができる。すなわち、金属堆積物
の大きさｄが１５ｎｍから２００ｎｍまでの範囲にあ
り、且つ、金属堆積物の相互間の間隔ｔがｄ／５から５
ｄまでの範囲となるように金属堆積物を形成した場合に
は、保護層の表面粗さを中心線平均粗さＲａで３ｎｍか
ら７ｎｍまでの範囲，最大高さＲｍａｘで２０ｎｍから
６５ｎｍまでの範囲に制限することができ、磁気ヘッド
の浮上距離を１μｉｎｃｈから３μｉｎｃｈまでの範囲
とすることが可能となるので、磁気記録媒体の高記録密
度化に加えて、磁気ヘッドとのトライボロジーも満足さ
れる。そして、かかる金属堆積物の形状制御方法として
は、これをスパッタ形成する際の条件、すなわち、非磁
性基体の加熱温度を１５０℃から４００℃までの範囲と
し、且つ、Ａｒガスと窒素ガスとからなる混合スパッタ
リングガスに占める窒素ガスの分圧比を０．５％から２
０％までの範囲に設定することで可能となる。
金属堆積物の凹凸形状が反映されたものであるので、金
属堆積物の形状を制御することにより保護層の表面粗さ
を所望の値とすることができる。すなわち、金属堆積物
の大きさｄが１５ｎｍから２００ｎｍまでの範囲にあ
り、且つ、金属堆積物の相互間の間隔ｔがｄ／５から５
ｄまでの範囲となるように金属堆積物を形成した場合に
は、保護層の表面粗さを中心線平均粗さＲａで３ｎｍか
ら７ｎｍまでの範囲，最大高さＲｍａｘで２０ｎｍから
６５ｎｍまでの範囲に制限することができ、磁気ヘッド
の浮上距離を１μｉｎｃｈから３μｉｎｃｈまでの範囲
とすることが可能となるので、磁気記録媒体の高記録密
度化に加えて、磁気ヘッドとのトライボロジーも満足さ
れる。そして、かかる金属堆積物の形状制御方法として
は、これをスパッタ形成する際の条件、すなわち、非磁
性基体の加熱温度を１５０℃から４００℃までの範囲と
し、且つ、Ａｒガスと窒素ガスとからなる混合スパッタ
リングガスに占める窒素ガスの分圧比を０．５％から２
０％までの範囲に設定することで可能となる。
【００１２】また、金属堆積物を形成する非磁性金属を
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる
群より選ばれた１種の金属、または２種以上の合金とす
れば、これらの金属はいずれも窒化物形成能に優れてい
るため、選択する金属または合金に拘らず、略同様の成
膜プロセスにより形成することができるので、生産性が
良い。
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる
群より選ばれた１種の金属、または２種以上の合金とす
れば、これらの金属はいずれも窒化物形成能に優れてい
るため、選択する金属または合金に拘らず、略同様の成
膜プロセスにより形成することができるので、生産性が
良い。
【００１３】
【実施例】つぎに、本発明に係る磁気記録ディスク（磁
気記録媒体）について、その実施例を添付図面を参照し
て説明する。
気記録媒体）について、その実施例を添付図面を参照し
て説明する。
【００１４】〔実施例１〕図１は、本発明の実施例１に
係る磁気記録ディスク（磁気記録媒体）の構成を示す断
面図である。なお、本例の磁気記録ディスク１０の構成
は図６に示す従来の磁気記録ディスクと略同様であるの
で、対応する部分には同一参照符号を付し、その説明を
省略する。本例の磁気記録ディスク１０においては、ガ
ラス基板１１および非磁性金属層１２からなる基体１の
表面に、窒素を含有する非磁性の金属堆積物６が形成さ
れており、この金属堆積物６の凹凸形状が保護層４上に
形成された潤滑層５の表面にまで反映され、磁気記録デ
ィスク１０の表面に微細な凹凸が形成されていることを
特徴とする。
係る磁気記録ディスク（磁気記録媒体）の構成を示す断
面図である。なお、本例の磁気記録ディスク１０の構成
は図６に示す従来の磁気記録ディスクと略同様であるの
で、対応する部分には同一参照符号を付し、その説明を
省略する。本例の磁気記録ディスク１０においては、ガ
ラス基板１１および非磁性金属層１２からなる基体１の
表面に、窒素を含有する非磁性の金属堆積物６が形成さ
れており、この金属堆積物６の凹凸形状が保護層４上に
形成された潤滑層５の表面にまで反映され、磁気記録デ
ィスク１０の表面に微細な凹凸が形成されていることを
特徴とする。
【００１５】このような構成の磁気記録ディスク１０
は、先ず、内外径加工および面切削を施したディスク状
のガラス基板１１の表面を超精密平面研磨して表面粗さ
を中心線平均粗さＲａで５〜１５Åに鏡面加工する。つ
ぎに、ガラス基板１１を精密洗浄し、ホルダーにセット
した後インライン方式マグネトロンスパッタ装置の仕込
み室へ送り込む。そして、この仕込み室を５×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度まで排気し、ガラス基板１１の温度
を１５０℃まで加熱する。続いて、ガラス基板１１のセ
ットされたホルダーを成膜室Ａに搬送し、この成膜室Ａ
を圧力が５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中として、ガラ
ス基板１１の表面側に、Ｃｒからなり膜厚が５００Åの
非磁性金属層１２をスパッタ形成し、基体１を製作す
る。つぎに、この基体１を成膜室Ｂに搬送し、基体１の
温度を所定温度Ｔ℃まで加熱する。続いて、成膜室Ｂを
圧力が５０ｍＴｏｒｒの（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガス雰囲気中と
して、非磁性金属のＡｌをターゲットとしたスパッタ法
により、基体１上に窒素を含有する非磁性金属層たる金
属堆積物６を形成する。ここで、（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガスに
占めるＮ2 ガスの分圧比はＰN2とした。なお、金属堆積
物６をスパッタ形成する際の基体１の温度Ｔおよび（Ａ
ｒ＋Ｎ2 ）ガスに占めるＮ2 ガスの分圧比ＰN2について
は、後に詳述する。
は、先ず、内外径加工および面切削を施したディスク状
のガラス基板１１の表面を超精密平面研磨して表面粗さ
を中心線平均粗さＲａで５〜１５Åに鏡面加工する。つ
ぎに、ガラス基板１１を精密洗浄し、ホルダーにセット
した後インライン方式マグネトロンスパッタ装置の仕込
み室へ送り込む。そして、この仕込み室を５×１０-6Ｔ
ｏｒｒ以下の真空度まで排気し、ガラス基板１１の温度
を１５０℃まで加熱する。続いて、ガラス基板１１のセ
ットされたホルダーを成膜室Ａに搬送し、この成膜室Ａ
を圧力が５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中として、ガラ
ス基板１１の表面側に、Ｃｒからなり膜厚が５００Åの
非磁性金属層１２をスパッタ形成し、基体１を製作す
る。つぎに、この基体１を成膜室Ｂに搬送し、基体１の
温度を所定温度Ｔ℃まで加熱する。続いて、成膜室Ｂを
圧力が５０ｍＴｏｒｒの（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガス雰囲気中と
して、非磁性金属のＡｌをターゲットとしたスパッタ法
により、基体１上に窒素を含有する非磁性金属層たる金
属堆積物６を形成する。ここで、（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガスに
占めるＮ2 ガスの分圧比はＰN2とした。なお、金属堆積
物６をスパッタ形成する際の基体１の温度Ｔおよび（Ａ
ｒ＋Ｎ2 ）ガスに占めるＮ2 ガスの分圧比ＰN2について
は、後に詳述する。
【００１６】つぎに、金属堆積物６が形成された基体１
のセットされたホルダーを成膜室Ｃに搬送し、基体１の
温度を３２０℃まで加熱した後、基体１に２００Ｖの直
流バイアスを印加しながら、Ｃｒからなり膜厚が１００
０Åの非磁性金属下地層２、続いて、Ｃｏ86Ｃｒ12Ｔａ
2 合金からなり膜厚が５００Åの磁性層３およびアモル
ファスカーボンからなり膜厚が２００Åの保護層４を順
次スパッタ法により成膜する。そして、保護層４の表面
側に、フロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚が
２０Åの潤滑層５を形成し、磁気記録ディスク１０を製
作する。
のセットされたホルダーを成膜室Ｃに搬送し、基体１の
温度を３２０℃まで加熱した後、基体１に２００Ｖの直
流バイアスを印加しながら、Ｃｒからなり膜厚が１００
０Åの非磁性金属下地層２、続いて、Ｃｏ86Ｃｒ12Ｔａ
2 合金からなり膜厚が５００Åの磁性層３およびアモル
ファスカーボンからなり膜厚が２００Åの保護層４を順
次スパッタ法により成膜する。そして、保護層４の表面
側に、フロロカーボン系の液体潤滑剤を塗布して膜厚が
２０Åの潤滑層５を形成し、磁気記録ディスク１０を製
作する。
【００１７】図２に、基体１上に金属堆積物６を形成し
た段階で、金属堆積物６の形成側よりその表面形状をＡ
ＦＭを用いて観察した結果を示してある。なお、図２
（ａ）〜（ｃ）は、金属堆積物６の形成時に用いる（Ａ
ｒ＋Ｎ2 ）ガスに占めるＮ2 ガスの分圧比ＰN2を変化さ
せて形成した金属堆積物６の形成状態を示したものであ
り、図２（ａ）はＰN2＝１％、図２（ｂ）はＰN2＝１０
％をそれぞれ示し、図２（ｃ）には比較例としてＰN2＝
０％で形成した模様を示してある。
た段階で、金属堆積物６の形成側よりその表面形状をＡ
ＦＭを用いて観察した結果を示してある。なお、図２
（ａ）〜（ｃ）は、金属堆積物６の形成時に用いる（Ａ
ｒ＋Ｎ2 ）ガスに占めるＮ2 ガスの分圧比ＰN2を変化さ
せて形成した金属堆積物６の形成状態を示したものであ
り、図２（ａ）はＰN2＝１％、図２（ｂ）はＰN2＝１０
％をそれぞれ示し、図２（ｃ）には比較例としてＰN2＝
０％で形成した模様を示してある。
【００１８】これらの図において、金属堆積物６は、基
体１の表面全体に均一な膜厚さを有して形成されている
のではなく、Ａｌが局部的に凝集して凹凸の島をつく
り、この島が基体１の表面全体に離散的に分布する島状
膜として形成されており、その傾向は（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガ
スに占めるＮ2 ガスの分圧比ＰN2に比例して顕著になっ
ている。すなわち、Ｎ2 ガスの分圧比ＰN2の増加に伴っ
て金属堆積物６である島の形状は大きくなり、また、島
の相互間の間隔も広がっていることが判る。
体１の表面全体に均一な膜厚さを有して形成されている
のではなく、Ａｌが局部的に凝集して凹凸の島をつく
り、この島が基体１の表面全体に離散的に分布する島状
膜として形成されており、その傾向は（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガ
スに占めるＮ2 ガスの分圧比ＰN2に比例して顕著になっ
ている。すなわち、Ｎ2 ガスの分圧比ＰN2の増加に伴っ
て金属堆積物６である島の形状は大きくなり、また、島
の相互間の間隔も広がっていることが判る。
【００１９】〔実施例２〕図３は、本発明の実施例２に
係る磁気記録ディスク（磁気記録媒体）の構成を示す断
面図である。なお、本例の磁気記録ディスク１０ａにお
いて、図１に示す実施例１の磁気記録ディスク１０と同
一部分には同一参照符号を付し、その説明を省略する。
この磁気記録ディスク１０ａにおいて、磁気記録ディス
ク１０と異なる点は、金属堆積物６が磁性層３の表面に
形成されている点にある。
係る磁気記録ディスク（磁気記録媒体）の構成を示す断
面図である。なお、本例の磁気記録ディスク１０ａにお
いて、図１に示す実施例１の磁気記録ディスク１０と同
一部分には同一参照符号を付し、その説明を省略する。
この磁気記録ディスク１０ａにおいて、磁気記録ディス
ク１０と異なる点は、金属堆積物６が磁性層３の表面に
形成されている点にある。
【００２０】本例の磁気記録ディスク１０ａは、先に説
明した実施例１の磁気記録ディスク１０と略同様のプロ
セスで製作することができ、磁気記録ディスク１０ａに
おいては、基体１上に金属下地層２および磁性層３を連
続して形成した後に、実施例１と同様のスパッタリング
工程により磁性層３上に金属堆積物６を形成するもので
ある。
明した実施例１の磁気記録ディスク１０と略同様のプロ
セスで製作することができ、磁気記録ディスク１０ａに
おいては、基体１上に金属下地層２および磁性層３を連
続して形成した後に、実施例１と同様のスパッタリング
工程により磁性層３上に金属堆積物６を形成するもので
ある。
【００２１】このような構成の磁気記録ディスク１０ａ
について、実施例１と同様に、磁性層３上に金属堆積物
６を形成した段階で、金属堆積物６の形成側よりその表
面形状をＡＦＭを用いて観察した。その結果、本例の磁
気記録ディスク１０ａにおいても、実施例１の磁気記録
ディスク１０の場合と同様に、Ａｌが局部的に凝集した
金属堆積物６の島が磁性層３の表面全体に離散的に分布
している模様が観察され、基体１の表面、磁性層３の表
面のいずれであっても金属堆積物６の形成状態に大きな
差異は生じないことが確認された。従って、金属堆積物
６を基体１の表面、磁性層３の表面のいずれに形成して
も、ディスク表面に同等の凹凸を形成することが可能で
あるが、基体１上に金属堆積物６が形成されている実施
例１の磁気記録ディスク１０の方が磁性層３と磁気ヘッ
ドとの距離、所謂ヘッドの実効浮上量を小さくすること
ができるので、高記録密度媒体とする上で好ましい。
について、実施例１と同様に、磁性層３上に金属堆積物
６を形成した段階で、金属堆積物６の形成側よりその表
面形状をＡＦＭを用いて観察した。その結果、本例の磁
気記録ディスク１０ａにおいても、実施例１の磁気記録
ディスク１０の場合と同様に、Ａｌが局部的に凝集した
金属堆積物６の島が磁性層３の表面全体に離散的に分布
している模様が観察され、基体１の表面、磁性層３の表
面のいずれであっても金属堆積物６の形成状態に大きな
差異は生じないことが確認された。従って、金属堆積物
６を基体１の表面、磁性層３の表面のいずれに形成して
も、ディスク表面に同等の凹凸を形成することが可能で
あるが、基体１上に金属堆積物６が形成されている実施
例１の磁気記録ディスク１０の方が磁性層３と磁気ヘッ
ドとの距離、所謂ヘッドの実効浮上量を小さくすること
ができるので、高記録密度媒体とする上で好ましい。
【００２２】〔実施例１，２の磁気記録ディスク１０，
１０ａの評価〕つぎに、実施例１の磁気記録ディスク１
０および実施例２の磁気記録ディスク１０ａについて、
金属堆積物６の平均的な大きさをｄ、金属堆積物６の相
互間の間隔をｔとして、大きさｄ，間隔ｔの変化に伴う
磁気記録ディスクの特性について調査した結果を表１，
表２に示す。なお、表１には、金属堆積物６の大きさｄ
に着目した磁気記録ディスク特性を、表２には、金属堆
積物６の相互間の間隔ｔに着目した磁気記録ディスク特
性をそれぞれ示す。
１０ａの評価〕つぎに、実施例１の磁気記録ディスク１
０および実施例２の磁気記録ディスク１０ａについて、
金属堆積物６の平均的な大きさをｄ、金属堆積物６の相
互間の間隔をｔとして、大きさｄ，間隔ｔの変化に伴う
磁気記録ディスクの特性について調査した結果を表１，
表２に示す。なお、表１には、金属堆積物６の大きさｄ
に着目した磁気記録ディスク特性を、表２には、金属堆
積物６の相互間の間隔ｔに着目した磁気記録ディスク特
性をそれぞれ示す。
【００２３】ここでの調査項目は、中心線平均粗さＲ
ａ，最大高さＲｍａｘに加えて、薄膜磁気ヘッド（Ａｌ
2 Ｏ3 ／ＴｉＣスライダー）が磁気記録ディスク上を１
００ｒｐｍの速度で摺動した時の動摩擦係数μD （Ｓｌ
ｉｄｅ−μ）、および、温度が２５℃，湿度が８０％の
雰囲気中で１００時間保管した後の静止摩擦係数μS を
測定した。ここで、動摩擦係数μD は、磨耗特性への指
標であり、静止摩擦係数μS は、吸着し難さの指標であ
り、いずれもその値が小さい方が好ましいものである。
また、動摩擦係数μD の測定と並行して、薄膜磁気ヘッ
ドの３μｉｎｃｈ浮上試験を行ない、ヘッドクラッシュ
などの問題の発生の有無について調査した。
ａ，最大高さＲｍａｘに加えて、薄膜磁気ヘッド（Ａｌ
2 Ｏ3 ／ＴｉＣスライダー）が磁気記録ディスク上を１
００ｒｐｍの速度で摺動した時の動摩擦係数μD （Ｓｌ
ｉｄｅ−μ）、および、温度が２５℃，湿度が８０％の
雰囲気中で１００時間保管した後の静止摩擦係数μS を
測定した。ここで、動摩擦係数μD は、磨耗特性への指
標であり、静止摩擦係数μS は、吸着し難さの指標であ
り、いずれもその値が小さい方が好ましいものである。
また、動摩擦係数μD の測定と並行して、薄膜磁気ヘッ
ドの３μｉｎｃｈ浮上試験を行ない、ヘッドクラッシュ
などの問題の発生の有無について調査した。
【００２４】
【表１】
【００２５】表１において、動摩擦係数μD の欄の〇印
はμD ≦０．４を、△印は０．４＜μD ≦０．７を、×
印は０．７＜μD をそれぞれ示す。また、浮上特性の欄
の〇印はヘッドクラッシュなどの問題が無かったこと
を、×印は問題が発生したことをそれぞれ示す。
はμD ≦０．４を、△印は０．４＜μD ≦０．７を、×
印は０．７＜μD をそれぞれ示す。また、浮上特性の欄
の〇印はヘッドクラッシュなどの問題が無かったこと
を、×印は問題が発生したことをそれぞれ示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】表２において、動摩擦係数μD の欄の記載
については、表１と同様である。また、静止摩擦係数μ
S の欄の〇印はμS ≦０．６を、△印は０．６＜μS ≦
１．２を、×印は１．２＜μS （吸着）をそれぞれ示
す。
については、表１と同様である。また、静止摩擦係数μ
S の欄の〇印はμS ≦０．６を、△印は０．６＜μS ≦
１．２を、×印は１．２＜μS （吸着）をそれぞれ示
す。
【００２８】表１において、磁気記録ディスクの表面粗
さは、中心線平均粗さＲａ，最大高さＲｍａｘのいずれ
もｄが大きく、すなわち、金属堆積物６が大きくなるに
連れて大きくなっている。従って、金属堆積物６が小さ
な場合には、ディスク表面は極めて平滑であるので、磁
気ヘッドの浮上特性は良好であるが、一方で動摩擦係数
μD の値が大きく、磁気ヘッドの摺動特性は低い。これ
に対し、金属堆積物６が大きな場合には、ディスクの表
面粗さが大きいので、動摩擦係数μD の値が低減され、
良好な摺動特性を示す。しかしながら、必然的にヘッド
クラッシュなどが発生し易くなり、浮上特性は低下す
る。従って、表１から動摩擦係数μD および浮上特性の
いずれについても良好な磁気記録ディスクを実現するた
めには、その表面粗さを中心線平均粗さＲａで３〜７ｎ
ｍ，最大高さＲｍａｘで２０〜６５ｎｍとする必要があ
り、これは金属堆積物６の大きさｄを１５〜２００ｎｍ
とすることで達成できることが判る。
さは、中心線平均粗さＲａ，最大高さＲｍａｘのいずれ
もｄが大きく、すなわち、金属堆積物６が大きくなるに
連れて大きくなっている。従って、金属堆積物６が小さ
な場合には、ディスク表面は極めて平滑であるので、磁
気ヘッドの浮上特性は良好であるが、一方で動摩擦係数
μD の値が大きく、磁気ヘッドの摺動特性は低い。これ
に対し、金属堆積物６が大きな場合には、ディスクの表
面粗さが大きいので、動摩擦係数μD の値が低減され、
良好な摺動特性を示す。しかしながら、必然的にヘッド
クラッシュなどが発生し易くなり、浮上特性は低下す
る。従って、表１から動摩擦係数μD および浮上特性の
いずれについても良好な磁気記録ディスクを実現するた
めには、その表面粗さを中心線平均粗さＲａで３〜７ｎ
ｍ，最大高さＲｍａｘで２０〜６５ｎｍとする必要があ
り、これは金属堆積物６の大きさｄを１５〜２００ｎｍ
とすることで達成できることが判る。
【００２９】つぎに、表２において、金属堆積物６の相
互間の間隔ｔが小さい場合、すなわち、金属堆積物６同
士が隣接し合って形成され、凹凸形状の現出が明瞭でな
い場合には、動摩擦係数μD ，静止摩擦係数μS いずれ
の値も大きく、磁気記録ディスクの特性は低い。また、
間隔ｔが大き過ぎても、ディスク表面と磁気ヘッドとの
実質的な接触面積が増大することから動摩擦係数μD の
値が大きくなり、磁気ヘッドの摺動特性は低下する。従
って、表２から動摩擦係数μD および静止摩擦係数μS
のいずれについても良好な磁気記録ディスクを実現する
ためには、間隔ｔをｄ／５〜５ｄとする必要があること
が判る。
互間の間隔ｔが小さい場合、すなわち、金属堆積物６同
士が隣接し合って形成され、凹凸形状の現出が明瞭でな
い場合には、動摩擦係数μD ，静止摩擦係数μS いずれ
の値も大きく、磁気記録ディスクの特性は低い。また、
間隔ｔが大き過ぎても、ディスク表面と磁気ヘッドとの
実質的な接触面積が増大することから動摩擦係数μD の
値が大きくなり、磁気ヘッドの摺動特性は低下する。従
って、表２から動摩擦係数μD および静止摩擦係数μS
のいずれについても良好な磁気記録ディスクを実現する
ためには、間隔ｔをｄ／５〜５ｄとする必要があること
が判る。
【００３０】図４に、金属堆積物６の形成時に用いられ
る（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガスに占めるＮ2ガスの分圧比ＰN2の
変化に伴う磁気記録ディスクの表面粗さ（最大高さＲｍ
ａｘ）および動摩擦係数μD の推移を示してある。
る（Ａｒ＋Ｎ2 ）ガスに占めるＮ2ガスの分圧比ＰN2の
変化に伴う磁気記録ディスクの表面粗さ（最大高さＲｍ
ａｘ）および動摩擦係数μD の推移を示してある。
【００３１】この図から、Ｎ2 ガスの分圧比ＰN2が０．
５〜２０％の範囲内で金属堆積物６が形成された場合に
は、動摩擦係数μD は０．４以下の良好な値を示し、且
つ、ディスク表面粗さも最大高さＲｍａｘで２０〜６５
ｎｍであり、表１において明らかなように、摺動特性お
よび浮上特性のいずれにおいても優れた磁気記録ディス
クを実現することができる。
５〜２０％の範囲内で金属堆積物６が形成された場合に
は、動摩擦係数μD は０．４以下の良好な値を示し、且
つ、ディスク表面粗さも最大高さＲｍａｘで２０〜６５
ｎｍであり、表１において明らかなように、摺動特性お
よび浮上特性のいずれにおいても優れた磁気記録ディス
クを実現することができる。
【００３２】図５に、金属堆積物６を形成する際の基体
１の温度Ｔの変化に伴う磁気記録ディスクの表面粗さ
（最大高さＲｍａｘ）および動摩擦係数μD の推移を示
してある。
１の温度Ｔの変化に伴う磁気記録ディスクの表面粗さ
（最大高さＲｍａｘ）および動摩擦係数μD の推移を示
してある。
【００３３】本図において、基体１の温度Ｔが高いほど
最大高さＲｍａｘは大きく、動摩擦係数μD の値は小さ
くなっている。従って、動摩擦係数μD のみに着目すれ
ば、基体１の温度Ｔは高ければ高いほど動摩擦係数μD
の値は小さくなると想定されるので、摺動特性において
優れた磁気記録ディスクを実現できる。しかしながら、
表１に明らかなように、最大高さＲｍａｘが所定の値を
越えると、ヘッドクラッシュなど浮上特性の上からの問
題が発生する。これらのことを加味して考えると、摺動
特性および浮上特性のいずれをも満足する磁気記録ディ
スクを実現するためには、基体１の温度Ｔを１５０〜４
００℃の範囲内で金属堆積物６を形成することが有効で
あることが判る。
最大高さＲｍａｘは大きく、動摩擦係数μD の値は小さ
くなっている。従って、動摩擦係数μD のみに着目すれ
ば、基体１の温度Ｔは高ければ高いほど動摩擦係数μD
の値は小さくなると想定されるので、摺動特性において
優れた磁気記録ディスクを実現できる。しかしながら、
表１に明らかなように、最大高さＲｍａｘが所定の値を
越えると、ヘッドクラッシュなど浮上特性の上からの問
題が発生する。これらのことを加味して考えると、摺動
特性および浮上特性のいずれをも満足する磁気記録ディ
スクを実現するためには、基体１の温度Ｔを１５０〜４
００℃の範囲内で金属堆積物６を形成することが有効で
あることが判る。
【００３４】〔本発明の実施例の効果〕以上のとおり、
本発明の実施例１，２に係る磁気記録ディスク１０，１
０ａは、基体１の表面、または磁性層３の表面に金属堆
積物６を有しているため、ディスク表面に金属堆積物６
の形状が反映された微細な凹凸を形成することができ、
動摩擦係数μD および静止摩擦係数μS のいずれもが小
さく、しかも、浮上量として１〜３μｉｎｃｈという磁
気ヘッドの低浮上距離化が可能である。従って、耐磨耗
特性および耐吸着特性を改善して、磁気ヘッドの浮上距
離の短縮を図り、高記録密度の磁気記録ディスクを実現
することができる。
本発明の実施例１，２に係る磁気記録ディスク１０，１
０ａは、基体１の表面、または磁性層３の表面に金属堆
積物６を有しているため、ディスク表面に金属堆積物６
の形状が反映された微細な凹凸を形成することができ、
動摩擦係数μD および静止摩擦係数μS のいずれもが小
さく、しかも、浮上量として１〜３μｉｎｃｈという磁
気ヘッドの低浮上距離化が可能である。従って、耐磨耗
特性および耐吸着特性を改善して、磁気ヘッドの浮上距
離の短縮を図り、高記録密度の磁気記録ディスクを実現
することができる。
【００３５】なお、本発明の実施例１および実施例２に
おいては、金属堆積物を形成する非磁性金属としてＡｌ
を用いたが、これに限らず、Ａｌを含めたＴａ，Ｔｉ，
Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる群より選ばれた１種
の金属、または２種以上の合金であっても良い。また、
非磁性基体の非磁性支持体としてガラス板を用いたが、
この他、セラミック板，アルミニウム板，チタニウム金
属板，カーボン板およびシリコン板などであっても良い
ことは勿論である。
おいては、金属堆積物を形成する非磁性金属としてＡｌ
を用いたが、これに限らず、Ａｌを含めたＴａ，Ｔｉ，
Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる群より選ばれた１種
の金属、または２種以上の合金であっても良い。また、
非磁性基体の非磁性支持体としてガラス板を用いたが、
この他、セラミック板，アルミニウム板，チタニウム金
属板，カーボン板およびシリコン板などであっても良い
ことは勿論である。
【００３６】
【発明の効果】以上のとおり、本発明に係る磁気記録媒
体においては、非磁性基体の表面および薄膜磁性層の表
面のうちの少なくとも一方の表面に、窒素を含有する非
磁性の金属堆積物によって離散的に分布する凹凸が形成
され、この凹凸形状が媒体の最表面まで反映されている
ことを特徴とする。従って、本発明によれば、磁気記録
媒体の表面に微細な凹凸が形成されるので、表面粗さが
小さいにも拘らず、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの摩擦
係数を低減することができ、磁気ヘッドの低浮上化が可
能で、高記録密度の磁気記録媒体を実現することができ
る。
体においては、非磁性基体の表面および薄膜磁性層の表
面のうちの少なくとも一方の表面に、窒素を含有する非
磁性の金属堆積物によって離散的に分布する凹凸が形成
され、この凹凸形状が媒体の最表面まで反映されている
ことを特徴とする。従って、本発明によれば、磁気記録
媒体の表面に微細な凹凸が形成されるので、表面粗さが
小さいにも拘らず、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの摩擦
係数を低減することができ、磁気ヘッドの低浮上化が可
能で、高記録密度の磁気記録媒体を実現することができ
る。
【００３７】ここで、金属堆積物の大きさｄが１５ｎｍ
から２００ｎｍまでの範囲にあり、且つ、金属堆積物の
相互間の間隔ｔがｄ／５から５ｄまでの範囲として金属
堆積物を形成した場合には、保護層の表面粗さを中心線
平均粗さＲａで３ｎｍから７ｎｍ，最大高さＲｍａｘで
２０ｎｍから６５ｎｍまでの範囲に制限することがで
き、磁気ヘッドの浮上距離を１μｉｎｃｈから３μｉｎ
ｃｈとすることが可能となるので、磁気記録媒体の高記
録密度化に加えて、磁気ヘッドとのトライボロジーも満
足される。
から２００ｎｍまでの範囲にあり、且つ、金属堆積物の
相互間の間隔ｔがｄ／５から５ｄまでの範囲として金属
堆積物を形成した場合には、保護層の表面粗さを中心線
平均粗さＲａで３ｎｍから７ｎｍ，最大高さＲｍａｘで
２０ｎｍから６５ｎｍまでの範囲に制限することがで
き、磁気ヘッドの浮上距離を１μｉｎｃｈから３μｉｎ
ｃｈとすることが可能となるので、磁気記録媒体の高記
録密度化に加えて、磁気ヘッドとのトライボロジーも満
足される。
【００３８】また、金属堆積物を形成する非磁性金属を
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる
群より選ばれた１種の金属、または２種以上の合金とす
れば、これらの金属はいずれも窒化物形成能に優れてい
るため、選択する金属または合金に拘らず、略同様の成
膜プロセスにより形成することができるので、生産性が
良い。
Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる
群より選ばれた１種の金属、または２種以上の合金とす
れば、これらの金属はいずれも窒化物形成能に優れてい
るため、選択する金属または合金に拘らず、略同様の成
膜プロセスにより形成することができるので、生産性が
良い。
【図１】本発明の実施例１に係る磁気記録ディスク（磁
気記録媒体）の構成を示す断面図である。
気記録媒体）の構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）のいずれも、凹凸層形成時に用
いられる混合スパッタリングガスに占める窒素ガスの分
圧比の変化に対応する凹凸層の表面状態を観察した場合
の模式図である。
いられる混合スパッタリングガスに占める窒素ガスの分
圧比の変化に対応する凹凸層の表面状態を観察した場合
の模式図である。
【図３】本発明の実施例２に係る磁気記録ディスク（磁
気記録媒体）の構成を示す断面図である。
気記録媒体）の構成を示す断面図である。
【図４】金属堆積物形成時に用いられる混合スパッタリ
ングガスに占める窒素ガスの分圧比の変化に伴う磁気記
録ディスクの表面粗さ（最大高さＲｍａｘ）および動摩
擦係数μD の推移を示すグラフ図である。
ングガスに占める窒素ガスの分圧比の変化に伴う磁気記
録ディスクの表面粗さ（最大高さＲｍａｘ）および動摩
擦係数μD の推移を示すグラフ図である。
【図５】金属堆積物形成時の基体温度の変化に伴う磁気
記録ディスクの表面粗さ（最大高さＲｍａｘ）および動
摩擦係数μD の推移を示すグラフ図である。
記録ディスクの表面粗さ（最大高さＲｍａｘ）および動
摩擦係数μD の推移を示すグラフ図である。
【図６】従来の磁気記録ディスク（磁気記録媒体）の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【符号の説明】 １・・・基体 ２・・・金属下地層 ３・・・磁性層（薄膜磁性層） ４・・・保護層 ５・・・潤滑層 ６・・・金属堆積物 １０，１０ａ・・・磁気記録ディスク １１・・・ガラス基板 １２・・・非磁性金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 恒 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 非磁性基体の表面側に、非磁性の金属下
地層と、この金属下地層上に形成された強磁性合金の薄
膜磁性層と、この薄膜磁性層の表面側に形成された保護
層とを少なくとも有する磁気記録媒体であって、 前記非磁性基体の表面および前記薄膜磁性層の表面のう
ちの少なくとも一方の表面には、窒素を含有する非磁性
の金属堆積物によって離散的に分布する凹凸が形成され
ており、これらの凹凸が前記保護層の表面にまで反映さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１において、前記金属堆積物の大
きさをｄ、前記金属堆積物の相互間の間隔をｔとした場
合に、ｄが１５ｎｍから２００ｎｍまでの範囲にあり、
且つ、ｔがｄ／５から５ｄまでの範囲にあることを特徴
とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２において、前記
金属堆積物を形成する非磁性金属は、Ａｌ，Ｔａ，Ｔ
ｉ，Ｓｉ，Ｂ，ＺｒおよびＣｒからなる群より選ばれた
１種の金属、または２種以上の合金であることを特徴と
する磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１ないし請求項３のいずれかの項
に規定する磁気記録媒体の製造方法であって、前記非磁
性基体を所定の温度に加熱した状態で、Ａｒガスと窒素
ガスとからなる混合スパッタリングガス雰囲気下におい
て前記金属堆積物をスパッタ形成するスパッタリング工
程を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４において、前記非磁性基体の加
熱温度が１５０℃から４００℃までの範囲にあり、且
つ、前記混合スパッタリングガスに占める窒素ガスの分
圧比が０．５％から２０％までの範囲にあることを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
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