JPS62134826A - 磁気記憶体の製造方法 - Google Patents
磁気記憶体の製造方法Info
- Publication number
- JPS62134826A JPS62134826A JP27454685A JP27454685A JPS62134826A JP S62134826 A JPS62134826 A JP S62134826A JP 27454685 A JP27454685 A JP 27454685A JP 27454685 A JP27454685 A JP 27454685A JP S62134826 A JPS62134826 A JP S62134826A
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- Japan
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- nonmagnetic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ディスク、磁気ドラム、磁気テープ等の磁
気記憶体の製造方法に関する。
気記憶体の製造方法に関する。
（従来の技術）
磁気ディスクの表面を微細な粗面とするために現在量も
一般的に用いられている方法は、磁性薄膜や保護膜を被
覆する磁気ディスク基板に機械的研磨を施こす方法（特
開昭５９−１５０５８２）である。
一般的に用いられている方法は、磁性薄膜や保護膜を被
覆する磁気ディスク基板に機械的研磨を施こす方法（特
開昭５９−１５０５８２）である。
これは、あらかじめ表面粗さＳｎｍ程度に鏡面仕上げさ
れた磁気ディスク基板を回転させ、その基板面に対して
弾性体に保持されたラッピングフィルムを加圧接触する
ものである。その際、ラッピングフィルム上の砥粒の寸
法や、フィルムと基板との接触圧力を制御することによ
って、回転する磁気ディスク基板に同心円状の微細な凹
凸が基板全面にわたって形成される。この基板の表面粗
さがその後被覆する磁性膜、保護膜に順次受継がれ、最
終的に磁気ディスク表面を微細な粗面とする方法である
。
れた磁気ディスク基板を回転させ、その基板面に対して
弾性体に保持されたラッピングフィルムを加圧接触する
ものである。その際、ラッピングフィルム上の砥粒の寸
法や、フィルムと基板との接触圧力を制御することによ
って、回転する磁気ディスク基板に同心円状の微細な凹
凸が基板全面にわたって形成される。この基板の表面粗
さがその後被覆する磁性膜、保護膜に順次受継がれ、最
終的に磁気ディスク表面を微細な粗面とする方法である
。
（発明が解決しようさする問題点）
金属磁性薄膜を用いた磁気記憶体には起動・停止間に生
じる磁気ヘッドとの摩擦接触やヘッドクララシーに耐え
るために一般に保護膜が設けられ、さらに保護膜上ｌこ
潤滑剤が塗布されている。耐ヘッドクラツシユ性や耐摩
耗性の向上のためには保護膜を鏡面状に平滑化すること
が有効であるが、そのような保護膜上に液体潤滑剤を塗
布した場合には、潤滑剤中の溶媒や界面活性成分が磁気
記憶体と磁気ヘッドとの界面に薄く広がり、表面張力に
よる吸着力が増加するためにヘッド吸着現象が生じ易い
こと、また磁気記憶体の高速回転に伴う遠心力により潤
滑剤が飛散する、いわゆるスピンオフ現象を生じ易いな
どの問題点が指摘されている。それらの問題を解決する
手段として、従来の技術の項に記載した方法が一般番こ
採用されている。
じる磁気ヘッドとの摩擦接触やヘッドクララシーに耐え
るために一般に保護膜が設けられ、さらに保護膜上ｌこ
潤滑剤が塗布されている。耐ヘッドクラツシユ性や耐摩
耗性の向上のためには保護膜を鏡面状に平滑化すること
が有効であるが、そのような保護膜上に液体潤滑剤を塗
布した場合には、潤滑剤中の溶媒や界面活性成分が磁気
記憶体と磁気ヘッドとの界面に薄く広がり、表面張力に
よる吸着力が増加するためにヘッド吸着現象が生じ易い
こと、また磁気記憶体の高速回転に伴う遠心力により潤
滑剤が飛散する、いわゆるスピンオフ現象を生じ易いな
どの問題点が指摘されている。それらの問題を解決する
手段として、従来の技術の項に記載した方法が一般番こ
採用されている。
しかし、この方法では、はじめに基板表面を粗さ５ ｎ
、ｍ程度ｌこ仕上げた後に微細な粗面を得るためのラッ
ピング工程を基板一枚毎に行うことから、磁気ディスク
の生産性の面で問題がある。また、基板の表面粗さが磁
性薄膜に受継がれ、磁性薄膜も微細な凹凸を有するため
に、記録再生特性やＳＮ比の向上を達成するうえで不利
な要因となっている。
、ｍ程度ｌこ仕上げた後に微細な粗面を得るためのラッ
ピング工程を基板一枚毎に行うことから、磁気ディスク
の生産性の面で問題がある。また、基板の表面粗さが磁
性薄膜に受継がれ、磁性薄膜も微細な凹凸を有するため
に、記録再生特性やＳＮ比の向上を達成するうえで不利
な要因となっている。
前述した磁気ヘッドの吸着現象や潤滑油のスピンオフ現
象を回避するためには、磁気ディスク表面に少なくとも
５ ｎｍ以上の微細な凹凸を設ける必要があるが、記録
再生特性の向上と安定化、磁気ディスクの機械的耐久性
の面から、磁気ディスクの表面粗さは磁気ヘッドの浮上
量の１０チ以下にすべきであるとされている。最近の高
密度記録達成の要求に伴なう磁気ヘッドの低浮上量化や
垂直記録方式の実用化は、７閏滑剤を安定して保持しう
る表面粗さを有し、しかも良好な耐摩耗性を備えた保護
膜作製技術の確立を求めている。
象を回避するためには、磁気ディスク表面に少なくとも
５ ｎｍ以上の微細な凹凸を設ける必要があるが、記録
再生特性の向上と安定化、磁気ディスクの機械的耐久性
の面から、磁気ディスクの表面粗さは磁気ヘッドの浮上
量の１０チ以下にすべきであるとされている。最近の高
密度記録達成の要求に伴なう磁気ヘッドの低浮上量化や
垂直記録方式の実用化は、７閏滑剤を安定して保持しう
る表面粗さを有し、しかも良好な耐摩耗性を備えた保護
膜作製技術の確立を求めている。
（問題点を解決するための手段）
そこで、本発明は金属磁性薄膜を用いる磁気記・重体の
表面上に少なくとも１層の非磁性金属を被覆した後に５
熱酸化処理を施すことによって表面層を微細な粗面を有
する非磁性酸化物ζこ変成させることを特徴とする磁気
記憶体の製造方法により、高密度記録およびＳＮ比の達
成に適した平潤度（最大粗さ５ ｎｍ以下）を磁性薄膜
に維持しつつ、しかも潤滑剤のスピンオフ現象や磁気ヘ
ッドの吸着現象を抑制しうる微細な表面粗さを有する保
護膜を設けた磁気記憶体を提供するものである。
表面上に少なくとも１層の非磁性金属を被覆した後に５
熱酸化処理を施すことによって表面層を微細な粗面を有
する非磁性酸化物ζこ変成させることを特徴とする磁気
記憶体の製造方法により、高密度記録およびＳＮ比の達
成に適した平潤度（最大粗さ５ ｎｍ以下）を磁性薄膜
に維持しつつ、しかも潤滑剤のスピンオフ現象や磁気ヘ
ッドの吸着現象を抑制しうる微細な表面粗さを有する保
護膜を設けた磁気記憶体を提供するものである。
（作用）
本発明の基本は磁性薄膜を含む下地体上に被覆した非磁
性金属層に熱酸化処理を施すことにより酸化保護嗅とす
るものである。加熱過程においては酸化現象の他に原子
の熱拡散に伴なう非磁性金属の緻密化や初期結晶粒の成
長、また非磁性金属層を構成する材料によっては融解、
初期析出物の分解或いは成長、第２相の析出等の現象が
進行し、それらの現象の進行程度ｔこよって表面突起の
高さ、形状、数が変化するためｌこ異なった表面形態が
得られることが知られている。特に、構造的かつ熱力学
的に不安定な状態にある金ｗ４薄膜においては前記諸現
象のすみやかな進行と、それに伴って著しい表面形態の
変化が生じる。
性金属層に熱酸化処理を施すことにより酸化保護嗅とす
るものである。加熱過程においては酸化現象の他に原子
の熱拡散に伴なう非磁性金属の緻密化や初期結晶粒の成
長、また非磁性金属層を構成する材料によっては融解、
初期析出物の分解或いは成長、第２相の析出等の現象が
進行し、それらの現象の進行程度ｔこよって表面突起の
高さ、形状、数が変化するためｌこ異なった表面形態が
得られることが知られている。特に、構造的かつ熱力学
的に不安定な状態にある金ｗ４薄膜においては前記諸現
象のすみやかな進行と、それに伴って著しい表面形態の
変化が生じる。
（５）〜１、
また、機械的研磨によって得られる表面突起は突起頂角
が鋭角で、その形状が円すい形近似されるのに対して、
本発明では頂角が鈍角な半球状の表面突起が形成される
。さらに、機械的研磨法では表面突起の分布状侭（線密
度）が磁気ディスクの内周側と外周側で若干異なるが、
本発明では極めて均一な分布状態が得られる。
が鋭角で、その形状が円すい形近似されるのに対して、
本発明では頂角が鈍角な半球状の表面突起が形成される
。さらに、機械的研磨法では表面突起の分布状侭（線密
度）が磁気ディスクの内周側と外周側で若干異なるが、
本発明では極めて均一な分布状態が得られる。
（実施例）
以下、この発明の実施例を詳細に説明する。
旋盤加工および熱矯正によって十分小さなうねり（円周
方向：５０μｍ以下、半径方向：１０μｍ以下）を有し
た表面に仕上げられたディスク状のアルミニウム合金基
板上にＮ１−Ｐ非磁性合金を約５０μｍの厚さにめっき
し、このＮ１−Ｐ膜に研磨とボリシング加工を施こすこ
とによっＣ表面粗さ５ ｎｍ以下に鏡面仕上げした。さ
らに、その上にＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性媒体を厚さ８０ ｎ
ｍ無電解めっきした。磁性媒体の表面粗さも５ ｎｍ以
下であり、以後に示す実施例はすべてこのＣｏ−Ｎ１−
Ｐ磁性薄膜を含むアルミニウム合金基板を下地体として
使用（６ト した。
方向：５０μｍ以下、半径方向：１０μｍ以下）を有し
た表面に仕上げられたディスク状のアルミニウム合金基
板上にＮ１−Ｐ非磁性合金を約５０μｍの厚さにめっき
し、このＮ１−Ｐ膜に研磨とボリシング加工を施こすこ
とによっＣ表面粗さ５ ｎｍ以下に鏡面仕上げした。さ
らに、その上にＣｏ−Ｎ１−Ｐ磁性媒体を厚さ８０ ｎ
ｍ無電解めっきした。磁性媒体の表面粗さも５ ｎｍ以
下であり、以後に示す実施例はすべてこのＣｏ−Ｎ１−
Ｐ磁性薄膜を含むアルミニウム合金基板を下地体として
使用（６ト した。
試料１の磁気ディスクは前記下地体上にＲＦマグネトロ
ンスパッタ法によりＳｎを厚さ５０ ｎｍ被覆した後に
、大気中２６０℃に加熱した炉内へ直接装入し、１時間
の熱酸化処理を施こしたものである。試料１の磁気ディ
スクの最終的な表面粗さは２５ ｎｍ、突起線密度は３
．０Ｘ１０”個／ｎであった。試料２〜試料１２の作製
条件の詳細は、被覆した非磁性金属と熱酸化条件に分類
して第１表りこ一括して示した。なお、試料９〜試料１
２は磁性媒体上に非磁性金属（１） （８）： としてＮ１−Ｐ合金を無電解めっき法により被覆した後
に、 Ｓｎ、Ｂｉの非磁性金属（２）をＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により被覆した磁気ディスクである。
ンスパッタ法によりＳｎを厚さ５０ ｎｍ被覆した後に
、大気中２６０℃に加熱した炉内へ直接装入し、１時間
の熱酸化処理を施こしたものである。試料１の磁気ディ
スクの最終的な表面粗さは２５ ｎｍ、突起線密度は３
．０Ｘ１０”個／ｎであった。試料２〜試料１２の作製
条件の詳細は、被覆した非磁性金属と熱酸化条件に分類
して第１表りこ一括して示した。なお、試料９〜試料１
２は磁性媒体上に非磁性金属（１） （８）： としてＮ１−Ｐ合金を無電解めっき法により被覆した後
に、 Ｓｎ、Ｂｉの非磁性金属（２）をＲＦマグネトロ
ンスパッタ法により被覆した磁気ディスクである。
また、第２表に熱酸化処理後の磁気ディスクの表面粗さ
と突起線密度を示した。
と突起線密度を示した。
第 ２ 表
次に比較試料として前述した下地体上にスピンコート法
によりＳ ｉ ０ｘｆｊＨ護膜を厚さ６０ ｎｍ被覆し
たものを作製した。比較試料１の表面粗さは約５ｍｍ
、突起線密度４．０Ｘ１０”（個／闘）であった。
によりＳ ｉ ０ｘｆｊＨ護膜を厚さ６０ ｎｍ被覆し
たものを作製した。比較試料１の表面粗さは約５ｍｍ
、突起線密度４．０Ｘ１０”（個／闘）であった。
また比較試料２として磁気ディスクは前述した下地体に
おいて表面粗さＳｎｍ以下に研磨とボリシング加工を施
したＮ１−Ｐ膜にさらにラッピング処理を施すことによ
って表面粗さを２５ ｎｍとした後に、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ
磁性媒体を厚さ８０ ｎｍ無電解めっき法により被覆し
た。この磁性媒体上にさらにスパッタ法により５ｉ０１
を厚さ６０ ｎＩｎ被覆し。
おいて表面粗さＳｎｍ以下に研磨とボリシング加工を施
したＮ１−Ｐ膜にさらにラッピング処理を施すことによ
って表面粗さを２５ ｎｍとした後に、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ
磁性媒体を厚さ８０ ｎｍ無電解めっき法により被覆し
た。この磁性媒体上にさらにスパッタ法により５ｉ０１
を厚さ６０ ｎＩｎ被覆し。
保護膜とした。比較試料２の磁気ディスクの表面粗さは
約２０ ｎｍ、突起線密度は２．５Ｘ１０”（イｍｌ／
！！ｌ ）であった。
約２０ ｎｍ、突起線密度は２．５Ｘ１０”（イｍｌ／
！！ｌ ）であった。
試料１と比較試料２の表面を走査型電子顕微鏡と表面粗
さ測定装置を用いて観察したところ、試料１においてよ
り均一に表面突起が形成されており、突起頂角も鈍角で
半球状に近似できる表面突起であることがわかった。
さ測定装置を用いて観察したところ、試料１においてよ
り均一に表面突起が形成されており、突起頂角も鈍角で
半球状に近似できる表面突起であることがわかった。
本発明に基づいて作製した１２種の磁気ディスクと、比
較のためｌこ作製した２種のｍ気ディスク（１１、’八 ゛１ 上に液体潤滑剤である直鎖パーフロロアルキルポリエー
テルを厚さ３０ ｎｍスピンコード法により被覆したも
のについて、磁気ヘッドとの吸着特性、高速回転下での
潤滑剤のスピンオフ特性を調べた。
較のためｌこ作製した２種のｍ気ディスク（１１、’八 ゛１ 上に液体潤滑剤である直鎖パーフロロアルキルポリエー
テルを厚さ３０ ｎｍスピンコード法により被覆したも
のについて、磁気ヘッドとの吸着特性、高速回転下での
潤滑剤のスピンオフ特性を調べた。
吸着特性は磁気ディスク装置の回転起動時にディスクと
ヘッド間に作用する接線力（以下、静止摩擦力と呼ぶ。
ヘッド間に作用する接線力（以下、静止摩擦力と呼ぶ。
）を７１１１１定し、静止摩擦力の大小を吸着特性の目
安とした。静止摩擦力の測定条件は。
安とした。静止摩擦力の測定条件は。
スライダー材料： Ａｌｔ Ｏｓ Ｔ ｉＣ垂直荷重：
１０ｇ温度＝２０℃湿度二８０％である。第３表に１０
０回と３万回目のＣ８５（コンタクト・スタート・スト
ップ）試験において測定した静止摩擦力を示す。
１０ｇ温度＝２０℃湿度二８０％である。第３表に１０
０回と３万回目のＣ８５（コンタクト・スタート・スト
ップ）試験において測定した静止摩擦力を示す。
第 ３ 表
本発明に基づいて作製した試料は比較試料に比較して一
般に静止摩擦力が小さく、試験回数に伴なう静止摩擦力
の変化の程度も極めて小さいこ七がわかる。不発明の磁
気ディスクでは磁気ヘッド鰺 ＼ の吸着現象が生じ難いことから、磁気ディスク装置の起
動トルクの増加によるモーター負荷を軽減できることが
わかった。また、本発明の磁気ディスクでは接触走行時
の摩擦係数も小さいので、摩擦損傷を軽減し、信頼性を
高めるという利点が認められた。
般に静止摩擦力が小さく、試験回数に伴なう静止摩擦力
の変化の程度も極めて小さいこ七がわかる。不発明の磁
気ディスクでは磁気ヘッド鰺 ＼ の吸着現象が生じ難いことから、磁気ディスク装置の起
動トルクの増加によるモーター負荷を軽減できることが
わかった。また、本発明の磁気ディスクでは接触走行時
の摩擦係数も小さいので、摩擦損傷を軽減し、信頼性を
高めるという利点が認められた。
次に、潤滑剤のスピンオフ特性は、磁気ディスクＩＬＥ
Ｊ転速度３６００ ｒｐｍ＋温度３５℃、湿度６０％の
条件下で１０００時間磁気ディスクを回転させ、試験後
の潤滑剤の膜厚によって評価した。試験後に測定した潤
滑剤の膜厚を第４表に示す。
Ｊ転速度３６００ ｒｐｍ＋温度３５℃、湿度６０％の
条件下で１０００時間磁気ディスクを回転させ、試験後
の潤滑剤の膜厚によって評価した。試験後に測定した潤
滑剤の膜厚を第４表に示す。
パ・ニー７′
住Ｊ
第 ４ 表
はじめに塗布した潤滑剤の膜厚は３０ ｎｍであるから
、回転による潤滑剤の飛散量は最も多い試料３の磁気デ
ィスクにおいても４０％であり、従来品である比較試料
２と同等或いはより有効に潤滑剤のスピンオフを防止し
ている。
、回転による潤滑剤の飛散量は最も多い試料３の磁気デ
ィスクにおいても４０％であり、従来品である比較試料
２と同等或いはより有効に潤滑剤のスピンオフを防止し
ている。
（１４） −ら＼
さらに１本発明による磁気ディスクのＳＮ比は比較試料
２のそれよりも２〜４ ｄＢ高い値を示し磁性媒体層に
鏡面状の平温性（表面粗さ５ ｎｍ以下）を雌性してい
ることがＳＮ比の向上に有効であることがわかった。
２のそれよりも２〜４ ｄＢ高い値を示し磁性媒体層に
鏡面状の平温性（表面粗さ５ ｎｍ以下）を雌性してい
ることがＳＮ比の向上に有効であることがわかった。
ここで、Ｓｎ、Ｂｉ等の上記非磁性金属層はＲＦマグネ
トロンスパッタ法によって作製したが、蒸着。
トロンスパッタ法によって作製したが、蒸着。
めっき、塩浴法によって被覆することができる。
また、潤滑剤は液体潤滑剤の他、固体潤滑剤を液体溶媒
とともに塗布した場合においても前述したと同様の効果
が得られる。
とともに塗布した場合においても前述したと同様の効果
が得られる。
（発明の効果）
以上詳述したように本発明に基づいて作製した磁気ディ
スクは磁気ヘッドとの吸着を防止し、低い摩擦係数を示
すために接触走行時に問題となる機械的耐久性の向上が
達せられている。また、磁気ディスクを高速回転させて
も潤滑剤のスピンオフを低減するとの効果を有している
。
スクは磁気ヘッドとの吸着を防止し、低い摩擦係数を示
すために接触走行時に問題となる機械的耐久性の向上が
達せられている。また、磁気ディスクを高速回転させて
も潤滑剤のスピンオフを低減するとの効果を有している
。
Claims (3)
- （１）磁気記憶体の表面上に少なくとも１層の非磁性金
属を被覆した後に、熱酸化処理を施すことによって表面
層を微細な粗面を有する非磁性酸化物に変成させること
を特徴とする磁気記憶体の製造方法。 - （２）前記非磁性金属がＳｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎから選
ばれる一つ又は二つ以上の元素からなる特許請求の範囲
第１項記載の磁気記憶体の製造方法。 - （３）前記非磁性酸化物は表面粗さが２５ｎｍ以下であ
り、その表面突起の線密度が１×１０＾３個／ｍｍ以上
である特許請求の範囲第１項記載の磁気記憶体の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27454685A JPS62134826A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 磁気記憶体の製造方法 |
| US06/933,081 US4758474A (en) | 1985-11-20 | 1986-11-20 | Magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27454685A JPS62134826A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62134826A true JPS62134826A (ja) | 1987-06-17 |
Family
ID=17543220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27454685A Pending JPS62134826A (ja) | 1985-11-20 | 1985-12-05 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62134826A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007153426A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Dainippon Printing Co Ltd | スパウト |
| JP2007153427A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Dainippon Printing Co Ltd | スパウト |
| US7972897B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-07-05 | Intermolecular, Inc. | Methods for forming resistive switching memory elements |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP27454685A patent/JPS62134826A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007153426A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Dainippon Printing Co Ltd | スパウト |
| JP2007153427A (ja) * | 2005-12-07 | 2007-06-21 | Dainippon Printing Co Ltd | スパウト |
| US7972897B2 (en) * | 2007-02-05 | 2011-07-05 | Intermolecular, Inc. | Methods for forming resistive switching memory elements |
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