JPH0416855B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0416855B2 JPH0416855B2 JP57192460A JP19246082A JPH0416855B2 JP H0416855 B2 JPH0416855 B2 JP H0416855B2 JP 57192460 A JP57192460 A JP 57192460A JP 19246082 A JP19246082 A JP 19246082A JP H0416855 B2 JPH0416855 B2 JP H0416855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- disk
- thin film
- substrate
- magnetic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 6
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の利用分野]
本発明は、垂直磁気記録媒体に用いられている
Co−Cr磁性薄膜の構造とその製造方法に関する
ものであり、特にCo−Cr磁性薄膜の耐ヘツド摺
動性の向上に関するものである。
Co−Cr磁性薄膜の構造とその製造方法に関する
ものであり、特にCo−Cr磁性薄膜の耐ヘツド摺
動性の向上に関するものである。
[従来技術]
Co−Cr磁性薄膜は強い垂直磁気異方性を示し、
垂直磁気記録媒体として優れた特性をもつてい
る。しかし、その実用化には解決すべきいくつか
の問題点がある。その中で最も大きな問題点は、
ヘツドとの接触に対する強度、すなわち、耐ヘツ
ド摺動性である。例えば、ウイチエスタ型ヘツド
を用い、Co−Cr磁性薄膜が被着されたデイスク
の、高速回転下における記録・再生実験を行なう
と、ヘツドクラツシユによりスクラツチが発生
し、出力の低下を招くことがしばしば発生する。
垂直磁気記録媒体として優れた特性をもつてい
る。しかし、その実用化には解決すべきいくつか
の問題点がある。その中で最も大きな問題点は、
ヘツドとの接触に対する強度、すなわち、耐ヘツ
ド摺動性である。例えば、ウイチエスタ型ヘツド
を用い、Co−Cr磁性薄膜が被着されたデイスク
の、高速回転下における記録・再生実験を行なう
と、ヘツドクラツシユによりスクラツチが発生
し、出力の低下を招くことがしばしば発生する。
このCo−Cr磁性薄膜の耐ヘツド摺動性を改良
するため、Co−Cr磁性薄膜表面に保護膜を設け、
耐ヘツド摺動性を向上させる方法がある。しか
し、強度をあげるために保護膜をあまり厚くする
と、記録・再生時におけるスペーシング損失が増
大する。特に、垂直磁気記録のように、きわめて
線記録密度の高い条件での使用を要求されている
場合、その保護膜は厚さが0.05μm以下である必
要がある。従来、Co−Cr磁性薄膜用の保護膜と
しては、スパツタリング法で作製したSiO2膜が
あるが、上記したような極薄の条件下において
は、得られた膜にピンホールが多く発生し、耐ヘ
ツド摺動性も十分な強度をもつものといえない。
するため、Co−Cr磁性薄膜表面に保護膜を設け、
耐ヘツド摺動性を向上させる方法がある。しか
し、強度をあげるために保護膜をあまり厚くする
と、記録・再生時におけるスペーシング損失が増
大する。特に、垂直磁気記録のように、きわめて
線記録密度の高い条件での使用を要求されている
場合、その保護膜は厚さが0.05μm以下である必
要がある。従来、Co−Cr磁性薄膜用の保護膜と
しては、スパツタリング法で作製したSiO2膜が
あるが、上記したような極薄の条件下において
は、得られた膜にピンホールが多く発生し、耐ヘ
ツド摺動性も十分な強度をもつものといえない。
[発明の目的]
本発明の目的は、上述したような従来技術の問
題点を解決するために、垂直磁気記録媒体として
のCo−Cr磁性薄膜の表面に形成する薄厚0.02〜
0.05μmの極薄で、緻密な膜構造をもち、かつ、
耐ヘツド摺動性の優れた保護膜を提供することに
ある。
題点を解決するために、垂直磁気記録媒体として
のCo−Cr磁性薄膜の表面に形成する薄厚0.02〜
0.05μmの極薄で、緻密な膜構造をもち、かつ、
耐ヘツド摺動性の優れた保護膜を提供することに
ある。
[発明の概要]
本発明は、アルミニウムの表面にCu−Sn合金
膜を被着した基体またはアルミニウムにアルマイ
ト処理を施した基体上に、CoとCrを主成分とす
る垂直磁化膜を被着した後、熱酸化処理すると、
垂直磁化膜の表面に耐ヘツド摺動性の優れた保護
膜を形成できることを見つけ、その目的を達成し
たものである。
膜を被着した基体またはアルミニウムにアルマイ
ト処理を施した基体上に、CoとCrを主成分とす
る垂直磁化膜を被着した後、熱酸化処理すると、
垂直磁化膜の表面に耐ヘツド摺動性の優れた保護
膜を形成できることを見つけ、その目的を達成し
たものである。
[発明の実施例]
以下に本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。鏡面研磨のなされた直径100mmのAl円板上に
Cu−Sn合金を厚さ20μmに電気めつきし、再度そ
の表面を鏡面研磨し、デイスク基板とした。この
基板上に膜厚0.3μmのSiO2膜を被着し、さらにそ
の上に膜厚0.5μmのCo−Cr磁性薄膜をスパツタ
リング法で被着し、このデイスクをA−2とす
る。Co−Cr磁性薄膜のCr含有量は16重量%であ
る。上記SiO2膜等の非晶質膜はCo−Cr磁性薄膜
の結晶の配向性を改善し、磁気特性を向上させる
のに効果があるが、必ずしも設ける必要はない。
る。鏡面研磨のなされた直径100mmのAl円板上に
Cu−Sn合金を厚さ20μmに電気めつきし、再度そ
の表面を鏡面研磨し、デイスク基板とした。この
基板上に膜厚0.3μmのSiO2膜を被着し、さらにそ
の上に膜厚0.5μmのCo−Cr磁性薄膜をスパツタ
リング法で被着し、このデイスクをA−2とす
る。Co−Cr磁性薄膜のCr含有量は16重量%であ
る。上記SiO2膜等の非晶質膜はCo−Cr磁性薄膜
の結晶の配向性を改善し、磁気特性を向上させる
のに効果があるが、必ずしも設ける必要はない。
また同様に鏡面研磨のなされた直径100mmのAl
円板をアルマイト処理し、膜厚5μmのアルミナ膜
を被覆し、再度その表面を鏡面研磨し、デイスク
基板とした。この基板上に膜厚0.3μmのSiO2膜を
被着し、さらにその上に膜厚0.5μmのCo−Cr磁
性薄膜をスパツタリング法で被着し、このデイス
クをA−3とする。
円板をアルマイト処理し、膜厚5μmのアルミナ膜
を被覆し、再度その表面を鏡面研磨し、デイスク
基板とした。この基板上に膜厚0.3μmのSiO2膜を
被着し、さらにその上に膜厚0.5μmのCo−Cr磁
性薄膜をスパツタリング法で被着し、このデイス
クをA−3とする。
次に、デイスクA−2,A−3を空気中、300
℃で1時間熱酸化し、Co−Cr磁性薄膜表面に、
酸化物からなる被膜を形成した。それらのデイス
クをD−2,D−3とする。この2種類のデイス
クについて、下記の方法で耐ヘツド摺動性テスト
を行なつた。すなわち、加重2gのウイチエスタ
型ヘツドを用い、最初、デイスクの停止状態にお
いてヘツドをデイスク表面に接触させておく。デ
イスクの回転を始め、6秒後に15m/sの定速状
態に達した後、3秒間記録・再生を行ない、出力
値を記録する。さらに、次の6秒間でデイスクの
回転を停止させ最初の状態に戻す。このようなサ
イクルを繰返し行ない、出力値が最初の値の90%
になつた回数をもつて保護膜強度のパラメータと
した。以下においてはこのテストをCS/Sテス
トと呼ぶことにする。CS/Sテストを行なつた
結果を第2図に示した。同図からわかるように、
デイスクD−2,D−3ともにそれぞれ25100回、
27800回のCS/Sテストに耐え、優れた耐ヘツド
摺動性を示すことがわかつた。また、熱酸化処理
前後における出力は1μmビツト長の記録を行なつ
た場合、1.5dB程度熱酸化処理によつて低下する
が、それほど大きな影響は及ぼさない。さらに、
Co−Cr磁性薄膜上の被膜の結晶構造を反射電子
線回折法で同定した結果、Cr2O3からなる熱酸化
膜からなつていることがわかつた。
℃で1時間熱酸化し、Co−Cr磁性薄膜表面に、
酸化物からなる被膜を形成した。それらのデイス
クをD−2,D−3とする。この2種類のデイス
クについて、下記の方法で耐ヘツド摺動性テスト
を行なつた。すなわち、加重2gのウイチエスタ
型ヘツドを用い、最初、デイスクの停止状態にお
いてヘツドをデイスク表面に接触させておく。デ
イスクの回転を始め、6秒後に15m/sの定速状
態に達した後、3秒間記録・再生を行ない、出力
値を記録する。さらに、次の6秒間でデイスクの
回転を停止させ最初の状態に戻す。このようなサ
イクルを繰返し行ない、出力値が最初の値の90%
になつた回数をもつて保護膜強度のパラメータと
した。以下においてはこのテストをCS/Sテス
トと呼ぶことにする。CS/Sテストを行なつた
結果を第2図に示した。同図からわかるように、
デイスクD−2,D−3ともにそれぞれ25100回、
27800回のCS/Sテストに耐え、優れた耐ヘツド
摺動性を示すことがわかつた。また、熱酸化処理
前後における出力は1μmビツト長の記録を行なつ
た場合、1.5dB程度熱酸化処理によつて低下する
が、それほど大きな影響は及ぼさない。さらに、
Co−Cr磁性薄膜上の被膜の結晶構造を反射電子
線回折法で同定した結果、Cr2O3からなる熱酸化
膜からなつていることがわかつた。
以上説明したところから明らかなように、Co
−Cr磁性薄膜上の熱酸化膜は、0.02〜0.05μmの
膜厚において、記録・再生特性を損なうことな
く、デイスクの耐ヘツド摺動性を著しく向上させ
得る保護膜となることがわかつた。この保護膜の
作製は、Al円板にCu−Snめつき、あるいはアル
マイト処理を施して耐熱性を付与した基体を用い
れば、Co−Cr磁性薄膜表面を直接空気中で酸化
することにより作製することができ、基板の耐熱
性により任意にその作製法を選択することができ
る。
−Cr磁性薄膜上の熱酸化膜は、0.02〜0.05μmの
膜厚において、記録・再生特性を損なうことな
く、デイスクの耐ヘツド摺動性を著しく向上させ
得る保護膜となることがわかつた。この保護膜の
作製は、Al円板にCu−Snめつき、あるいはアル
マイト処理を施して耐熱性を付与した基体を用い
れば、Co−Cr磁性薄膜表面を直接空気中で酸化
することにより作製することができ、基板の耐熱
性により任意にその作製法を選択することができ
る。
また、本発明では基板として上記のように、
Alの表面にCu−Sn合金膜被着処理を施した基板
またはAlにアルマイト処理を施した基体を用い
る。これは、このような処理を施していないNi
−P被覆Al基板上にCo−Cr磁性薄膜を形成し熱
処理すると、Al基板の表面に荒れが生じ、それ
がデイスク表面の荒れを引き起こすことを見つけ
たことによる。デイスク表面の荒れは、デイスク
の走行を不安定にする。
Alの表面にCu−Sn合金膜被着処理を施した基板
またはAlにアルマイト処理を施した基体を用い
る。これは、このような処理を施していないNi
−P被覆Al基板上にCo−Cr磁性薄膜を形成し熱
処理すると、Al基板の表面に荒れが生じ、それ
がデイスク表面の荒れを引き起こすことを見つけ
たことによる。デイスク表面の荒れは、デイスク
の走行を不安定にする。
以下デイスク表面の荒れについて説明する。デ
イスクA−2,A−3および上記本発明の処理を
施していないデイスクA−1を用意した。次に、
デイスクA−1,A−2,A−3のCo−Cr磁性
薄膜の表面に純アルゴンガス圧2mTorr、パワー
300W、スパツタリング時間45秒の条件で、Crタ
ーゲツトを用いて、Crの金属薄膜(膜厚は約200
Å)を被着した。さらに、これらのデイスクを空
気中、250℃で1時間熱酸化を行ない、Cr金属薄
膜を酸化膜に転化した。これらのデイスクをC2
−1,C2−2,C2−3とする。また、デイスク
A−1,A−2,A−3のCo−Cr磁性薄膜の表
面にデイスクC2−1,C2−2,C2−3と同条件
でCrの金属薄膜を被着し、空気中、300℃で1時
間熱酸化したデイスクをC3−1,C3−2,C3−
3とする。
イスクA−2,A−3および上記本発明の処理を
施していないデイスクA−1を用意した。次に、
デイスクA−1,A−2,A−3のCo−Cr磁性
薄膜の表面に純アルゴンガス圧2mTorr、パワー
300W、スパツタリング時間45秒の条件で、Crタ
ーゲツトを用いて、Crの金属薄膜(膜厚は約200
Å)を被着した。さらに、これらのデイスクを空
気中、250℃で1時間熱酸化を行ない、Cr金属薄
膜を酸化膜に転化した。これらのデイスクをC2
−1,C2−2,C2−3とする。また、デイスク
A−1,A−2,A−3のCo−Cr磁性薄膜の表
面にデイスクC2−1,C2−2,C2−3と同条件
でCrの金属薄膜を被着し、空気中、300℃で1時
間熱酸化したデイスクをC3−1,C3−2,C3−
3とする。
これら6種類のデイスクについて実施例と同条
件でCS/Sテストを行なつた。その結果を表に
して第1図に示した。同表から明らかなように、
Al基板に本発明の処理を施していないデイスク
C2−1,C3−1においては、250℃あるいは300
℃の熱処理のため、デイスク表面が荒れ、その面
粗さがP−P値で0.06〜0.1μmP-Pとなり、走行が
不安定となつた。一方、Al基板に本発明の処理
を施したデイスクC2−2,C2−3,C3−2,C3
−3は、300℃の熱処理においても表面の荒れが
ほとんど認められず、しかも優れた耐ヘツド摺動
性を示すことがわかつた。また、熱処理温度が
250℃の場合は、まだ酸化の度合が少なく、300℃
の場合に比較して耐ヘツド摺動性が劣ることがわ
かつた。
件でCS/Sテストを行なつた。その結果を表に
して第1図に示した。同表から明らかなように、
Al基板に本発明の処理を施していないデイスク
C2−1,C3−1においては、250℃あるいは300
℃の熱処理のため、デイスク表面が荒れ、その面
粗さがP−P値で0.06〜0.1μmP-Pとなり、走行が
不安定となつた。一方、Al基板に本発明の処理
を施したデイスクC2−2,C2−3,C3−2,C3
−3は、300℃の熱処理においても表面の荒れが
ほとんど認められず、しかも優れた耐ヘツド摺動
性を示すことがわかつた。また、熱処理温度が
250℃の場合は、まだ酸化の度合が少なく、300℃
の場合に比較して耐ヘツド摺動性が劣ることがわ
かつた。
このように、本発明においては、Cu−Snめつ
き、あるいはアルマイト処理が重要なことがわか
る。
き、あるいはアルマイト処理が重要なことがわか
る。
[発明の効果]
以上説明したところから明らかなように、本発
明によれば、極めて薄く、緻密で、しかも、高度
が高く、極めて耐ヘツド摺動性に優れた保護膜を
Co−Cr磁性薄膜の表面にもつた垂直磁気記録媒
体を提供することができ、実用上の効果大であ
る。
明によれば、極めて薄く、緻密で、しかも、高度
が高く、極めて耐ヘツド摺動性に優れた保護膜を
Co−Cr磁性薄膜の表面にもつた垂直磁気記録媒
体を提供することができ、実用上の効果大であ
る。
第1図は本発明の垂直磁気記録媒体の効果を説
明するための表図、第2図は本発明の実施例によ
る垂直磁気記録媒体の特性を示した表図である。
明するための表図、第2図は本発明の実施例によ
る垂直磁気記録媒体の特性を示した表図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 CoとCrを主成分とする垂直磁化膜を有する
垂直磁気記録媒体の製造方法において、アルミニ
ウムの表面にCu−Sn合金膜を被着した基体また
はアルミニウムにアルマイト処理を施した基体上
に上記垂直磁化膜を被着した後、熱酸化処理して
上記垂直磁化膜の保護膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 2 上記熱酸化処理は空気中で行なう特許請求の
範囲第1項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57192460A JPS5982637A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57192460A JPS5982637A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5982637A JPS5982637A (ja) | 1984-05-12 |
JPH0416855B2 true JPH0416855B2 (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16291662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57192460A Granted JPS5982637A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5982637A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2559295B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1987-01-16 | Commissariat Energie Atomique | Nouveau support pour disque magnetique d'enregistrement et son procede de fabrication |
JPH04281214A (ja) * | 1991-03-08 | 1992-10-06 | Nec Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH05151567A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-06-18 | Nec Corp | 磁気記録体の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5633810A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Sony Corp | Preparation of magnetic recording medium |
JPS5671821A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-15 | Hitachi Ltd | Substrate for magnetic disc and its manufacture |
JPS5746323A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Seiko Epson Corp | Vertical magnetized recording medium |
JPS57167133A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-14 | Hitachi Maxell Ltd | Production for magnetic recording medium |
JPS57176537A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-29 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
JPS57180110A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP57192460A patent/JPS5982637A/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5633810A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Sony Corp | Preparation of magnetic recording medium |
JPS5671821A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-15 | Hitachi Ltd | Substrate for magnetic disc and its manufacture |
JPS5746323A (en) * | 1980-09-04 | 1982-03-16 | Seiko Epson Corp | Vertical magnetized recording medium |
JPS57167133A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-14 | Hitachi Maxell Ltd | Production for magnetic recording medium |
JPS57176537A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-29 | Canon Inc | Magnetic recording medium |
JPS57180110A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Manufacture of magnetic recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5982637A (ja) | 1984-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910006150B1 (ko) | 자기 기록매체 및 그 제조방법 | |
US5252367A (en) | Method of manufacturing a magnetic recording medium | |
JPH0416855B2 (ja) | ||
US5552217A (en) | Magnetic recording medium and a method for producing it | |
JPS61142525A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH09180282A (ja) | 高性能co/ptディスクの形成方法 | |
JPS62117143A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2547994B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6044813B2 (ja) | 磁気記録用合金薄膜の製造法 | |
JP3069135B2 (ja) | 光磁気記録媒体の製造方法 | |
JPH01166321A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
JPH0719372B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP2659016B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH04311809A (ja) | 垂直磁気記録媒体とその製造方法 | |
JP3434845B2 (ja) | 磁気記録媒体、該磁気記録媒体の製造方法及び磁気記憶装置 | |
JPS62134826A (ja) | 磁気記憶体の製造方法 | |
JPH0315254B2 (ja) | ||
JPS62293512A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS59171031A (ja) | 磁気デイスク | |
JPH0514325B2 (ja) | ||
JPH05182171A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6218624A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6334723A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH065574B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH07111775B2 (ja) | 磁気記録媒体 |