JPH0416855B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の利用分野］ 本発明は、垂直磁気記録媒体に用いられている
Co−Cr磁性薄膜の構造とその製造方法に関する
ものであり、特にCo−Cr磁性薄膜の耐ヘツド摺
動性の向上に関するものである。

［従来技術］ Co−Cr磁性薄膜は強い垂直磁気異方性を示し、
垂直磁気記録媒体として優れた特性をもつてい
る。しかし、その実用化には解決すべきいくつか
の問題点がある。その中で最も大きな問題点は、
ヘツドとの接触に対する強度、すなわち、耐ヘツ
ド摺動性である。例えば、ウイチエスタ型ヘツド
を用い、Co−Cr磁性薄膜が被着されたデイスク
の、高速回転下における記録・再生実験を行なう
と、ヘツドクラツシユによりスクラツチが発生
し、出力の低下を招くことがしばしば発生する。

このCo−Cr磁性薄膜の耐ヘツド摺動性を改良
するため、Co−Cr磁性薄膜表面に保護膜を設け、
耐ヘツド摺動性を向上させる方法がある。しか
し、強度をあげるために保護膜をあまり厚くする
と、記録・再生時におけるスペーシング損失が増
大する。特に、垂直磁気記録のように、きわめて
線記録密度の高い条件での使用を要求されている
場合、その保護膜は厚さが0.05μm以下である必
要がある。従来、Co−Cr磁性薄膜用の保護膜と
しては、スパツタリング法で作製したSiO₂膜が
あるが、上記したような極薄の条件下において
は、得られた膜にピンホールが多く発生し、耐ヘ
ツド摺動性も十分な強度をもつものといえない。

［発明の目的］ 本発明の目的は、上述したような従来技術の問
題点を解決するために、垂直磁気記録媒体として
のCo−Cr磁性薄膜の表面に形成する薄厚0.02〜
0.05μmの極薄で、緻密な膜構造をもち、かつ、
耐ヘツド摺動性の優れた保護膜を提供することに
ある。

［発明の概要］ 本発明は、アルミニウムの表面にCu−Sn合金
膜を被着した基体またはアルミニウムにアルマイ
ト処理を施した基体上に、CoとCrを主成分とす
る垂直磁化膜を被着した後、熱酸化処理すると、
垂直磁化膜の表面に耐ヘツド摺動性の優れた保護
膜を形成できることを見つけ、その目的を達成し
たものである。

［発明の実施例］ 以下に本発明を実施例によつて詳細に説明す
る。鏡面研磨のなされた直径100mmのAl円板上に
Cu−Sn合金を厚さ20μmに電気めつきし、再度そ
の表面を鏡面研磨し、デイスク基板とした。この
基板上に膜厚0.3μmのSiO₂膜を被着し、さらにそ
の上に膜厚0.5μmのCo−Cr磁性薄膜をスパツタ
リング法で被着し、このデイスクをＡ−２とす
る。Co−Cr磁性薄膜のCr含有量は16重量％であ
る。上記SiO₂膜等の非晶質膜はCo−Cr磁性薄膜
の結晶の配向性を改善し、磁気特性を向上させる
のに効果があるが、必ずしも設ける必要はない。

また同様に鏡面研磨のなされた直径100mmのAl
円板をアルマイト処理し、膜厚5μmのアルミナ膜
を被覆し、再度その表面を鏡面研磨し、デイスク
基板とした。この基板上に膜厚0.3μmのSiO₂膜を
被着し、さらにその上に膜厚0.5μmのCo−Cr磁
性薄膜をスパツタリング法で被着し、このデイス
クをＡ−３とする。

次に、デイスクＡ−２，Ａ−３を空気中、300
℃で１時間熱酸化し、Co−Cr磁性薄膜表面に、
酸化物からなる被膜を形成した。それらのデイス
クをＤ−２，Ｄ−３とする。この２種類のデイス
クについて、下記の方法で耐ヘツド摺動性テスト
を行なつた。すなわち、加重２ｇのウイチエスタ
型ヘツドを用い、最初、デイスクの停止状態にお
いてヘツドをデイスク表面に接触させておく。デ
イスクの回転を始め、６秒後に15m／ｓの定速状
態に達した後、３秒間記録・再生を行ない、出力
値を記録する。さらに、次の６秒間でデイスクの
回転を停止させ最初の状態に戻す。このようなサ
イクルを繰返し行ない、出力値が最初の値の90％
になつた回数をもつて保護膜強度のパラメータと
した。以下においてはこのテストをCS／Ｓテス
トと呼ぶことにする。CS／Ｓテストを行なつた
結果を第２図に示した。同図からわかるように、
デイスクＤ−２，Ｄ−３ともにそれぞれ25100回、
27800回のCS／Ｓテストに耐え、優れた耐ヘツド
摺動性を示すことがわかつた。また、熱酸化処理
前後における出力は1μmビツト長の記録を行なつ
た場合、1.5dB程度熱酸化処理によつて低下する
が、それほど大きな影響は及ぼさない。さらに、
Co−Cr磁性薄膜上の被膜の結晶構造を反射電子
線回折法で同定した結果、Cr₂O₃からなる熱酸化
膜からなつていることがわかつた。

以上説明したところから明らかなように、Co
−Cr磁性薄膜上の熱酸化膜は、0.02〜0.05μmの
膜厚において、記録・再生特性を損なうことな
く、デイスクの耐ヘツド摺動性を著しく向上させ
得る保護膜となることがわかつた。この保護膜の
作製は、Al円板にCu−Snめつき、あるいはアル
マイト処理を施して耐熱性を付与した基体を用い
れば、Co−Cr磁性薄膜表面を直接空気中で酸化
することにより作製することができ、基板の耐熱
性により任意にその作製法を選択することができ
る。

また、本発明では基板として上記のように、
Alの表面にCu−Sn合金膜被着処理を施した基板
またはAlにアルマイト処理を施した基体を用い
る。これは、このような処理を施していないNi
−Ｐ被覆Al基板上にCo−Cr磁性薄膜を形成し熱
処理すると、Al基板の表面に荒れが生じ、それ
がデイスク表面の荒れを引き起こすことを見つけ
たことによる。デイスク表面の荒れは、デイスク
の走行を不安定にする。

以下デイスク表面の荒れについて説明する。デ
イスクＡ−２，Ａ−３および上記本発明の処理を
施していないデイスクＡ−１を用意した。次に、
デイスクＡ−１，Ａ−２，Ａ−３のCo−Cr磁性
薄膜の表面に純アルゴンガス圧2mTorr、パワー
300W、スパツタリング時間45秒の条件で、Crタ
ーゲツトを用いて、Crの金属薄膜（膜厚は約200
Å）を被着した。さらに、これらのデイスクを空
気中、250℃で１時間熱酸化を行ない、Cr金属薄
膜を酸化膜に転化した。これらのデイスクをC₂
−１，C₂−２，C₂−３とする。また、デイスク
Ａ−１，Ａ−２，Ａ−３のCo−Cr磁性薄膜の表
面にデイスクC₂−１，C₂−２，C₂−３と同条件
でCrの金属薄膜を被着し、空気中、300℃で１時
間熱酸化したデイスクをC₃−１，C₃−２，C₃−
３とする。

これら６種類のデイスクについて実施例と同条
件でCS／Ｓテストを行なつた。その結果を表に
して第１図に示した。同表から明らかなように、
Al基板に本発明の処理を施していないデイスク
C₂−１，C₃−１においては、250℃あるいは300
℃の熱処理のため、デイスク表面が荒れ、その面
粗さがＰ−Ｐ値で0.06〜0.1μm_P-Pとなり、走行が
不安定となつた。一方、Al基板に本発明の処理
を施したデイスクC₂−２，C₂−３，C₃−２，C₃
−３は、300℃の熱処理においても表面の荒れが
ほとんど認められず、しかも優れた耐ヘツド摺動
性を示すことがわかつた。また、熱処理温度が
250℃の場合は、まだ酸化の度合が少なく、300℃
の場合に比較して耐ヘツド摺動性が劣ることがわ
かつた。

このように、本発明においては、Cu−Snめつ
き、あるいはアルマイト処理が重要なことがわか
る。

［発明の効果］ 以上説明したところから明らかなように、本発
明によれば、極めて薄く、緻密で、しかも、高度
が高く、極めて耐ヘツド摺動性に優れた保護膜を
Co−Cr磁性薄膜の表面にもつた垂直磁気記録媒
体を提供することができ、実用上の効果大であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の垂直磁気記録媒体の効果を説
明するための表図、第２図は本発明の実施例によ
る垂直磁気記録媒体の特性を示した表図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ CoとCrを主成分とする垂直磁化膜を有する
   垂直磁気記録媒体の製造方法において、アルミニ
   ウムの表面にCu−Sn合金膜を被着した基体また
   はアルミニウムにアルマイト処理を施した基体上
   に上記垂直磁化膜を被着した後、熱酸化処理して
   上記垂直磁化膜の保護膜を形成する工程を有する
   ことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 ２ 上記熱酸化処理は空気中で行なう特許請求の
   範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。