JPH05151567A - 磁気記録体の製造方法 - Google Patents
磁気記録体の製造方法Info
- Publication number
- JPH05151567A JPH05151567A JP21875891A JP21875891A JPH05151567A JP H05151567 A JPH05151567 A JP H05151567A JP 21875891 A JP21875891 A JP 21875891A JP 21875891 A JP21875891 A JP 21875891A JP H05151567 A JPH05151567 A JP H05151567A
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- Japan
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- magnetic recording
- recording medium
- magnetic
- film
- oxide film
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- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】アルミ合金板１上にＮｉ−Ｐめっき膜２，Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｐめっき膜３，Ｎｉ−Ｐ非磁性層４及びＮｉ酸
化膜５を形成したのち、Ｎｉ酸化膜５をＰＨ５．５〜
６．５の化学金属浴で処理する。 【効果】Ｎｉ酸化被膜層がもつ微少なピンホールを化学
処理で埋めることにより、耐候性の向上した高記録密度
用の磁気記録体を得ることができる。
−Ｎｉ−Ｐめっき膜３，Ｎｉ−Ｐ非磁性層４及びＮｉ酸
化膜５を形成したのち、Ｎｉ酸化膜５をＰＨ５．５〜
６．５の化学金属浴で処理する。 【効果】Ｎｉ酸化被膜層がもつ微少なピンホールを化学
処理で埋めることにより、耐候性の向上した高記録密度
用の磁気記録体を得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録装置に用いら
れる磁気ディスク、磁気ドラム等の磁気記録体の製造方
法に関する。
れる磁気ディスク、磁気ドラム等の磁気記録体の製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度磁気記録体として、磁性薄
膜媒体を使用したハード磁気ディスクやフロッピ磁気デ
ィスクが急速に普及してきた。
膜媒体を使用したハード磁気ディスクやフロッピ磁気デ
ィスクが急速に普及してきた。
【０００３】磁気記録体に磁性薄膜媒体を用いる利点
は、磁性薄膜化で高飽和磁束密度が可能であり、且つ高
保磁力が得られ高密度磁気記録体に適していることであ
る。またメッキ法、スパッター法、蒸着法、イオンプレ
ーティング法等で薄膜作成が容易なことである。
は、磁性薄膜化で高飽和磁束密度が可能であり、且つ高
保磁力が得られ高密度磁気記録体に適していることであ
る。またメッキ法、スパッター法、蒸着法、イオンプレ
ーティング法等で薄膜作成が容易なことである。
【０００４】磁気記録装置に於ける高密度化の進展は、
年々高まりつつあり、これらを実現する為に記録媒体特
性の改善、磁気ヘッド特性の改善が挙げられる、一方で
は耐久性の改善、耐候性の改善が高密度化に重要な課題
となっている。保護膜には摩擦性、耐摩耗性の様な機械
的耐久性だけでなく、磁性薄膜媒体の化学的耐久性も要
求される。また、機械的耐久性、化学的耐久性を向上さ
せるために磁性薄膜媒体の上に保護膜が被覆される。
年々高まりつつあり、これらを実現する為に記録媒体特
性の改善、磁気ヘッド特性の改善が挙げられる、一方で
は耐久性の改善、耐候性の改善が高密度化に重要な課題
となっている。保護膜には摩擦性、耐摩耗性の様な機械
的耐久性だけでなく、磁性薄膜媒体の化学的耐久性も要
求される。また、機械的耐久性、化学的耐久性を向上さ
せるために磁性薄膜媒体の上に保護膜が被覆される。
【０００５】一般的な保護膜の形成方法としては、第１
に、Ｒｈ，Ｎｉ，Ｚｎ等の金属を電気メッキ法で被覆す
る法、およびＮｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ等を無電解メッキ法で
磁性薄膜媒体の表面に形成した後に、酸化性零囲気中で
酸化被膜を形成する方法がある。
に、Ｒｈ，Ｎｉ，Ｚｎ等の金属を電気メッキ法で被覆す
る法、およびＮｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｂ等を無電解メッキ法で
磁性薄膜媒体の表面に形成した後に、酸化性零囲気中で
酸化被膜を形成する方法がある。
【０００６】第２に、Ｐｔ，Ｃ，Ｗ等を高真空機（蒸
着、スパッター装置）を使用して磁性薄膜媒体の表面に
形成する方法がある。
着、スパッター装置）を使用して磁性薄膜媒体の表面に
形成する方法がある。
【０００７】第３に、保護膜を構成する材料を液体に溶
解させスピンコート法により磁性薄膜体の表面に塗布し
た後に、加熱乾燥することにより形成する方法がある。
解させスピンコート法により磁性薄膜体の表面に塗布し
た後に、加熱乾燥することにより形成する方法がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】磁気記憶装置に於ける
高密度化の進展は、年々高まりつつあり、これらを実現
する為に記録媒体特性の改善、磁気ヘッド特性の改善が
挙げられるが、特に保護膜を薄くすることが高密度化に
大きい効果がある。しかし、保護膜を薄くすると耐候性
が悪くなり、一定時間放置した後ビットエラーが増加す
るという問題があった。本発明の目的は従来の保護膜の
欠点を改善し実用的な耐候性を備えた高記録密度用の磁
気記録体の製造方法を提供することにある。
高密度化の進展は、年々高まりつつあり、これらを実現
する為に記録媒体特性の改善、磁気ヘッド特性の改善が
挙げられるが、特に保護膜を薄くすることが高密度化に
大きい効果がある。しかし、保護膜を薄くすると耐候性
が悪くなり、一定時間放置した後ビットエラーが増加す
るという問題があった。本発明の目的は従来の保護膜の
欠点を改善し実用的な耐候性を備えた高記録密度用の磁
気記録体の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気記録体
の製造方法は、金属基板上に金属中間層と磁性薄膜と酸
化被膜とを順次形成したのち、この酸化被膜をｐＨが
５．５〜６．５の化学金属浴で処理するものである。
の製造方法は、金属基板上に金属中間層と磁性薄膜と酸
化被膜とを順次形成したのち、この酸化被膜をｐＨが
５．５〜６．５の化学金属浴で処理するものである。
【００１０】本発明に用いられる磁性薄膜とは、メッキ
法、スパッター法、蒸着法、イオンプレーティング法等
によって作製され、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉより選ばれた一種
以上の金属を５０重量％以上含んで成る金属膜を示す。
法、スパッター法、蒸着法、イオンプレーティング法等
によって作製され、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉより選ばれた一種
以上の金属を５０重量％以上含んで成る金属膜を示す。
【００１１】これには、更に他の添加元素として、Ｃ，
Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｏ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｍｏ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｈｇ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｐｂ，Ｂｉ等が５０重量％以下の割合で含まれても良
い。
Ｂ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｏ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｅ，Ｍｏ，Ｒｈ，
Ｐｄ，Ｈｇ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｃｅ，Ｐｒ，
Ｎ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｐｔ，Ａｕ，
Ｐｂ，Ｂｉ等が５０重量％以下の割合で含まれても良
い。
【００１２】本発明に用いられる酸化被膜とは、Ｒｅ，
Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ又はそれらの合
金（Ｂ，Ｐのいずれか一方又は両方を含む場合もあ
る。）を磁性薄膜に被覆した後、酸素又はオゾンなどを
含む酸化性零囲気中で焼成することにより表面に形成さ
れる被膜である。
Ｒｕ，Ｏｓ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃ
ｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｏ又はそれらの合
金（Ｂ，Ｐのいずれか一方又は両方を含む場合もあ
る。）を磁性薄膜に被覆した後、酸素又はオゾンなどを
含む酸化性零囲気中で焼成することにより表面に形成さ
れる被膜である。
【００１３】
【実施例】次に、本発明を図面を用いて説明する。図１
は本発明の一実施例を説明するための磁気記録体の断面
図である。
は本発明の一実施例を説明するための磁気記録体の断面
図である。
【００１４】まず、アルミ合金圧延板よりプレスにて打
ち抜いたドーナツ状円板を切削加工により表面を平坦、
且つ、平滑に仕上げ金属基板としてのアルミ合金板１を
形成する。次でこの上に無電解ニッケル−リンめっき液
（日本カニゼン社製、シューマーＢＯ）を用いて膜厚３
０μｍのＮｉ−Ｐめっき膜（金属中間層）２を形成す
る。次でこの両面を機械加工により鏡面研磨した後、コ
バルト−ニッケル−リンめっき浴にて、０．０６μｍの
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐめっき膜３（磁性薄膜）を形成する。次
でこの上に、０．０５μｍのＮｉＰ非磁性層４を形成し
た後に、電気炉で２９０℃，１時間焼成しＮｉ酸化被膜
５を形成する。更にこの酸化被膜をＰＨ６の無水クロム
酸浴（クロムの濃度３ｇ／ｌ）で処理してＮｉ酸化膜の
ピンホールを埋め、磁気記録体を作製した。
ち抜いたドーナツ状円板を切削加工により表面を平坦、
且つ、平滑に仕上げ金属基板としてのアルミ合金板１を
形成する。次でこの上に無電解ニッケル−リンめっき液
（日本カニゼン社製、シューマーＢＯ）を用いて膜厚３
０μｍのＮｉ−Ｐめっき膜（金属中間層）２を形成す
る。次でこの両面を機械加工により鏡面研磨した後、コ
バルト−ニッケル−リンめっき浴にて、０．０６μｍの
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐめっき膜３（磁性薄膜）を形成する。次
でこの上に、０．０５μｍのＮｉＰ非磁性層４を形成し
た後に、電気炉で２９０℃，１時間焼成しＮｉ酸化被膜
５を形成する。更にこの酸化被膜をＰＨ６の無水クロム
酸浴（クロムの濃度３ｇ／ｌ）で処理してＮｉ酸化膜の
ピンホールを埋め、磁気記録体を作製した。
【００１５】このようにして作製した磁気記録体を従来
の技術で作製した磁気記録体と共に、温度４０℃，湿度
８０％，日数８０日の条件で耐候性加速試験を行ない、
ビットエラー数を測定した。
の技術で作製した磁気記録体と共に、温度４０℃，湿度
８０％，日数８０日の条件で耐候性加速試験を行ない、
ビットエラー数を測定した。
【００１６】ビットエラー個数は規格化ビットエラー数
とし、その定義は（Ｅ2 −Ｅ1 ）−（ｅ2 −ｅ2 ）とし
た。但し、Ｅ1 及びＥ2 は処理無で加速試験前及び後の
ビットエラー数、ｅ1 及びｅ2 は処理有で加速試験前及
び後のビットエラー数である。
とし、その定義は（Ｅ2 −Ｅ1 ）−（ｅ2 −ｅ2 ）とし
た。但し、Ｅ1 及びＥ2 は処理無で加速試験前及び後の
ビットエラー数、ｅ1 及びｅ2 は処理有で加速試験前及
び後のビットエラー数である。
【００１７】尚、ビットエラー測定条件は、ディスク；
８インチ，ディスク回転数；３０００ｒｐｍ，相対速
度；１９．７２ｍ／ｓｅｃ，〔ヘッド条件〕ギャップ
長；０．８μｍ，ヘッド幅１８．５μｍ，コイル巻数；
１６Ｔ＋１６Ｔ，ヘッド浮上量；０．２μｍ，トラック
ピッチ；１０μｍ，テスト範囲（ｒ）；６３〜９７ｍ
ｍ，〔エラー条件〕記録密度；１６ＫＦＲＰＩ，記録電
流；４０ｍＡp-p である。
８インチ，ディスク回転数；３０００ｒｐｍ，相対速
度；１９．７２ｍ／ｓｅｃ，〔ヘッド条件〕ギャップ
長；０．８μｍ，ヘッド幅１８．５μｍ，コイル巻数；
１６Ｔ＋１６Ｔ，ヘッド浮上量；０．２μｍ，トラック
ピッチ；１０μｍ，テスト範囲（ｒ）；６３〜９７ｍ
ｍ，〔エラー条件〕記録密度；１６ＫＦＲＰＩ，記録電
流；４０ｍＡp-p である。
【００１８】同様にＰＨの値を変えたもの、更に金属浴
として硫酸亜鉛浴（亜鉛の濃度３０ｇ／ｌ），モリブデ
ン酸浴（モリブデンの濃度２ｇ／ｌ）を用いて処理し、
磁気記録体を作製し、それぞれのビットエラー数を測定
した。その結果を図２に示す。
として硫酸亜鉛浴（亜鉛の濃度３０ｇ／ｌ），モリブデ
ン酸浴（モリブデンの濃度２ｇ／ｌ）を用いて処理し、
磁気記録体を作製し、それぞれのビットエラー数を測定
した。その結果を図２に示す。
【００１９】図２より明らかなように、化学金属浴のＰ
Ｈは５．５〜６．５の間で規格ビットエラー数が減少
し、最も適当な条件である。
Ｈは５．５〜６．５の間で規格ビットエラー数が減少
し、最も適当な条件である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、金属基板
と、この金属基板を被覆する金属中間層と、この金属中
間層を被覆する磁性薄膜と、この磁性薄膜を被覆する酸
化被膜とを形成する磁気記録体の製造方法に於いて、酸
化被膜を形成したのち、ＰＨ５．５〜６．５の化学金属
浴で処理することにより、良好な耐候性を有する磁気記
録体が得られるという効果がある。
と、この金属基板を被覆する金属中間層と、この金属中
間層を被覆する磁性薄膜と、この磁性薄膜を被覆する酸
化被膜とを形成する磁気記録体の製造方法に於いて、酸
化被膜を形成したのち、ＰＨ５．５〜６．５の化学金属
浴で処理することにより、良好な耐候性を有する磁気記
録体が得られるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を説明するための磁気記録体
の断面図。
の断面図。
【図２】金属浴のＰＨと規格化ビットエラー数との関係
を示す図。
を示す図。
１ アルミ合金板 ２ Ｎｉ−Ｐめっき膜 ３ Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐめっき膜 ４ Ｎｉ−Ｐ非磁性層 ５ Ｎｉ酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 金属基板上に金属中間層と磁性薄膜と酸
化被膜とを順次形成したのち、この酸化被膜をｐＨが
５．５〜６．５の化学金属浴で処理することを特徴とす
る磁気記録体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21875891A JPH05151567A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 磁気記録体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21875891A JPH05151567A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 磁気記録体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151567A true JPH05151567A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=16724946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21875891A Pending JPH05151567A (ja) | 1991-08-29 | 1991-08-29 | 磁気記録体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05151567A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5086304A (ja) * | 1973-11-30 | 1975-07-11 | ||
| JPS5982637A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59217224A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
-
1991
- 1991-08-29 JP JP21875891A patent/JPH05151567A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5086304A (ja) * | 1973-11-30 | 1975-07-11 | ||
| JPS5982637A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-12 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59217224A (ja) * | 1983-05-23 | 1984-12-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6018817A (ja) * | 1983-07-12 | 1985-01-30 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980811 |