JPH02270128A - 磁気記憶体及び製造方法及び磁気記憶装置 - Google Patents
磁気記憶体及び製造方法及び磁気記憶装置Info
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- JPH02270128A JPH02270128A JP9141889A JP9141889A JPH02270128A JP H02270128 A JPH02270128 A JP H02270128A JP 9141889 A JP9141889 A JP 9141889A JP 9141889 A JP9141889 A JP 9141889A JP H02270128 A JPH02270128 A JP H02270128A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 claims abstract description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 abstract description 6
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 abstract description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 4
- AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-Trichlorotrifluoroethane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(Cl)Cl AJDIZQLSFPQPEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017888 Cu—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100108967 Human herpesvirus 6B (strain Z29) U70 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記憶装置(磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置)及び、該磁気記憶装置に用い
られる磁気記憶体(以下、記憶体と呼ぶ)及びその製造
方法に関する。
装置及び磁気テープ装置)及び、該磁気記憶装置に用い
られる磁気記憶体(以下、記憶体と呼ぶ)及びその製造
方法に関する。
金属磁性媒体(以下、金属媒体と呼ぶ)を有する記憶体
に於いては、記録再生ヘッド(以下、ヘッドと呼ぶ)と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の方食環境に充分耐える耐食性が要求される。
に於いては、記録再生ヘッド(以下、ヘッドと呼ぶ)と
の接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩素
等の方食環境に充分耐える耐食性が要求される。
従来より基板はアルマイト処理やN1−Pメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすじ目付けのための研摩が
施こされたA1合金基板等が用いられ、次にN1−P、
N1−Cu−P等の非磁性メツキやC「、B1等の被覆
の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更に5in2
(ポリケイ酸を含む) 、Am N5cSs i3 N
4とAfI20iの固溶体等の保護膜が被覆され、カッ
プリング剤を用いた中間層の有無の後パーフロロポリエ
ーテルに代表される液体潤滑剤や高級アルコールや脂肪
酸に代表される固体潤滑剤の薄層が被覆される。
磁性メツキ処理後、鏡面化やすじ目付けのための研摩が
施こされたA1合金基板等が用いられ、次にN1−P、
N1−Cu−P等の非磁性メツキやC「、B1等の被覆
の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更に5in2
(ポリケイ酸を含む) 、Am N5cSs i3 N
4とAfI20iの固溶体等の保護膜が被覆され、カッ
プリング剤を用いた中間層の有無の後パーフロロポリエ
ーテルに代表される液体潤滑剤や高級アルコールや脂肪
酸に代表される固体潤滑剤の薄層が被覆される。
上記記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。
始めているものの大きな欠点を有している。
上記記憶体を塔載した磁気記憶装置を40℃80%R,
H,の環境下に放置すると記憶体1枚の1〜2ケ所に方
食点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体と
ヘッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦係
数が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至っ
た。
H,の環境下に放置すると記憶体1枚の1〜2ケ所に方
食点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体と
ヘッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦係
数が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至っ
た。
従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。
本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体の製造、提供と該記憶
体を用いた磁気記憶装置を提供することにある。
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体の製造、提供と該記憶
体を用いた磁気記憶装置を提供することにある。
本発明は基体上に金属媒体が被覆され、該金属媒体上に
該金属媒体を構成する元素そして/或いは他の金属元素
の炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素から選ばれる少な
くとも1種の物質より成る薄膜が被覆され、次に分子の
一方に加水分解性基を有し、他方にグリシジル基を有す
る有機金属化合物の重縮合膜が被覆され、更にグリシジ
ル基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せしめた
事を特徴とする。
該金属媒体を構成する元素そして/或いは他の金属元素
の炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素から選ばれる少な
くとも1種の物質より成る薄膜が被覆され、次に分子の
一方に加水分解性基を有し、他方にグリシジル基を有す
る有機金属化合物の重縮合膜が被覆され、更にグリシジ
ル基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せしめた
事を特徴とする。
金属媒体は従来技術と同様の材料そして製法によって被
覆する事が出来る。C01Fe、Ni。
覆する事が出来る。C01Fe、Ni。
Cr5TaSP、貴金属元素等から成る金属を湿式メツ
キ法やスパッタリング法に代表される乾式成膜法で被覆
形成する。
キ法やスパッタリング法に代表される乾式成膜法で被覆
形成する。
炭化物、窒化物、酸化物はC01FeSCr、Ta5P
、Ti5Nb、A1.Hf等の化合物に代表されるが、
PVD法やCVD法等の乾式成膜法や有機金属化合物の
熱分解法の湿式成膜法又は、CH4ガス、N2ガス、0
2ガスを含むガスプラズマ等による表面改質法で形成可
能であり、100〜400人の膜厚が適当である。炭素
はグラファイト、ダイヤモンド、アモルファス(i−カ
ーボンを含む)の単独、混合、積層であり、いずれも1
00〜400人の膜厚が適切である。炭素はスパッタリ
ング法、イオンブレーティング法等のPVD法やCVD
法で被覆形成可能である。
、Ti5Nb、A1.Hf等の化合物に代表されるが、
PVD法やCVD法等の乾式成膜法や有機金属化合物の
熱分解法の湿式成膜法又は、CH4ガス、N2ガス、0
2ガスを含むガスプラズマ等による表面改質法で形成可
能であり、100〜400人の膜厚が適当である。炭素
はグラファイト、ダイヤモンド、アモルファス(i−カ
ーボンを含む)の単独、混合、積層であり、いずれも1
00〜400人の膜厚が適切である。炭素はスパッタリ
ング法、イオンブレーティング法等のPVD法やCVD
法で被覆形成可能である。
分子の一方に加水分解性基を有し、他方にグリシジル基
を有する化合物は、−例として下記一般式で表わされる
。
を有する化合物は、−例として下記一般式で表わされる
。
CHr−CH2
ここでRはアルキレン、シクロアルキレン、アロマティ
ックグループ等を表わし、R′はアルキル基を表わす。
ックグループ等を表わし、R′はアルキル基を表わす。
又Mは金属元素をモしてXは該金属元素の価数を表わす
。
。
これらは、いずれも、アルコール等の可溶性溶媒に希釈
され、スプレー法、スピンナー法、ディッピング法やパ
イロゾル法等の既知の方法で塗布後焼成により重縮合膜
とする。濃度は得たい膜厚により決定され、膜厚は単分
子厚みでも充分であり、200A前後以下の厚膜でも問
題はない。又焼成は60℃〜200℃、5分〜20分で
充分である。
され、スプレー法、スピンナー法、ディッピング法やパ
イロゾル法等の既知の方法で塗布後焼成により重縮合膜
とする。濃度は得たい膜厚により決定され、膜厚は単分
子厚みでも充分であり、200A前後以下の厚膜でも問
題はない。又焼成は60℃〜200℃、5分〜20分で
充分である。
グリシジル基を有するフッ化ポリエーテル重合体は、
CH2−CH−R’ −Rf−R’ −CH−CH2、
\/ \1CH3R’
Rf R’ CH−CH2X 5I−′ ゝNN5 11′
\ /CH2CH2CI2 CI2 CH3R’ Rf−R’ −CI CH2
N2 / CH2−CI2 ここで R/ はアルキレン、シクロアルキレン、アロ
マティックグループそして、アミノ基、或いは/そして
イミノ基含有アルキレン、シクロアルキレン、アロマテ
ィックグループ等である。又Rfは−CF2 0− (
C2F40)n (CF20)m−CF2−或いは、
−CF2−0−CF3 ■ (CF CF2 0)n (CF2 0)m
CF2−であり、nSmは10以上の整数を表わ
す。
\/ \1CH3R’
Rf R’ CH−CH2X 5I−′ ゝNN5 11′
\ /CH2CH2CI2 CI2 CH3R’ Rf−R’ −CI CH2
N2 / CH2−CI2 ここで R/ はアルキレン、シクロアルキレン、アロ
マティックグループそして、アミノ基、或いは/そして
イミノ基含有アルキレン、シクロアルキレン、アロマテ
ィックグループ等である。又Rfは−CF2 0− (
C2F40)n (CF20)m−CF2−或いは、
−CF2−0−CF3 ■ (CF CF2 0)n (CF2 0)m
CF2−であり、nSmは10以上の整数を表わ
す。
で表わされる重合体等である。上述のフッ化ポリエーテ
ル重合体は、単独或いは混合し、更には、他の極性基(
−OH基、−COOCR,基、−000H基、−NCO
基)を有するフッ化ポリエーテル重合体や、無極性基(
フォンブリンz−25、同Z−AM2001等・・・フ
ォンブリンはモンテフルオス社製)を有するフッ化ポリ
エーテル重合体と混合し、フロン113等の可溶性溶媒
に希釈した後、スプレー法、スピンナー法、ディッピン
グ法や超音波噴霧吹き付・け法等の既知の製法で塗布し
、必要に応じて焼成する。溶媒希釈の割合は得たい膜厚
に応じて適宜決定する。又焼成は50〜150℃、1分
〜20分で充分であり、膜厚は20〜150人が適切で
ある。
ル重合体は、単独或いは混合し、更には、他の極性基(
−OH基、−COOCR,基、−000H基、−NCO
基)を有するフッ化ポリエーテル重合体や、無極性基(
フォンブリンz−25、同Z−AM2001等・・・フ
ォンブリンはモンテフルオス社製)を有するフッ化ポリ
エーテル重合体と混合し、フロン113等の可溶性溶媒
に希釈した後、スプレー法、スピンナー法、ディッピン
グ法や超音波噴霧吹き付・け法等の既知の製法で塗布し
、必要に応じて焼成する。溶媒希釈の割合は得たい膜厚
に応じて適宜決定する。又焼成は50〜150℃、1分
〜20分で充分であり、膜厚は20〜150人が適切で
ある。
本発明によれば、金属媒体に、硬度、緻密性に優れる酸
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
1種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘッド
の衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。上記薄膜のうち炭素以外は潤滑性に乏し
く、最も優れる炭素膜に於いても、潤滑性が不充分なた
め、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化せしめるのが一般的
であった。しかしながら、上記の薄膜と潤滑剤との固着
力が弱いため、長期間に及ぶヘッドと記憶体の接触摩耗
により、潤滑剤が徐々に記憶体上から除去され、初期の
優れた潤滑効果が失なわれてしまった。
化物、窒化物、炭化物及び炭素から選ばれる少なくとも
1種の物質より成る薄膜を形成することにより、ヘッド
の衝撃摩耗からそして環境中の水分や塩素等から金属媒
体を保護する。上記薄膜のうち炭素以外は潤滑性に乏し
く、最も優れる炭素膜に於いても、潤滑性が不充分なた
め、各種の潤滑剤を薄膜上に積層化せしめるのが一般的
であった。しかしながら、上記の薄膜と潤滑剤との固着
力が弱いため、長期間に及ぶヘッドと記憶体の接触摩耗
により、潤滑剤が徐々に記憶体上から除去され、初期の
優れた潤滑効果が失なわれてしまった。
本発明は、上記薄膜上に、分子の一方の末端にグリシジ
ル基を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金
属化合物の硬化膜を被覆せしめた後にグリシジル基を有
するフッ化ポリエーテルを被覆せしめるものである。加
水分解性基は炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素の最表
面の活性基(−OH,−COOH等)との親和力が強く
、グリシジル基は次に被覆するフッ化ポリエーテル重合
体のグリシジル基との親和力により、結果として記憶体
上に該フッ化ポリエーテル重合体を強固に固定化し、ヘ
ッドの衝撃摩耗によって記憶体上から除去される事を防
ぐ。
ル基を有し、他方の末端に加水分解性基を有する有機金
属化合物の硬化膜を被覆せしめた後にグリシジル基を有
するフッ化ポリエーテルを被覆せしめるものである。加
水分解性基は炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素の最表
面の活性基(−OH,−COOH等)との親和力が強く
、グリシジル基は次に被覆するフッ化ポリエーテル重合
体のグリシジル基との親和力により、結果として記憶体
上に該フッ化ポリエーテル重合体を強固に固定化し、ヘ
ッドの衝撃摩耗によって記憶体上から除去される事を防
ぐ。
又上記各種の薄膜を積層化することにより、ピンホール
の発生の激減化が可能になり、水分や塩素等の腐食因子
から金属媒体を保護する。
の発生の激減化が可能になり、水分や塩素等の腐食因子
から金属媒体を保護する。
以上により長期機械的信頼性及び保存信頼性に優れ゛た
記憶体の製造、提供が可能になり、更に該記憶体を用い
ることにより磁気記憶装置の長期信頼性は著るしく向上
した。
記憶体の製造、提供が可能になり、更に該記憶体を用い
ることにより磁気記憶装置の長期信頼性は著るしく向上
した。
鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性N1−P合金メツキを約15μm厚に施こした後
、研摩により表面粗度Ra−70〜12oA、Rmex
=700〜1500Aに表面すじ目付は加工し、更にC
o−N1−P合金メツキを約0,05μm厚に施こした
。
非磁性N1−P合金メツキを約15μm厚に施こした後
、研摩により表面粗度Ra−70〜12oA、Rmex
=700〜1500Aに表面すじ目付は加工し、更にC
o−N1−P合金メツキを約0,05μm厚に施こした
。
次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
5X10−’torr以下まで排気した後、基板を80
℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Arガスを導入し、
5X10−3torrにした後、第1表に示した材料を
ターゲットとして、パワー密度4 W / cdで成膜
した。
5X10−’torr以下まで排気した後、基板を80
℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Arガスを導入し、
5X10−3torrにした後、第1表に示した材料を
ターゲットとして、パワー密度4 W / cdで成膜
した。
次に同じく第1表に示す有機金属化合物をメタノールと
フロン113(混合比1対3体積比)に0.005W/
V%の濃度で溶解し、ディッピング法(10cm/m1
n)で塗布し、その後、110℃で10分間焼成した。
フロン113(混合比1対3体積比)に0.005W/
V%の濃度で溶解し、ディッピング法(10cm/m1
n)で塗布し、その後、110℃で10分間焼成した。
次に同じく第1表に示すフッ化ポリエーテル重合体をフ
ロン113に0.2W/V%の濃度で溶解し、ディッピ
ング法(10c m/m L n)で塗布し、その後、
110℃で10分間焼成した。
ロン113に0.2W/V%の濃度で溶解し、ディッピ
ング法(10c m/m L n)で塗布し、その後、
110℃で10分間焼成した。
CH2−CH2
CH2−CH2CH2−CI 2
R′はアルキレン或いは、アルキレンの水素の少なくと
も1部を弗素に置換したフロロアルキレンを示す。
も1部を弗素に置換したフロロアルキレンを示す。
上記製造方法により作製した記憶体と、3370タイプ
の薄膜ヘッド(フライハイド0.15μm、9m/5e
c)を用い磁気記憶装置を作製し、下記試験によって評
価した。結果を第2表に示す。
の薄膜ヘッド(フライハイド0.15μm、9m/5e
c)を用い磁気記憶装置を作製し、下記試験によって評
価した。結果を第2表に示す。
(1)CSS耐久試験
C8S動作(立ち上がり、立ち下がり時間10see)
前後の外観変化、静摩擦係数と出力の低下率を求める。
前後の外観変化、静摩擦係数と出力の低下率を求める。
(2)耐食性試験
80℃、90%R,H,の環境下に放置して、放置時間
の経過をおって、ミッシングピット数を測定し、その増
加が認められた時点を寿命と判断した。
の経過をおって、ミッシングピット数を測定し、その増
加が認められた時点を寿命と判断した。
高記録密度対応の記憶体としての薄膜型記憶体を用いた
磁気記憶装置が登場して久しいが、長期信頼性に対する
不安からその使用は一部に限られていた。
磁気記憶装置が登場して久しいが、長期信頼性に対する
不安からその使用は一部に限られていた。
本発明によれば、加温湿下で記憶体が用いられても金属
媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、低
フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられる磁気
記憶装置に塔載されても、記憶体、ヘッドはともに特性
劣化は、はとんど認められない。
媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、低
フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられる磁気
記憶装置に塔載されても、記憶体、ヘッドはともに特性
劣化は、はとんど認められない。
以上の如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体の製造、
提供そして該記憶体を用いることにより信頼性の高い磁
気記憶装置の提供が可能になった。
提供そして該記憶体を用いることにより信頼性の高い磁
気記憶装置の提供が可能になった。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (4)
- (1)基体上に金属磁性媒体が被覆され、該金属磁性媒
体上に、炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素から選ばれ
る少なくとも1種の物質より成る薄膜が被覆され、次に
分子の一方に加水分解性基を有し、他方にグリシジル基
を有する有機金属化合物の重縮合膜が被覆され、更にグ
リシジル基を有するフッ化ポリエーテル重合体を被覆せ
しめた事を特徴とする磁気記憶体。 - (2)炭化物、窒化物、酸化物の金属元素が、金属磁性
媒体を構成する金属の少なくとも一種と同一元素である
ことを特徴とする請求項1記載の磁気記憶体。 - (3)請求項1または2記載の磁気記憶体を用いて装置
としたことを特徴とする磁気記憶装置。 - (4)基体上に金属磁性媒体を被覆する工程、そして該
金属磁性媒体上に炭化物、窒化物、酸化物或いは炭素か
ら選ばれる少なくとも1種の物質より成る薄膜を被覆す
る工程、次に分子の一方に加水分解性基を有し、他方に
グリシジル基を有する有機金属化合物の重縮合膜を被覆
する工程、更にグリシジル基を有するフッ化ポリエーテ
ル重合体を被覆せしめる工程を有すること特徴とする磁
気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9141889A JPH02270128A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 磁気記憶体及び製造方法及び磁気記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9141889A JPH02270128A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 磁気記憶体及び製造方法及び磁気記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02270128A true JPH02270128A (ja) | 1990-11-05 |
Family
ID=14025825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9141889A Pending JPH02270128A (ja) | 1989-04-11 | 1989-04-11 | 磁気記憶体及び製造方法及び磁気記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02270128A (ja) |
-
1989
- 1989-04-11 JP JP9141889A patent/JPH02270128A/ja active Pending
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