JPH01199315A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は磁気記憶装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置）に用いられる磁気記憶体（以
下、記憶体と呼ぶ）に関する。

〔従来の技術Ｊ 金属磁性薄膜媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記
憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）
との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩
素等の方食環境に充分耐える耐食性が要求される。

従来より、基板はアルマイト処理やＮ１−Ｐメツキ等の
非磁性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための研摩
が施こされたＡＲ合金基板等が用いられ、次にＮ１−Ｐ
、Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ等の非磁性メツキやＣｒ、Ｂｉ等の被
覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更に５ｉｎ２
　（ポリケイ酸を含む）、Ａｌ２Ｎ、Ｃ，Ｓ　ｉ　ｓ　
Ｎ−とＡ２□０、の固溶体等の保護膜が被覆され、更に
、パーフロロポリエーテルに代表される溶体潤滑剤（例
えばＶ、Ｓ、Ｐ、３７７８３０８）や、高級アルコール
や脂肪酸に代表される固体潤滑剤の薄層が被覆される。

上記の記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回
り始めているものの大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載したドライブを４０℃、８０％Ｒ，Ｈ
，の環境下に放置すると記憶体１枚の１．２ケ所に方食
点が発生し、ディフェクトエラーに至る。又記憶体とヘ
ッドとの接触を繰り返すことにより１両者間の摩擦係数
が増大し、スピンドルモーターが、しばしば停止に至っ
た。

［発明が解決しようとする課題１ 従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッドとの接触による記憶体とヘッドの物
理的劣化及びスティッキングという信頼性の問題点を有
していた。

本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分、塩素等の環境下に於ける金属媒
体の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘ
ッド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期
に維持することを可能にしたことにより、信頼性に優れ
る記憶体を提供するところにある。

【課題を解決するための手段１ 本発明の記憶体は、金属媒体が被覆された基体上に、窒
化酸化膜或いは炭素膜が被覆され１次に分子の一方にア
ルコキシ基を有し、他方にアミノ基、イミノ基の少な（
ともひとつの官能基を有す誘導体を有するパーフロロポ
リエーテルを含むフッ化有機物を被覆せしめた事を特徴
とする。

酸化窒化膜は、ＡＩ２．Ｙ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの酸化物と窒化物の混
合物或いは固溶体である。又炭素膜は、グラファイト、
ダイヤモンド、アモルファス構造の炭素膜やそれらの混
合膜、積層膜であり、いずれも、２００〜６００人の膜
厚が適切である。上記の化合物及び炭素の薄膜は研摩及
び緻密性に優れ、ヘッドとの接触に対し、一定レベルの
耐久性を示すとともに、水分、塩素等の透過を抑制する
。又いずれの薄膜も、スパッタリング法、イオンブレー
ティング法等のＰＶＤ法やＣＶＤ法で形成可能である。

次に分子の一方にアルコキシ基を有し、他方にアミノ基
、−アミノ基の少なくともひとつの官能基を有する硅素
化合物とは。

Ｈ−Ｎ−（ＣＨａ　）ｍ　−ＮＨ−（ＣＨａ　）ｓ　−
Ｓ　ｉ　−（ＯＣＨｓ　）　ｓ ５ｉ−（ＯＣＨＩ）Ｉ Ｈａ　Ｎ　　（ＣＨａ　）＊−ＮＨ−（ＣＨａ　）＊　
−ＮＨ−（ＣＨｉ　）ａ　−３ｉ−（ＯＣＨｓ　）ｓに
代表される物質であり、いずれも可溶性溶媒に希釈され
、スプレー法、スピンナー法、ディッピング法や、パイ
ロゾル法等の既知の方法で塗布後、焼成により、縮合膜
を形成する。溶媒の制限は特に無く、アルコール類、ハ
ロゲン化炭化水素類を用い、得たい膜厚により濃度が決
定される。

又焼成は６０〜２００℃、５分〜２０分で充分である。

膜厚は、数人（単分子層）でも効果かあり、より厚膜で
も問題は無い。

分子内にカルボキシル基そして／或いはその誘導体を有
するパーフロロポリエーテルは、モンテジソン社製、フ
ォンプリンＺ−ＤＥＡＬ、Ｚ−ＤＩＡＣに代表されるも
のであるがこれらはＺ−ＤＯＬ、ＡＭ−ＳＥｒ　ｉ　ｅ
ｓと混合して用いてもよい、又以下に示す分子の一方の
末端や分子の中央部にカルボキシル基そして／或いはそ
の誘導体を有するパーフルオロポリエーテル等が用いら
れる。これらはフッ素系溶媒に希釈され、スピンナー法
、スプレー法、ディッピング法やパイロゾル法等の方法
で塗布可能である。膜厚は数１０人で充分に効果を発揮
する。

Ｒ−Ｒｆ、−ＣＯＯＨｌ Ｒ−Ｒ，、−ＣＯＯＲ。

Ｃ０ＯＨＣ０ＯＲ ここでＲは、−ＣＩ２Ｈ２Ｉ２．ｌ或いは−ＣβＦ２Ｉ
２゜、であり、Ｒｆｌは−ＣＦｉ　Ｏ−（Ｃ，Ｆ２Ｏ）
　ａ　−（ＣＦ、Ｏ）　５−ＣＦ２　−をＩ’（ｔａは
−ＣＦｔ　Ｏ−（ｃｉ　Ｆ、Ｏ）　、ｌ−（ＣＦ、Ｏ）
。

−ＣＦ−を表わし、！、ｍ、ｎは１以上の整数である。

［作　用１ 本発明の構成によれば、金属媒体に硬度、緻密性にすぐ
れる窒化酸化膜或いは炭素膜によりヘッドの衝撃摩耗か
ら及び環境中の水分や塩素の浸透の抑制により金属媒体
を保護する。

しかし上記の薄膜は、数１００人前後以下と薄　−く、
ピンホールレスにすることは困難である。又上記薄膜の
うち炭素以外は潤滑性に乏しく、最も優れる炭素膜に於
いても、潤滑性が不充分なため、各種の潤滑剤を上記の
薄膜上に積層化されるのが一般的であった。しかしなが
ら、上記の薄膜と潤滑剤との固着力が弱いため、長期間
に及ぶ、ヘッドと記憶体の接触摩耗により、潤滑剤が徐
々に記憶体上から除去され、初期の優れた潤滑効果が失
なわれてしまった。

本発明では、分子の一方に、アルコキシ基を有し、他方
にアミノ基、イミノ基の少なくともひとつの官能基を有
する硅素化合物の重縮合膜を上記薄膜と潤滑剤層間に形
成せしめるものである。アルコキシ基は、窒化酸化膜及
び炭素の最表面に存在するＯＨ基、Ｃ０ＯＨ基及びピン
ホール部の金属媒体表面のＯＨ基との脱水縮合反応によ
り強固な密着性を有する薄膜を形成する。一方のアミノ
基或いはイミノ基は、後述のフッ化有機物のカルボキシ
ル基と強い親和力を示し、ヘッドの衝撃摩耗によって簡
単にフッ化有機物が除去される事を防ぐ作用を示す、又
、塩素等の方食性因子のトラップ効果が高く、防錆作用
を示す。

本発明のフッ化有機物は、塗布型メディアの潤滑剤とし
て広く使用されており、記憶体表面から除去されなけれ
ば優れた潤滑性能を長期にわたり発揮する。又接水性を
示し、防錆の補助作用を示す。

以上により機械的信頼性及び長期保管信頼性は大幅に向
上した。

〔実　施　例１ 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研摩により表面粗度０．０２μｍ以下に表面加工し、
更にＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金メツキを約０．０７μｍ厚に施
こした。

次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
５ＸＩＯ−’ｔｏｒｒ以下まで排気した後、基板を８０
℃まで加熱し、吸着水分の除去後、Ａｒガスを導入し、
５ＸＩＯ−”ｔｏｒｒにした後、第１表に示した材料を
ターゲットとして。

パワー密度４　Ｗ　／　ｃ　ｍ　”で成膜をした。

次に同じく第１表に示す硅素化合物をメタノールとグイ
フロンＳ−３の混合溶媒（体積比１対３）にＯ，０ＯＩ
Ｗ／Ｖ％濃度で溶解し、ディッピング法（１０ｃｍ／ｍ
１ｎ）で塗布し、その４．１１０℃で１５分間焼成した
。

更に同しく第１表に示すフッ化有機物をグイフロンＳ−
３に０．０５Ｗ／Ｖ％濃度で溶解し、ディッピング法（
ｉｏａｍ／ｍ１ｎ）で塗布しその後、８０℃で１５分間
、加熱処理を行った。

第１表 ＆Ｍはドユポン社製品である。又ＦＣ−Ａ＆Ｂは下記に
示す通りである。

Ｃ００ＣＨ。

上記の記憶体を下記の試験で評価した。結果は第２表に
示す。

（ＣＳＳ耐久試験） Ｃ８Ｓ動作前後の外観変化、静摩擦係数と出力低下率を
求める。（使用ヘッド：薄膜３３７０タイプフライハイ
ド０．２ｕｍ、） （耐湿性試験） ８５℃、８０％Ｒ，Ｈ，の環境下放置に於いて、放置時
間の経過をおい、ミッシングビット数を測定し、その増
加が認められた時点を寿命と判断した。

第　　２　　表 〔発明の効果］ 高記録密度対応の記憶体として薄膜型記憶体が登場して
久しいが、長期信頼性に対する不安からその使用は一部
に限られていた。

本発明によれば、加ｆＡ湿下で記憶体が用いられても金
属媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、
低フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が
高いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられるド
ライブ体に搭載されても、記憶体、ヘッドはともに特性
劣化はほとんど認められない。

以上の如く、高記録密度対応の高耐久記憶体の提供が可
能になった。

以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に、金属磁性薄膜媒体が被覆され、この金属磁性
   薄膜媒体上に、窒化酸化膜或いは炭素膜が被覆され、次
   に分子の一方にアルコキシ基を有し、他方にアミノ基、
   イミノ基の少なくともひとつの官能基を有する硅素化合
   物の重縮合膜が被覆され、更に、少なくとも分子内にカ
   ルボキシル基そして／或いはその誘導体を有するパーフ
   ロロポリエーテル重合体を含むフッ化有機物を被覆せし
   めた事を特徴とする磁気記憶体。