JPH0765351A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ヘッドとの接触摺動による摩耗を減少させ摩
擦力の増加を抑えた磁気記憶体を提供する。 【構成】 磁性媒体を含む下地体１の上に、炭素膜保護
膜２、潤滑層４が被覆された構造を有する磁気記憶体に
おいて、炭素膜保護膜２表面にダングリングボンド３を
形成し、潤滑層４の官能基とその一部とが結合し、他の
ダングリングボンドは結合せずに残存している状態とす
る。
擦力の増加を抑えた磁気記憶体を提供する。 【構成】 磁性媒体を含む下地体１の上に、炭素膜保護
膜２、潤滑層４が被覆された構造を有する磁気記憶体に
おいて、炭素膜保護膜２表面にダングリングボンド３を
形成し、潤滑層４の官能基とその一部とが結合し、他の
ダングリングボンドは結合せずに残存している状態とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記憶体に関し、さら
に詳しくはヘッドとの接触摺動による摩耗を減少させた
磁気記憶体とその製造方法に関する。
に詳しくはヘッドとの接触摺動による摩耗を減少させた
磁気記憶体とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に記録再生磁気ヘッド（以下、ヘッ
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生を行う方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式；以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる力を不均
一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ること
がある。このヘッドとの接触および摺動による磁気記憶
体の摩耗を防止するために、従来、米国特許第４２７７
５４０号，米国特許第４４１１９６３号，特開昭６２−
１０３８２３号公報あるいは特開昭５３−１４３２０６
号公報に示されているようなグラファイト状あるいはダ
イアモンド状の炭素膜，あるいは特開昭６４−３７７１
１号公報に示されているような水素原子を含む炭素膜を
保護膜として被覆し、その上に特開昭５２−４９８０５
号公報に示されているようなパーフロロポリエーテルな
どの潤滑剤を被覆していた。ここで、パーフロロポリエ
ーテルとしては、例えば一般に以下の一般式で表される
ような主鎖（かっこで囲んだ部分）と官能基（Ｇ）から
なるパーフロロポリエーテルが用いられる。 潤滑剤Ａ：ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2
Ｇ （ここで、ｐ，ｑは２から２５までの整数、Ｇは−ＣＯ
ＯＨ、−ＯＨなどの官能基である。） 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）nＣ2Ｆ4Ｇ （ここで、ｎは３から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯ
Ｈ、−ＯＨなどの官能基である。） 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ （ここで、ｍは３から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯ
Ｈ、−ＯＨなどの官能基である。）
ドと呼ぶ。）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には次のような方法がある。すなわち
操作開始時にヘッドと磁気記憶体面とを接触状態でセッ
トした後、磁気記憶体に所要の回転を与えることにより
ヘッドと磁気記憶体面の間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生を行う方法である（コンタクト・スタ
ート・ストップ方式；以下、ＣＳＳと呼ぶ。）。この方
法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり、この時
ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触摩擦状
態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘッドと磁気
記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドおよび磁気記憶体
を摩耗させ、ついにはヘッドおよび磁性媒体に傷を生じ
せしめることがある。また前記接触摩擦状態において、
ヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかかる力を不均
一にさせ、ヘッドおよび磁気記憶体表面に傷を作ること
がある。このヘッドとの接触および摺動による磁気記憶
体の摩耗を防止するために、従来、米国特許第４２７７
５４０号，米国特許第４４１１９６３号，特開昭６２−
１０３８２３号公報あるいは特開昭５３−１４３２０６
号公報に示されているようなグラファイト状あるいはダ
イアモンド状の炭素膜，あるいは特開昭６４−３７７１
１号公報に示されているような水素原子を含む炭素膜を
保護膜として被覆し、その上に特開昭５２−４９８０５
号公報に示されているようなパーフロロポリエーテルな
どの潤滑剤を被覆していた。ここで、パーフロロポリエ
ーテルとしては、例えば一般に以下の一般式で表される
ような主鎖（かっこで囲んだ部分）と官能基（Ｇ）から
なるパーフロロポリエーテルが用いられる。 潤滑剤Ａ：ＧＣＦ2（ＯＣＦ2）p（ＯＣ2Ｆ4）qＯＣＦ2
Ｇ （ここで、ｐ，ｑは２から２５までの整数、Ｇは−ＣＯ
ＯＨ、−ＯＨなどの官能基である。） 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）nＣ2Ｆ4Ｇ （ここで、ｎは３から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯ
Ｈ、−ＯＨなどの官能基である。） 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）mＣＦ2Ｇ （ここで、ｍは３から２５までの整数、Ｇは−ＣＯＯ
Ｈ、−ＯＨなどの官能基である。）
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし前記公報の炭素
膜は、表面に潤滑剤を吸着する吸着サイトは有しておら
ず、単に炭素膜保護膜上にパーフロロポリエーテルから
なる潤滑剤を被覆しただけである。このため、炭素膜保
護膜との付着性が悪くＣＳＳ試験により徐々に除去さ
れ、保護膜が摩耗して保護膜表面が平滑になり、摩擦力
が増大するなど機械的耐久性が悪かった。これはプラズ
マ化学蒸着法（ＣＶＤ）やスパッタリング法で形成した
炭素膜は表面がグラファイト構造または２重結合で安定
化されているためである。また研磨などで機械的に表面
のグラファイト層を除去してダングリングボンドなどの
吸着サイトを形成させたとしても、ダングリングボンド
は大気中では不安定で、酸化したり水が吸着して短時間
（数ミリ秒程度）の間に安定化してしまう。例えば特開
昭６４−３７７１１号公報には、水素原子の添加により
炭素原子のダングリングボンドが消滅して安定化し、炭
素膜の下地に用いられている強磁性金属薄膜層との接着
性が改善されると記述されているが、保護膜が安定化す
ると強磁性金属薄膜層あるいは潤滑剤と保護膜との付着
性が悪くなり機械的耐久性はかえって悪くなる。本発明
はこのような従来の事情に対処してなされたもので、ヘ
ッドとの接触摺動による摩耗を減少させた磁気記憶体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
膜は、表面に潤滑剤を吸着する吸着サイトは有しておら
ず、単に炭素膜保護膜上にパーフロロポリエーテルから
なる潤滑剤を被覆しただけである。このため、炭素膜保
護膜との付着性が悪くＣＳＳ試験により徐々に除去さ
れ、保護膜が摩耗して保護膜表面が平滑になり、摩擦力
が増大するなど機械的耐久性が悪かった。これはプラズ
マ化学蒸着法（ＣＶＤ）やスパッタリング法で形成した
炭素膜は表面がグラファイト構造または２重結合で安定
化されているためである。また研磨などで機械的に表面
のグラファイト層を除去してダングリングボンドなどの
吸着サイトを形成させたとしても、ダングリングボンド
は大気中では不安定で、酸化したり水が吸着して短時間
（数ミリ秒程度）の間に安定化してしまう。例えば特開
昭６４−３７７１１号公報には、水素原子の添加により
炭素原子のダングリングボンドが消滅して安定化し、炭
素膜の下地に用いられている強磁性金属薄膜層との接着
性が改善されると記述されているが、保護膜が安定化す
ると強磁性金属薄膜層あるいは潤滑剤と保護膜との付着
性が悪くなり機械的耐久性はかえって悪くなる。本発明
はこのような従来の事情に対処してなされたもので、ヘ
ッドとの接触摺動による摩耗を減少させた磁気記憶体お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性媒体を含
む基板上に、表面にダングリングボンドを有する炭素薄
膜からなる保護膜が形成され、さらに前記ダングリング
ボンドの一部と結合した潤滑膜が被覆された磁気記憶体
であって、ダングリングボンド密度と潤滑膜の官能基密
度との比である吸着サイト比（ダングリングボンド密度
／潤滑膜の官能基密度）が１を超えることを特徴とする
磁気記憶体である。
む基板上に、表面にダングリングボンドを有する炭素薄
膜からなる保護膜が形成され、さらに前記ダングリング
ボンドの一部と結合した潤滑膜が被覆された磁気記憶体
であって、ダングリングボンド密度と潤滑膜の官能基密
度との比である吸着サイト比（ダングリングボンド密度
／潤滑膜の官能基密度）が１を超えることを特徴とする
磁気記憶体である。
【０００５】
【作用】本発明においては、１０-3トール以上、好まし
くは１０-6トール以上の高真空中で炭素膜保護膜表面を
磁気ヘッドまたは研磨テープでわずかに削ることにより
炭素膜表面にダングリングボンドを形成させ、潤滑剤を
炭素膜保護膜に強固に吸着させることができる。表面を
機械的に除去しない炭素膜表面には水や酸素が吸着し、
ダングリングボンドは消滅して存在しない。真空中で表
面層を除去することにより表面の炭素と炭素の結合が切
れダングリングボンドが生成する。このダングリングボ
ンド上に水や酸素が吸着しないうちに真空中で潤滑剤を
塗布することにより潤滑剤が炭素膜表面に強固に結合す
る。潤滑剤の分子は３０ｎｍ程度と長いので、潤滑剤分
子の末端の官能基部分を除いて主鎖に覆われた部分には
ダングリングボンドが残存している。これら残存ダング
リングボンドは磁気ヘッドとの摺動により潤滑剤分子が
除去されても再吸着が可能になる働きをする。そのため
には、ダングリングボンド密度（ｎｄ）と潤滑剤の官能
基密度（ｎｌ）の比（ｎｄ／ｎｌ）、すなわち吸着サイ
ト比（ｒ）が１を超えるようにすることにより、ダング
リングボンドの一部が潤滑剤と結合し、他の部分は結合
せずに存在していることが重要である。ダングリングボ
ンドが全て潤滑層の吸着に消費（ｒ＝１）されている
と、潤滑層が摺動により除去された場合、再結合による
自己修復性が困難となって耐久性が悪くなる。またダン
グリングボンドが不足して潤滑剤の官能基が全て吸着で
きないとき（ｒ＜１）は、潤滑層の付着力が不足し、や
はり耐久性は悪くなる。
くは１０-6トール以上の高真空中で炭素膜保護膜表面を
磁気ヘッドまたは研磨テープでわずかに削ることにより
炭素膜表面にダングリングボンドを形成させ、潤滑剤を
炭素膜保護膜に強固に吸着させることができる。表面を
機械的に除去しない炭素膜表面には水や酸素が吸着し、
ダングリングボンドは消滅して存在しない。真空中で表
面層を除去することにより表面の炭素と炭素の結合が切
れダングリングボンドが生成する。このダングリングボ
ンド上に水や酸素が吸着しないうちに真空中で潤滑剤を
塗布することにより潤滑剤が炭素膜表面に強固に結合す
る。潤滑剤の分子は３０ｎｍ程度と長いので、潤滑剤分
子の末端の官能基部分を除いて主鎖に覆われた部分には
ダングリングボンドが残存している。これら残存ダング
リングボンドは磁気ヘッドとの摺動により潤滑剤分子が
除去されても再吸着が可能になる働きをする。そのため
には、ダングリングボンド密度（ｎｄ）と潤滑剤の官能
基密度（ｎｌ）の比（ｎｄ／ｎｌ）、すなわち吸着サイ
ト比（ｒ）が１を超えるようにすることにより、ダング
リングボンドの一部が潤滑剤と結合し、他の部分は結合
せずに存在していることが重要である。ダングリングボ
ンドが全て潤滑層の吸着に消費（ｒ＝１）されている
と、潤滑層が摺動により除去された場合、再結合による
自己修復性が困難となって耐久性が悪くなる。またダン
グリングボンドが不足して潤滑剤の官能基が全て吸着で
きないとき（ｒ＜１）は、潤滑層の付着力が不足し、や
はり耐久性は悪くなる。
【０００６】前記パーフロロポリエーテルにおいては、
主鎖が保護膜表面に平行に配向しているから、ｎｌは潤
滑剤分子の官能基数，主鎖の長さ（分子量に比例），保
護膜表面への配向状態および潤滑剤の官能基とダングリ
ングボンドとの結合を強めるための焼成条件により変化
させることができる。焼成後溶媒で吸着した潤滑剤を洗
うことにより弱い吸着状態の潤滑剤が除去され、ｎｌが
変化する。ｎｌは、吸着潤滑膜表面の水に対する接触角
から求めた被覆率と分子軌道法から求めた分子の大きさ
から計算できる。前記潤滑剤Ａ，ＢおよびＣにおいて、
通常ｎｌは１０11〜１０14個／ｃｍ2である。一方、ダ
ングリングボンド密度ｎｄは真空度および摺動の条件に
よって異なるが、１０11〜１０15個／ｃｍ2まで変化さ
せることができる。真空度１０-6トールにおいて、摺動
条件は荷重１〜１００グラムおよび回転数１０〜３００
ｒｐｍおよび摺動時間１〜１２０秒の範囲で、上記ダン
グリングボンドを作り出すことができる。なお、ダング
リングボンド数は電子スピン共鳴（ＥＳＲ）法で測定で
きる。ダングリングボンドはプラズマアッシングやプラ
ズマエッチングなど、プラズマ，イオンなどの衝撃によ
る表面層の除去によっても形成できるが、研磨剤や磁気
ヘッドで摺動させて機械的に表面層を除去して形成させ
るのが最も効果が大きい。
主鎖が保護膜表面に平行に配向しているから、ｎｌは潤
滑剤分子の官能基数，主鎖の長さ（分子量に比例），保
護膜表面への配向状態および潤滑剤の官能基とダングリ
ングボンドとの結合を強めるための焼成条件により変化
させることができる。焼成後溶媒で吸着した潤滑剤を洗
うことにより弱い吸着状態の潤滑剤が除去され、ｎｌが
変化する。ｎｌは、吸着潤滑膜表面の水に対する接触角
から求めた被覆率と分子軌道法から求めた分子の大きさ
から計算できる。前記潤滑剤Ａ，ＢおよびＣにおいて、
通常ｎｌは１０11〜１０14個／ｃｍ2である。一方、ダ
ングリングボンド密度ｎｄは真空度および摺動の条件に
よって異なるが、１０11〜１０15個／ｃｍ2まで変化さ
せることができる。真空度１０-6トールにおいて、摺動
条件は荷重１〜１００グラムおよび回転数１０〜３００
ｒｐｍおよび摺動時間１〜１２０秒の範囲で、上記ダン
グリングボンドを作り出すことができる。なお、ダング
リングボンド数は電子スピン共鳴（ＥＳＲ）法で測定で
きる。ダングリングボンドはプラズマアッシングやプラ
ズマエッチングなど、プラズマ，イオンなどの衝撃によ
る表面層の除去によっても形成できるが、研磨剤や磁気
ヘッドで摺動させて機械的に表面層を除去して形成させ
るのが最も効果が大きい。
【０００７】本発明の磁気記憶体の構成により、炭素膜
保護膜表面に形成されたダングリングボンドの一部が潤
滑膜と該保護膜を強固に保持し、ヘッドの摺動によって
潤滑膜が除去されにくく、かつその再吸着による自己修
復機能を可能にすることによって、機械的耐久性を向上
させることが出来る。
保護膜表面に形成されたダングリングボンドの一部が潤
滑膜と該保護膜を強固に保持し、ヘッドの摺動によって
潤滑膜が除去されにくく、かつその再吸着による自己修
復機能を可能にすることによって、機械的耐久性を向上
させることが出来る。
【０００８】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。図１
は、本発明による磁気記憶体の断面構造を概略的に示し
たものである。同図に基づいて実施例を説明する。 実施例１ アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっき膜が被覆さ
れ、表面粗さ０．０２μｍに鏡面仕上げされた基板の上
に、磁性媒体としてコバルト−白金−クロム合金を３０
ｎｍの厚さにめっきし、下地体１を作製した。次にこの
磁性媒体の上に炭素膜保護膜２として炭素をスパッタリ
ングにより被覆した後、真空度を１０-8トールに保持し
た状態で磁気ディスク用基板を１００ｒｐｍで回転させ
つつ研磨テープを１００グラムで１０秒間押しつけるこ
とにより、炭素膜保護膜表面２を研磨してダングリング
ボンド３を１平方センチメーター当たり１０14個形成さ
せた。次に真空状態を保持したまま全体を下記の構造を
有する潤滑剤中に浸漬させて潤滑剤を塗布した。次に大
気中に取り出し、１８０℃で焼成して、潤滑剤の官能基
５をダングリングボンド３に吸着させた後、パーフロロ
ヘプタンからなる溶剤中に浸漬して余分な潤滑剤を除去
することにより、厚さ２ｎｍ程度の潤滑層４を形成して
磁気ディスクを作製した。ｎｌは５．５×１０13個／ｃ
ｍ2であるからｒ＝１．８である。 潤滑剤Ａ：ＨＯＨ2ＣＣＦ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2Ｆ4）
11ＯＣＦ2ＣＨ2ＯＨ 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）17Ｃ2Ｆ4ＣＨ2ＯＨ 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ2ＣＯＯ
Ｈ
は、本発明による磁気記憶体の断面構造を概略的に示し
たものである。同図に基づいて実施例を説明する。 実施例１ アルミ合金基板の上にニッケル−燐めっき膜が被覆さ
れ、表面粗さ０．０２μｍに鏡面仕上げされた基板の上
に、磁性媒体としてコバルト−白金−クロム合金を３０
ｎｍの厚さにめっきし、下地体１を作製した。次にこの
磁性媒体の上に炭素膜保護膜２として炭素をスパッタリ
ングにより被覆した後、真空度を１０-8トールに保持し
た状態で磁気ディスク用基板を１００ｒｐｍで回転させ
つつ研磨テープを１００グラムで１０秒間押しつけるこ
とにより、炭素膜保護膜表面２を研磨してダングリング
ボンド３を１平方センチメーター当たり１０14個形成さ
せた。次に真空状態を保持したまま全体を下記の構造を
有する潤滑剤中に浸漬させて潤滑剤を塗布した。次に大
気中に取り出し、１８０℃で焼成して、潤滑剤の官能基
５をダングリングボンド３に吸着させた後、パーフロロ
ヘプタンからなる溶剤中に浸漬して余分な潤滑剤を除去
することにより、厚さ２ｎｍ程度の潤滑層４を形成して
磁気ディスクを作製した。ｎｌは５．５×１０13個／ｃ
ｍ2であるからｒ＝１．８である。 潤滑剤Ａ：ＨＯＨ2ＣＣＦ2（ＯＣＦ2）13（ＯＣ2Ｆ4）
11ＯＣＦ2ＣＨ2ＯＨ 潤滑剤Ｂ：Ｆ（Ｃ3Ｆ6Ｏ）17Ｃ2Ｆ4ＣＨ2ＯＨ 潤滑剤Ｃ：Ｆ（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）15ＣＦ2ＣＯＯ
Ｈ
【０００９】実施例２ 実施例１と同様に、但し研磨テープの代わりに磁気ヘッ
ドを１５グラムの荷重で３０秒間摺動させて保護膜表面
を研磨して磁気ディスクを作製した。ｎｄは２．７×１
０14個／ｃｍ2であったのでｒ＝４．９となる。
ドを１５グラムの荷重で３０秒間摺動させて保護膜表面
を研磨して磁気ディスクを作製した。ｎｄは２．７×１
０14個／ｃｍ2であったのでｒ＝４．９となる。
【００１０】実施例３ 実施例１と同様に、但し焼成温度を１５０℃として磁気
ディスクを作製した。ｎｌは３．１×１０12個／ｃｍ2
であるからｒ＝３２である。
ディスクを作製した。ｎｌは３．１×１０12個／ｃｍ2
であるからｒ＝３２である。
【００１１】実施例４ 実施例１と同様に、但し焼成温度を１００℃として磁気
ディスクを作製した。ｎｌは４．６×１０11個／ｃｍ2
であるからｒ＝２１７である。
ディスクを作製した。ｎｌは４．６×１０11個／ｃｍ2
であるからｒ＝２１７である。
【００１２】実施例５ 実施例１と同様に、但し焼成せずに磁気ディスクを作製
した。ｎｌは６．７×１０10個／ｃｍ2であるからｒ＝
１４９２である。
した。ｎｌは６．７×１０10個／ｃｍ2であるからｒ＝
１４９２である。
【００１３】実施例６ 実施例１と同様に、但し研磨テープの代わりに磁気ヘッ
ドを５グラムの荷重で３０秒間摺動させて保護膜表面を
研磨し、また１００℃で焼成して磁気ディスクを作製し
た。ｎｄは３．５×１０12個／ｃｍ2であったのでｒ＝
７．６となる。
ドを５グラムの荷重で３０秒間摺動させて保護膜表面を
研磨し、また１００℃で焼成して磁気ディスクを作製し
た。ｎｄは３．５×１０12個／ｃｍ2であったのでｒ＝
７．６となる。
【００１４】実施例７ 実施例１と同様に、但し研磨テープの代わりに磁気ヘッ
ドを１０グラムの荷重で３０秒間摺動させて保護膜表面
を研磨し、また１００℃で焼成して磁気ディスクを作製
した。ｎｄは６．９×１０12個／ｃｍ2であったのでｒ
＝１５．０となる。
ドを１０グラムの荷重で３０秒間摺動させて保護膜表面
を研磨し、また１００℃で焼成して磁気ディスクを作製
した。ｎｄは６．９×１０12個／ｃｍ2であったのでｒ
＝１５．０となる。
【００１５】実施例８ 実施例１と同様に、但し研磨テープを荷重１０グラムで
押しつけて保護膜表面を研磨し、また８０℃で焼成して
磁気ディスクを作製した。ｎｄは３．１×１０11個／ｃ
ｍ2，ｎｌは２．５×１０11個／ｃｍ2であったのでｒ＝
１．２となる。
押しつけて保護膜表面を研磨し、また８０℃で焼成して
磁気ディスクを作製した。ｎｄは３．１×１０11個／ｃ
ｍ2，ｎｌは２．５×１０11個／ｃｍ2であったのでｒ＝
１．２となる。
【００１６】比較例１ 実施例１と同様にして、但し保護膜表面を研磨せずに大
気中に取り出した後、焼成せずに潤滑膜４を被覆して磁
気ディスクを作製した。ｎｄは１０10個／ｃｍ2であっ
たのでｒ＝０．１となる。
気中に取り出した後、焼成せずに潤滑膜４を被覆して磁
気ディスクを作製した。ｎｄは１０10個／ｃｍ2であっ
たのでｒ＝０．１となる。
【００１７】比較例２ 実施例１と同様にして、但し研磨テープを荷重１グラム
で１０秒間押しつけて保護膜表面を研磨し、また焼成せ
ずに磁気ディスクを作製した。ｎｄは６×１０10個／ｃ
ｍ2であったのでｒ＝０．９となる。
で１０秒間押しつけて保護膜表面を研磨し、また焼成せ
ずに磁気ディスクを作製した。ｎｄは６×１０10個／ｃ
ｍ2であったのでｒ＝０．９となる。
【００１８】実施例で作製した磁気ディスクを２万回の
起動・停止繰り返し試験（ＣＳＳ試験）で評価したとこ
ろ、試験前の摩擦係数０．２が吸着サイト比（ｒ）の違
いによって２万回後には図２に示すように変化した。実
施例１から８までの吸着サイト比ｒが１を越える領域で
は試験後の摩擦係数は１．０以下であるが、ｒが１に近
づくと急激に摩擦係数は増加し、比較例１および２のよ
うに吸着サイト比ｒが１以下になると摩擦係数は１．０
を越えるため機械的耐久性が急激に悪化する。なお、ｒ
＝１．２の実施例８ではＣＳＳ試験後の摩擦係数は０．
９であった。またｒ＝０．９の比較例２では摩擦係数は
２．５であった。このように、表面に吸着サイト比が１
を越えるように設計された、ダングリングボンドを有す
る炭素膜上に潤滑膜を被覆した磁気ディスクは、機械的
耐久性が大幅に改善されることが分かった。またヘッド
で研磨した磁気ディスクの方が研磨テープよりも吸着サ
イト比ｒが大きく、ＣＳＳ試験後の摩擦係数が小さいこ
とはより効率よく表面層を除去してダングリングボンド
を生み出しているものと考えられる。
起動・停止繰り返し試験（ＣＳＳ試験）で評価したとこ
ろ、試験前の摩擦係数０．２が吸着サイト比（ｒ）の違
いによって２万回後には図２に示すように変化した。実
施例１から８までの吸着サイト比ｒが１を越える領域で
は試験後の摩擦係数は１．０以下であるが、ｒが１に近
づくと急激に摩擦係数は増加し、比較例１および２のよ
うに吸着サイト比ｒが１以下になると摩擦係数は１．０
を越えるため機械的耐久性が急激に悪化する。なお、ｒ
＝１．２の実施例８ではＣＳＳ試験後の摩擦係数は０．
９であった。またｒ＝０．９の比較例２では摩擦係数は
２．５であった。このように、表面に吸着サイト比が１
を越えるように設計された、ダングリングボンドを有す
る炭素膜上に潤滑膜を被覆した磁気ディスクは、機械的
耐久性が大幅に改善されることが分かった。またヘッド
で研磨した磁気ディスクの方が研磨テープよりも吸着サ
イト比ｒが大きく、ＣＳＳ試験後の摩擦係数が小さいこ
とはより効率よく表面層を除去してダングリングボンド
を生み出しているものと考えられる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による磁気
記憶体は、ヘッドの摺動によって潤滑膜が除去されにく
く、かつその再吸着による自己修復機能を有しているの
で、ヘッドとの接触摺動による摩耗が減少し、その機械
的耐久性を向上させることができる。
記憶体は、ヘッドの摺動によって潤滑膜が除去されにく
く、かつその再吸着による自己修復機能を有しているの
で、ヘッドとの接触摺動による摩耗が減少し、その機械
的耐久性を向上させることができる。
【図１】本発明の磁気記憶体の一例の断面図である。
【図２】本発明の磁気記憶体の耐久性評価結果を表す図
である。
である。
１ 下地体 ２ 炭素膜保護膜 ３ ダングリングボンド ４ 潤滑層官能基 ５ 潤滑層
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性媒体を含む基板上に、表面にダング
リングボンドを有する炭素薄膜からなる保護膜が形成さ
れ、さらに前記ダングリングボンドの一部と結合した潤
滑膜が被覆された磁気記憶体であって、ダングリングボ
ンド密度と潤滑膜の官能基密度との比である吸着サイト
比（ダングリングボンド密度／潤滑膜の官能基密度）が
１を超えることを特徴とする磁気記憶体。 - 【請求項２】 磁性媒体を含む基板上に炭素薄膜を真空
中で成膜した後、該真空中で前記炭素薄膜の表面を磁気
ヘッドあるいは研磨テープで摺動させて表面にダングリ
ングボンドを形成させ、次いで真空状態を破らずに潤滑
膜を形成することを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232387A JP2746073B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 磁気記憶体の製造方法 |
| US08/294,970 US5858536A (en) | 1993-08-25 | 1994-08-24 | Magnetic recording medium having a perfluoropolyether lubricant bonded to the surface of a carbon protective film |
| US08/420,564 US5508061A (en) | 1993-08-25 | 1995-04-12 | Method of manufacturing a magnetic storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232387A JP2746073B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 磁気記憶体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765351A true JPH0765351A (ja) | 1995-03-10 |
| JP2746073B2 JP2746073B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16938442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5232387A Expired - Lifetime JP2746073B2 (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 磁気記憶体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5858536A (ja) |
| JP (1) | JP2746073B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6093495A (en) * | 1996-08-09 | 2000-07-25 | Seagate Technology, Inc. | Water soluble perfluoro polyether salt topcoat lubricants |
| US6190749B1 (en) * | 1997-12-05 | 2001-02-20 | Seagate Technology Llc | Hydroxyethyloxymethyl terminated perfluoropolyethers for lubrication of discs in information storage systems |
| US6589641B1 (en) | 1998-06-04 | 2003-07-08 | Seagate Technology Llc | Thin films of crosslinked fluoropolymer on a carbon substrate |
| US6268073B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-07-31 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for magnetically-induced super resolution magneto-optical media |
| US6355342B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-03-12 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for high density multilayer magneto-optical media |
| US6381200B1 (en) | 1998-11-18 | 2002-04-30 | Seagate Technology Llc | Flash layer overcoat for first surface magneto-optical media |
| US6324131B1 (en) | 1999-01-04 | 2001-11-27 | Seagate Technology Llc | Low glide magneto-optical recording medium |
| US6582823B1 (en) * | 1999-04-30 | 2003-06-24 | North Carolina State University | Wear-resistant polymeric articles and methods of making the same |
| US6617011B2 (en) | 1999-05-07 | 2003-09-09 | Seagate Technology Llc | Elastomeric lubricants for magnetic recording media |
| US6558771B1 (en) | 1999-08-27 | 2003-05-06 | Seagate Technology Llc | Textured magnetic media for use with low-flying padded heads |
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| US6613151B1 (en) | 2000-04-12 | 2003-09-02 | Seagate Technology Llc | Single disc vapor lubrication |
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| US6673429B1 (en) * | 2000-07-25 | 2004-01-06 | Seagate Technology Llc | Magnetic recording media with a multiple-layer lubricant |
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-
1993
- 1993-08-25 JP JP5232387A patent/JP2746073B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-08-24 US US08/294,970 patent/US5858536A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-04-12 US US08/420,564 patent/US5508061A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146430A (ja) * | 1985-12-21 | 1987-06-30 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2746073B2 (ja) | 1998-04-28 |
| US5508061A (en) | 1996-04-16 |
| US5858536A (en) | 1999-01-12 |
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