JPH0465454B2 - - Google Patents
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- JPH0465454B2 JPH0465454B2 JP28649685A JP28649685A JPH0465454B2 JP H0465454 B2 JPH0465454 B2 JP H0465454B2 JP 28649685 A JP28649685 A JP 28649685A JP 28649685 A JP28649685 A JP 28649685A JP H0465454 B2 JPH0465454 B2 JP H0465454B2
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 38
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 4
- -1 chlorosilyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 4
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical group CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- GCIARMDXQWNVJF-UHFFFAOYSA-N 3-trichlorosilylpropan-1-amine Chemical group NCCC[Si](Cl)(Cl)Cl GCIARMDXQWNVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(N)C=C1 CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 206010003549 asthenia Diseases 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明は磁気的記憶装置（磁気デイスク装置
および磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶
体およびその製造方法に関するものである。 （従来の技術） 一般に記録再生磁気ヘツド（以下ヘツドと呼
ぶ）と磁気記憶体とを主構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には、大別して次のような二種
類の方法がある。第一の方法は、操作開始時にヘ
ツドと磁気記憶体面との間に空気層分の空間を作
り、この状態で記録再生をする方法である。この
方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が止ま
り、この時ヘツドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記
憶体に予め所要の回転を与えておき、急激にヘツ
ドを磁気記憶体面上に押しつけることにより前記
ヘツドと磁気記憶体面との間に空気層分の空間を
作り、この状態で記録再生する方法である。この
ように第一の方法では操作開始時および終了時に
ヘツドの磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第
二の方法ではヘツドを磁気記憶体面に押しつける
際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態
におけるヘツドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力
は、ヘツドおよび磁気記憶体を摩耗させついには
ヘツドおよび金属磁性薄膜媒体に傷を作ることが
ある。 また前記接触摩擦状態においてヘツドのわずか
な姿勢の変化がヘツドにかかる荷重を不均一にさ
せヘツドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることも
ある。 また更に前記接触まさつ状態におけるヘツドと
磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘツ
ドを取りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記
憶体を回転させるモーターに好ましからぬ負担を
かける。 また記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体
に接触し、ヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力
が働き、ヘツドおよび磁気記憶体が破壊させるこ
とがしばしば起こる。 この様なヘツドと磁気記憶体との接触摩擦力か
らヘツドおよび磁気記憶体を保護するために磁気
記憶体の表面に保護被膜を被覆すること必要であ
り、又この保護被膜は前記ヘツドと磁気記憶体間
に生じる接触摩擦力を小さく（すなわち摩擦力を
小さく）することが要求される。 磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記
接触摩擦力を小さくするための一つの方法であ
る。上記潤滑層はその下地体と十分に結合してい
なければならない。潤滑層がその下地と十分に結
合していないと、ヘツドと磁気記憶体の接触摩擦
により下地体から取り去られるかあるいはヘツド
のまわりおよびヘツドと磁気記憶体の間に毛管現
象により多量に集まり、記録再生時のヘツドの浮
揚安定性に悪影響をおよぼす。 上記潤滑層のヘツドとの接触摩擦力を小さくす
る効果はヘツドと磁気記憶体の界面に吸着ないし
凝着が起こりにくい非極性の分子層が介在するこ
とによりなされる。すなわち潤滑層は磁気記憶体
と結合する部分とヘツド面と吸着しにくい非極性
部分とに配向していることが望ましい。 このような潤滑層としてシリコンオイル、ふつ
素油、フロロシリコンなどのオイル類やオクタデ
シルトリクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン
などのシランまたはシラザン類が提案されている
（特公昭55−40932号公報）。これらの潤滑層は、
各々優れた特性を示すものの、オイル類において
は非晶質無機酸化物と化学結合する結合力が十分
でなく、シランまたはシラザン類においてはヘツ
ドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こり
にくい非極性の分子層の分子層が十分でない。こ
のためオイル類においては長期間の使用における
潤滑剤の損失、シランまたはシラザン類において
はヘツドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小
さくする効果が完全でないという問題があつた。 本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶
体およびその製造方法を提供することにある。 （問題点を解決するための手段） この発明の要旨とするところは、アルコキシシ
リル基またはクロロシリル基とアミノ基を有する
物質を単分子層とした酸化膜を被覆した磁気記憶
体の上に形成した後、末端にアミノ基と化学結合
する官能基をもつふつ素油分子を塗布することで
ある。すなわち、アルコキシシリル基またはクロ
ロシリル基とアミノ基を有する物質の単分子層を
酸化膜とふつ素油分子を強固に結びつけるバイン
ダーとして使用し、さらに分子量の大きなふつ素
油分子を使用することで、ヘツドと下地体との界
面に吸着ないし凝着が起こりにくい非極性の分子
層を十分に介在させ、潤滑層とヘツドとの接触摩
擦力を小さくすることである。このバインダーと
してアルコキシシリル基またはクロロシリル基と
アミノ基を有する物質を使用すること、およびア
ミノ基と化学結合するイソシアネート基を有する
ふつ素油分子を用いることが重要な点である。 （作 用） 非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいはSiO2、
ガラス、アルミナなどの膜である。アルコキシシ
リル基またはクロロシリル基は反応性に富み、こ
の非晶質無機酸化物の表面に存在するシラノール
基（Si−OH）や水酸基（−OH）と化学結合し、
非晶質無機酸化物と強固に結びついた単分子層を
形成する。この単分子層はアミノ基が基板と反対
側を向いて並んでいるためイソシアネート基を有
するふつ素油分子と化学結合をつくることがで
き、非晶質無機酸化物とふつ素油分子を強固に結
びつけるバインダーの役割りを果たすことができ
る。一方、ふつ素油分子は表面エネルギーを低下
させ、優れた潤滑効果を示す。したがつて、一般
式 （ｍ，ｎは０または自然数） （Ｘ，Ｙ，Ｚのうち少なくとも１つはアルコキ
シ基または塩素、他はアルキル基）で表わされる
物質の単分子層と一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF
2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ （ｐ，ｑは整数） で表わされる重合体を用いれば下地体と強固に結
合した優れた潤滑剤が得られる。また、このまま
でも下地体と重合体は強固に結合するが、非晶質
無機酸化物を形成した後、プラズマ中で処理して
から重合体を塗布すれば、表面のクリーニングが
完全になること、および、イオンの打ち込みによ
りイソシアネート基と化学結合するラジカルが生
成することなどの理由で下地体と重合体の結合は
さらに強固になる。 更に、記録および再生にとつてはスペーシング
（記録および再生時におけるヘツドと磁気記憶体
の間隔）は小さい方が有利である。このため潤滑
層の膜厚はできる限り薄い方が望ましいが、この
単分子膜と重合体は非常に薄い潤滑層を形成する
ことが可能である。非晶質無機酸化物の上に単分
子層を形成し重合体を塗布した後、化学反応を起
こし、単分子層と重合体とを結合させた後、フレ
オン洗浄することにより単分子層と結合していな
い余分の潤滑剤がとりさられ、非常に薄い潤滑層
が形成される。単分子層と重合体の化学反応は塗
布後自然に進行するが、焼成すれば短時間です
む。 （実施例） 実施例 １ 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を示す断
面図である。図面において本発明の磁気記憶体７
は、合金円盤１上に非磁性合金層２が被覆され、
この被膜の研磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆
されており、さらにこの上に非晶質無機酸化物４
が被覆され、さらにこの上に潤滑剤５が被覆され
ている。 合金円盤１として施盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向および半径方向で
ともに50μｍ以下）をもつた面に仕上げられたデ
イスク状アルミニウム合金基盤上に非磁性合金層
２としてニツケル−燐（Ni−Ｐ）合金を約50μｍ
の厚さにメツキし、このNi−Ｐメツキ膜を機械
的研磨により表面粗さ0.04μｍ以下、厚さ約30μｍ
まで鏡面仕上げしたのち、その上に金属磁性薄膜
媒体３としてコバルト−ニツケル−燐（Co−Ni
−Ｐ）合金を約0.05μｍの厚さにメツキした。さ
らにこのCo−Ni−Ｐ合金膜の上に、下に示した
組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出した
SiO2をろ過膜を通して取り除いた後、回転塗布
法により塗布した。 テトラヒドロキシシラン11％ エチルアルコール溶液：20重量％ ｎ−ブチルアルコール：80重量％ その後このデイスク基盤を200℃の温度で３時
間焼成しCo−Ni−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被
膜を形成した。 この基板を３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン〔H2N（CH2）3Si（OCH2）3〕の蒸気中に気温
で30分間保持した後、100℃の温度で30分間焼成
し単分子膜を形成した。分子量約3000のＯ＝Ｃ＝
Ｎ＝−CF2（C2F4O）ｐ−（CF2）ｑ−CF2−Ｎ＝
Ｃ＝Ｏ（ｐ：ｑ＝１：１）をフレオンに溶解し
0.08重量％の溶液を作成し、0.2μｍのフイルター
を通してろ過した。この溶液を３−アミノプロピ
ルトリメトキシシランの単分子層を形成した前記
デイスク基板に2500回／分の回転速度で回転塗布
し、100℃の温度で40分間焼成を行なつた後、フ
レオンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落と
した。 重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネル
ギーを種々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定
し計算するとポリ珪酸被膜上43erg／cm2から重合
体塗布後では15erg／cm2と表面エネルギーが著し
く低下しヘツドと下地体との接着を防止する効果
が大きいことがわかつた。 次に、このデイスク基板とヘツドとの間に働く
動摩擦係数を測定した。動摩擦係数はヘツドに歪
ゲージを連結し、デイスクを一定速度で回転させ
たときに生じるヘツドとデイスク間の動摩擦力を
測定し、これをヘツドに加えた荷重で割つてもと
めた。測定は荷重15ｇ、滑り速度100mm／minの
条件で行なつた。その結果、動摩擦係数の値とし
て0.171が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ
動摩擦係数の値を小さくすることができた。 また、この重合体を塗布したデイスク基板と荷
重70ｇのモノリシツクヘツドを用いてデイスクと
ヘツドの接触摩擦試験を30000回繰り返し行なつ
たが、ヘツドクラツシユおよびヘツドによる接触
摩擦によるデイスクの表面状態の変化は皆無であ
つた。 実施例 ２ 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜
を形成したデイスク基板を３−アミノプロピルト
リメトキシシランの蒸気中に室温で30分間保持し
た後100℃の温度で30分間焼成し単分子層を形成
した。分子層約3000のＯ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−
（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ
（ｐ：ｑ＝４：１）をフレオンに溶解し0.08重量
％の溶液を作成し、0.2μｍのフイルターを通して
ろ過した。３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの単分子層を形成した前記デイスク基板にこの
重合体を2500回／分の回転速度で回転塗布し100
℃の温度で40分間焼成した後フレオンで余分な重
合体を洗い落とした。実施例１と同様の方法で表
面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。その結
果、重合体を塗布することにより表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上43erg／cm2から17erg／cm2に
低下し、動摩擦係数の値は0.546から0.187に小さ
くすることができた。 また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、
30000回の接触摩擦試験によるデイスクの表面状
態の変化は皆無であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様の方法で作成したデイスク基板
のCo−Ni−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわ
りにAl2O3（非晶質アルミナ）をスパツタ保によ
り被覆した。このデイスク基板を３−アミノプロ
ピルトリメトキシシランの蒸気中に室温で30分間
焼成し単分子層を形成した。実施例１で作成した
重合体溶液を2500回／分で回転塗布し100℃の温
度で40分間焼成した後フレオンで余分の重合体を
洗いおとし、実施例１と同様の方法で表面エネル
ギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面
エネルギーは非晶質アルミナ上の45erg／cm2から
重合体上15erg／cm2に低下し動摩擦係数の値は
0.270から0.175に小さくすることができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ４ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランを３−アミノプロピルトリエトキ
シシラン〔NH2（CH2）3Si（OC2H5）3〕にかえ、他
の条件は全く同様にして実験を行なつた。その結
果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の
43erg／cm2から重合体上の15erg／cm2に低下し、動
摩擦係数の値として重合体塗布後0.173が得られ、
ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすること
ができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ５ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランを３−アミノプロピルトリクロロ
シラン〔H2N（CH2）3SiCl3〕にかえ、他の条件は
全く同様にして実験を行なつた。その結果、表面
エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2か
ら重合体上の14erg／cm2に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後0.170が得られ、ポリ珪酸
被膜上の0.546に比べ、小さくすることできた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ６ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランをｐ−アミノフエニルトリメトキ
シシラン
および磁気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶
体およびその製造方法に関するものである。 （従来の技術） 一般に記録再生磁気ヘツド（以下ヘツドと呼
ぶ）と磁気記憶体とを主構成部とする磁気記憶装
置の記録再生方法には、大別して次のような二種
類の方法がある。第一の方法は、操作開始時にヘ
ツドと磁気記憶体面との間に空気層分の空間を作
り、この状態で記録再生をする方法である。この
方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が止ま
り、この時ヘツドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記
憶体に予め所要の回転を与えておき、急激にヘツ
ドを磁気記憶体面上に押しつけることにより前記
ヘツドと磁気記憶体面との間に空気層分の空間を
作り、この状態で記録再生する方法である。この
ように第一の方法では操作開始時および終了時に
ヘツドの磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第
二の方法ではヘツドを磁気記憶体面に押しつける
際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態
におけるヘツドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力
は、ヘツドおよび磁気記憶体を摩耗させついには
ヘツドおよび金属磁性薄膜媒体に傷を作ることが
ある。 また前記接触摩擦状態においてヘツドのわずか
な姿勢の変化がヘツドにかかる荷重を不均一にさ
せヘツドおよび磁気記憶体表面に傷を作ることも
ある。 また更に前記接触まさつ状態におけるヘツドと
磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘツ
ドを取りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記
憶体を回転させるモーターに好ましからぬ負担を
かける。 また記録再生中に突発的にヘツドが磁気記憶体
に接触し、ヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦力
が働き、ヘツドおよび磁気記憶体が破壊させるこ
とがしばしば起こる。 この様なヘツドと磁気記憶体との接触摩擦力か
らヘツドおよび磁気記憶体を保護するために磁気
記憶体の表面に保護被膜を被覆すること必要であ
り、又この保護被膜は前記ヘツドと磁気記憶体間
に生じる接触摩擦力を小さく（すなわち摩擦力を
小さく）することが要求される。 磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記
接触摩擦力を小さくするための一つの方法であ
る。上記潤滑層はその下地体と十分に結合してい
なければならない。潤滑層がその下地と十分に結
合していないと、ヘツドと磁気記憶体の接触摩擦
により下地体から取り去られるかあるいはヘツド
のまわりおよびヘツドと磁気記憶体の間に毛管現
象により多量に集まり、記録再生時のヘツドの浮
揚安定性に悪影響をおよぼす。 上記潤滑層のヘツドとの接触摩擦力を小さくす
る効果はヘツドと磁気記憶体の界面に吸着ないし
凝着が起こりにくい非極性の分子層が介在するこ
とによりなされる。すなわち潤滑層は磁気記憶体
と結合する部分とヘツド面と吸着しにくい非極性
部分とに配向していることが望ましい。 このような潤滑層としてシリコンオイル、ふつ
素油、フロロシリコンなどのオイル類やオクタデ
シルトリクロロシラン、ヘキサメチルジシラザン
などのシランまたはシラザン類が提案されている
（特公昭55−40932号公報）。これらの潤滑層は、
各々優れた特性を示すものの、オイル類において
は非晶質無機酸化物と化学結合する結合力が十分
でなく、シランまたはシラザン類においてはヘツ
ドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こり
にくい非極性の分子層の分子層が十分でない。こ
のためオイル類においては長期間の使用における
潤滑剤の損失、シランまたはシラザン類において
はヘツドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小
さくする効果が完全でないという問題があつた。 本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶
体およびその製造方法を提供することにある。 （問題点を解決するための手段） この発明の要旨とするところは、アルコキシシ
リル基またはクロロシリル基とアミノ基を有する
物質を単分子層とした酸化膜を被覆した磁気記憶
体の上に形成した後、末端にアミノ基と化学結合
する官能基をもつふつ素油分子を塗布することで
ある。すなわち、アルコキシシリル基またはクロ
ロシリル基とアミノ基を有する物質の単分子層を
酸化膜とふつ素油分子を強固に結びつけるバイン
ダーとして使用し、さらに分子量の大きなふつ素
油分子を使用することで、ヘツドと下地体との界
面に吸着ないし凝着が起こりにくい非極性の分子
層を十分に介在させ、潤滑層とヘツドとの接触摩
擦力を小さくすることである。このバインダーと
してアルコキシシリル基またはクロロシリル基と
アミノ基を有する物質を使用すること、およびア
ミノ基と化学結合するイソシアネート基を有する
ふつ素油分子を用いることが重要な点である。 （作 用） 非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいはSiO2、
ガラス、アルミナなどの膜である。アルコキシシ
リル基またはクロロシリル基は反応性に富み、こ
の非晶質無機酸化物の表面に存在するシラノール
基（Si−OH）や水酸基（−OH）と化学結合し、
非晶質無機酸化物と強固に結びついた単分子層を
形成する。この単分子層はアミノ基が基板と反対
側を向いて並んでいるためイソシアネート基を有
するふつ素油分子と化学結合をつくることがで
き、非晶質無機酸化物とふつ素油分子を強固に結
びつけるバインダーの役割りを果たすことができ
る。一方、ふつ素油分子は表面エネルギーを低下
させ、優れた潤滑効果を示す。したがつて、一般
式 （ｍ，ｎは０または自然数） （Ｘ，Ｙ，Ｚのうち少なくとも１つはアルコキ
シ基または塩素、他はアルキル基）で表わされる
物質の単分子層と一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF
2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ （ｐ，ｑは整数） で表わされる重合体を用いれば下地体と強固に結
合した優れた潤滑剤が得られる。また、このまま
でも下地体と重合体は強固に結合するが、非晶質
無機酸化物を形成した後、プラズマ中で処理して
から重合体を塗布すれば、表面のクリーニングが
完全になること、および、イオンの打ち込みによ
りイソシアネート基と化学結合するラジカルが生
成することなどの理由で下地体と重合体の結合は
さらに強固になる。 更に、記録および再生にとつてはスペーシング
（記録および再生時におけるヘツドと磁気記憶体
の間隔）は小さい方が有利である。このため潤滑
層の膜厚はできる限り薄い方が望ましいが、この
単分子膜と重合体は非常に薄い潤滑層を形成する
ことが可能である。非晶質無機酸化物の上に単分
子層を形成し重合体を塗布した後、化学反応を起
こし、単分子層と重合体とを結合させた後、フレ
オン洗浄することにより単分子層と結合していな
い余分の潤滑剤がとりさられ、非常に薄い潤滑層
が形成される。単分子層と重合体の化学反応は塗
布後自然に進行するが、焼成すれば短時間です
む。 （実施例） 実施例 １ 以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を示す断
面図である。図面において本発明の磁気記憶体７
は、合金円盤１上に非磁性合金層２が被覆され、
この被膜の研磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆
されており、さらにこの上に非晶質無機酸化物４
が被覆され、さらにこの上に潤滑剤５が被覆され
ている。 合金円盤１として施盤加工および熱矯正によつ
て十分小さなうねり（円周方向および半径方向で
ともに50μｍ以下）をもつた面に仕上げられたデ
イスク状アルミニウム合金基盤上に非磁性合金層
２としてニツケル−燐（Ni−Ｐ）合金を約50μｍ
の厚さにメツキし、このNi−Ｐメツキ膜を機械
的研磨により表面粗さ0.04μｍ以下、厚さ約30μｍ
まで鏡面仕上げしたのち、その上に金属磁性薄膜
媒体３としてコバルト−ニツケル−燐（Co−Ni
−Ｐ）合金を約0.05μｍの厚さにメツキした。さ
らにこのCo−Ni−Ｐ合金膜の上に、下に示した
組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出した
SiO2をろ過膜を通して取り除いた後、回転塗布
法により塗布した。 テトラヒドロキシシラン11％ エチルアルコール溶液：20重量％ ｎ−ブチルアルコール：80重量％ その後このデイスク基盤を200℃の温度で３時
間焼成しCo−Ni−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被
膜を形成した。 この基板を３−アミノプロピルトリメトキシシ
ラン〔H2N（CH2）3Si（OCH2）3〕の蒸気中に気温
で30分間保持した後、100℃の温度で30分間焼成
し単分子膜を形成した。分子量約3000のＯ＝Ｃ＝
Ｎ＝−CF2（C2F4O）ｐ−（CF2）ｑ−CF2−Ｎ＝
Ｃ＝Ｏ（ｐ：ｑ＝１：１）をフレオンに溶解し
0.08重量％の溶液を作成し、0.2μｍのフイルター
を通してろ過した。この溶液を３−アミノプロピ
ルトリメトキシシランの単分子層を形成した前記
デイスク基板に2500回／分の回転速度で回転塗布
し、100℃の温度で40分間焼成を行なつた後、フ
レオンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落と
した。 重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネル
ギーを種々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定
し計算するとポリ珪酸被膜上43erg／cm2から重合
体塗布後では15erg／cm2と表面エネルギーが著し
く低下しヘツドと下地体との接着を防止する効果
が大きいことがわかつた。 次に、このデイスク基板とヘツドとの間に働く
動摩擦係数を測定した。動摩擦係数はヘツドに歪
ゲージを連結し、デイスクを一定速度で回転させ
たときに生じるヘツドとデイスク間の動摩擦力を
測定し、これをヘツドに加えた荷重で割つてもと
めた。測定は荷重15ｇ、滑り速度100mm／minの
条件で行なつた。その結果、動摩擦係数の値とし
て0.171が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ
動摩擦係数の値を小さくすることができた。 また、この重合体を塗布したデイスク基板と荷
重70ｇのモノリシツクヘツドを用いてデイスクと
ヘツドの接触摩擦試験を30000回繰り返し行なつ
たが、ヘツドクラツシユおよびヘツドによる接触
摩擦によるデイスクの表面状態の変化は皆無であ
つた。 実施例 ２ 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜
を形成したデイスク基板を３−アミノプロピルト
リメトキシシランの蒸気中に室温で30分間保持し
た後100℃の温度で30分間焼成し単分子層を形成
した。分子層約3000のＯ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−
（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ
（ｐ：ｑ＝４：１）をフレオンに溶解し0.08重量
％の溶液を作成し、0.2μｍのフイルターを通して
ろ過した。３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの単分子層を形成した前記デイスク基板にこの
重合体を2500回／分の回転速度で回転塗布し100
℃の温度で40分間焼成した後フレオンで余分な重
合体を洗い落とした。実施例１と同様の方法で表
面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。その結
果、重合体を塗布することにより表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上43erg／cm2から17erg／cm2に
低下し、動摩擦係数の値は0.546から0.187に小さ
くすることができた。 また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、
30000回の接触摩擦試験によるデイスクの表面状
態の変化は皆無であつた。 実施例 ３ 実施例１と同様の方法で作成したデイスク基板
のCo−Ni−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわ
りにAl2O3（非晶質アルミナ）をスパツタ保によ
り被覆した。このデイスク基板を３−アミノプロ
ピルトリメトキシシランの蒸気中に室温で30分間
焼成し単分子層を形成した。実施例１で作成した
重合体溶液を2500回／分で回転塗布し100℃の温
度で40分間焼成した後フレオンで余分の重合体を
洗いおとし、実施例１と同様の方法で表面エネル
ギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面
エネルギーは非晶質アルミナ上の45erg／cm2から
重合体上15erg／cm2に低下し動摩擦係数の値は
0.270から0.175に小さくすることができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ４ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランを３−アミノプロピルトリエトキ
シシラン〔NH2（CH2）3Si（OC2H5）3〕にかえ、他
の条件は全く同様にして実験を行なつた。その結
果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の
43erg／cm2から重合体上の15erg／cm2に低下し、動
摩擦係数の値として重合体塗布後0.173が得られ、
ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくすること
ができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ５ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランを３−アミノプロピルトリクロロ
シラン〔H2N（CH2）3SiCl3〕にかえ、他の条件は
全く同様にして実験を行なつた。その結果、表面
エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2か
ら重合体上の14erg／cm2に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後0.170が得られ、ポリ珪酸
被膜上の0.546に比べ、小さくすることできた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ６ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランをｐ−アミノフエニルトリメトキ
シシラン
【式】にか
え、他の条件は全く同様にして実験を行なつた。
その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上
の43erg／cm2から重合体上の16erg／cm2に低下し、
動摩擦係数の値として重合体塗布後0.181が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくする
ことができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ７ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランを３−アミノプロピルメチルジエ
トキシシラン〔H2N（CH2）3Si（OC2H5）2CH5〕に
かえ、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持す
る時間のみ１時間とし、他の条件は全く同様にし
て実験を行なつた。その結果、表面エネルギーの
値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の
18erg／cm2に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗布後0.190が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546
に比べ、小さくすることができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ８ 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜
を形成したデイスク基板を平行平板型のエツチン
グ装置に入れ、Arを用いて、流量18sccm、電力
密度0.35W／cm2、圧力1.3Pa、バイアス電位力密
度0.35W／cm2、圧力1.3Pa、バイアス電位1kVの
条件で２分間エツチングを行なつた後、実施例１
と同様に３−アミノプロピルトリメトキシシラン
の蒸気中で30分間保持し、100℃の温度で30分間
焼成し単分子層を形成した。このデイスク基板に
実施例１で作成した重合体溶液を2500回／分で回
転塗布し、100℃で40分間焼成した後フレオンで
余分の重合体を洗い落とし、実施例１と同様の方
法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。
その結果、表面エネルギーはポリ珪酸上の
50erg／cm2から重合体上の14erg／cm2に低下し、動
摩擦係数の値は0.614から重合体上の0.101に小さ
くすることができた。 なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被膜は、
形成後、長時間放置すると、実施例１と同様の処
理を行なつても表面エネルギー、動摩擦係数の値
の低下は十分ではなろが、Arプラズマで処理す
ると、放置時間にかからず同じ結果が得られ、
Arプラズマ処理による表面の改質が効果的であ
ることがわかつた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ９ 実施例３と同様の方法で作成し非晶質アルミナ
を被覆したデイスク基板に、実施例８と同様の条
件でArプラズマによる処理を行なつた。その後、
この基板を３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンの蒸気中で室温に30分間保持した後、100℃の
温度で30分間焼成し単分子層を形成した。実施例
２で作成した重合体溶液を2500回／分で回転塗布
し100℃の温度で40分間焼成した後フレオンで余
分の重合体を洗い落とした。実施例１と同様の方
法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。
その結果、表面エネルギーの値はArプラズマで
処理したアルミナ上の52erg／cm2から重合体上の
12erg／cm2に低下し、動摩擦係数の値はアルミナ
上の0.310から摩擦塗布後の0.177に小さくするこ
とができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 10 実施例８と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランのみ３−アミノプロピルメチルジ
エトキシシランにかえ、他の条件は実施例８と全
く同様にして実験を行なつた。その結果、表面エ
ネルギーの値はポリ珪酸被膜上の50erg／cm2から
重合体上の11erg／cm2に低下し、動摩擦係数の値
として重合体塗布後0.171が得られ、ポリ珪酸被
膜上の0.546に比べ、小さくすることができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 （発明の効果） このように本発明における磁気記憶体はヘツド
と磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする
効果が大きく、磁気デイスク装置および磁気ドラ
ム装置等にその応用が期待されるものである。
その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上
の43erg／cm2から重合体上の16erg／cm2に低下し、
動摩擦係数の値として重合体塗布後0.181が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の0.546に比べ、小さくする
ことができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ７ 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランを３−アミノプロピルメチルジエ
トキシシラン〔H2N（CH2）3Si（OC2H5）2CH5〕に
かえ、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持す
る時間のみ１時間とし、他の条件は全く同様にし
て実験を行なつた。その結果、表面エネルギーの
値はポリ珪酸被膜上の43erg／cm2から重合体上の
18erg／cm2に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗布後0.190が得られ、ポリ珪酸被膜上の0.546
に比べ、小さくすることができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ８ 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜
を形成したデイスク基板を平行平板型のエツチン
グ装置に入れ、Arを用いて、流量18sccm、電力
密度0.35W／cm2、圧力1.3Pa、バイアス電位力密
度0.35W／cm2、圧力1.3Pa、バイアス電位1kVの
条件で２分間エツチングを行なつた後、実施例１
と同様に３−アミノプロピルトリメトキシシラン
の蒸気中で30分間保持し、100℃の温度で30分間
焼成し単分子層を形成した。このデイスク基板に
実施例１で作成した重合体溶液を2500回／分で回
転塗布し、100℃で40分間焼成した後フレオンで
余分の重合体を洗い落とし、実施例１と同様の方
法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。
その結果、表面エネルギーはポリ珪酸上の
50erg／cm2から重合体上の14erg／cm2に低下し、動
摩擦係数の値は0.614から重合体上の0.101に小さ
くすることができた。 なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被膜は、
形成後、長時間放置すると、実施例１と同様の処
理を行なつても表面エネルギー、動摩擦係数の値
の低下は十分ではなろが、Arプラズマで処理す
ると、放置時間にかからず同じ結果が得られ、
Arプラズマ処理による表面の改質が効果的であ
ることがわかつた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 ９ 実施例３と同様の方法で作成し非晶質アルミナ
を被覆したデイスク基板に、実施例８と同様の条
件でArプラズマによる処理を行なつた。その後、
この基板を３−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンの蒸気中で室温に30分間保持した後、100℃の
温度で30分間焼成し単分子層を形成した。実施例
２で作成した重合体溶液を2500回／分で回転塗布
し100℃の温度で40分間焼成した後フレオンで余
分の重合体を洗い落とした。実施例１と同様の方
法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。
その結果、表面エネルギーの値はArプラズマで
処理したアルミナ上の52erg／cm2から重合体上の
12erg／cm2に低下し、動摩擦係数の値はアルミナ
上の0.310から摩擦塗布後の0.177に小さくするこ
とができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 実施例 10 実施例８と同様にして３−アミノプロピルトリ
メトキシシランのみ３−アミノプロピルメチルジ
エトキシシランにかえ、他の条件は実施例８と全
く同様にして実験を行なつた。その結果、表面エ
ネルギーの値はポリ珪酸被膜上の50erg／cm2から
重合体上の11erg／cm2に低下し、動摩擦係数の値
として重合体塗布後0.171が得られ、ポリ珪酸被
膜上の0.546に比べ、小さくすることができた。 また、実施例１と同様に30000回の接触摩擦試
験によるデイスク表面状態の変化は皆無であつ
た。 （発明の効果） このように本発明における磁気記憶体はヘツド
と磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする
効果が大きく、磁気デイスク装置および磁気ドラ
ム装置等にその応用が期待されるものである。
第１図は本発明の磁気記憶体７の断面をしめす
図である。 図において１は合金円盤、２は鏡面仕上げされ
た非磁性合金層、３は金属磁性薄膜媒体、４は非
晶質無機酸化物、５は配向性潤滑層、６は保護被
膜であり、非晶質無機酸化物４と配向性潤滑層５
からなつている。また配向性潤滑層５は単分子層
と重合体塗布膜とからなつている。
図である。 図において１は合金円盤、２は鏡面仕上げされ
た非磁性合金層、３は金属磁性薄膜媒体、４は非
晶質無機酸化物、５は配向性潤滑層、６は保護被
膜であり、非晶質無機酸化物４と配向性潤滑層５
からなつている。また配向性潤滑層５は単分子層
と重合体塗布膜とからなつている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性
薄膜媒体が被覆されており、この上に非晶質無機
酸化物層が被覆され、さらにこの上に前記非晶質
無機酸化物と固着可能な配向性潤滑剤が被覆され
ている磁気記憶体において、前記配向性潤滑剤
が、一般式 （ｍ，ｎは０または自然数） （Ｘ，Ｙ，Ｚのうち少なくとも１つはアルコキ
シ基または塩素、他はアルキル基）で表わされる
物質の単分子層と、一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF
2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ （ｐ，ｑは整数） で表わされる重合体層からなることを特徴とする
磁気記憶体。 ２ 鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金
円盤上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁
性薄膜媒体を被覆し、この上に非晶質無機酸化物
層を被覆し、さらに前記非晶質無機酸化物層の上
に、一般式 （ｍ，ｎは０または自然数） （Ｘ，Ｙ，Ｚのうち少なくとも１つはアルコキ
シ基または塩素、他はアルキル基）で表わされる
物質の単分子層を気相成長させた後、一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF
2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ （ｐ，ｑは整数） で表わされる重合体を塗布し、または塗布後焼成
して前記非晶質無機酸化物層と前記重合体を結合
させることを特徴とする磁気記憶体の製造方法。 ３ 鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金
円盤上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁
性薄膜媒体を被覆し、この上に非晶質無機酸化物
層を被覆し、プラズマ中で処理し、前記非晶質無
機酸化物層の上に、一般式 （ｍ，ｎは０または自然数） （Ｘ，Ｙ，Ｚのうち少なくとも１つはアルコキ
シ基または塩素、他はアルキル基）で表わされる
物質の単分子層を気相成長させた後、一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−CF2−（C2F4O）ｐ−（CF2O）ｑ−CF
2−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ （ｐ，ｑは整数） で表わされる重合体を塗布し、または塗布後焼成
して前記非晶質無機酸化物層と前記重合体を結合
させることを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28649685A JPS62145532A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28649685A JPS62145532A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145532A JPS62145532A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0465454B2 true JPH0465454B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=17705152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28649685A Granted JPS62145532A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145532A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01240598A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-26 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
| JP2638446B2 (ja) * | 1993-11-17 | 1997-08-06 | 松下電器産業株式会社 | 保護膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28649685A patent/JPS62145532A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62145532A (ja) | 1987-06-29 |
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