JPS62145532A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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- JPS62145532A JPS62145532A JP28649685A JP28649685A JPS62145532A JP S62145532 A JPS62145532 A JP S62145532A JP 28649685 A JP28649685 A JP 28649685A JP 28649685 A JP28649685 A JP 28649685A JP S62145532 A JPS62145532 A JP S62145532A
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- JP
- Japan
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- coated
- layer
- polymer
- oxide layer
- inorganic oxide
- Prior art date
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁
気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。
気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。
（従来の技術）
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
【は、大別して次のような二値類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作シ、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体
面上に押しつけることによシ前記ヘッドと前磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
する方法である。このように第一の方法では操作開始時
および終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態に
あシ、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつけ
る際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態洗お
けるヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は。
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
【は、大別して次のような二値類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作シ、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体
面上に押しつけることによシ前記ヘッドと前磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
する方法である。このように第一の方法では操作開始時
および終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態に
あシ、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつけ
る際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態洗お
けるヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は。
ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよ
び全５ＰＡ磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
び全５ＰＡ磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな姿勢の
変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよび
磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよび
磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
また更に前記接触まさつ状態ておけるヘッドと磁気記憶
体間【生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取りつけた
場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモー
ターに好ましからぬ負担をかける。
体間【生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取りつけた
場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモー
ターに好ましからぬ負担をかける。
また記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し
、ヘッドと磁気記憶体間て大きな摩擦力が働き、ヘッド
および磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる。
、ヘッドと磁気記憶体間て大きな摩擦力が働き、ヘッド
および磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる。
この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力がらヘッド
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護被膜を被覆することが必要であり、又この保護被膜
は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さ
く（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される。
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護被膜を被覆することが必要であり、又この保護被膜
は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さ
く（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される。
磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記接触摩擦
力を小さくするだめの一つの方法である。
力を小さくするだめの一つの方法である。
上記潤滑層はその下地体と十分に結合していなければな
らない０潤滑層がその下地と十分に結合していないと、
ヘッドと磁気記憶体の接触摩擦により下地体から取９去
られるかあるいはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記
憶体の間に毛管現象により多量に集まり、記録再生時の
ヘッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
らない０潤滑層がその下地と十分に結合していないと、
ヘッドと磁気記憶体の接触摩擦により下地体から取９去
られるかあるいはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記
憶体の間に毛管現象により多量に集まり、記録再生時の
ヘッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
上記潤滑層のヘッドとの接触摩擦力を小さくする効果は
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こ）に
くい非極性の分子層が介在することによりなされる口す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッド面と
吸着しにくい非極性部分とに配向していることが望まし
い口このような潤滑層と１７でシリコンオイル、ふっ素
泊、７０ロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリ
クロロシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシランま
たはシラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９
３２号公報）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示
すものの、オイル類においては非晶質熱＠酸化物と化学
結合する結合力が十分でなく、シランまたはシラザン類
においてはヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着
が起こりにくい非極性の分子層の分子量が十分でない。
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こ）に
くい非極性の分子層が介在することによりなされる口す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッド面と
吸着しにくい非極性部分とに配向していることが望まし
い口このような潤滑層と１７でシリコンオイル、ふっ素
泊、７０ロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリ
クロロシラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシランま
たはシラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９
３２号公報）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示
すものの、オイル類においては非晶質熱＠酸化物と化学
結合する結合力が十分でなく、シランまたはシラザン類
においてはヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着
が起こりにくい非極性の分子層の分子量が十分でない。
このためオイル類においては長期間の使用における潤滑
剤の損失、シランまたはシラザン類においてはヘッドと
磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完
全でないという問題があった。
剤の損失、シランまたはシラザン類においてはヘッドと
磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完
全でないという問題があった。
本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することにある。
その製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するだめの手段）
この発明の要旨とするところは、アルコキシシリル基ま
たはクロロシリル基とアミノ基を有する物質を単分子層
として酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に形成した後、
末端にアミ７基と化学結合する官能基をもつふっ素泊分
子を塗布することである。すなわち、アルコキシシリル
基またはクロロシリル基とアミノ基を有する物質の単分
子層を酸化膜とふっ素泊分子を強固に結びつけるバイン
ダーとして１更用し、さらに分子量の大きなふっ素泊分
子を使用することで、ヘッドと下地体との界面に吸着な
いし凝着が起こりにくい非極性の分子層を十分に介在さ
せ、潤滑層とヘッドとの接触摩擦力を小さくすることで
ある。このバインダーとしてアルコキシシリル基または
クロロシリル基とアミン基を有する物質を使用すること
、およびアミン基と化学結合するイソシアネート基を有
するふっ素泊分子を用いることが重要な点である。
たはクロロシリル基とアミノ基を有する物質を単分子層
として酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に形成した後、
末端にアミ７基と化学結合する官能基をもつふっ素泊分
子を塗布することである。すなわち、アルコキシシリル
基またはクロロシリル基とアミノ基を有する物質の単分
子層を酸化膜とふっ素泊分子を強固に結びつけるバイン
ダーとして１更用し、さらに分子量の大きなふっ素泊分
子を使用することで、ヘッドと下地体との界面に吸着な
いし凝着が起こりにくい非極性の分子層を十分に介在さ
せ、潤滑層とヘッドとの接触摩擦力を小さくすることで
ある。このバインダーとしてアルコキシシリル基または
クロロシリル基とアミン基を有する物質を使用すること
、およびアミン基と化学結合するイソシアネート基を有
するふっ素泊分子を用いることが重要な点である。
（作 用）
非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいは５ｉ０２ 、ガラ
ス、アルミナなどの膜である。アルコキシシリル基また
はクロロシリル基は反応性に富み、この非晶質無機酸化
物の表面に存在するシラノール基（８ｉ−ＯＨ）や水酸
基（−ＯＨ）と化学結合し、非晶質無機酸化物と強固に
結びついた単分子層を形成する。この単分子層はアミン
基が基板と反対側を向いて並んでいるためイソシアネー
ト基を有するふっ素泊分子と化学結合をつくることがで
き。
ス、アルミナなどの膜である。アルコキシシリル基また
はクロロシリル基は反応性に富み、この非晶質無機酸化
物の表面に存在するシラノール基（８ｉ−ＯＨ）や水酸
基（−ＯＨ）と化学結合し、非晶質無機酸化物と強固に
結びついた単分子層を形成する。この単分子層はアミン
基が基板と反対側を向いて並んでいるためイソシアネー
ト基を有するふっ素泊分子と化学結合をつくることがで
き。
非晶質無機酸化物とふっ素泊分子を強固に結びつけるバ
インダーの役割りを果たすことができる。
インダーの役割りを果たすことができる。
一方、ふっ素泊分子は表面エネルギーを低下させ、優れ
た潤滑効果を示す。したがって、一般式（ｍ、ｎはＯま
たは自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
と一般式 ％式％ で表わされる重合体を用いれば下地体と強固に結合した
優れた潤滑剤が得られる。また、このままでも下地体と
重合体は強固に結合するが、非晶質無機酸化物を形成し
た後、プラズマ中で処理してから重合体を塗布すれば、
表面のクリーニングが完全になること、および、イオン
の打ち込みによりインシアネート基と化学結合するラジ
カルが生成することなどの理由で下地体と重合体の結合
はさらに強固になる◎ 更て、記録および再生にとってはスペーシング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気配憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限シ
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学反
応を起こし、単分子層と重合体とを結合させた後、フレ
オン洗浄することにより単分子層と結合していなり余分
の潤滑剤がと９さられ、非常だ薄い潤滑層が形成される
。単分子層と重合体の化学反応は塗布後自然に進行する
が、焼成すれば短時間ですむ。
た潤滑効果を示す。したがって、一般式（ｍ、ｎはＯま
たは自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
と一般式 ％式％ で表わされる重合体を用いれば下地体と強固に結合した
優れた潤滑剤が得られる。また、このままでも下地体と
重合体は強固に結合するが、非晶質無機酸化物を形成し
た後、プラズマ中で処理してから重合体を塗布すれば、
表面のクリーニングが完全になること、および、イオン
の打ち込みによりインシアネート基と化学結合するラジ
カルが生成することなどの理由で下地体と重合体の結合
はさらに強固になる◎ 更て、記録および再生にとってはスペーシング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気配憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限シ
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学反
応を起こし、単分子層と重合体とを結合させた後、フレ
オン洗浄することにより単分子層と結合していなり余分
の潤滑剤がと９さられ、非常だ薄い潤滑層が形成される
。単分子層と重合体の化学反応は塗布後自然に進行する
が、焼成すれば短時間ですむ。
（実施例）
（実施例１）
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第≠図は、この発明の磁気記憶体の構成を示す断面図で
ある。図面において本発明の磁気記憶体７は、合金円盤
１上に非出性合金７Ｉ！２が被覆され、この被膜の研磨
面上に金属母性薄膜媒体３が被覆さｉ′Ｌで５．−９、
さら（・ここの上に非晶質無機酸化物４が彼儂ざ′ｎ、
さらシ（この上に潤滑剤５が破壊されてＩハる。
ある。図面において本発明の磁気記憶体７は、合金円盤
１上に非出性合金７Ｉ！２が被覆され、この被膜の研磨
面上に金属母性薄膜媒体３が被覆さｉ′Ｌで５．−９、
さら（・ここの上に非晶質無機酸化物４が彼儂ざ′ｎ、
さらシ（この上に潤滑剤５が破壊されてＩハる。
ビ金円盤１として旋に加工および熱７橋正によって十分
、小でなうねり（円周方向および半径方向でとも：・ζ
５０ ｔｚｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク
状アル、ミニラム合金基盤上に非磁性合金、１奈２とし
てニッケルー％ （Ｎｉ −Ｐ ）合金を約５０μｍの
厚さにメッキし、このＮ１−Ｐメッキ膜を機械的研磨に
よシ衣面粗さ０．０４μｍ以下、厚さ約３０μｍまで鏡
面仕上げしたのち、その上に金属磁性薄膜媒体３として
コバルト−ニッケルーｆＱ （Ｃｏ −Ｎｉ −Ｐ）合
金を約０．０５μｍの厚さにメッキした。さらにこのＣ
ｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に、下に示した組成の溶液を十
分に混合し、ごみまたは析出した５ｉ０２をろ過膜を通
して取）除いた後、回転塗布法により塗布した０ テトラヒドロキシシラン １１チ ェチルアルコール溶液：２０重量％ ｎ−ブチルアルコール 二８０８０重 量％後このディスク基盤を２００℃の温度で３時間焼成
しＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成し
た。
、小でなうねり（円周方向および半径方向でとも：・ζ
５０ ｔｚｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク
状アル、ミニラム合金基盤上に非磁性合金、１奈２とし
てニッケルー％ （Ｎｉ −Ｐ ）合金を約５０μｍの
厚さにメッキし、このＮ１−Ｐメッキ膜を機械的研磨に
よシ衣面粗さ０．０４μｍ以下、厚さ約３０μｍまで鏡
面仕上げしたのち、その上に金属磁性薄膜媒体３として
コバルト−ニッケルーｆＱ （Ｃｏ −Ｎｉ −Ｐ）合
金を約０．０５μｍの厚さにメッキした。さらにこのＣ
ｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に、下に示した組成の溶液を十
分に混合し、ごみまたは析出した５ｉ０２をろ過膜を通
して取）除いた後、回転塗布法により塗布した０ テトラヒドロキシシラン １１チ ェチルアルコール溶液：２０重量％ ｎ−ブチルアルコール 二８０８０重 量％後このディスク基盤を２００℃の温度で３時間焼成
しＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成し
た。
この基板を３−アミノプロピルトリメトキシシランＣＨ
ｔＮＣＣＨｔ）ｓｓｉ（ＯＣＨ３）、〕の蒸気中に室温
で３０分間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成
し単分子膜を形成した。分子量約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ
””−Ｃｒｙ（ＣｔＦａＯ）、−（ＣＦＪｑＴＣＦｔ−
Ｎ””Ｃ＝Ｏ（ｐ： ｑ＝１ ： １）をフレオンに溶
解し０，０８重ｔ％の溶液を作成し、０．２μｍのフィ
ルターを通してろ過した。
ｔＮＣＣＨｔ）ｓｓｉ（ＯＣＨ３）、〕の蒸気中に室温
で３０分間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成
し単分子膜を形成した。分子量約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ
””−Ｃｒｙ（ＣｔＦａＯ）、−（ＣＦＪｑＴＣＦｔ−
Ｎ””Ｃ＝Ｏ（ｐ： ｑ＝１ ： １）をフレオンに溶
解し０，０８重ｔ％の溶液を作成し、０．２μｍのフィ
ルターを通してろ過した。
この溶′ｏ、を３−アミノプロピルトリメトキシシラン
の単分子層を形成した前記ディスク基板に２５００回／
分の回転速度で回転塗布し、ｉｏｏ’ｃｏ温度で４０・
分間焼成を行なった後、フレオンで基板を洗浄し、余分
な重合体を洗い落とした。
の単分子層を形成した前記ディスク基板に２５００回／
分の回転速度で回転塗布し、ｉｏｏ’ｃｏ温度で４０・
分間焼成を行なった後、フレオンで基板を洗浄し、余分
な重合体を洗い落とした。
重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上４３ ｅ ｒ ｇ／ｃｍ２から重合体塗布
後では１５ ｅｒｇ／Ｃｍ２と表面エネルギーが著しく
低下しヘッドと下地体との接着を防止する効り、が大き
いことがわかった。
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上４３ ｅ ｒ ｇ／ｃｍ２から重合体塗布
後では１５ ｅｒｇ／Ｃｍ２と表面エネルギーが著しく
低下しヘッドと下地体との接着を防止する効り、が大き
いことがわかった。
次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときだ生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を４１１］定し、これをヘッド
に加えた荷重で割ってもとめた０測定は荷重１５ｇ、４
り速度１００ｍｍ／ｍｉｎの榮件で行なった。その結果
、動ｎ擦係数の値として０．１７１が得られ、ポリ珪酸
波膜上の０．５４６に比べｔｈ 摩擦係数の値を小さく
することができた口また、この重合体を塗布したディス
ク基板と荷重７０ ｇのモノリシックヘッドを用いてデ
ィスクとヘッド°の接触摩擦試験を３００００回繰り返
し行なったが、ヘッドクラッシュおよびヘッドによる接
触層デ１によるディスクの表面状態の変化は皆無であっ
た。
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときだ生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を４１１］定し、これをヘッド
に加えた荷重で割ってもとめた０測定は荷重１５ｇ、４
り速度１００ｍｍ／ｍｉｎの榮件で行なった。その結果
、動ｎ擦係数の値として０．１７１が得られ、ポリ珪酸
波膜上の０．５４６に比べｔｈ 摩擦係数の値を小さく
することができた口また、この重合体を塗布したディス
ク基板と荷重７０ ｇのモノリシックヘッドを用いてデ
ィスクとヘッド°の接触摩擦試験を３００００回繰り返
し行なったが、ヘッドクラッシュおよびヘッドによる接
触層デ１によるディスクの表面状態の変化は皆無であっ
た。
（実施例２）
実元例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸破膜を形成し
たディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの蒸気中に室温で３０分間保持した後１００℃の温度
で３０分間焼成し単分子層を形成した。分子量約３００
０の０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦｚ−（ＣｔＦａＯ） Ｐ−（ＣＦ
、Ｏ）、−ＣＦ、−Ｎ＝Ｃ＝＝Ｏ（ｐ ： ｑ＝４ ：
１ ）をフレオンに溶解し０．０８重量％の溶液を作
成し、０．２μｍのフィルターを通してろ過した。３−
７ミノプロビルトリメトキシシランの単分子層を形成し
た前記ディスク基板にこの重合体を２５００回／分の回
転速度で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した
後７レオンで余分な重合体を洗い落とした口実流側１と
同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた
。その結果、重合体を塗布することにより表面エネルギ
ーの値はポリ珪酸被膜上４３ ｅ ｒ ｇ／（７Ｆ＋
２から１７ ｅｒｇ７α２に低下し、動−擦係数の値は
０．５４６から０．１８７に小さくすることができた。
たディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの蒸気中に室温で３０分間保持した後１００℃の温度
で３０分間焼成し単分子層を形成した。分子量約３００
０の０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦｚ−（ＣｔＦａＯ） Ｐ−（ＣＦ
、Ｏ）、−ＣＦ、−Ｎ＝Ｃ＝＝Ｏ（ｐ ： ｑ＝４ ：
１ ）をフレオンに溶解し０．０８重量％の溶液を作
成し、０．２μｍのフィルターを通してろ過した。３−
７ミノプロビルトリメトキシシランの単分子層を形成し
た前記ディスク基板にこの重合体を２５００回／分の回
転速度で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した
後７レオンで余分な重合体を洗い落とした口実流側１と
同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた
。その結果、重合体を塗布することにより表面エネルギ
ーの値はポリ珪酸被膜上４３ ｅ ｒ ｇ／（７Ｆ＋
２から１７ ｅｒｇ７α２に低下し、動−擦係数の値は
０．５４６から０．１８７に小さくすることができた。
また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが。
３００００回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態
の変化は皆無であった。
の変化は皆無であった。
（実施例３）
実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわり（ハ）Ａｆ
、Ｏ，（非晶質アルミナ）をスパッタ保により被覆した
。このディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキシ
シランの蒸気中に室温で３０分間焼成し単分子層を形成
した。実施例１で作成した重合体溶液を２５００回／分
で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した後フレ
オンで余分の重合体を洗いおとし、実施例１と同様の方
法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた０その結
果、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の４５ ｅｒｇ
／ｃｒｎ２から重合体上１５ ｅｒｇ／ｃｎ２に低下し
動摩擦係数の値は０．２７０から０．１７５に小さくす
ることができた。
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわり（ハ）Ａｆ
、Ｏ，（非晶質アルミナ）をスパッタ保により被覆した
。このディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキシ
シランの蒸気中に室温で３０分間焼成し単分子層を形成
した。実施例１で作成した重合体溶液を２５００回／分
で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した後フレ
オンで余分の重合体を洗いおとし、実施例１と同様の方
法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた０その結
果、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の４５ ｅｒｇ
／ｃｒｎ２から重合体上１５ ｅｒｇ／ｃｎ２に低下し
動摩擦係数の値は０．２７０から０．１７５に小さくす
ることができた。
まだ、実施例１と同様に３ｏｏｏｏ回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった０ （実施例４） 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−７ミノプロビルトリエトキシシラン（ＮＨ
２（ＣＨ２）３ Ｓ ｉ （０ＣｔＨｓ）ｓＪＪにかえ
、他の条二 件は全く同様にして実験を行なった。そ
の結果。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった０ （実施例４） 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−７ミノプロビルトリエトキシシラン（ＮＨ
２（ＣＨ２）３ Ｓ ｉ （０ＣｔＨｓ）ｓＪＪにかえ
、他の条二 件は全く同様にして実験を行なった。そ
の結果。
表面エネルギーの値はポリ珪酸被、膜上の４３ ｅｒｇ
／／ｃｒｎ２から重合体上の１５ ｅ ｒ ｇ／ｚ ２
に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１７
３が得られ、ポリ珪酸破膜上の０．５４６に比べ、小さ
くすることができだ。
／／ｃｒｎ２から重合体上の１５ ｅ ｒ ｇ／ｚ ２
に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１７
３が得られ、ポリ珪酸破膜上の０．５４６に比べ、小さ
くすることができだ。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例５）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−７ミノブロビルトリクロロシラ” （Ｈ２
Ｎ（ＣＨ２）Ｉ Ｓ ｔｃｌｓ ）にかえ、他の条件は
全く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネル
ギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ ｅｒｇ／副２がら重
合体上の１４ ｅ ｒ ｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係
数の値として重合体塗布後０．１７０が得られ、ポリ珪
酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた
〇 また、実施例１と同様に：３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。
シランを３−７ミノブロビルトリクロロシラ” （Ｈ２
Ｎ（ＣＨ２）Ｉ Ｓ ｔｃｌｓ ）にかえ、他の条件は
全く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネル
ギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ ｅｒｇ／副２がら重
合体上の１４ ｅ ｒ ｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係
数の値として重合体塗布後０．１７０が得られ、ポリ珪
酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた
〇 また、実施例１と同様に：３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例６）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランをｐ−７ミノフ工ニルトリメトキ条件は全く同様
にして実験を行なった０その結果。
シランをｐ−７ミノフ工ニルトリメトキ条件は全く同様
にして実験を行なった０その結果。
表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ ｅｒｇ／
備２から重合体上の１６ ｅｒｇ＾２に低下し、動摩擦
係数の値として重合体塗布後０．１８１が得られ。
備２から重合体上の１６ ｅｒｇ＾２に低下し、動摩擦
係数の値として重合体塗布後０．１８１が得られ。
ポリ珪酸′４膜上の０．５４６に比べ、小さくすること
ができた。
ができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であったＯ （実施例７） 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルメチルジェトキ’／ シラ
７ ［Ｈ２Ｎ（Ｃｕｔ）３ Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｈ５）２
ＣＨ４）にかえ。
よるディスク表面状態の変化は皆無であったＯ （実施例７） 実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルメチルジェトキ’／ シラ
７ ［Ｈ２Ｎ（Ｃｕｔ）３ Ｓ ｉ （ＯＣ２Ｈ５）２
ＣＨ４）にかえ。
）＋小ルム編、ハｄｂ出１／Ｐ甘榴也コー悶４ノロ−上
り叶曲のみ１時間とし、他の条件は全く同様にして実験
を行なった０その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸
被膜上の４３ｅｒｇ／′ｃｒｎ２から重合体上の１８６
ｒｇ／−２に低下し、動摩擦係数の値として重合本塗布
後０．１９０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に
比べ、小さくすることができた。
り叶曲のみ１時間とし、他の条件は全く同様にして実験
を行なった０その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸
被膜上の４３ｅｒｇ／′ｃｒｎ２から重合体上の１８６
ｒｇ／−２に低下し、動摩擦係数の値として重合本塗布
後０．１９０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に
比べ、小さくすることができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であったり （実施例８） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪沼破膜を形成し
たディスク基、仮を平行平板型のエツチング装置に入れ
、Ａｒを用いて、流量１８ＳＣＣｍ、心力密１１０．３
５ Ｗ／ｃｍ ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス１４ｕ１
ｋＶの条件で２分間エツチングを行なった後、実施例
１と同様に３−アミノプロピルトリメトキシシランの蒸
気〒で３０分間保持し、１００Ｃの温度で３０分間焼成
し単分子層を形成した。このディスク基板如実施例１で
１乍成いｔ１合坏浴液をり只凸凸＋＋’−ｌ ／ Ａψ
ｌ四１４ｉ’−〆＞ 光＋ ｌ 八ｔｓ ｙ＋ ４
＋ ＋、 Ｍ −＊ｓ焼成した後フレオンで余分の重合
体を洗い落とし、実施例１と同様の方法で表面エネルギ
ー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネルギ
ーはポリ珪酸上の５０ｅｒｇ／Ｃｒｎ２から重合体上の
１４ ｅｒｇ／Ｌ：ｒｎ２に低下し、動摩擦係数の値は
０．６１４から重合体上の０．１０１に小さくすること
ができた。
よるディスク表面状態の変化は皆無であったり （実施例８） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪沼破膜を形成し
たディスク基、仮を平行平板型のエツチング装置に入れ
、Ａｒを用いて、流量１８ＳＣＣｍ、心力密１１０．３
５ Ｗ／ｃｍ ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス１４ｕ１
ｋＶの条件で２分間エツチングを行なった後、実施例
１と同様に３−アミノプロピルトリメトキシシランの蒸
気〒で３０分間保持し、１００Ｃの温度で３０分間焼成
し単分子層を形成した。このディスク基板如実施例１で
１乍成いｔ１合坏浴液をり只凸凸＋＋’−ｌ ／ Ａψ
ｌ四１４ｉ’−〆＞ 光＋ ｌ 八ｔｓ ｙ＋ ４
＋ ＋、 Ｍ −＊ｓ焼成した後フレオンで余分の重合
体を洗い落とし、実施例１と同様の方法で表面エネルギ
ー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネルギ
ーはポリ珪酸上の５０ｅｒｇ／Ｃｒｎ２から重合体上の
１４ ｅｒｇ／Ｌ：ｒｎ２に低下し、動摩擦係数の値は
０．６１４から重合体上の０．１０１に小さくすること
ができた。
なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被膜は、形成後、
長時間放置すると、実施例１と同様の処理を行なっても
表面エネルギー、動摩擦係数の値の低下は十分ではなる
がｓ Ａ ｒプラズマで処理すると、放置時間にかかわ
らず同じ結果が得られｓ Ａ ｒプラズマ処理による表
面の改質が効果的であることがわかった。
長時間放置すると、実施例１と同様の処理を行なっても
表面エネルギー、動摩擦係数の値の低下は十分ではなる
がｓ Ａ ｒプラズマで処理すると、放置時間にかかわ
らず同じ結果が得られｓ Ａ ｒプラズマ処理による表
面の改質が効果的であることがわかった。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であったＯ （実施例９） 実施例３と同様の方法で作成し非晶質アルミナを被覆し
たディスク基板に、実施例８と同様の条件でＡ「プラズ
マによる処理を行なった０その後、この基板を３−アミ
ノプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室温で３０分
間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成し単分子
層を形成した。実施例２で作成した重合体溶液を２５０
０回／分で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成し
た後７レオンで余分の重合体を洗い落とした。実施例１
と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求め
た。その結果１表面エネルギーの値はＡｒプラズマで処
理したアルミナ上の５２ ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上
の１２ ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値はア
ルミナ上の０．３１０から重合体塗布後の０．１７７に
小さくすることができた。
よるディスク表面状態の変化は皆無であったＯ （実施例９） 実施例３と同様の方法で作成し非晶質アルミナを被覆し
たディスク基板に、実施例８と同様の条件でＡ「プラズ
マによる処理を行なった０その後、この基板を３−アミ
ノプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室温で３０分
間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成し単分子
層を形成した。実施例２で作成した重合体溶液を２５０
０回／分で回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成し
た後７レオンで余分の重合体を洗い落とした。実施例１
と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求め
た。その結果１表面エネルギーの値はＡｒプラズマで処
理したアルミナ上の５２ ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上
の１２ ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値はア
ルミナ上の０．３１０から重合体塗布後の０．１７７に
小さくすることができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった口 （実施例１０） 実施例８と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランのみ３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン
にかえ、他の条件は実施例８と全く同様にして実験を行
なった。その結果１表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜
上の５０ ｅｒｇ、／ｍ２がら重合体上の１１ ｅｒｇ
／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後
０．１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比
べ、小さくすることができた。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった口 （実施例１０） 実施例８と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランのみ３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン
にかえ、他の条件は実施例８と全く同様にして実験を行
なった。その結果１表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜
上の５０ ｅｒｇ、／ｍ２がら重合体上の１１ ｅｒｇ
／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後
０．１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比
べ、小さくすることができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった０ （発明の効果） このように本発明における磁気記憶体はヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、
磁気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用が
期待されるものである。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった０ （発明の効果） このように本発明における磁気記憶体はヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、
磁気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用が
期待されるものである。
第１図は本発明の磁気記憶体７の断面をしめす図である
。 図においてｌは合金円盤、２は鏡面仕上げされた非磁性
合金層、３は金属磁性薄膜媒体、４は非晶質無機酸化物
、５は配向性潤滑層、６は採掘被膜であり、非晶質無機
酸化物４と配向性潤滑層５からなっている。また配向性
潤滑層５は単分子層と重合体塗布膜とからなっている。
。 図においてｌは合金円盤、２は鏡面仕上げされた非磁性
合金層、３は金属磁性薄膜媒体、４は非晶質無機酸化物
、５は配向性潤滑層、６は採掘被膜であり、非晶質無機
酸化物４と配向性潤滑層５からなっている。また配向性
潤滑層５は単分子層と重合体塗布膜とからなっている。
Claims (3)
- （１）表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金円盤
上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体が
被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆さ
れ、さらにこの上に前記非晶質無機酸化物と固着可能な
配向性潤滑剤が被覆されている磁気記憶体において、前
記配向性潤滑剤が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは０または自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
と、一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）ｐ−（ＣＦ
＿２Ｏ）ｑ−ＣＦ＿２−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ、ｑは整数） で表わされる重合体層からなることを特徴とする磁気記
憶体。 - （２）鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤
上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体
を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さら
に前記非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは０または自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
を気相成長させた後、一般式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−（
Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）＿ｐ−（ＣＦ＿２Ｏ）＿ｑ−ＣＦ＿２
−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ、ｑは整数） で表わされる重合体を塗布し、または塗布後焼成して前
記非晶質無機酸化物層と前記重合体を結合させることを
特徴とする磁気記憶体の製造方法。 - （３）鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤
上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体
を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラ
ズマ中で処理し、前記非晶質無機酸化物層の上に、一般
式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは０または自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
を気相成長させた後、一般式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−（
Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）ｐ−（ＣＦ＿２Ｏ）＿ｑ−ＣＦ＿２−
Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ、ｑは整数） で表わされる重合体を塗布し、または塗布後焼成して前
記非晶質無機酸化物層と前記重合体を結合させることを
特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28649685A JPS62145532A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28649685A JPS62145532A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145532A true JPS62145532A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0465454B2 JPH0465454B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=17705152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28649685A Granted JPS62145532A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01240598A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-26 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
| JPH06342787A (ja) * | 1993-11-17 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 保護膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28649685A patent/JPS62145532A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01240598A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-26 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
| JPH06342787A (ja) * | 1993-11-17 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 保護膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465454B2 (ja) | 1992-10-20 |
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