JPH01240598A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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- JPH01240598A JPH01240598A JP6646388A JP6646388A JPH01240598A JP H01240598 A JPH01240598 A JP H01240598A JP 6646388 A JP6646388 A JP 6646388A JP 6646388 A JP6646388 A JP 6646388A JP H01240598 A JPH01240598 A JP H01240598A
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は磁気記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置等）にもちいられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。
ドラム装置等）にもちいられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。
（従来の技術）
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体
面に押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気記憶体
との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生す
る方法である。このように第一の方法では操作開始時お
よび終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあ
り、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける
際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態におけ
るヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドお
よび磁気記憶体を摩耗させ、ついにはヘッドおよび金属
磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体
面に押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気記憶体
との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生す
る方法である。このように第一の方法では操作開始時お
よび終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあ
り、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける
際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態におけ
るヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッドお
よび磁気記憶体を摩耗させ、ついにはヘッドおよび金属
磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
また前記接触状態においてヘッドのわずがな姿勢の変化
がヘッドにかかる加重を不均一にさせヘッドおよび磁気
記憶体表面に傷をつくることもある。
がヘッドにかかる加重を不均一にさせヘッドおよび磁気
記憶体表面に傷をつくることもある。
また更に前記接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体
間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取りつけた場
合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモータ
ーに好ましがらぬ負担をかける。
間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを取りつけた場
合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモータ
ーに好ましがらぬ負担をかける。
また記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し
、ヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッド
および磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる。
、ヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッド
および磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる。
この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッド
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護皮膜を被覆することが必要であり、またこの保護皮
膜は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小
さく（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される
。
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護皮膜を被覆することが必要であり、またこの保護皮
膜は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小
さく（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される
。
磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記接触摩擦
力を小さくするための一つの方法である。上記潤滑層は
その下地体と十分に結合していなければならない。潤滑
層がその下地と十分に結合していないと、ヘッドと磁気
記憶体の接触摩耗により下地体から取り去られるかある
いはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記憶体の間に毛
管現象により潤滑剤が多量にあつまり、記録再生時のヘ
ッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
力を小さくするための一つの方法である。上記潤滑層は
その下地体と十分に結合していなければならない。潤滑
層がその下地と十分に結合していないと、ヘッドと磁気
記憶体の接触摩耗により下地体から取り去られるかある
いはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記憶体の間に毛
管現象により潤滑剤が多量にあつまり、記録再生時のヘ
ッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
上記潤滑層のヘッドとの接触摩擦力を小さくする効果は
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層が介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッドと吸
着しにくい非極性部分とに配向していることが望ましい
。
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層が介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッドと吸
着しにくい非極性部分とに配向していることが望ましい
。
このような潤滑層としてシリコンオイル、フ・ノ素油、
フロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロ
ロシラン、ヘキサメチルジシランザンなどのシランまた
はシラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３
２）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの
、オイル類においては無機酸化物と化学結合する結合力
が十分でなく、シランまたはシラザン類においてはヘッ
ドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりにくい
非極性の分子層の分子量が十分でない。このためオイル
類においては長時間の使用における潤滑剤の損失、シラ
ンまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記憶体間に
生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でないという
問題があった。
フロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロ
ロシラン、ヘキサメチルジシランザンなどのシランまた
はシラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３
２）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの
、オイル類においては無機酸化物と化学結合する結合力
が十分でなく、シランまたはシラザン類においてはヘッ
ドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりにくい
非極性の分子層の分子量が十分でない。このためオイル
類においては長時間の使用における潤滑剤の損失、シラ
ンまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記憶体間に
生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でないという
問題があった。
本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記（窓体およ
びその製造方法を提供することにある。
びその製造方法を提供することにある。
（開運点を解決するための手段）
この発明の要旨とするところは、Ｓｉと結合したアルコ
キシシリル基またはクロロシリル基とアミノ基を有する
物質を単分子層として酸化膜を被覆した磁気記憶体の上
に形成した後、末端にアミノ基と化学結合する官能基を
もつフン素化合物をＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔ
ｔ法を用いて累積することである。そして、アミノ基を
有する単分子層を酸化膜上に形成させる前に、酸化膜を
プラズマ処理すると、本発明の効果はより有効に得られ
る。
キシシリル基またはクロロシリル基とアミノ基を有する
物質を単分子層として酸化膜を被覆した磁気記憶体の上
に形成した後、末端にアミノ基と化学結合する官能基を
もつフン素化合物をＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔ
ｔ法を用いて累積することである。そして、アミノ基を
有する単分子層を酸化膜上に形成させる前に、酸化膜を
プラズマ処理すると、本発明の効果はより有効に得られ
る。
（作用）
無機酸化物はポリ珪酸あるいはＳｉＯ２、ガラス、アル
ミナなどのスパッタ膜である。Ｓｉと結合したアルコキ
シシリル基またはクロロシリル基は反応性に富み、この
無機酸化物の表面に存在するシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ
）や水酸基（−ＯＨ）と化学結合し、無機酸化物と強固
に結びついた単分子層を形成する。
ミナなどのスパッタ膜である。Ｓｉと結合したアルコキ
シシリル基またはクロロシリル基は反応性に富み、この
無機酸化物の表面に存在するシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ
）や水酸基（−ＯＨ）と化学結合し、無機酸化物と強固
に結びついた単分子層を形成する。
この単分子層はアミン基が基盤と反対側を向いて並んで
いるためカルボキシル基を有するフッ素系化合物と化学
結合をつくることができ、無機酸化物とフッ素系化合物
を強固に結びつけるバインダーの役割を果たすことがで
きる。一方、フッ素系化合物はＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌ
ｏｄｇｅｔｔ法で累積するため、フッ素原子を含む基が
基板面と反対側に高密度に配向するように成膜できる。
いるためカルボキシル基を有するフッ素系化合物と化学
結合をつくることができ、無機酸化物とフッ素系化合物
を強固に結びつけるバインダーの役割を果たすことがで
きる。一方、フッ素系化合物はＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌ
ｏｄｇｅｔｔ法で累積するため、フッ素原子を含む基が
基板面と反対側に高密度に配向するように成膜できる。
このため、表面エネルギーを低下させ、優れた潤滑効果
を示す。したがって、−形成 （ｘ、ｙ、ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層と
一般式 ％式％） で表される化合物をＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔ
ｔ法を用いて、前記単分子層上に累積すれば下地体と強
固に結合した優れた潤滑剤が得られる。
を示す。したがって、−形成 （ｘ、ｙ、ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層と
一般式 ％式％） で表される化合物をＬａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔ
ｔ法を用いて、前記単分子層上に累積すれば下地体と強
固に結合した優れた潤滑剤が得られる。
更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録及
び再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さい
方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り薄
いほうが望ましいが、この単分子膜とフッ素系化合物は
共に単分子膜であり、非常に薄い潤滑層を形成すること
が可能である。単分子層とフッ素系化合物との化学反応
は累積後、自然に進行するが焼成すれば短時間ですむ。
び再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さい
方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り薄
いほうが望ましいが、この単分子膜とフッ素系化合物は
共に単分子膜であり、非常に薄い潤滑層を形成すること
が可能である。単分子層とフッ素系化合物との化学反応
は累積後、自然に進行するが焼成すれば短時間ですむ。
また、潤滑層を形成させる前にあらかじめ無機酸化物の
表面をプラズマ処理すると、表面が改頁され潤滑層の効
果が有効に再現性よく表われることが、実験より分って
いる。
表面をプラズマ処理すると、表面が改頁され潤滑層の効
果が有効に再現性よく表われることが、実験より分って
いる。
（実施例１）
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第一図は、この発明の磁気記憶体の構成を示す断面図で
ある。図面において本発明の磁気記憶体７は、合金円盤
１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の研磨面上
に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さらにこの上
に無機酸化物４が被覆され、さらにこの上に潤滑剤５が
被覆されている。
ある。図面において本発明の磁気記憶体７は、合金円盤
１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の研磨面上
に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さらにこの上
に無機酸化物４が被覆され、さらにこの上に潤滑剤５が
被覆されている。
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０ｐｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケルー燐（Ｎ
ｉ−Ｐ）合金を焼＜ ５０ｐｍの厚さにメツキし、この
Ｎ１−Ｐメツキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４
ｐｍ以下、厚さ約３０ｐｍまで鏡面仕上げしたのち、そ
の上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト。
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０ｐｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケルー燐（Ｎ
ｉ−Ｐ）合金を焼＜ ５０ｐｍの厚さにメツキし、この
Ｎ１−Ｐメツキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４
ｐｍ以下、厚さ約３０ｐｍまで鏡面仕上げしたのち、そ
の上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト。
ニッケルー燐（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５ｐｍ
の厚さにメツキした。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜
の上に、下に示した組成の溶液を十分に混合し、ごみま
たは析出しなＳｉＯ□を０．５ｐｍのろ過膜を通して取
り除いた後、回転塗布法により塗布した。
の厚さにメツキした。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜
の上に、下に示した組成の溶液を十分に混合し、ごみま
たは析出しなＳｉＯ□を０．５ｐｍのろ過膜を通して取
り除いた後、回転塗布法により塗布した。
テトラヒドロキシシラン１１％。
エチルアルコール溶液 ＝２０重量％ｎ−ブチ
ルアルコール ：８０重量％その後このディ
スク基盤を２００°Ｃの温度で３時間焼成しＣｏ−Ｎ１
−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成した。
ルアルコール ：８０重量％その後このディ
スク基盤を２００°Ｃの温度で３時間焼成しＣｏ−Ｎ１
−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成した。
この基盤を３−アミノプロビリトリメトキシシラン［Ｈ
２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］の蒸気中に室温
で３０分間保持した後、１００°Ｃの温度で３０分間焼
成し単分子膜を形成した。ヘブタデカフロロノナデカノ
イックアシド（示威式Ｃ８Ｆ□７Ｃ□。Ｈ２ｏＣＯＯＨ
）をクロロホルムに溶解し５ｍＭの溶液を作成した。フ
ィードバック機構をそなえた水槽中にこの基盤を保持し
、ヘプタデカフロロノナデカノイックアシドの溶液を水
面上に滴下し、溶媒を蒸発させた後、フィードバック機
構により表面圧を２５ｍＮ／ｍに保ちながら、３．アミ
ノプロピルトリメトキシシランの単分子層を形成した前
記ディスク基盤を０．２ｍｍ／ｓｅｅの速さで引き上げ
た。室温から除々に温度を上げ１００°Ｃの温度で４０
分間焼成を行なった後、フレオンで基板を洗浄し、余分
のへブタデカフロロノナデカノイックアシドを洗い落と
した。
２Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３］の蒸気中に室温
で３０分間保持した後、１００°Ｃの温度で３０分間焼
成し単分子膜を形成した。ヘブタデカフロロノナデカノ
イックアシド（示威式Ｃ８Ｆ□７Ｃ□。Ｈ２ｏＣＯＯＨ
）をクロロホルムに溶解し５ｍＭの溶液を作成した。フ
ィードバック機構をそなえた水槽中にこの基盤を保持し
、ヘプタデカフロロノナデカノイックアシドの溶液を水
面上に滴下し、溶媒を蒸発させた後、フィードバック機
構により表面圧を２５ｍＮ／ｍに保ちながら、３．アミ
ノプロピルトリメトキシシランの単分子層を形成した前
記ディスク基盤を０．２ｍｍ／ｓｅｅの速さで引き上げ
た。室温から除々に温度を上げ１００°Ｃの温度で４０
分間焼成を行なった後、フレオンで基板を洗浄し、余分
のへブタデカフロロノナデカノイックアシドを洗い落と
した。
基盤を３−アミノプロビリトリメトキシシランとへブタ
デカフロロノナデカノイックアシドで処理する前後の基
盤表面の表面エネルギーを種々の表面張力をもつ液滴の
接触角を測定し計算するとポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ
／ａｍ２から処理後では１７ｅｒｇ／ａｍ２と表面エネ
ルギーが著しく低下しヘッドと下地体との接着を防止す
る効果が大きいことがわかった。
デカフロロノナデカノイックアシドで処理する前後の基
盤表面の表面エネルギーを種々の表面張力をもつ液滴の
接触角を測定し計算するとポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ
／ａｍ２から処理後では１７ｅｒｇ／ａｍ２と表面エネ
ルギーが著しく低下しヘッドと下地体との接着を防止す
る効果が大きいことがわかった。
次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ、滑り速度
１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行なった。その結果、動摩
擦係数の値として０．１８８が得られ、潤滑層を形成し
ない場合の０．５４６に比べ動摩擦係数の値を小さくす
ることができた。
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ、滑り速度
１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行なった。その結果、動摩
擦係数の値として０．１８８が得られ、潤滑層を形成し
ない場合の０．５４６に比べ動摩擦係数の値を小さくす
ることができた。
また、この潤滑層を形成したディスク基盤と荷重７０ｇ
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの
表面状態の変化は皆無であった。
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの
表面状態の変化は皆無であった。
（実施例２）
実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のがわりにＡ１□０
３（非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。こ
のディスク基盤を３−アミノブロピルトリメトキシシラ
ンの蒸気中に室温で１時間焼成し単分子層を形成した。
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のがわりにＡ１□０
３（非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。こ
のディスク基盤を３−アミノブロピルトリメトキシシラ
ンの蒸気中に室温で１時間焼成し単分子層を形成した。
この基板の上に実施例１と同様にして、ヘプタデカフロ
ロノナデカノイックアシドをデボした。室温から除々に
温度を上げ１００°Ｃの温度で４０分間焼成した後フレ
オンで余分のへブタデカフロロノナデカノイックアシド
を洗い落とし、実施例１と同様の方法で表面エネルギー
、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネルギー
は非晶質アルミナ上の４５ｅｒｇ／ｃｍ２からヘブタデ
カフロロノナデカノイツクアシド上の１９ｅｒｇ／ｃｍ
２に低下し動摩擦係数の値は０．２７０から０．１８０
に小さくすることができた。
ロノナデカノイックアシドをデボした。室温から除々に
温度を上げ１００°Ｃの温度で４０分間焼成した後フレ
オンで余分のへブタデカフロロノナデカノイックアシド
を洗い落とし、実施例１と同様の方法で表面エネルギー
、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネルギー
は非晶質アルミナ上の４５ｅｒｇ／ｃｍ２からヘブタデ
カフロロノナデカノイツクアシド上の１９ｅｒｇ／ｃｍ
２に低下し動摩擦係数の値は０．２７０から０．１８０
に小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０００回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
（実施例３）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルトリエトキシシラン［ＮＦ
２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３にかえ、他の条件
は全く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネ
ルギーの値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ａｍ２からヘプ
タデカフロロノナデカフィックアシド上の２０ｅｒｇ／
Ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０
．１９７が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ
、小さくすることができた。
シランを３−アミノプロピルトリエトキシシラン［ＮＦ
２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３にかえ、他の条件
は全く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネ
ルギーの値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ａｍ２からヘプ
タデカフロロノナデカフィックアシド上の２０ｅｒｇ／
Ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０
．１９７が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ
、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０００回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
（実施例４）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルトリクキシシラン［ＮＦ２
（ＣＨ２）３ＳｉＣ１３］にかえ、他の条件は全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２からヘプタデカフロ
ロノナデカフィックアシド上の１６ｅｒｇ／ａｍ２に低
下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１８８が
得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくす
ることができた。
シランを３−アミノプロピルトリクキシシラン［ＮＦ２
（ＣＨ２）３ＳｉＣ１３］にかえ、他の条件は全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２からヘプタデカフロ
ロノナデカフィックアシド上の１６ｅｒｇ／ａｍ２に低
下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１８８が
得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくす
ることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０００回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
（実施例５）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランをｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン［ＮＨ
２ＱＳｉ（ｏＣＨ３）３］ニカエ、他の条件は全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２からヘプタデカフロ
ロノナデカフィックアシド上の２１ｅｒｇ／ｃｍ２に低
下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．２２３が
得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくす
ることができた。
シランをｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン［ＮＨ
２ＱＳｉ（ｏＣＨ３）３］ニカエ、他の条件は全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２からヘプタデカフロ
ロノナデカフィックアシド上の２１ｅｒｇ／ｃｍ２に低
下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．２２３が
得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくす
ることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０００回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
（実施例６）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン［
ＮＦ２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２ＣＨ３］にか
え、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持する時間の
み１時間とし、他の条件は全く同様にして実験を行なっ
た。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３
ｅｒｇ／ｃｍ２からヘブタデカフロロノナデカノイック
アシド上の２０ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後０．２１７が得られ、ポリ珪酸被
膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた。
シランを３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン［
ＮＦ２（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）２ＣＨ３］にか
え、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持する時間の
み１時間とし、他の条件は全く同様にして実験を行なっ
た。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３
ｅｒｇ／ｃｍ２からヘブタデカフロロノナデカノイック
アシド上の２０ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後０．２１７が得られ、ポリ珪酸被
膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０００回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
（実施例７）
実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、流量１８ｓｅｃｍ、電流密度０．３５ｗ
／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶの条件
で２分間エツチングを行なった後、実施例１と同様に３
−アミノプロピルトリメトキシシランの蒸気中で３０分
間保持し、１００°Ｃの温度で３０分間焼成し単分子層
を形成した。このディスク基板に実施例１と同様の方法
でヘブタデ力フルオロノナデカノイックアシトをデポし
、室温から除々に温度を上げ１００°Ｃで４０分間焼成
した後フレオンでヘプタデカフルオロノナデカノイック
アシドを洗い落とし、実施例１と同様の方法で表面エネ
ルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネ
ルギーの値はＡｒプラズマで処理した後のポリ珪酸被膜
上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２がら重合体上の１５ｅｒｇ／ａ
ｍ２とＡｒプラズマ処理をしない場合よりもさらに低下
し、動摩擦係数の値もポリ珪酸上の０．６１４から潤滑
層形成後の０．１３１に小さくすることができた。
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、流量１８ｓｅｃｍ、電流密度０．３５ｗ
／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶの条件
で２分間エツチングを行なった後、実施例１と同様に３
−アミノプロピルトリメトキシシランの蒸気中で３０分
間保持し、１００°Ｃの温度で３０分間焼成し単分子層
を形成した。このディスク基板に実施例１と同様の方法
でヘブタデ力フルオロノナデカノイックアシトをデポし
、室温から除々に温度を上げ１００°Ｃで４０分間焼成
した後フレオンでヘプタデカフルオロノナデカノイック
アシドを洗い落とし、実施例１と同様の方法で表面エネ
ルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネ
ルギーの値はＡｒプラズマで処理した後のポリ珪酸被膜
上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２がら重合体上の１５ｅｒｇ／ａ
ｍ２とＡｒプラズマ処理をしない場合よりもさらに低下
し、動摩擦係数の値もポリ珪酸上の０．６１４から潤滑
層形成後の０．１３１に小さくすることができた。
なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被よ膜は形成後長
時間放置すると実施例１と同様の処理をおこなっても表
面エネルギー、動摩擦係数の低下は十分でないがＡｒプ
ラズマで処理すると放置時間にかかわらず同じ結果が得
られ、Ａｒプラズマ処理による表面の改質が効果的であ
ることがわかった。
時間放置すると実施例１と同様の処理をおこなっても表
面エネルギー、動摩擦係数の低下は十分でないがＡｒプ
ラズマで処理すると放置時間にかかわらず同じ結果が得
られ、Ａｒプラズマ処理による表面の改質が効果的であ
ることがわかった。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例８）
実施例２と同様の方法で作成し非晶質アルミナを被覆し
たディスク基板に、実施例７と同様の条件でＡｒプラズ
マによる処理を行なった。その後、この基板を３．アミ
ノプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室温で３０分
間保持した後、１００°Ｃの温度で３０分間焼成し単分
子層を形成した。実施例１と同様の方法でヘブタデカフ
ルオロノナデヵノイックアシドの膜を形成した後、実施
例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を
求めた。その結果、表面エネルギーの値はＡｒプラズマ
で処理したアルミナ上の５２ｅｒｇ／ｃｍ２からヘブタ
デ力フルオロノナデカノイックアシド膜形成後の０．１
８７に小さくすることができた。
たディスク基板に、実施例７と同様の条件でＡｒプラズ
マによる処理を行なった。その後、この基板を３．アミ
ノプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室温で３０分
間保持した後、１００°Ｃの温度で３０分間焼成し単分
子層を形成した。実施例１と同様の方法でヘブタデカフ
ルオロノナデヵノイックアシドの膜を形成した後、実施
例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を
求めた。その結果、表面エネルギーの値はＡｒプラズマ
で処理したアルミナ上の５２ｅｒｇ／ｃｍ２からヘブタ
デ力フルオロノナデカノイックアシド膜形成後の０．１
８７に小さくすることができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例９）
実施例７と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランのみ３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン
にかえ、他の条件は全く同様にして実験を行なった。そ
の結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅ
ｒｇ１ｃｍ２からヘプタデカフルオロノナデカフィック
アシド上の１２ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後０．１６５が得られ、ポリ珪酸被
膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた。
シランのみ３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン
にかえ、他の条件は全く同様にして実験を行なった。そ
の結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅ
ｒｇ１ｃｍ２からヘプタデカフルオロノナデカフィック
アシド上の１２ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後０．１６５が得られ、ポリ珪酸被
膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０００回
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆無
であった。
以上の実施例において示した分子量の化合物以外でも本
発明は有効であるが、ｍは５以下、ｍ＋ｎは３０以下で
あること及びに＋１も３０以下であることか再現性の点
から望ましい。
発明は有効であるが、ｍは５以下、ｍ＋ｎは３０以下で
あること及びに＋１も３０以下であることか再現性の点
から望ましい。
また、実施例で用いたフッ素系化合物はＬａｎｇｍｕｉ
にＢｌｏｄｇｅｔｔ法により形成させたため単分子層で
あったが、本発明の耐摩耗性の効果からは必ずしも単分
子層である必要はない。例えば、フッ素系化合物を溶媒
に溶解し、数分子層の膜厚の化合物を形成させても良い
。
にＢｌｏｄｇｅｔｔ法により形成させたため単分子層で
あったが、本発明の耐摩耗性の効果からは必ずしも単分
子層である必要はない。例えば、フッ素系化合物を溶媒
に溶解し、数分子層の膜厚の化合物を形成させても良い
。
この様に本発明に置ける磁気記憶体はヘッドと磁気記憶
体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、磁
気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用か期
待されるものである。
体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、磁
気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用か期
待されるものである。
第１図は本発明の磁気記憶体７の断面を示す図である。
図において１は合金円盤、２は鏡面仕上げされた非磁性
合金層、３は金属磁性薄膜媒体、４は無濃酸化物、５は
配向性潤滑剤層、６は保護被膜であり、非晶質無機酸化
物４と配向潤滑層５である。
合金層、３は金属磁性薄膜媒体、４は無濃酸化物、５は
配向性潤滑剤層、６は保護被膜であり、非晶質無機酸化
物４と配向潤滑層５である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１、）鏡面研磨された非磁性合金層が被覆された合金
円盤上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜
媒体が被覆されており、この上に無機酸化物層が被覆さ
れ、さらにこの上に前記無機酸化物層と固着可能な配向
性潤滑剤が被覆されている磁気記憶体において、前記配
向性潤滑剤として無機酸化物上に形成された一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ、ｎは０または
自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層と
この単分子層上に一般式 で表される化合物が形成されてあることを特徴とする磁
気記憶体。 （２、）鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円
盤上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体を被覆し、この上に無機酸化物層を被覆し、さらに前
記無機酸化物の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ、ｎは０または
自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層を
気相成長させた後、一般式 ＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿ｋ（ＣＨ＿２）＿ｌＣＯＯＨ（
ｋ、ｌは０または自然数）で表される化合物をＬａｎｇ
ｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法を用いて、上記単分子層
上に累積し、または累積後焼成して前記無機酸化物層と
前記フッ素系化合物を結合させることを特徴とする磁気
記憶体の製造方法。 （３）鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤
上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体
を被覆し、この上に無酸化物層を被覆した後、プラズマ
中で処理し、前記無機酸化物層の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ、ｎは０または
自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層を
気相成長させた後、一般式 ＣＦ＿３（ＣＦ＿２）＿ｋ（ＣＨ＿２）＿ｌＣＯＯＨ（
ｋ、ｌは０または自然数）で表される化合物をＬａｎｇ
ｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法を用いて、前記単分子層
上に累積し、または累積後焼成して前記無機酸化物層と
前記フッ素系化合物を結合させることを特徴とする磁気
記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6646388A JPH01240598A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6646388A JPH01240598A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01240598A true JPH01240598A (ja) | 1989-09-26 |
Family
ID=13316497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6646388A Pending JPH01240598A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01240598A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005008803A2 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173096A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-06 | Asahi Glass Co Ltd | フツ素系潤滑剤 |
| JPS62145532A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6646388A patent/JPH01240598A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60173096A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-06 | Asahi Glass Co Ltd | フツ素系潤滑剤 |
| JPS62145532A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-29 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005008803A2 (de) * | 2003-07-11 | 2005-01-27 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| WO2005008803A3 (de) * | 2003-07-11 | 2005-03-10 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
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