JPS62248124A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁
気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。

（従来の技術） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体
面上に押しつけることにより前記ヘッドと前磁気記憶体
面との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生
する方法である。このように第一の方法では操作開始時
および終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態に
あり、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつけ
る際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態にお
けるヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッド
および磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよび金属
磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。

また前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな姿勢の
変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよび
磁気記憶体表面に傷を作ることもある。

また更に前記接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体
間に生じる１♂擦力は、特に多くのヘッドを取りつけた
場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモー
ターに好ましからぬ負担をかける。

また記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し
、ヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッド
および磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる。

この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッド
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護被膜を被覆することが必要であり、又この保護被膜
は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さ
く（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される。

磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記接触摩擦
力を小さくするための一つの方法である。上記潤滑層は
その下地体と十分に結合していなければならない。潤滑
層がその下地と十分に結合していないと、ヘッドと磁気
記憶体の接触摩擦により下地体から取り去られるかある
いはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記憶体の間に毛
管現象により多量に集まり、記録再生時のヘッドの浮揚
安定性に悪影響をおよぼす。

上記潤滑層のヘッドとの接触摩擦力を小さくする効果は
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層が介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッド面と
吸着しにくい非極性部分とに配向していることが望まし
い。

このような潤滑層としてシリコンオイル、フッ素油、７
０ロシリコンなどのオイル類やオクテダシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシランまたはシ
ラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３２号
公報）。

（発明が解決しようとする問題点） これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの、オイ
ル類においては非晶質無機酸化物と化学結合する結合力
が十分でなく、シランまたはシラザン類においてはヘッ
ドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりにくい
非極性の分子層の分子量が十分でない。このためオイル
類においては長期間の使用における潤滑剤の損失、シラ
ンまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記憶体間に
生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でないという
問題があった。

本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） この発明の要旨とするところは、アルコキシシリル基ま
たはクロロシリル基とイソシアネート基を有する物質を
単分子層として酸化物層を被覆した磁気記憶体の上に形
成した後、分子内にインシアネート基と化学結合する官
能基をもつフッ素油分子を形成することである。すなわ
ち、アルコキシシリル基またはクロロシリル基とイソシ
アネート基を有する物質の単分子層を酸化物層とフッ素
油分子を強固に結びつけるバインダーとして使用し、さ
らに分子量の大きなフッ素油分子を使用することで、ヘ
ッドと下地体との界面に吸着ないし凝着が起こりにくい
非極性の分子層を十分に介在させ、潤滑層とヘッドとの
接触摩擦力を小さくすることである。このバインダーと
してアルコキシシリル基またはクロロシリル基とイソシ
アネート基を有する物質を使用することおよびイソシア
ネート基と化学結合する水酸基（−ＯＨ）を有するフッ
素油分子を用いることが重要な点である。

（作用） 非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいは５ｉ０２、ガラス
、アルミナなどのスパッタ膜等を用いる。アルコキシシ
リル基またはクロロシリル基は反応性に富み、この非晶
質無機酸化物の表面に存在するシラノール基（Ｓｉ−Ｏ
Ｈ）や水酸基（−ＯＨ）と化学結合し、非晶質無機酸化
物と強固に結びついた単分子層はイソシアネート基が基
板と反対側を向いて並んでいるため水酸基を有するフッ
素油分子と化学結合をつくることができ、非晶質無機酸
化物とフッ素分子を強固に結びつけるバインダーの役割
りを果たすことができる。一方、フッ素油分子は表面エ
ネルギーを低下させ、優れた潤滑効果を示す。したがっ
て、一般式 （ｍ、ｎはＯまたは自然数で、いづれか一方が０の場合
、いづれもＯでない場合両方を含む）（Ｘ、Ｙ、Ｚのう
ち少なくとも１つはアルコキシ基または塩素、他はアル
キル基） で表わされる物質の単分子層と分子内に少なくとも１つ
の水酸基を含むフッ素油を用いれば下地体と強固に結合
した優れた潤滑剤が得られる。このフッ素油分子として
はフッ素を含む高分子物であればどんな物でも可能であ
るが、潤滑剤としての性能を考慮すると水酸基を含むフ
ッ素化カーボン系重合体が良く、特に、一般式 ％式％） などで表わされる重合体を用いると優れた潤滑剤が得ら
れる。また、このままでも下地体と重合体は単分子層を
介して強固に結合するが、非晶質無機酸化物を形成した
後、プラズマ中で処理してから、単分子膜を形成し、重
合体を形成すれば、表面のクリーニングが完全になるこ
と、および、イオンの打ち込みによりアルコキシシリル
基またはクロロシリル基と化学結合するラジカルが生成
することなどの理由で下地体と重合体との結合はさらに
強固になる。

更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成しその上に重合体を形成した後
、化学反応を起こし、単分子層と重合体とを結合させた
後、フレオン洗浄することにより単分子層と結合してい
ない余分の潤滑剤がとっさられ、非常に薄い潤滑層が形
成される。ここで単分子層と重合体の化学反応は重合体
を塗布等で形成した後、自然に進行するが、焼成すれば
短時間ですむ。

（実施例） 以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

（実施例１） 第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を示すｌ析面図
である。図面において本発明の磁気記憶体は、合金円盤
１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の研磨面上
に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さらにこの上
に非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこの上に潤滑
剤５が被覆されている。

本実施例では合金円盤１として旋盤加工および熱矯正に
よって十分小さなうねり（円周方向および半径方向でと
もに５０ｐｍ以下）をもった面に仕上げられたディスク
状アルミニウム合金基盤上に非磁性合金層２としてニッ
ケルー燐（Ｎｉ−Ｐ）合金を約５０μｍの厚さにメッキ
し、このＮ１−Ｐメッキ膜を機械的研磨により表面粗さ
０．０４１１ｍ以下、厚さ約３０ｐｍまで鏡面仕上げし
たのち、その上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト−
ニッケルー燐（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５ｐｍ
の厚さにメッキした。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜
の上に、下に示した組成の溶液を十分に混合し、ごみま
たは析出した５ｉ０２を濾過膜を通して取り除いた後、
回転塗布法により塗布した。

テトラヒドロキシシラン１１％エチルアルコール溶液　
　　　　　　　　　　　　　　＝２０重量％ｎ−ブチル
アルコール　　　　　　　　＝８０重量％その後このデ
ィスク基盤を３００°Ｃの温度で１時間焼成しＣｏ−Ｎ
１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成した。この基
板を３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン［
０＝　Ｃ＝　Ｎ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３］　
ノ蒸気中に室温で１時間保持し、単分子膜を形成した。

分子量　約３０００　ノＨＯ−ＣＨ２−ＣＦ２−（０２
Ｆ４０）ｐ−（ＣＦ２０）ｑ−ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨ（
ｐ：ｑ　＝　１：１）を７０リナートに溶解し０．１重
量％の溶液を作成し、０．２ｐｍのフィルターを通して
ろ過した。この溶液を３−イソシアネートプロピルトリ
エトキシシランの単分子層を形成した前記ディスク基板
に２５００回１分の回転速度で回転塗布し、１００°Ｃ
の温度で３０分間焼成を行なった。

重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上４３ｅｒｇ／ｃｍ”から重合体塗布後では
２５ｅｒｇ／ｃｍ２と表面エネルギーが低下しヘッドと
下地体との接着を防止する効果が大きいことがわかった
。

次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ重、滑り速
度１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行なった。その結果、動
摩擦係数の値として０゜２５が得られ、ポリ珪酸被膜上
の０．６１に比べ動摩擦係数の値を小さくすることがで
きた。

また、この重合体を塗布したディスク基板と荷重７０ｇ
重のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接
触摩擦試験をａｏｏｏｏ回臘り返し行なったが、ヘッド
クラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスク
表面状態の変化は皆無であった。

（実施例２） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を３−イソシアネートプロピルトリエト
キシシランの蒸気中に室温で１時間保持し、単分子層を
形成した。分子量約３０００のＨＯ−ＣＨ２−ＣＦ２−
（Ｃ２Ｆ４ｏ）ｐ−（ＣＦ２０）、−ＣＦ２−ＣＨ２−
ＯＨ（ｐ：ｑ＝　３ニー２）をフレオンに溶解し０．１
重量％の溶液を作成し、０．２ｐｍのフィルターを通し
てろ過した。３−イソシアネートプロピルトリエトキシ
シランの単分子層を形成した前記ディスク基板にこの重
合体を２５００回１分の回転速度で回転塗布し１００°
Ｃの温度で３０分間焼成した後フレオンで余分な重合体
を洗い落とした。実施例１と同様の方法で表面エネルギ
ーと動摩擦係数の値を求めた。その結果、重合体を塗布
することにより表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上４
３ｅｒｇ／ｃｍ２から２０ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動
摩擦係数の値は０．６１から０．２２に小さくすること
ができた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は皆
無であった。

（実施例３） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を３−イソシアネートプロピルトリエト
キシシランの蒸気中に室温で１時間保持し、単分子層を
形成した。分子量約２０００の解し０．１重量％の溶液
を作成し、０．２ｐｍのフィルターを通してろ過した。

３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランの単分
子層を形成した前記ディスク基板にこの重合体を２５０
０回Ｉ分の回転速度で回転塗布し１００°Ｃの温度で１
時間焼成した後フレオンで余分な重合体を洗い落とした
。実施例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数
の値を求めた。

その結果、重合体を塗布することにより表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上４３ｅｒｇ／ｃｍ２から２４ｅｒ
ｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値は０．６１から０
．２５に小さくすることができた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は皆
無であった。

（実施例４） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を３−イソシアネートプロピルトリエト
キシシランの蒸気中に室温で１時間保持し、単分子層を
形成した。分子量約３０００のナートに溶解し０．１重
量％の溶液を作成し、０．２ｐｍのフィルターを通して
ろ過した。３−イソシアネートプロピルトリエトキシシ
ランの単分子層を形成した前記ディスク基板にこの重合
体を２５００回／分の回転速度で回転塗布し１００°Ｃ
の温度で１時間焼成した後フレオンで余分な重合体を洗
い落とした。実施例１と同様の方法で表面エネルギーと
動摩擦係数の値を求めた。その結果、重合体を塗布する
ことにより表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上４３ｅ
ｒｇ／ｃｍ２から２２ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦
係数の値は０．６１から０．２４に小さくすることがで
きた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は皆
無であった。

（実施例５） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を３−イソシアネートプロピルトリエト
キシシランの蒸気中に室温で１時間保持し、単分子層を
形成した。分子量約２０００のＦ２Ｏ−（ＣａＦｓＯ）
ｐ−ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨをフロリナートに溶解し０．
１重量％の溶液を作成し、０．２ｐｍのフィルターを通
してろ過した。３−イソシアネートプロピルトリエトキ
シシランの単分子層を形成した前記ディスク基板にこの
重合体を２５００回ノ分の回転速度で回転塗布し１００
°Ｃの温度で２時間焼成した後フレオンで余分な重合体
を洗い落とした。実施例１と同様の方法で表面エネルギ
ーと動摩擦係数の値を求めた。その結果、重合体を塗布
することにより表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上４
３ｅｒｇ／ｃｍ２から２７ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、動
摩擦係数の値は０．６１から０．２６に小さくすること
ができた。

また実音例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は皆
無であった。

（実施例６） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を３．イソシアネートプロピルトリエト
キシシランの蒸気中に室温で１時間保持し、単分子層を
形成した。分子量約３０００ＨＯ−ＣＨ２−ＣＦ２−（
０３Ｆ６０）Ｐ−ＣＦ２−ＣＨ２−ＯＨを７０リナート
に溶解し０．１重量％の溶液を作成し、０．２ｐｍのフ
ィルターを通してろ過した。３−インシアネートプロピ
ルトリエトキシシランの単分子層を形成した前記ディス
ク基板にこの重合体を２５００回１分の回転速度で回転
塗布し１００°Ｃの温度で１時間焼成した後フレオンで
余分な重合体を洗い落とした。実施例１と同様の方法で
表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。その結果、
重合体を塗布することにより表面エネルギーの値はポリ
珪酸被膜上４３ｅｒｇ／ａｍ２から２１ｅｒｇ／ｃｍ”
に低下し、動摩擦係数の値は０．６１から０．２０に小
さくすることができた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は皆
無であった。

（実施例７） 実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のｃｏ−
Ｎｉ−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにＡｌ２０
３（非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。こ
のディスク基板を３−イソシアネートプロピルトリエト
キシシランの蒸気中に室温で１時間焼成し単分子層を形
成した。実施例１で作成した重合体溶液を２５００回／
分で回転塗布し１００°Ｃの温度で４０分間焼成した後
、実施例１と同様の方法で表面エネルギー、動摩擦係数
の値を求めた。その結果、表面エネルギーは非晶質アル
ミナ上の４５ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体２２ｅｒｇ／ｃ
ｍ２に低下し、動摩擦係数の値は０．３０から０．２１
に小さくすることができた。

また実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例８） 実施例１〜７で使用した３−イソシアネートプロピルト
リエトキシシランを３−イソシアネートプロピルジメチ
ルクロルシラン［０＝　Ｃ＝　Ｎ（ＣＨ２）ａｓｉｃｌ
（ＣＨ３）２］にかえ、また単分子層の作成条件を室温
で２時間蒸気中に保持することにかえ、他の条件は全〈
実施例１と同様にして実験を行なった。その結果、表面
エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ１ｃｍ２
から重合体２６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の
値として重合体塗布後０．２３が得られ、ポリ珪酸被膜
上の０．６１に比べ、小さくすることができた。

また実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例９） 実施例１〜７で使用した３−イソシアネートプロピルト
リエトキシシランを３−イソシアネートプロビルジメチ
ルク０　／’ｌ、シラン［０＝　Ｃ＝　Ｎ（ＣＨ２）ａ
ｓｉｃｌ（ＣＨａ）２］　Ｌ：かえ、また単分子層の作
成条件を室温で２時間蒸気中に保持することにがえ、他
の条件は全〈実施例３と同様にして実験を行なった。そ
の結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ｅ
ｒｇ／ｃｍ２がら重合体２５ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、
動摩擦係数の値として重合体塗布後０．２４が得られ、
ポリ珪酸被膜上の０．６１に比べ、小さくすることがで
きた。

また実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１０） 実施例１〜７で使用した３−イソシアネートプロピルト
リエトキシシランをｐ−イソシアネートフェニルトリメ
トキシシラ：／［０＝Ｃ＝Ｎ−○−８ｉ（ｏｃＨ３）３
］ニかえ、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持する
時間のみ３時間とし、他の条件は実施例１と全く同様に
して実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値は
ポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の２
６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗布後０．２７が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．６１
に比べ、小さくすることができた。

また実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１１） 実施例１と同様にして３−イソシアネートプロピルトリ
エトキシシランを３−イソシアネートプロピルメチルジ
ェトキシシラン［０＝　Ｃ＝　Ｎ（ＣＨ２）ａｓｉ（Ｏ
Ｃ２Ｈｓ）２ＣＨ３］にかえ、この化合物蒸気中に基板
を室温で保持する時間のみ３時間とし、他の条件は全く
同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギー
の値はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体
上の２７ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値とし
て重合体塗布後０．２７が得られ、ポリ珪酸被膜上の０
．６１に比べ、小さくすることができた。

また実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１２） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、流量１８ｓｅｃｍ、　を力密度０．３５
Ｗ／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶの条
件で２分間エツチングを行なった後、実施例１と同様に
３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランの蒸気
中で１時間保持し、単分子層を形成した。このディスク
基板に実施例１で作成した重合体溶液を２５００回１分
で回転塗布し、１００°Ｃで４０分間焼成した後フレオ
ンで余分の重合体を洗い落とし、実施例１と同様の方法
で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果
、表面エネルギーはポリ珪酸上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２か
ら重合体上の２１ｅｒｇ１ｃｍ２に低下し、動摩擦係数
の値は０．６１から重合体上の０．２１に小さくするこ
とができた。

なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被膜は、形成後、
長時間放置すると、実施例１と同様の処理をおこなって
も表面エネルギー、動Ｉ′を擦係数の値の低下は十分で
はないが、Ａｒプラズマで処理すると、放置時間にかか
わらず同じ結果が得られ、Ａｒプラズマ処理による表面
の改質が効果的であることがわかった。

また、実施例１と同様に３００００回の接触ｊｒ擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１３） 実施例７と同様の方法で作成し非晶質アルミナを被覆し
たディスク基板に、実施例１２と同様の条件でＡｒプラ
ズマによる処理を行なった。その後、この基板を３−イ
ソシアネートプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室
温で１時間保持し、単分子層を形成した。実施例２で作
成した重合体溶液を２５００回／分で回転塗布し１００
°Ｃの温度で４０分間焼成した後、実施例１と同様の方
法で表面エネルギーと動ＩＴ擦係数の値を求めた。その
結果、表面エネルギーの値はＡｒプラズマで処理したア
ルミナ上の５２ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の２０ｅｒ
ｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値はアルミナ上の０
．３１から重合体塗布後の０．２３に小さくすることが
できた。

また、実施例１と同様に３００００回の接触ｊ？擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１４） 実施例１２と同様に処理し３−イソシアネートプロピル
トリエトキシシランの単分子層を形成した基板に実施例
４で作成した重合体溶液を２５００回１分で回転塗布し
１００’Ｃの温度で１時間焼成した後、実施例１２と全
く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギ
ーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２から重合
体上の２４ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、動摩擦係数の値と
して重合体塗布後０．２１が得られ、ポリ珪酸被膜上の
０．６１に比べ、小さくすることができた。

また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１５） 実施例１２と同様に処理し３−イソシアネートプロピル
トリエトキシシランのみ３−イソシアネートプロピルジ
メチルクロルシランにかえ、他の条件は実施例１２と全
く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギ
ーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２から重合
体上の２６ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、動摩擦係数の値と
して重合体塗布後０．２５が得られ、ポリ珪酸被膜上の
０．６１に比べ、小さくすることができた。

また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例１６） 実施例１２と同様に処理し３−イソシアネートプロピル
トリエトキシシランの単分子層を形成した基板に実施例
５で作成した重合体溶液を２５００回１分で回転塗布し
１００°Ｃの温度で２時間焼成した後、実施例１２と全
く同様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギ
ーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２から重合
体上の２２ｅｒｇ／ａｍ２に低下し、動１≠擦係数の値
として重合体塗布後０．２０が得られ、ポリ珪酸被膜上
の０．６１に比べ、小さくすることができた。

また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（発明の効果） このように本発明における磁気記憶体は長期間の使用に
おける潤滑剤の損失もほとんどなく、しかもヘッドと磁
気記憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大き
く、磁気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応
用が期待されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体７の断面をしめす概略断面
図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体が被
   覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆され
   、さらにこの上に前記非晶質無機酸化物と固着可能な配
   向性潤滑剤が被覆されている磁気記憶体において、前記
   配向性潤滑剤が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは０または自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
   は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
   と、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体層からなることを特徴とする磁気記憶体。 ２、鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を
   被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さらに
   前記非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは０または自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
   は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
   を気相成長させた後、分子内に少なくとも１つの水酸基
   を含むフッ素化重合体を塗布し、または塗布後焼成して
   前記非晶質無機酸化物層と前記重合体を前記単分子層を
   介して結合させることを特徴とする磁気記憶体の製造方
   法。 ３、鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を
   被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラズ
   マ中で処理し、前記非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （ｍ、ｎは０または自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
   は塩素、他はアルキル基）で表わされる物質の単分子層
   を気相成長させた後、分子内に少なくとも１つの水酸基
   を含むフッ素化重合体を塗布し、または塗布後焼成して
   前記非晶質無機酸化物層と前記重合体を前記単分子層を
   介して結合させることを特徴とする磁気記憶体の製造方
   法。 ４、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体が一般式 ＨＯ−ＣＨ＿２−ＣＦ＿２−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）＿ｐ−
   （ＣＦ＿２Ｏ）＿ｑ−ＣＦ＿２−ＣＨ＿２−ＯＨ（ｐ、
   ｑは整数） で表わされる重合体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ５、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる重合体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ６、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる重合体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ７、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体が一般式 Ｆ＿３Ｃ−（Ｃ＿３Ｆ＿６Ｏ）＿ｐ−ＣＦ＿２−ＣＨ＿
   ２−ＯＨ（ｐは整数）で表わされる重合体であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気記憶体。 ８、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体が一般式 ＨＯ−ＣＨ＿２−ＣＦ＿２−（Ｃ＿３Ｆ＿６Ｏ）＿ｐ−
   ＣＦ＿２−ＣＨ＿２−ＯＨ（ｐは整数）で表わされる重
   合体であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の磁気記憶体。 ９、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化重
   合体が一般式 ＨＯ−ＣＨ＿２−ＣＦ＿２−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）＿ｐ−
   （ＣＦ＿２Ｏ）＿ｑ−ＣＦ＿２−ＣＨ＿２−ＯＨ（ｐ、
   ｑは整数） で表わされる重合体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項または第３項に記載の磁気記憶体の製造方法
   。 １０、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化
   重合体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる重合体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項または第３項に記載の磁気記憶体の製造方法
   。 １１、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化
   重合体が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる重合体であることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項または第３項に記載の磁気記憶体の製造方法
   。 １２、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化
   重合体が一般式 Ｆ＿３Ｃ−（Ｃ＿３Ｆ＿６Ｏ）＿ｐ−ＣＦ＿２−ＣＨ＿
   ２−ＯＨ（ｐは整数）で表わされる重合体であることを
   特徴とする特許請求の範囲第２項または第３項に記載の
   磁気記憶体の製造方法。 １３、分子内に少なくとも１つの水酸基を含むフッ素化
   重合体が一般式 ＨＯ−ＣＨ＿２−ＣＦ＿２−（Ｃ＿３Ｆ＿６Ｏ）＿ｐ−
   ＣＦ＿２−ＣＨ＿２−ＯＨ（ｐは整数）で表わされる重
   合体であることを特徴とする特許請求の範囲第２項また
   は第３項に記載の磁気記憶体の製造方法。