JPS63816A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は磁気的記憶装置、たとえば磁気ディスク装置
および磁気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体および
その製造方法に関するものである。

（従来の技術） 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。すなわ
ち第一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面と
の間に空気層分の空間を作り、この状態で記憶再生をす
る方法である。この方法では、操作終了時に磁気記憶体
の回転が止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開
始時と同様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記
憶装置体に予め所要の回転を与えておき、急激にヘッド
を磁気記憶体面上に押しつけることにより前記ヘッドと
前言己磁気記憶体面との間に空気層分の空間を作り、こ
の状態で記録再生する方法である。

このようにして第一の方法では操作開始時および終了時
にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第二の
方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩
擦状態にある。したがっていずれの場合もヘッドと磁気
記憶体の間には摩擦力が生じ、この摩擦力は、ヘッドお
よび磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよび金属磁
性薄膜媒体に傷を作ることがある。また前記接触摩擦状
態においてヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドにかか
る荷重を不均一にさせヘッドおよび磁気記憶体表面に傷
を作ることもある。更に前記接触摩擦状態におけるヘッ
ドと磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッド
を取りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回
転させるモーターに好ましからぬ負担をかける。また記
録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し、ヘッ
ドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘッドおよび
磁気比１：ホ体が破壊されることがしばしば起こる。

このようなヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッ
トおよび磁気記憶装置体を保護するために磁気記憶体の
表面に保護被膜を被覆して前記ヘッドと磁気記憶装置体
間に生じる接触摩擦力を小さくすることが要求される。

そのための方法の一つとして磁気記憶体の表面に潤滑層
を設けるということが行なわれている。

この潤滑層は、上記した接触Ｉγ摩擦力小さくさせるも
のであることを要求するがそれとともに、潤滑層が下地
体から取り去られたり、あるいはヘッド周辺またはヘッ
ドと磁気記憶体間に凝集して記録再生時のヘッドの浮揚
安定性に悪影響をおよぼすことのないよう下地体と十分
に結合していることが必要である。したがって潤滑層は
上記の接触１！Ｉ：振力を小さくさせるためにヘッドと
磁気記憶体の界面に吸着ないし凝集が起こりにくい非極
性の分子層が介在していることが望ましく、したがって
潤滑層は磁気記憶体と結合する部分に配向していること
が望ましい。

このような潤滑層としてシリコンオイル、ふっ素油、フ
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどの塩化ケイ素類ま
たはシラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９
３２号公報）。

（発明が解決しようとする問題点） これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの、オイ
ル類においては下地体である非晶質無機酸化物との結合
力が十分でなく、塩化ケイ素またはシラザン類において
はヘッドと磁気記憶装置体の界面に吸着ないし凝着が起
こりにく非極性の分子層の分子量が十分でない。このた
めオイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、塩化ケイ素またシラザン類においてはヘッドと磁気
記憶体間に生じる接触ｆｒ擦振力小さくする効果が完全
でないという問題があった。

本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被
覆され、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている
磁気記憶体において、前記配向製作潤滑剤が、−数式 ％式％ で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、武士
０２Ｆ４Ｏ）−で示される構造ｊｉＬ位および式＋−Ｃ
Ｆ２０÷で示される構造３３１位が線状に不規則に配列
し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−で示される分子量５００〜
３００００の重合体で形成された重合体層からなること
を特徴とする磁気記憶体であり、またその製造方法は、
表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上または
表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被覆し、
この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さらにこの非晶
質無機酸化物層の上に、直接、または、前記非晶質無機
酸化物層の表面をプラズマ中で処理した後に、−数式％
式％ で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製し
、次いで式＋Ｃ２Ｆ４Ｏ＋で示される構造単位および式
−（ＣＦ２Ｏ）−で示される構造単位が線状に不規則に
配列し、末端基が式ｏ＝ｃ＝Ｎ−で示される分子量５０
０〜３００００の重合体を塗布し、または塗布後焼成し
て前記非晶質無機酸化物層上に前記重合体層を設けるこ
とを特徴とする。

この発明の要旨とするところは、水酸基およびカルボキ
シル基を両末端に有する物質を、ラングミュア−プロジ
ェット法のような単分子膜形成法によってカルボキシル
基またはその金属塩の非晶質無機酸化物層への固着力を
利用して酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に単分子層を
形成した後、末端に水酸基と化学結合する官能基をもつ
ふっ素泊分子を塗布することである。すなわち、水酸基
およびカルボキシル基両末端に有する物質の単分子層を
、酸化膜とふっ素泊分子を強固に結びつけるバインダと
して使用し、さらに分子量の大きなふっ素泊分子を使用
することで、ヘッドと下地体との界面に吸着ないし；迂
集が起こりにくい非極性の分子層を十分に介在させ、潤
滑帰とヘッドとの接触１ｆ擦力を小さくすることである
。バインダとして水酸基およびカルボキシル基を両末端
に有する物質の単分子層を用いること、および、非極性
の分子層として水酸基と化学結合するイソシアネート基
を有するふっ素泊分子を用いることが重要な点である。

本発明のバインダとして作用する前記−数式［月で示さ
れるオキシカルボン酸は良好な１１を分子膜を形成する
ためにｎが１０〜２３の範囲のものが好ましい。

非晶質無機酸化物上に上記−数式国で示される化合物の
単分子層を形成する方法としてはたとえばラングミュア
−プロジェット法があげられる。

この際、オキシカルボン酸の水酸基はあらかじめ疎水基
に変換しておくことにより、もう−方の官能基であるカ
ルボキシル基が水素結合等を介して非晶質無機酸化物層
と結合し、強固な１４ｉ−分子膜が形成される。またカ
ルボキシル基はそのままの状態でも、あるいはラングミ
ュア−プロジェット法による吸着の際に用いる水相に、
カドミウム、バリウムなどの２価金属イオンを加えてお
き、カルボン酸の金属塩として、上記物質を吸着させて
もよい。

本発明においてはｌｉＬ分子膜の構成成分として上記−
般弐田で示される化合物のほかに、ミリスチン酸のよう
な長鎖アルキルカルボン酸等の親水基、疎水器をあわせ
もつ化合物を含有させることができるが、バインダとし
ての作用を十分に発揮するために−数式［月の化合物が
全有機化合物中の１０重量％以上を占めていることが望
ましい。

このようにして得られた単分子層は、水酸基が疎水基に
変換されている場合には再び水酸基とした後、イソシア
ネート基を有する重合対を塗布する。この重合体は式＋
−Ｃ２Ｆ４０すおよび式＋−ＣＦ２０÷を１操り返し単
位とするが、この円単位の割合は任意に選択することが
できる。重合体の分子匣は５００〜３００００のものが
含まれるが通常１０００〜１００００のものが用いられ
る。

本発明ではバインダとしての前記単分子層と前記重合体
府とを組み合わせたものを潤滑層として用いることによ
って下地体と強固に結合させることができるが、非晶質
無機酸化物形成後の下地体をプラズマ中で処理してから
前記潤滑層を作製すれば、表面のクリーニングが完全に
なること、およびイオンの打ち込みにより非晶質無機酸
化物の表面がさらに親水性になるなどの理由で下地体と
潤滑剤の結合はさらに強固になる。

更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能である。非晶質無機酸化
物の」二に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学
反応を起こさせ、単分子層と重合体とを結合させた後、
フレオン洗浄することにより単分子層と結合していない
余分の潤滑剤がとっさられ、非常に薄い潤滑層が形成さ
れる。

（作用） 非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいは５ｉ０２、ガラス
、アルミナなどのスパッタ膜である。本発明の水酸基お
よびカルボキシル基を両末端に有する物質は、水酸基を
一時的に化学的な方法で疎水基に変換しておけば、ラン
グミュア−プロジェット法を用いて前記非晶質無機酸化
物の表面に単分子層として強固に吸着させることができ
る。このようにして得られた単分子層は、カルボキシル
基またはその金属塩の強い親水性により、非晶質無機酸
化物層と強固に結合する。この単分子層を吸着後に水酸
基を一時的に変換しておいた疎水基を再び化学的な方法
でもとの水酸基にもどしてやれば、水酸基が基板と反対
側を向いて並んでいるためイソシアネート基を有するふ
っ素泊分子と化学結合をつくることができ、非晶質無機
酸化物とふっ素泊分子を強固に結びつけるバインダの役
割を果たすことができる。−方、ふっ素泊分子表面エネ
ルギーを低下させ、優れた潤滑効果を示す。

したがってこのＪｊｔ分子層とふっ素泊分子層との組み
合わせにより、下地体と潤滑剤層とが強固に結合し、し
かも潤滑効果の優れた磁気記１．ａ体を得ることができ
る。単分子層と重合体の化学反応は塗布後自然に進行な
するが、焼成すれば短時間ですむ。

［実施例１ 以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

（実大：ンＪｌ＞ 第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を概略的に示す
断面図である。図面において本発明の磁気記憶体は、合
金円盤１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の研
磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さらに
この上に非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこの上
に貼分子膜５および重合体１層６よりなる潤滑剤が被覆
されている。

合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０ｐｍ
以下）をもった面に仕上げられたテ゛イスク状アルミニ
ウム合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケルー燐（
Ｎｉ−Ｐ）合金を約５０μｍの厚さにメツキし、このＮ
１−Ｐメツキ膜を機械的研磨により表面徂さ０．０４μ
ｍ以下、厚さ約３０ｐｍまで鏡面仕」二げしたのち、そ
の上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト−ニッケルー
燐（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５ｐｍの厚さにメ
ツキした。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に、下
に示した組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出し
た５ｉ０２をろ４嘆を通して取り一にいた後、回転塗布
；去により塗布した。

ｎ−ブチルアルコール　　　　　　：８０重量％その後
このディスク基盤を２００°Ｃの温度で３時間焼成しＣ
ｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に非晶質無機酸化物６であるポ
リ珪酸の被膜を形成した。

この基板に１６−ヒドロキシパルミチン酸［ＨＯ（ＣＨ
２）１５ＣＯＯＨ］のイソプロピルジメチルシリルエー
テルエスｆ　ル［（ＣＨ３）２（ＣＨ５）２ＣＨ８ｉＯ
（ＣＨ２）１５ＣＯＯ８ｉＣＨ（ＣＨ３）２（ＣＨ３）
２］を原料として、ｐＨ４，５の水相を用ν）るラング
ミュア−プロジェット法によって１６−ヒドロキシパル
ミチン酸のイソプロピルジメチルシリルエーテル［（Ｃ
Ｈ３）２（ＣＨ５）２ｃＨ３ｉＯ（ＣＨ２）１５ＣＯＯ
Ｈ］の単分子膜を形成した。続いてこの基板を、酢酸−
水（３：１）溶液に１０分間浸漬して１６−ヒトロキシ
ノくルミチン酸の単分子膜５とした。続いて、分子量約
３０００の０　＝　Ｃ＝　Ｎ−Ｃ６Ｈ３（ＣＨ３）ＮＨ
ＣＯＣＦ２−（Ｃ２Ｆ４０　）Ｐ−（ＣＦ２０）（＋−
ＣＦ２ＣＯＮＨＣ６Ｈ３（ＣＨ３）−Ｎ＝Ｃ＝　Ｏ（ｐ
：ｑ＝　１：１、各構造単位は不規則である）をフレオ
ンに溶解し、０．０８ｆｆｉ量％の溶液を作成し、０．
２￥１ｍのフィルターを通してろ過した。この溶液を１
６−ヒドロキシパルミチン酸の准分子層を形成した前記
ディスク基板に２５００回／分の回転速度で回転塗布し
、１００°Ｃの温度で４０分間焼成を行なった後、フレ
オンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落として重合
体層６を形成した。

重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するポリ
珪酸被膜上４３ｅｒｇ／ｃｍ２から爪合体塗布後では１
６ｅｒｇ／ａｍ２と表面エネルキ゛−が著しく低下しヘ
ッドと下地体との接着を防止する効果が大きいことがわ
かった。

次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動Ｉ５！
擦係数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連
結し、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘ
ッドとディスク間の動１％振力を測定し、これをヘッド
に加えた荷重で割って求めた。測定は荷重１５ｇ、滑り
速度１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行なった。その結果、
動Ｉ′ｆ：擦係数の値として０゜１７５が得られ、ポリ
珪酸被膜上の０．５４６に比べ、極めて動摩擦係数の値
を小さくすることができた。

また、この重合体を塗布したディスク基板と荷重７０ｇ
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの
表面状態の変化は皆無であった。

（実施例２） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板に同じ方法で１６−ヒドロキシパルミチ
ン酸を形成した。分子量約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ−Ｃ６
Ｈａ（ＣＨ３）ＮＨＣＯＣＦ２−（Ｃ２Ｆ４０）ｐ−（
ＣＦ２０）ｑ−ＣＦ２ＣＯＮＨＣ６Ｈ３（ＣＨ３）−Ｎ
＝Ｃ−○（ｐ：ｑ＝４：１、各構造単位は不規則である
）をフレオンに溶解し、０．０８重量％の溶液を作成し
、０．２μｍのフィルターを通してろ過した。単分子層
を形成した前記ディスク基板にこの重合体２５００回／
分の回転速度で回転塗布し１００°Ｃの温度で４０分間
焼成した後フレオンで余分な重合体を洗い藩とした。実
施例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値
を求めた。その結果、前合体を塗布することにより表面
エネルギーの値はポリ珪酸被膜上４３ｅｒｇ／ｃｍ２か
ら１６ｅｒｇ／ａｍ２と低下し、動摩擦係数の値は０．
５４６から０．１７２に小さくすることができた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は
皆無であった。

（実施例３） 実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにＡ１２０
３（非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した。こ
のディスク基板に実施例１と同じ方法で１６−ヒドロキ
シパルミチン酸の単分子層を形成した。実施例１で作成
した重合体層ｉ？ｋを２５００回／分で回転塗布し１０
０’Ｃの温度で４０分間焼成した後フレオンで余分な重
合体を洗いおとし、実施例１と同様の方法で表面エネル
ギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果、表面エネル
ギーは非晶質アルミナの４５ｅｒｇ／ｃｍ２から重合ｆ
ド上１５ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し動摩擦係数の値は０．
２７０から０．１８０に小さくすることができた。

また実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験によ
るディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例４） 実施例１と同じ基板に、ラングミュア−プロジェット法
によって、１６−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピ
ルジメチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の１
：１混合物原料として、おなし操作を行ない１６−ヒド
ロキシパルミチン酸とミリスチン酸の１：１混合物より
なる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様
にして実験を行なった。

その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３
ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下
し動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１７６が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくするこ
とができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例５） 実施例４と同様に、ラングミュア−プロジェット法によ
って、１６−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロとルジ
メチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の１：３
混合物を原料として、お°なじ操作を行ない１６−ヒド
ロキシパルミチン酸とミリスチン酸のｌ：３混合物より
なる単分子膜を作製し、他の操作は実施例１と全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ”から重合体−の
上１５ｅｒｇ／ｃｍ”に低下し、動摩擦係数の値として
重合体塗布後０．１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０
．５４６に比べ、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触ｊＴ擦試
験によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例６） 実施例５と同様に、ラングミュア−プロジェット法によ
って、１６−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジ
メチルシリルエーテルエステルとミリスチン酸の１：３
混合物を原料として、おなし操作を行なった。ただし、
ラングミュア−プロジェット法による吸着の際に、水相
に塩酸を加えてｐＨを４．２に調整した２、５　Ｘ　１
０−’ｍｏｌｅ／ｅの塩化カドミウム水溶液を用いて、
１６−ヒドロキシパル酸とミリスチン酸の１：３混合物
のカドミウム塩よりなる単分子膜を作製し、他の操作は
実施例１と全く同様にして実験を行なった。その結果、
表面エネルギーの値はポリ珪被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ
２から重合体１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し動摩擦係数の
値として重合体塗布後０．１７０が得られ、ポリ珪酸被
膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例７） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪被膜を形成した
ディスク基板を平行な平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、流量１８ｓｅｃｍ、電力密度０．３５Ｗ
／ａｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶの条件
で２分間エツチングを行なった後、続いて実施例４と同
様に、ラングミュア−プロジェット法によって、１６−
ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメチルシリル
エーテルエステルとミリスチン酸の１：１混合物を原料
として、おなじ操作を行ない１６−ヒドロキシパル酸と
ミリスチン酸の１：１混合物よりなる単分子膜を作製し
、他の操作は実施例１と全く同様にして実験を行なった
。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪被膜上の４３
ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体１５ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し
、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１７４が得ら
れ、ポリ珪酸被膜上の０５４６に比べ、小さくすること
ができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触１！を擦
試験によるテ゛イスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例８） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪被膜を形成した
ディスク基板を平行な平板のエツチング装置に入れ、Ａ
ｒを用いて流量１８ｓｅｃｍ、電力密度０゜３５Ｗ／ｃ
ｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶの条件で２
分間エツチングを行なった後、続いて実施例５と同様に
ラングミュア−プロジェット法によって、１６．ヒドロ
キシパルミチン酸のイソプロピルジメチルシリルエーテ
ルエステルとミリスチン酸の１：３混合物を原料として
、おなし操作を行ない１６−ヒドロキシパル酸とミリス
チン酸の１；３混合物よりなる単分子膜を作製し、他の
操作は実施例１と全く同様にして実験を行なった。その
結果、表面エネルギーの値はポリ珪被膜上の４３ｅｒｇ
／ｃｍ２から重合体１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩
擦係数の値として重合体塗布後０．１７２が得られ、ポ
リ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすることがで
きた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例９） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行な平板のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、流量を１８ｓｅｃｍ、電力密度０．３５
Ｗ／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＫＶの条
件で２分間エツチングを行なった後、続いて実施例６と
同様に、ラングミュア−プロジェット法によって、１６
−ヒドロキシパルミチン酸のイソプロピルジメチルシリ
ルエーテルエステルとミリスチン酸の１：３混合物を原
料として、水相に塩酸を加えてｐＨを４゜２に調整した
２、５Ｘ１０　’ｍｏｌｅ／ｒの塩化カドミウム水溶液
を用いて、１６−ヒドロキシパルミチン酸とミリスチン
酸の１：３混合物カドミウム塩よりなるノミｔ分子膜を
作製し、他の操作は実施例１と全く同様にして実験を行
なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪被膜上
の４３ｅｒｇ／ｃｍ”から重合体１７ｅｒｇ／ｃｍ２に
低下し、動摩擦係数の値として重合体塗布後０．１７８
が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さく
することができた。

また、他の実施例と同様に３００００回の接触１ｆ擦試
験によるディスク表面状態の変化は皆ｊ県であった。

（発明の効果） このようにして本発明における磁気記１：ホ体はヘッド
と磁気記１；α体間に生じる接触摩擦力を小さくする効
果が大きい。また潤滑剤と下地体とが強固に結合してい
るので繰り返し使用してもディスク表面状態は良好に保
持される。したがって磁気ディスク装置は磁気ドラム装
置等に応用するのに適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体を概略的に示す断面図であ
る。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金円盤
   上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体が
   被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆さ
   れ、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている磁気
   記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 ＨＯ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＨ （ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層と、式−
   （Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位および式−（
   ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状に不規則に配
   列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−で示される分子量５００
   〜３００００の重合体で形成された重合体層からなるこ
   とを特徴とする磁気記憶体。
2. （２）表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
   覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さらにこ
   の非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ＨＯ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＨ （ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製し
   、次いで式−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位
   および式−（ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状
   に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−で示される
   分子量５００〜３００００の重合体を塗布し、または塗
   布後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前記重合体層
   を設けることを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
3. （３）表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
   覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラズマ
   中で処理した後に、前記非晶質無機酸化物層の上に一般
   式 ＨＯ−（ＣＨ＿２）＿ｎ−ＣＯＯＨ （ｎは正の整数） で表わされる物質を含む有機化合物の単分子層を作製し
   、次いで式−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位
   および式−（ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状
   に不規則に配列し、末端基が式Ｏ＝Ｃ＝Ｎで示される分
   子量５００〜３００００の重合体を塗布し、または塗布
   後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前記重合体層を
   設けることを特徴とする磁気記憶体の製造方法。