JPS63820A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は磁気記憶装置、たとえば磁気ディスク装置お
よび磁気ドラム装置等に用いられる磁気記憶体およびそ
の製造方法に関するものでおる。

［従来の技術］ 一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。すなわ
ち第一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面と
の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生をす
る方法である。

この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が止まり
、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接
触摩擦状態におる。第二の方法は磁気記憶体に予め所要
の回転を与えておき、急激にヘッドを磁気記憶体面上に
押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気記憶体面と
の間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再生する
方法である。

このように第一の方法では操作開始時および終了口）に
ヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、第二の方
法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に接触摩擦
状態におる。したがっていずれの場合もヘッドと磁気記
憶体の間には摩擦力が生じ、この摩擦力は、ヘッドおよ
び磁気記憶体を摩耗させついにはヘッドおよび金属ｖｉ
１１生薄膜生体膜媒体作ることがおる。また前記接触摩
擦状態においてヘッドのわずかな姿勢の変化がヘッドに
かかる荷重を不均一にさせヘッドおよび磁気記憶体表面
に傷を作ることもおる。更に前記接触Ｉｆ家状態にお（
プるヘッドと磁気記憶体間に生じる摩擦力は、特に多く
のヘッドを取りつけた場合に大きなトルクを生じ磁気記
憶体を回転させるモーターに好ましからぬ負担をかＣ）
る。また記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接
触し、ヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、ヘ
ッドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こ
る。

このようなヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッ
ドおよび磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面
に保護被膜を被覆して前記ヘッドと磁気記・巨体間に生
じる接触摩擦力を小さくすることが要求される。

そのための方法の一つとして磁気記憶体の表面に潤滑層
を設けるということが行なわれている。

この潤滑層は、上記した接触摩擦力を小さくさせるもの
であることを要するがそれとともに、潤滑層が下地体か
ら取り去られたり、あるいはヘッド周辺またはヘッドと
磁気記憶体間に凝集して記録再生時のヘッドの浮揚安定
性に悪影響をおよぼすことのないよう下地体と十分に結
合していることが必要である。したがって潤滑層は上記
の接触摩擦力を小さくさせるためにヘッドと磁気記憶体
の界面に吸着ないし凝着が起こりにくい非極性の分子層
が介在していることが望ましく、したがって潤滑層は磁
気記憶体と結合する部分に配向していることが望ましい
。

このような潤滑層としてシリコンオイル、フッ素油、フ
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシラン類または
シラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３２
号公報）。

［発明が解決しようとする問題点］ これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すものの、オイ
ル類においては下地体である非晶質無機酸化物との結合
力が十分でなく、シラン類またはシラザン類においては
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層の分子層が十分でない。このためオ
イル類においては長期間の使用における潤滑剤の損失、
シラン類またはシラザン類においてはヘッドと磁気記憶
体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でない
という問題があった。

本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被
覆され、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている
磁気記憶体において、前記配向性潤滑剤が、−投銭 （式中、Ｍはフェニレン基、アルキレン基またはベンゼ
ン環を有するアルキレン基を示し、Ｘ、ＹおよびＺは少
なくとも１つがアルコキシ基または塩素原子で、他はア
ルキル基を示す）で表される物質の単分子層と、 式−←Ｃ２Ｆ４Ｏ←で示される構造単位および式−（Ｃ
Ｆ２０−ヒで示される構造単位が線状に不規則に配列し
、両末端基が式叶Ｃ＝Ｎ＋　Ｎ＋＋ｃｏｃｒ２−（Ｑ）
。

（式中Ｑは炭素原子数１〜３のアルキル基を示し、ｒは
Ｏ〜４の整数を示す）で表される同一または異なる基で
ある分子量５００〜３００００の重合体との反応生成物
からなることを特徴とづる磁気記憶体であり、またその
製造方法は、表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金
円盤上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒
体を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さ
らにこの非晶質無機酸化物層の上に、直接、または前記
非晶７１照１１化物層の表面をプラズマ中で処理した後
に、−投銭 （式中、Ｍはフェニレン基、アルキレン基またはベンビ
ン環を有するアルキレン基を示し、Ｘ、ＹおよびＺは少
なくとも１つがアルコキシ基または塩素原子で、他はア
ルキル基を示り）で表される物質の単分子層を形成さじ
た後、式−ｆ−Ｃ２，Ｆ２Ｏ−）−で示される構造単位
Ｊ″３よび式−＋Ｃ［２０←で示される構造単位が線状
に不規則に配列し、両末端基が式０＝Ｃ＝Ｎ−（Ｄ−Ｎ
ｌｌＣＯＣＦ２−（６）ｒ （式中Ｑは炭素原子数１〜３のアルキル基を示し、ｒは
Ｏ〜４の整数を示す）で表される同一または異なる基で
ある分子量５００〜３００００の手合体を塗布し、また
は塗イ５後焼成して前記非晶″ｉ１照別配別酸化物層上
記重合体層を設けることを特徴とする。

この発明の要旨とするところは、アルコキシシリル基ま
たはクロロシリル基とアミノ基を両末端に有する物質を
単分子図として酸化膜８被覆した磁気記憶体の上に形成
した後、末端にアミノ基と化学結合する官能基をもつフ
ッ素油分子を塗布することである。すなわち、アルコキ
シシリル基またはクロロシリル基とアミン基を両末端に
有する物質の単分子層を、酸化膜とフッ素油分子を強固
に結びつけるバインダとして使用し、ざらに分子量の大
きなフッ素油分子を使用することで、ヘッドと下地体と
の界面に吸着ないし凝集が起こりにくい非極性の分子層
を十分に介在させ、潤滑層とヘッドとの接触摩擦力を小
さくすることである。

このバインダとしてアルコキシシリル基またはクロロシ
リル基を両末端に有する物質の単分子層を用いること、
および、非極性の分子層としてアミノ基と化学結合する
イソシアネート基を有するフッ素油分子を用いることが
重要な点である。

非晶質無機酸化物層上に上記−般式［Ｉ］で示される化
合物の単分子層を形成する方法としてはたとえば気相成
長させる方法があげられる。

［作　用］ 非晶質無機酸化物はポリ珪酸必るいは５ｉ０２、ガラス
、アルミナなどのスパッタ膜である。前記−般式［Ｉ］
で示される化合物中のアルコキシシリル基またはクロロ
シリル基は反応性に富み、この非晶質無機板物の表面に
存在するシラノール基（Ｓｉ−０１１）や水酸基（−Ｏ
Ｈ）と化学結合し、非晶７無別酸化物と強固に結びつい
た単分子層を形成する。

この単分子層はアミノ基が基盤と反対側を向いて並んで
いるためイソシアネート基を有するフッ素油分子と化学
結合をつくることができ、非晶質無機酸化物とフッ素分
子を強固に結びつけるバインダの役割を果たすことがで
きる。−方、フッ素油分子は表面エネルギーを低下させ
、優れたＥ滑効果を示す。したがってこの単分子層とフ
ッ素油分子層との組り合わせにより、下地体と潤滑剤層
とが強固に結合し、しかも口滑効果の優れた磁気記憶体
を得ることができる。

更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録及
び再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さい
方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り薄
いほうが望ましいが、この単分子膜と重合体は非常に薄
い潤滑層を形成することが可能で必る。非晶質無機酸化
物の上に単分子層を形成し重合体を塗布した後、化学反
応により単分子層と重合体とを結合させた後、フレオン
洗浄することにより単分子層と結合していない余分の潤
滑剤が取り去られ、非常に薄い潤滑層が形成される。単
分子層と重合体の化学反応は塗布後自然に進行するが焼
成すれば短時間ですむ。

［実施例］ 以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

（実施例１） 第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を囲路的に示す
断面図である。図面において本発明の磁気記憶体７は、
合金円盤１上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の
研磨面上に金属磁性薄膜媒体３か被覆されてあり、さら
にこの上に非晶７１無別酸化物４か被覆され、さらにこ
の上に単分子膜５および小合体層６よりなる潤滑剤が被
覆されている。

合金膜１名］として旋富加工および熱）Ｓ正によって」
−分率さなうねり（円周方向および半径方向でともに５
０庫以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミ
ニウム合金基盤上に非磁性合金層２としてニッケルー燐
（Ｎｉ−Ｐ）合金を約５０廟の厚さにメツキし、このＮ
１−Ｐメツキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４ｔ
Ｊ！ｎ以下、厚さ約３０柳まで鏡面仕上げしたのら、そ
の上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト−ニッケルー
燐（Ｃ叶旧−Ｐ）合金を約０．０５卯の厚さにメツキし
た。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に、下に示し
た組成の溶液を十分に混合し、こみまたは析出した５ｉ
０２を０．５伽のろ過膜を通して取り除いた後、回転塗
イ５法により塗布した。

ｎ−ブチルアルコール　　　　　二８０市ω％その後こ
のディスク基盤を２００°Ｃ：の温度で３０４間焼成し
Ｃｏ−Ｎ　ｒ−ｐ合金膜の上に非晶質無機酸化物４であ
るポリ珪酸の被膜を形成した。

このＮ熊を３−アミノプロピル１〜リメ１〜キシシラン
［ｔ１２Ｎ　（ＣＨ２）３　Ｓ　ｉ　（ＯＣＨ３）３］
の蒸気中に室温で３０分間保持した後、１００℃の温度
で３０分間焼成し単分子膜を形成した。次いで分子旧約
３０００の（ｐ：ｑ＝１：Ｌ谷溝造単位は不規則でおる
）をフロリナートに溶解し０．０８重伍％の溶液を作成
し、０．２迦のフィルターを通して濾過した。この溶液
を３−アミノプロピルトリメトキシシランの単分子膜層
を形成した前記ディスク基板に２５００回／分の回転速
度で回転塗布し、１００℃の温度で４０分間焼成を行っ
た後、フレオンで基板を洗浄し、余分な重合体を洗い落
として重合体層６を形成した。

重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体塗Ｉ５後
では１５ｅｒｇ／ｃｍ２と表面エネルギーが著しく低下
しヘッドと下地体との接着を防止する効果が大きいこと
がわかった。

次に、このディスク基板とヘッドとの間に動く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転さけたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割って求めた。測定は荷重１５Ｃ］、滑り速度
１００ｍｍ／ｍｉｎの条件で行った。その結果、動摩擦
係数の値として０．１７１が得られ、潤滑層を形成しな
い場合の０、５４６に比べ、動摩擦係数の値を小さくす
ることができた。

また、この潤滑層を形成したディスク基板と荷重７００
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行ったが、ヘッドクラ
ッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの表
面状態の変化は皆無であった。

（実施例２） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を同じ方法で３−アミノプロピルトリメ
トキシシランの蒸気中に３０分間保持した後、ｉ　ｏ　
ｏ　’ｃの温度で３０分間焼成し単分子膜を形成した。

次いで分子旧約３０００の一コＬ Ｏ＝Ｃ＝Ｎ　＋　ｔｌＮｃＯｃＦ２−（Ｃ２Ｆ４０）ｐ
（Ｄ：ｑ＝４：’ｌ、各構造単位は不規則でおる）をフ
レオンに溶解し０．０８重量％の溶液を作成し、０．２
卯のフィルターを通して濾過した。この溶液を３−アミ
ノプロピルトリメトキシシランの単分子膜層を形成した
前記ディスク基板にこの重合体を２５００回／分の回転
速度で回転塗布し１００’Ｃの温度で４０分間焼成した
後、フレオンで余分な重合体を洗い落した。実施例１と
同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた
。その結果、手合体を塗イロすることにより表面エネル
ギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒ（］／Ｃｍ２から
１７ｅｒ（］／Ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値は０．
５４６から０．１８７に小さくすることができた。

また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３０００
０回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は
皆無であった。

（実施例３） 実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ　ｉ−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりに、Ａｊ
！２０３　（非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆
した。このディスク基板を３−アミノプロピルトリメト
キシシランの蒸気中に室温で１時間焼成し単分子層を形
成した。実施例１で作成した重合体溶液を２５００回／
分で回転塗布し、１００’Ｃの）届度で４０分間焼成し
た後フレオンで余分な手合体を洗い落とし、実施例１と
同様の方法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた
。その結果、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の４５
ｅｒ（］／Ｃｍ２から重合体上１５ｅ１’ｇ／Ｃｍ２に
低下し、動１？際係数の１直（：１０．２７０から０．
１７５に小さくすることができた。

また、実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３００
００回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は
皆無であった。

（実施例４〉 実施例１における３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンを３−アミノプロピルトリエトキシシラン［ＮＨ２（
ＣＩＩ２）３Ｓｉ　（ＯＣ２Ｈ５）３］にかえ、他の条
件は実施例１と全く同様にして実験を行った。その結果
、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ
２から重合体上の１５ｅｒｇ／ｃｎ２に低下し、動摩擦
係数の値として重合体塗布後０．１７６が１ｑられ、ポ
リ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすることがで
きた。

また、実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３００
００回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は
皆無でめった。

（実施例５） 実施例１における３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンを３−アミノプロピルトリクロロシラン［Ｎ１１２　
（Ｃｔ（２）３　Ｓ　ｉ　Ｃ１！　３］にかえ、他の条
件は実施例１と全く同様にして実験を行った。その結果
、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ
２から重合体上の１４ｅｒｉ；ｌ／Ｃｍ２に低下し、動
摩擦係数の値として重合体塗布後０．１７０が１ｑられ
、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすること
ができた。

また、実施例１と同様に耐ｌｆ粍性を評価したが、３０
０００回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化
は皆無であった。

（実施例６） 実施例１における３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンをｐ−アミノフェニルトリメ１ヘキシシラン［Ｎ１１
２　＋　Ｓｉ　（ＯＣ１１３）３］にかえ、他の条件は
実施例１と全く同様にして実験を行った。その結果、表
面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３Ｏｒ’（］／Ｃｌ
１１２から重合体上の１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動
摩擦係数の値として重合体塗布後０．１８１が１ｑられ
、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすること
ができた。

また、実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが、３００
００回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は
皆無でめった。

（実施例７） 実施例１にお【プる３−アミノプロピルトリメトキシシ
ランを３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン［Ｎ
ｔ１２　（ＣＨ２）３ｓ　！　（ＯＣ２Ｈｓ　）２ＣＨ
３］にかえ、かつこの化合物の蒸気中に基板を至温で保
持する時間のみ１時間としたほかは実施例１と全く同様
にして実験を行った。その結果、表面エネルギーの値は
ポリ珪酸上の／１３ｅｒ（］／Ｃｍ２から手合体上の１
８ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値として重合
体塗イ５１授０．１９０か１ｑられ、ポリ珪酸上の０．
５４６に比べ、小さくすることができた。

また、実施例１と同様に耐摩耗性を評制したが、３００
００回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は
皆無であった。

（実施例８） 実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツヂング装首に入れ、
Ａｒを用いて、流ｉ１８ｓｅｃｍ、電力密ｌ１ｆＯ，３
５Ｗ／ｃｍ２　、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位１ＫＶ
の条件で２分間エツチングを行った後、実施例１と同様
に３−アミノプロピルトリメトキシシランの蒸気中で３
０分間保持し、１００℃の温度で３０分間焼成し単分子
層を形成した。このディスク基板に実施例１で作成した
重合体溶液を２５００回／分で回転塗イＦし、１００℃
で４０分間焼成した後、フレオンで余分の重合体を洗い
落とし、実施例１と同様の方法で表面エネルギー、動産
１寮係数の値を求めた。

その結果、表面エネルギーの値は酸プラズマで処理した
後のポリ珪酸被膜上の５０ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上
の１４ｅｒｇ／Ｃｍ２と酊プラズマ処理をしない場合よ
りもさらに低下し、動摩擦係数の値もポリ珪酸上の０．
６１／Ｉから潤滑層形成後の０．１０１に小さくりるこ
とができた。

なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被膜は形成後長時
間放置すると実施例１と同様の処理をおこなっても表面
エネルギー、動産１寮係数の低下は十分でない力新ｒプ
ラズマで処理すると放置時間にかかわらず同じ結果が得
られ、Ａｒプラズマ処理による表面の改７１か効果的で
おることがわかった。

また、実施例１と同様に３（＞０００回の接触摩擦試験
によるディスク表面状態の変化は皆無であった。

（実施例９） 実施例３と同様の方法で非晶質アルミナを被覆したディ
スク基板に、実施例８と同様の条件でＡｒプラズマによ
る処理を行った。その後、この基板を３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランの蒸気中に苗温で３０分間保持し
たｊ炎、１００℃の温度で３０分間焼成し単分子層を形
成した。実施例２で作成した重合体溶液を２５００回／
分で回転塗イ５シ１００℃の温度で４０分間焼成した後
、フレオンで余分の重合体を洗い落した。実施例１と同
様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。

その結果、表面エネルギーの値は酊プラズマで処理した
アルミナ上の５２ｅｒｇ／Ｃｍ２から重合体塗布後の０
１１７７に小さくすることができた。

また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無でめった。

（実施例１０） 実施例８における３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンを３−アミノプロピルメチルジェトキシシランにかえ
、他の条件は実施例８と全く同様にして実験を行った。

その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の５０
ｅｒ（１／Ｃｍ２がら重合体上の１１ｅｒＣ１／Ｃｍ２
に低下し、動産歌係数の値として重合体塗イｌ’ｉｉ変
０．１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０、５４６に比
べ、小さくすることができた。

また、実施例１と同様に耐摩耗性を評簾したが、３００
００回の接触摩擦試験によるディスク表面状態の変化は
皆無であった。

［発明の効果］ このように本発明における磁気記憶体はヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩蕨力を小さくする効果が大きい。

また潤滑剤と下地体とが強固に結合しているので繰り返
し使用してもディスク表面状態は良好に保持される。し
たがって磁気ディスク装置や磁気ドラム装置等に応用す
るのに適している。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気記憶体をｆ、Ｖ略的に示す部分断
面図でおる。 １・・・合金円盤　　　　　２・・・非磁性合金誼３・
・・金属磁性薄膜媒体　４・・・非晶質無機酸化物５・
・・単分子膜　　　　　６・・・重合体層７・・・磁気
記憶体 第１図 ７仏λ；ｃ十で４１

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金円盤
   上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体が
   被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆さ
   れ、さらにこの上に配向性潤滑剤が被覆されている磁気
   記憶体において、前記配向性潤滑剤が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｍはフェニレン基、アルキレン基またはベンゼ
   ン環を有するアルキレン基を示し、Ｘ、ＹおよびＺは少
   なくとも１つがアルコキシ基または塩素原子で、他はア
   ルキル基を示す） で表される物質の単分子層と、 式−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位および式
   −（ＣＦ＿２Ｏ）−で示される構造単位が線状に不規則
   に配列し、両末端基が式▲数式、化学式、表等がありま
   す▼ （式中Ｑは炭素原子数１〜３のアルキル基を示し、ｒは
   ０〜４の整数を示す）で表される同一または異なる基で
   ある分子量５００〜３００００の重合体との反応生成物
   からなることを特徴とする磁気記憶体。
2. （２）表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
   覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さらにこ
   の非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｍはフェニレン基、アルキレン基またはベンゼ
   ン環を有するアルキレン基を示し、Ｘ、ＹおよびＺは少
   なくとも１つがアルコキシ基または塩素原子で、他はア
   ルキル基を示す） で表される物質の単分子層を形成させた後、式−（Ｃ＿
   ２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位および式−（ＣＦ＿
   ２Ｏ）−で示される構造単位が線状に不規則に配列し、
   両末端基が式▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｑは炭素原子数１〜３のアルキル基を示し、には
   ０〜４の整数を示す）で表される同一または異なる基で
   ある分子量５００〜３００００の重合体を塗布し、また
   は塗布後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前記重合
   体層を設けることを特徴とする磁気記憶体の製造方法。
3. （３）表面が鏡面の非磁性合金層を被覆した合金円盤上
   または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を被
   覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラズマ
   中で処理した後に、前記非晶質無機酸化物層の上に、一
   般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｍはフェニレン基、アルキレン基またはベンゼ
   ン環を有するアルキレン基を示し、Ｘ、ＹおよびＺは少
   なくとも１つがアルコキシ基または塩素原子で、他はア
   ルキル基を示す） で表される物質の単分子層を形成させた後、式−（Ｃ＿
   ２Ｆ＿４Ｏ）−で示される構造単位および式−（ＣＦ＿
   ２Ｏ）−で示される構造単位が線状に不規則に配列し、
   両末端基が式▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｑは炭素原子数１〜３のアルキル基を示し、ｒは
   ０〜４の整数を示す）で表される同一または異なる基で
   ある分子量５００〜３００００の重合体を塗布し、また
   は塗布後焼成して前記非晶質無機酸化物層上に前記重合
   体層を設けることを特徴とする磁気記憶体の製造方法。