JPS6352319A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
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- JPS6352319A JPS6352319A JP19610186A JP19610186A JPS6352319A JP S6352319 A JPS6352319 A JP S6352319A JP 19610186 A JP19610186 A JP 19610186A JP 19610186 A JP19610186 A JP 19610186A JP S6352319 A JPS6352319 A JP S6352319A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 5
- NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 2-[2,4-di(pentan-2-yl)phenoxy]acetyl chloride Chemical compound CCCC(C)C1=CC=C(OCC(Cl)=O)C(C(C)CCC)=C1 NGNBDVOYPDDBFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 chlorosilyl group Chemical group 0.000 description 6
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- PCIUEQPBYFRTEM-UHFFFAOYSA-N perfluorodecanoic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F PCIUEQPBYFRTEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GCIARMDXQWNVJF-UHFFFAOYSA-N 3-trichlorosilylpropan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](Cl)(Cl)Cl GCIARMDXQWNVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(N)C=C1 CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical class [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010003549 asthenia Diseases 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001919 chlorite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052619 chlorite group Inorganic materials 0.000 description 1
- QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N chlorous acid Chemical compound OCl=O QBWCMBCROVPCKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N perfluorooctanoic acid Chemical group OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は磁気記憶装置（磁気ディスク装置および磁気
ドラム装置）等にもちいられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。
ドラム装置）等にもちいられる磁気記憶体およびその製
造方法に関するものである。
（従来の技術）
一般に記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にへ・ノドを磁気記憶
体面上に押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気記
憶体との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再
生する方法である。このように第一の方法では操作開始
時および終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態
にあり、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつ
ける際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態に
おけるヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッ
ドおよび磁気記憶体を摩耗させ、ついにはヘッドおよび
金属磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
記憶体とを主構成部とする磁気記憶装置の記録再生方法
には、大別して次のような二種類の方法がある。第一の
方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間に空
気層分の空間を作り、この状態で記録再生をする方法で
ある。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回転が
止まり、この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同
様に接触摩擦状態にある。第二の方法は磁気記憶体に予
め所要の回転を与えておき、急激にへ・ノドを磁気記憶
体面上に押しつけることにより前記ヘッドと前記磁気記
憶体との間に空気層分の空間を作り、この状態で記録再
生する方法である。このように第一の方法では操作開始
時および終了時にヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態
にあり、第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつ
ける際に接触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態に
おけるヘッドと磁気記憶体の間に生じる摩擦力は、ヘッ
ドおよび磁気記憶体を摩耗させ、ついにはヘッドおよび
金属磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
また前記接触状態においてへ・ノドのわずかな姿勢の変
化がヘッドにかかる加重を不均一にさせヘッドおよび磁
気記憶体表面に傷を作ることもある。
化がヘッドにかかる加重を不均一にさせヘッドおよび磁
気記憶体表面に傷を作ることもある。
また更に前記接触摩擦状態におけるヘッドと磁気記憶体
間に生じる＠棒刀は、特に多くのヘッドを取りつけた場
合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモータ
ーに好ましからぬ負担をかける。
間に生じる＠棒刀は、特に多くのヘッドを取りつけた場
合に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモータ
ーに好ましからぬ負担をかける。
また記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し
、ヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、へ・ノ
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる
。
、ヘッドと磁気記憶体間に大きな摩擦力が働き、へ・ノ
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる
。
この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッド
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護皮膜を被覆することが必要であり、またこの保護皮
膜は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小
さく（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される
。
および磁気記憶体を保護するために磁気記憶体の表面に
保護皮膜を被覆することが必要であり、またこの保護皮
膜は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を小
さく（すなわち摩擦力を小さく）することが要求される
。
磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記接触摩擦
力を小さくするための一つの方法である。上記潤滑層は
その下地体と十分に結合していなければならない。潤滑
層がその下地と十分に結合していないと、ヘッドと磁気
記憶体の接触摩擦により下地体から取り去られるかある
いはへ・・ノドのまわりおよびヘッドと磁気記憶体の間
に毛管現象により潤滑剤が多量にあつまり、記録再生時
のヘッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
力を小さくするための一つの方法である。上記潤滑層は
その下地体と十分に結合していなければならない。潤滑
層がその下地と十分に結合していないと、ヘッドと磁気
記憶体の接触摩擦により下地体から取り去られるかある
いはへ・・ノドのまわりおよびヘッドと磁気記憶体の間
に毛管現象により潤滑剤が多量にあつまり、記録再生時
のヘッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
上記潤滑層のヘッドとの接触摩擦力を小さくする効果は
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層か介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッドと吸
着しにくい非極性部分とに配向していることが望ましい
。
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層か介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッドと吸
着しにくい非極性部分とに配向していることが望ましい
。
このような潤滑層としてシリコンオイル、フッ素油、フ
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシランまたはシ
ラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３２号
公報）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すもの
の、オイル類においては非晶質無機酸化物と化学結合す
る結合力が十分でなく、シランまたはシラザン類におい
てはヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こ
りにくい非極性の分子層の分子量が十分でない。このた
めオイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、シランまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でな
いという問題があった。
ロロシリコンなどのオイル類やオクタデシルトリクロロ
シラン、ヘキサメチルジシラザンなどのシランまたはシ
ラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３２号
公報）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すもの
の、オイル類においては非晶質無機酸化物と化学結合す
る結合力が十分でなく、シランまたはシラザン類におい
てはヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こ
りにくい非極性の分子層の分子量が十分でない。このた
めオイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、シランまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でな
いという問題があった。
本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提案することにある。
その製造方法を提案することにある。
（問題点を解決するための手段）
この発明の要旨とするところは、アルコキシシリル基ま
たはクロロシリル基とアミノ基を有する物質を単分子層
として酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に形成した後、
アミノ基と化学結合する官能基をもつフッ素化カーボン
系化合物を塗布することである。すなわち、アルコキシ
シリル基またはクロロシリル基とアミノ基を有する物質
の単分子層を酸化膜とフッ化カーボン系化合物を強固に
結びつけるバインダーとして使用し、フッ素化化合物で
下地体の表面を覆うことによって、下地体面上の表面エ
ネルギーを十分に低下させ、下地体とヘッドとの接触摩
擦力を小さくすることである。このバインダーとしてア
ルコキシシリル基またはクロロシリル基を有する単分子
膜分用いることおよびアミン基と化学結合する官能基を
有するフッ素化化合物を用いることが重要な点である。
たはクロロシリル基とアミノ基を有する物質を単分子層
として酸化膜を被覆した磁気記憶体の上に形成した後、
アミノ基と化学結合する官能基をもつフッ素化カーボン
系化合物を塗布することである。すなわち、アルコキシ
シリル基またはクロロシリル基とアミノ基を有する物質
の単分子層を酸化膜とフッ化カーボン系化合物を強固に
結びつけるバインダーとして使用し、フッ素化化合物で
下地体の表面を覆うことによって、下地体面上の表面エ
ネルギーを十分に低下させ、下地体とヘッドとの接触摩
擦力を小さくすることである。このバインダーとしてア
ルコキシシリル基またはクロロシリル基を有する単分子
膜分用いることおよびアミン基と化学結合する官能基を
有するフッ素化化合物を用いることが重要な点である。
（作用）
非晶質無機酸化物としてはポリ珪酸あるいはＳｉＯ□、
ガラス、アルミナなどのスパッタ膜を用いるとよい。ア
ルコキシシリル基またはクロロシリル基は反応性に富み
、この非晶質無機酸化物の表面に存在するシラノール基
（５ｉ−ＯＨ）や水酸基（−ＯＨ）と化学結合し、非晶
質無機酸化物と強固に結びついた単分子層を形成する。
ガラス、アルミナなどのスパッタ膜を用いるとよい。ア
ルコキシシリル基またはクロロシリル基は反応性に富み
、この非晶質無機酸化物の表面に存在するシラノール基
（５ｉ−ＯＨ）や水酸基（−ＯＨ）と化学結合し、非晶
質無機酸化物と強固に結びついた単分子層を形成する。
この単分子層はアミン基が基盤と反対側を向いて並んで
いるなめカルボキシル基または酸クロライドを有するフ
ッ素化化合物と化学結合をつくることができ、非晶質無
機酸化物とフッ素（ヒ化合物を強固に結びつけるバイン
ダーの役割を果たすことができる。一方、フッ素か化合
物は表面エネルギーを低下させ、優れた潤滑効果を示す
。したかって、一般式 ％式％） ＜Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、池はアルキル基）で表される物質の単分子層と
分子内に少なくとも一つのカルボキシル基または酸クロ
ライドを有するフッ素化化合物を用いれば下地体と強固
に結合した優れた潤滑剤が得られる。このフ・ソ素化化
合物としてはフッ素を含む化合物であればどんな物でも
可能であるが、潤滑剤としての性能を考慮すると炭素数
１０〜２０の長鎖炭化水素のフッ素置換体が良い。
いるなめカルボキシル基または酸クロライドを有するフ
ッ素化化合物と化学結合をつくることができ、非晶質無
機酸化物とフッ素（ヒ化合物を強固に結びつけるバイン
ダーの役割を果たすことができる。一方、フッ素か化合
物は表面エネルギーを低下させ、優れた潤滑効果を示す
。したかって、一般式 ％式％） ＜Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、池はアルキル基）で表される物質の単分子層と
分子内に少なくとも一つのカルボキシル基または酸クロ
ライドを有するフッ素化化合物を用いれば下地体と強固
に結合した優れた潤滑剤が得られる。このフ・ソ素化化
合物としてはフッ素を含む化合物であればどんな物でも
可能であるが、潤滑剤としての性能を考慮すると炭素数
１０〜２０の長鎖炭化水素のフッ素置換体が良い。
また、このままでも下地体と高分子の接着性は優れてい
るが、非晶質無機酸化物を形成した後、プラズマ中で処
理してから高分子膜を形成すれば、表面のクリーニング
が完全になること、および、イオンの打ち込みにより高
分子と相互作用するラジカルが生成することなどの理由
で下地体と潤滑剤の接着性はさらに向上する。
るが、非晶質無機酸化物を形成した後、プラズマ中で処
理してから高分子膜を形成すれば、表面のクリーニング
が完全になること、および、イオンの打ち込みにより高
分子と相互作用するラジカルが生成することなどの理由
で下地体と潤滑剤の接着性はさらに向上する。
更に、記録および再生にとってはスペーシング（記録及
び再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さい
方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り薄
いほうが望ましいが、この単分子膜とフッ素化化合物は
非常に薄い潤滑層を形成することが可能である。非晶質
無機酸化物の上に単分子層を形成しフッ素化化合物を塗
布した後、化学反応を起こし、単分子膜と化合物とを結
合させた後、フレオン洗浄することにより単分子層と結
合していない余分の潤滑剤が取り去られ、非常に１い潤
滑層が形成される。単分子層との化学反応は塗布後自然
に進行するが焼成すれば短時間ですむ。
び再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さい
方が有利である。このため潤滑層の膜厚はできる限り薄
いほうが望ましいが、この単分子膜とフッ素化化合物は
非常に薄い潤滑層を形成することが可能である。非晶質
無機酸化物の上に単分子層を形成しフッ素化化合物を塗
布した後、化学反応を起こし、単分子膜と化合物とを結
合させた後、フレオン洗浄することにより単分子層と結
合していない余分の潤滑剤が取り去られ、非常に１い潤
滑層が形成される。単分子層との化学反応は塗布後自然
に進行するが焼成すれば短時間ですむ。
（実施例１）
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を示す断面図で
ある。図面において本発明の磁気記憶体は、合金円盤１
上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の研磨面上に
金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さらにこの上に
非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこの上に潤滑剤
５が被覆されている。
ある。図面において本発明の磁気記憶体は、合金円盤１
上に非磁性合金層２が被覆され、この被膜の研磨面上に
金属磁性薄膜媒体３が被覆されており、さらにこの上に
非晶質無機酸化物４が被覆され、さらにこの上に潤滑剤
５が被覆されている。
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０μｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金基水上に非磁性合金層２としてニッケルー憐（Ｎ
ｉ−Ｐ）合金を焼＜５０μｍの厚さにメッキし、このＮ
１−Ｐメッキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４μ
ｍ以下、厚さ約３０μｍまで鏡面仕上げしたのち、その
上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト−ニッケルー燐
（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５μｍの厚さにメッ
キした。さらにこのｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金膜の上に、下に
示した組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出しな
５ｉ０２を０５μｍの濾過膜を通して取り除いた後、回
転塗布法により塗布した。
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０μｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金基水上に非磁性合金層２としてニッケルー憐（Ｎ
ｉ−Ｐ）合金を焼＜５０μｍの厚さにメッキし、このＮ
１−Ｐメッキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４μ
ｍ以下、厚さ約３０μｍまで鏡面仕上げしたのち、その
上に金属磁性薄膜媒体３としてコバルト−ニッケルー燐
（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５μｍの厚さにメッ
キした。さらにこのｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金膜の上に、下に
示した組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出しな
５ｉ０２を０５μｍの濾過膜を通して取り除いた後、回
転塗布法により塗布した。
テトラヒドロキシシラン１１％
エチルアルコール溶液：２０重量％
ｎ−ブチルアルコール 二８０重量％
その後このディスク基板を２００°Ｃの温度で３時間焼
成しＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成
した。
成しＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸の被膜を形成
した。
この基板を３−アミノプロビリトリメトキシシラン［Ｈ
２Ｎ（ＣＨ２ｈＳｉ（ＯＣＨｓｈコの蒸気中に室温で３
０分間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成し単
分子膜を形成した。ノナデカフルオロデカノイックアシ
ドの５重量％トルエン溶液を０．２μｍのフィルターを
通して濾過した。この溶液を３−アミノプロピルトリメ
トキシシランの単分子層を形成した前記ディスク基板に
滴下し、１００℃の温度で４０分間焼成を行なった後、
フレオンで基板を洗浄し、未反応のノナデカフルオロデ
カノイックアシドを洗い落とした。
２Ｎ（ＣＨ２ｈＳｉ（ＯＣＨｓｈコの蒸気中に室温で３
０分間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成し単
分子膜を形成した。ノナデカフルオロデカノイックアシ
ドの５重量％トルエン溶液を０．２μｍのフィルターを
通して濾過した。この溶液を３−アミノプロピルトリメ
トキシシランの単分子層を形成した前記ディスク基板に
滴下し、１００℃の温度で４０分間焼成を行なった後、
フレオンで基板を洗浄し、未反応のノナデカフルオロデ
カノイックアシドを洗い落とした。
フッ素化化合物を塗布する前後の基板表面の表面エネル
ギーを種々の表面張力をもっ液滴の接触角を測定し計算
するとポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体
塗布後では１５ｅｒｇ／＋ｃ＋＋＋”と表面エネルギー
が著しく低下しヘッドと下地体との接着を防止する効果
が大きいことがわがっな。
ギーを種々の表面張力をもっ液滴の接触角を測定し計算
するとポリ珪酸被膜上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体
塗布後では１５ｅｒｇ／＋ｃ＋＋＋”と表面エネルギー
が著しく低下しヘッドと下地体との接着を防止する効果
が大きいことがわがっな。
次に、このディスク基盤とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ、滑り速度
１１００ｎ ／ ｍ ｉｎの条件で行なった。その結果
、動中擦係数の値として ０．１７１が得られ、潤滑層
を形成しない場合の０．５４６に比べ動摩擦係数の値を
小さくすることができた。
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させたときに生じるヘッド
とディスク間の動摩擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ、滑り速度
１１００ｎ ／ ｍ ｉｎの条件で行なった。その結果
、動中擦係数の値として ０．１７１が得られ、潤滑層
を形成しない場合の０．５４６に比べ動摩擦係数の値を
小さくすることができた。
また、この潤滑層を形成したディスク基盤と荷重７０ｇ
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの
表面状態の変化は皆無であった。
のモノリシックヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触摩擦によるディスクの
表面状態の変化は皆無であった。
（実施例２）
実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの蒸気中に３０分間保持した後１００℃の温度で３０
分間焼成し単分子膜を形成した。ノナデカフルオロデカ
ノイックアシドから塩化チオニルを触媒に合成したノナ
デカフルオロデカツイツタアシドクロライトの１重量％
のトルエン溶液を作成し、０．２μｍのフィルターを通
して濾過した。３−アミノプロピルトリメトキシシラン
の単分子膜層を形成した前記ディスク基板にこのフッ素
１ヒ化合物を滴下し１００℃の温度で４０分間焼成した
後フレオンで未反応のノナデカフルオロデカツイツタア
シドクロライトを洗い落とした。
たディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ンの蒸気中に３０分間保持した後１００℃の温度で３０
分間焼成し単分子膜を形成した。ノナデカフルオロデカ
ノイックアシドから塩化チオニルを触媒に合成したノナ
デカフルオロデカツイツタアシドクロライトの１重量％
のトルエン溶液を作成し、０．２μｍのフィルターを通
して濾過した。３−アミノプロピルトリメトキシシラン
の単分子膜層を形成した前記ディスク基板にこのフッ素
１ヒ化合物を滴下し１００℃の温度で４０分間焼成した
後フレオンで未反応のノナデカフルオロデカツイツタア
シドクロライトを洗い落とした。
実施例１と同様の方法で表面エネルギーと動摩擦係数の
値を求めた。その結果、フッ素化化合物を塗布すること
により表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒ
４／ｃｍ２から１７ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係
数の値は０．５４６から０．１８７に小さくすることが
できた。
値を求めた。その結果、フッ素化化合物を塗布すること
により表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の４３ｅｒ
４／ｃｍ２から１７ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係
数の値は０．５４６から０．１８７に小さくすることが
できた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（実施例３）
実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにＡ Ｉ！
２０３（非晶質アルミナ〉をスパッタ法により被覆し
た。このディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキ
シシランの蒸気中に室温で１時間焼成し単分子層を形成
した。実施例１で作成したフッ素化化合物溶液を摘下し
１００℃の温度で４０分間焼成した後フレオンで未反応
のフッ素化化合物を洗い落とし、実施例１と同様の方法
で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果
、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の４５ｅｒｚ／ｃ
ｍ２からフッ素化化合物上の１５ｅｒ［／ｃｍ２に低下
し動摩擦係数の値は０．２７０から０．１７５に小さく
することができた。
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにＡ Ｉ！
２０３（非晶質アルミナ〉をスパッタ法により被覆し
た。このディスク基板を３−アミノプロピルトリメトキ
シシランの蒸気中に室温で１時間焼成し単分子層を形成
した。実施例１で作成したフッ素化化合物溶液を摘下し
１００℃の温度で４０分間焼成した後フレオンで未反応
のフッ素化化合物を洗い落とし、実施例１と同様の方法
で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結果
、表面エネルギーは非晶質アルミナ上の４５ｅｒｚ／ｃ
ｍ２からフッ素化化合物上の１５ｅｒ［／ｃｍ２に低下
し動摩擦係数の値は０．２７０から０．１７５に小さく
することができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（実施例４）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルトリエトキシシラン［Ｎ）
Ｉ２（ＣＨ２ｈＳｉ（ＯＣ２Ｈｓｈ ］にかえ、他の条
件は全く同様にして実験を行なった。その結果、表面エ
ネルギー値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合
体上の１５ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値と
してフッ素化化合物塗布後０．１７３が得られ、ポリ珪
酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた
。
シランを３−アミノプロピルトリエトキシシラン［Ｎ）
Ｉ２（ＣＨ２ｈＳｉ（ＯＣ２Ｈｓｈ ］にかえ、他の条
件は全く同様にして実験を行なった。その結果、表面エ
ネルギー値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合
体上の１５ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値と
してフッ素化化合物塗布後０．１７３が得られ、ポリ珪
酸被膜上の０．５４６に比べ、小さくすることができた
。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（実施例５）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルトリクロロシラン［Ｎｌ２
＜ＣＨ２ｈＳｉＣＱ ３ ］にかえ、他の条件は全く同
様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの
値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の１
４ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値としてフッ
素化化合物塗布後０．１７０が得られ、ポリ珪酸被膜上
の０．５４６に比べ、小さくすることができた。
シランを３−アミノプロピルトリクロロシラン［Ｎｌ２
＜ＣＨ２ｈＳｉＣＱ ３ ］にかえ、他の条件は全く同
様にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの
値はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の１
４ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値としてフッ
素化化合物塗布後０．１７０が得られ、ポリ珪酸被膜上
の０．５４６に比べ、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３０ｆｌＤ
（１回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化
は皆無であった。
（１回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化
は皆無であった。
（実施例６）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランをｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン［Ｎ）
ＩｚＧＳｉ（ＯＣＨ３ｂ］にかえ、他の条件は全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２からフッ素化化合物
上の１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値とし
て重合体塗布後０．１８１が得られ、ポリ珪酸被膜上の
０．５４６に比べ、小さくすることができた。
シランをｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン［Ｎ）
ＩｚＧＳｉ（ＯＣＨ３ｂ］にかえ、他の条件は全く同様
にして実験を行なった。その結果、表面エネルギーの値
はポリ珪酸上の４３ｅｒｇ／ｃｍ２からフッ素化化合物
上の１６ｅｒｇ／ｃｍ２に低下し、動摩擦係数の値とし
て重合体塗布後０．１８１が得られ、ポリ珪酸被膜上の
０．５４６に比べ、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（実施例７）
実施例１と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランを３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン［
Ｎｌ２（ＣＨ２ｈＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）２Ｃ）Ｉ３］にか
え、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持する時間の
み１時間とし、池の条件は全く同様にして実験３行なっ
た。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３
ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の１８ｅｒｇ１０１１２に
低下し、動摩擦係数の値としてフッ素化化合物塗布後０
．１９０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０５４６に比べ、
小さくすることかできた。
シランを３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン［
Ｎｌ２（ＣＨ２ｈＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）２Ｃ）Ｉ３］にか
え、この化合物の蒸気中に基板を室温で保持する時間の
み１時間とし、池の条件は全く同様にして実験３行なっ
た。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の４３
ｅｒｇ／ｃｍ２から重合体上の１８ｅｒｇ１０１１２に
低下し、動摩擦係数の値としてフッ素化化合物塗布後０
．１９０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０５４６に比べ、
小さくすることかできた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（実施例８）
実施例１と同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエッチ〉′グ装置に入れ
、Ａｒを用いて、流量１８ｓｅｃｍ、電力密度０．３５
ｗ／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＸＶの条
件で２分間エツチングを行なった後、実施例１と同様に
３−アミノプロピルトリ、メトキシシランの蒸気中で３
０分間保持し、１００°Ｃの温度で３０分間焼成し単分
子層を形成した。このディスク基板に実施例１で作成し
たフッ素化化合物溶液を滴下し、１００℃で４０分間焼
成した後フレオンで余分のフッ素化化合物３洗い落とし
、実施例１と同様の方法で表面エネルギー、動摩擦係数
の値を求めた。その結果、表面エネルギーの値はＡｒプ
ラズマで処理した後のポリ珪酸被膜上の５ｏｅｒｇ／ｃ
Ｉ１１２からフッ素化化合物上の１４ｅｒｇ／ｃｍ２と
Ａｒプラズマ処理をしない場合よりもさらに低下し、動
摩擦係数の値もポリ珪酸上の０．６１４から潤滑層形成
後の０、１０１に小さくすることができた。
たディスク基板を平行平板型のエッチ〉′グ装置に入れ
、Ａｒを用いて、流量１８ｓｅｃｍ、電力密度０．３５
ｗ／ｃｍ２、圧力１．３Ｐａ、バイアス電位ＩＸＶの条
件で２分間エツチングを行なった後、実施例１と同様に
３−アミノプロピルトリ、メトキシシランの蒸気中で３
０分間保持し、１００°Ｃの温度で３０分間焼成し単分
子層を形成した。このディスク基板に実施例１で作成し
たフッ素化化合物溶液を滴下し、１００℃で４０分間焼
成した後フレオンで余分のフッ素化化合物３洗い落とし
、実施例１と同様の方法で表面エネルギー、動摩擦係数
の値を求めた。その結果、表面エネルギーの値はＡｒプ
ラズマで処理した後のポリ珪酸被膜上の５ｏｅｒｇ／ｃ
Ｉ１１２からフッ素化化合物上の１４ｅｒｇ／ｃｍ２と
Ａｒプラズマ処理をしない場合よりもさらに低下し、動
摩擦係数の値もポリ珪酸上の０．６１４から潤滑層形成
後の０、１０１に小さくすることができた。
なお、実施例１で作成したポリ珪酸の被膜は形成後長時
間放置すると実施例１と同様の処理をおこなっても表面
エネルギー、動摩擦係数の低下は十分てないがＡｒプラ
ズマで処理すると放置時間にかかわらず同じ結果が得ら
れ、Ａｒプラズマ処理による表面の改質が効果的である
ことがわがっな。
間放置すると実施例１と同様の処理をおこなっても表面
エネルギー、動摩擦係数の低下は十分てないがＡｒプラ
ズマで処理すると放置時間にかかわらず同じ結果が得ら
れ、Ａｒプラズマ処理による表面の改質が効果的である
ことがわがっな。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例９）
実施例３と同様の方法で作成し非晶質アルミナを被覆し
たディスク基板に、実施例８と同様の条件でＡｒプラズ
マによる処理を行なった。その後、この基板を３−アミ
ノプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室温で３Ｄ分
間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成し単分子
層を形成した。実施例２で作成したフッ素化化合物溶液
を滴下し１００℃の温度で４０分間焼成した後フレオン
で余分の重合体を洗い落とした。実施ｒ！ＡＩと同様の
方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。その
結果、表面エネルギーの値はＡｒプラズマで処理したア
ルミナ上の５２ｅｒｇ／ｃ＋＋＋２からフッ素化化合物
滴下後の０．１７７に小さくすることができた。
たディスク基板に、実施例８と同様の条件でＡｒプラズ
マによる処理を行なった。その後、この基板を３−アミ
ノプロピルトリエトキシシランの蒸気中に室温で３Ｄ分
間保持した後、１００℃の温度で３０分間焼成し単分子
層を形成した。実施例２で作成したフッ素化化合物溶液
を滴下し１００℃の温度で４０分間焼成した後フレオン
で余分の重合体を洗い落とした。実施ｒ！ＡＩと同様の
方法で表面エネルギーと動摩擦係数の値を求めた。その
結果、表面エネルギーの値はＡｒプラズマで処理したア
ルミナ上の５２ｅｒｇ／ｃ＋＋＋２からフッ素化化合物
滴下後の０．１７７に小さくすることができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例１０）
実施例８と同様にして３−アミノプロピルトリメトキシ
シランのみ３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン
にかえ、他の条件は全く同様にして実験を行なった。そ
の結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅ
ｒｇ／ｃ＋ｍ２がら重合体上の１１ｅｒｇ／Ｃｆ１２に
低下し、動摩擦係数の値としてフッ素化化合物塗布後の
０．１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比
べ、小さくすることができた。
シランのみ３−アミノプロピルメチルジェトキシシラン
にかえ、他の条件は全く同様にして実験を行なった。そ
の結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸被膜上の５０ｅ
ｒｇ／ｃ＋ｍ２がら重合体上の１１ｅｒｇ／Ｃｆ１２に
低下し、動摩擦係数の値としてフッ素化化合物塗布後の
０．１７１が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比
べ、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（実施例１１）
実施例１と同様にして、ノナデカフルオロデカノイック
アシドのみペンタデカフルオロオクタノイックアシドに
かえその他の条件は実施例１と全く同様にして実験を行
なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の
４３ｅＢ／ｃｍ２がら重合体上の１８ｅｒｇ／ｃｍ２に
低下し、動摩擦係数の値としてフッ素化化合物塗布後０
．１９０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ
、小さくすることができた。
アシドのみペンタデカフルオロオクタノイックアシドに
かえその他の条件は実施例１と全く同様にして実験を行
なった。その結果、表面エネルギーの値はポリ珪酸上の
４３ｅＢ／ｃｍ２がら重合体上の１８ｅｒｇ／ｃｍ２に
低下し、動摩擦係数の値としてフッ素化化合物塗布後０
．１９０が得られ、ポリ珪酸被膜上の０．５４６に比べ
、小さくすることができた。
また実施例１同様に耐摩耗性を評価したが、３００００
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
回の接触摩擦試験によるディスクの表面状態の変化は皆
無であった。
（発明の効果）
この様に本発明に置ける磁気記憶体はヘッドと磁気記憶
体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、磁
気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用が期
待されるものである。
体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、磁
気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用が期
待されるものである。
第１図は本発明の磁気記憶体の断面を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、鏡面研磨された非磁性合金層が被覆された合金円盤
上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体
が被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆
され、さらにこの上に前記非晶質無機酸化物層と固着可
能な配向性潤滑剤が被覆されている磁気記憶体において
、前記配向性潤滑剤が、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ、ｎは０または
自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層と
分子内に少なくとも一つのカルボキシル基または酸クロ
ライドを含むフッ素化カーボン系化合物との反応生成物
からなることを特徴とする磁気記憶体。 ２、鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤上
または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を
被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さらに
前記非晶質無機酸化物の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ、ｎは０または
自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層を
気相成長させた後、分子内に少なくとも一つのカルボキ
シル基または酸クロライドを含むフッ素化カーボン系化
合物を塗布しまたは塗布後焼成して前記非晶質無機酸化
物層と前記化合物を結合させることを特徴とする磁気記
憶体の製造方法。 ３、鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤上
または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体を
被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラズ
マ中で処理し、前記非晶質無機酸化物層の上に、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ｍ、ｎは０または
自然数） （Ｘ、Ｙ、Ｚのうち少なくとも１つはアルコキシ基また
は塩素、他はアルキル基）で表される物質の単分子層を
気相成長させた後、分子内に少なくとも一つのカルボキ
シル基または酸クロライドを含むフッ素化カーボン系化
合物を塗布し、または塗布後焼成して前記非晶質無機酸
化物層と前記化合物を結合させることを特徴とする磁気
記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19610186A JPH0673177B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19610186A JPH0673177B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352319A true JPS6352319A (ja) | 1988-03-05 |
| JPH0673177B2 JPH0673177B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=16352240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19610186A Expired - Lifetime JPH0673177B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0673177B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134818A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
| SG141229A1 (en) * | 2003-06-25 | 2008-04-28 | Fuji Elec Device Tech Co Ltd | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19610186A patent/JPH0673177B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03134818A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
| SG141229A1 (en) * | 2003-06-25 | 2008-04-28 | Fuji Elec Device Tech Co Ltd | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0673177B2 (ja) | 1994-09-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |