JPS62145533A - 磁気記憶体およびその製造方法 - Google Patents
磁気記憶体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS62145533A JPS62145533A JP28649785A JP28649785A JPS62145533A JP S62145533 A JPS62145533 A JP S62145533A JP 28649785 A JP28649785 A JP 28649785A JP 28649785 A JP28649785 A JP 28649785A JP S62145533 A JPS62145533 A JP S62145533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coated
- head
- layer
- inorganic oxide
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は磁気的記憶装置（磁気ディスク装置および磁
気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体Ｂよび・との
製造方法に関するものである。
気ドラム装置等）に用いられる磁気記憶体Ｂよび・との
製造方法に関するものである。
（従来の技術）
一役Ｉこ記録再生磁気ヘッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁
気記憶体とを王溝成部とする磁気記憶体間の記録舟生方
法番こは、大別して次のような二線類の方法がある。第
一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間
に空気噛分の空間を作り、この状態で記録再生をする方
法である。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回
転が止まり。
気記憶体とを王溝成部とする磁気記憶体間の記録舟生方
法番こは、大別して次のような二線類の方法がある。第
一の方法は、操作開始時にヘッドと磁気記憶体面との間
に空気噛分の空間を作り、この状態で記録再生をする方
法である。この方法では、操作終了時に磁気記憶体の回
転が止まり。
この時ヘッドと磁気記憶体面は操作開始時と同様に接触
摩擦状態にある。第二の方法は磁気記は体に予め所要の
回転を与えておき、急激にヘッドを缶気記憶体面上に押
しつけることにより前記ヘッドと前磁気記憇体面との間
に空気噛分の空間を作り、この状帽で記録再生する方法
である。このように第一の方法では操作開始時および終
了時薯こヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、
第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に
做触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘ
ッドと磁気記憶体の間ｌこ生じる摩擦力は。
摩擦状態にある。第二の方法は磁気記は体に予め所要の
回転を与えておき、急激にヘッドを缶気記憶体面上に押
しつけることにより前記ヘッドと前磁気記憇体面との間
に空気噛分の空間を作り、この状帽で記録再生する方法
である。このように第一の方法では操作開始時および終
了時薯こヘッドと磁気記憶体面は接触摩擦状態にあり、
第二の方法ではヘッドを磁気記憶体面に押しつける際に
做触摩擦状態にある。これらの接触摩擦状態におけるヘ
ッドと磁気記憶体の間ｌこ生じる摩擦力は。
ヘッドおよび磁気記憶体を摩耗させ、ついにはヘッドお
よび金属磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
よび金属磁性薄膜媒体に傷を作ることがある。
葉た前記接触摩擦状態においてヘッドのわずかな姿勢の
変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよび
磁気記憶体表面を作ることもある。
変化がヘッドにかかる荷重を不均一にさせヘッドおよび
磁気記憶体表面を作ることもある。
また更に前記接触才さつ状態におけるヘッドと磁気記憶
体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを収りつけた
揚台に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモー
ターに好ましからぬ負担をかける。
体間に生じる摩擦力は、特に多くのヘッドを収りつけた
揚台に大きなトルクを生じ磁気記憶体を回転させるモー
ターに好ましからぬ負担をかける。
また記録再生中に突発的にヘッドが磁気記憶体に接触し
、ヘッドと磁気記憶体間ｆこ大きな摩擦力が動き、ヘッ
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる
。
、ヘッドと磁気記憶体間ｆこ大きな摩擦力が動き、ヘッ
ドおよび磁気記憶体が破壊されることがしばしば起こる
。
この様なヘッドと磁気記憶体との接触摩擦力からヘッド
および磁気記憶体を保護するためにＩＩヨ気記憶体の表
向に保護被膜を被覆することが必要であり、又この保護
被膜は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を
小さく（すなわち摩擦力を小さく）することが要求され
る。
および磁気記憶体を保護するためにＩＩヨ気記憶体の表
向に保護被膜を被覆することが必要であり、又この保護
被膜は前記ヘッドと磁気記憶体間に生じる接触摩擦力を
小さく（すなわち摩擦力を小さく）することが要求され
る。
磁気記憶体の表面に潤滑層を設けることは上記接触摩擦
力を小さくするための一つの方法である。
力を小さくするための一つの方法である。
上記潤滑層はその下地体と十分に結合していなければな
らない。潤滑層がその下地と十分に結合していないと、
ヘッドと磁気記憶体の接触摩擦により下地体から取り去
られるかあるいはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記
憶体の間に毛管現象により多量に集まり、記録再生時の
ヘッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
らない。潤滑層がその下地と十分に結合していないと、
ヘッドと磁気記憶体の接触摩擦により下地体から取り去
られるかあるいはヘッドのまわりおよびヘッドと磁気記
憶体の間に毛管現象により多量に集まり、記録再生時の
ヘッドの浮揚安定性に悪影響をおよぼす。
上記潤滑層のヘッドとの接触摩擦力を小さくする効果は
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層が介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッド面と
吸着しｊこくい非極性部分とに配向していることが望ま
しい。
ヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こりに
くい非極性の分子層が介在することによりなされる。す
なわち潤滑層は磁気記憶体と結合する部分とヘッド面と
吸着しｊこくい非極性部分とに配向していることが望ま
しい。
このような潤滑層としてシリコンオイル、ふっ素泊、フ
ロロンリコンなどのオイル類やオクタデソルトリクロロ
７ラン、ヘキサメ千ルジシラザンなどのシランまたはシ
ラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３２号
公報）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すもの
の、オイル類においては非晶質無機酸化物と化学結合す
る結合力が十分でなく、シランまたはシラザン類におい
てはヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こ
りにくい非極性の分子層の分子量が十分でない。このた
めオイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、シランまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でな
いという問題があった。
ロロンリコンなどのオイル類やオクタデソルトリクロロ
７ラン、ヘキサメ千ルジシラザンなどのシランまたはシ
ラザン類が提案されている（特公昭５５−４０９３２号
公報）。これらの潤滑層は、各々優れた特性を示すもの
の、オイル類においては非晶質無機酸化物と化学結合す
る結合力が十分でなく、シランまたはシラザン類におい
てはヘッドと磁気記憶体の界面に吸着ないし凝着が起こ
りにくい非極性の分子層の分子量が十分でない。このた
めオイル類においては長期間の使用における潤滑剤の損
失、シランまたはシラザン類においてはヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が完全でな
いという問題があった。
本発明の目的はこの問題点を解決した磁気記憶体および
その製造方法を提供することにある。
その製造方法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この発明の要旨とするところは、ふっ製油分子の末端に
非晶質無機酸化物と化学結合する官能基を導入し潤滑層
と下地体を十分に結合させ、一方。
非晶質無機酸化物と化学結合する官能基を導入し潤滑層
と下地体を十分に結合させ、一方。
分子量の大きなふっ製油分子を使用することでヘッドと
下地体との界面に吸着ないし凝着が起こりにくい非極性
の分子層を十分に介在させ、潤滑層とヘッドとの接触摩
擦力を小さくすることである。
下地体との界面に吸着ないし凝着が起こりにくい非極性
の分子層を十分に介在させ、潤滑層とヘッドとの接触摩
擦力を小さくすることである。
この非晶質無機酸化物と化学結合する官能基として反応
性に富むインシアネート基を用いることが重要な点であ
る。
性に富むインシアネート基を用いることが重要な点であ
る。
（作用）
非晶質無機酸化物はポリ珪酸あるいはＳｉｎ、。
ガラス、アルミナなどの膜である。インシアネート基は
反応性ｌこ富みこの非晶質無機酸化物の表面に存在する
シラノール基（Ｓｔ−ＯＨ）や水酸基（−ＯＨ）と化学
結合し、非晶質無機酸化物とふっ製油分子を強固に結び
つける。一方、ふっ製油分子は表面エネルギーを低下さ
せ優れた潤滑効果を示す。したがって、一般式〇二（、
−Ｎ−ＣＦｔ −（ｃｔｐ４ｏ）ｐ−（ＣＦ、０）（１
−ＣＦ２−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（１）、 Ｑは整ａ）で表わされ
る重合体を用いれば下地体と強固に結合した優れた＠滑
剤が得られる。また、このままでも下地体と重合体は強
固に結合するが、非晶質無機酸化物を形成した後、プラ
ズマ中で処理してから重合体を塗布すれば、表面のクリ
ーニングが完全になること、および、イオンの打ち込み
によりインシアネート基と化学結合するラジカルが生成
することなどの理由で下地体と重合体の結合はさらに強
固になる。
反応性ｌこ富みこの非晶質無機酸化物の表面に存在する
シラノール基（Ｓｔ−ＯＨ）や水酸基（−ＯＨ）と化学
結合し、非晶質無機酸化物とふっ製油分子を強固に結び
つける。一方、ふっ製油分子は表面エネルギーを低下さ
せ優れた潤滑効果を示す。したがって、一般式〇二（、
−Ｎ−ＣＦｔ −（ｃｔｐ４ｏ）ｐ−（ＣＦ、０）（１
−ＣＦ２−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（１）、 Ｑは整ａ）で表わされ
る重合体を用いれば下地体と強固に結合した優れた＠滑
剤が得られる。また、このままでも下地体と重合体は強
固に結合するが、非晶質無機酸化物を形成した後、プラ
ズマ中で処理してから重合体を塗布すれば、表面のクリ
ーニングが完全になること、および、イオンの打ち込み
によりインシアネート基と化学結合するラジカルが生成
することなどの理由で下地体と重合体の結合はさらに強
固になる。
更に、記録および再生にとってはスベーンング（記録お
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の嘆厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この重合体は非常に薄い潤滑層を
形成することが可能である。非晶質無機酸化物の上に潤
滑剤分子を被覆して、化学反応を起こし、非晶質無機酸
化物と潤滑剤分子とを結合させた後、フレオン洗浄する
ことにより非晶質無機酸化物と結合していない余分の潤
滑剤がとりさられ、単分子層に近い潤滑層が形成される
。単分子と重合体の化学反応は塗布後自然に進行するが
、焼成すれば短時間ですむ。
よび再生時におけるヘッドと磁気記憶体の間隔）は小さ
い方が有利である。このため潤滑層の嘆厚はできる限り
薄い方が望ましいが、この重合体は非常に薄い潤滑層を
形成することが可能である。非晶質無機酸化物の上に潤
滑剤分子を被覆して、化学反応を起こし、非晶質無機酸
化物と潤滑剤分子とを結合させた後、フレオン洗浄する
ことにより非晶質無機酸化物と結合していない余分の潤
滑剤がとりさられ、単分子層に近い潤滑層が形成される
。単分子と重合体の化学反応は塗布後自然に進行するが
、焼成すれば短時間ですむ。
（実施例１）
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は、この発明の磁気記憶体の構成を示す断面図で
ある。図面において本発明の磁気記憶体７は、合金円盤
１上に非磁性合金層２が被覆さｎ。
ある。図面において本発明の磁気記憶体７は、合金円盤
１上に非磁性合金層２が被覆さｎ。
この被膜の研磨面上に金属磁性薄膜媒体３が被覆されて
おり、さらにこの上に非晶質無機酸化物４が被覆され、
さらにこの上に潤滑剤５が被覆されている。
おり、さらにこの上に非晶質無機酸化物４が被覆され、
さらにこの上に潤滑剤５が被覆されている。
合金円盤１として旋盤加工および熱矯正によって十分小
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０μｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金基盤上に非磁性合金層２さしてニッケルー燐（Ｎ
ｉ−Ｐ）合金を約５０μｍの厚さにメッキし、このＮ１
−Ｐメッキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４μｍ
以下、厚さ約３０μｍまで鏡面仕上げしたのち、その上
に金属性４模媒体３としてコバルト−ニッケルー燐（Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５μｍの厚さにメッキし
た。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に、下に示し
た組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出したＳｉ
ｎ、をろ過膜を通して取り除いた後１回転塗布法により
塗布した。
さなうねり（円周方向および半径方向でともに５０μｍ
以下）をもった面に仕上げられたディスク状アルミニウ
ム合金基盤上に非磁性合金層２さしてニッケルー燐（Ｎ
ｉ−Ｐ）合金を約５０μｍの厚さにメッキし、このＮ１
−Ｐメッキ膜を機械的研磨により表面粗さ０．０４μｍ
以下、厚さ約３０μｍまで鏡面仕上げしたのち、その上
に金属性４模媒体３としてコバルト−ニッケルー燐（Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｐ）合金を約０．０５μｍの厚さにメッキし
た。さらにこのＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の上に、下に示し
た組成の溶液を十分に混合し、ごみまたは析出したＳｉ
ｎ、をろ過膜を通して取り除いた後１回転塗布法により
塗布した。
テトラヒドロキシシラン１１％ 工千ルアルコー／４夜
＝２０重ｆ％ｎ−ブチルアルコール
二８０電緻チその後このディスク基盤を
２００℃の温度で３時間焼成しＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の
上にポリ珪酸の被膜を形成した。
＝２０重ｆ％ｎ−ブチルアルコール
二８０電緻チその後このディスク基盤を
２００℃の温度で３時間焼成しＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金膜の
上にポリ珪酸の被膜を形成した。
分子量約３０００の０＝Ｃ＝や−ＣＦ２（ＣｔＦ％０）
Ｐ−ＣＣＦｔ ）ｑ−ＣＦｔ −Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ： ｑ
＝１ ： １ ）をフレオンに溶解し０．０８重量％の
溶液を作成し、０．２μｍのフィルターを通してろ過し
た。この溶液をポリ珪酸被膜を形成した前記ディスク基
板に回転塗布した後１００℃の温度で４０分間焼成を行
ないフレオンで基板を洗浄し余分の重合体を洗い落とし
たＯ 重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上４３ ｅｒｇ／ｃｎｔから重合体塗布後で
は２３ ｅｒｇ／ｄに低下しヘッドき下地体との接着を
防止する効果が大きいことがわかった。
Ｐ−ＣＣＦｔ ）ｑ−ＣＦｔ −Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ： ｑ
＝１ ： １ ）をフレオンに溶解し０．０８重量％の
溶液を作成し、０．２μｍのフィルターを通してろ過し
た。この溶液をポリ珪酸被膜を形成した前記ディスク基
板に回転塗布した後１００℃の温度で４０分間焼成を行
ないフレオンで基板を洗浄し余分の重合体を洗い落とし
たＯ 重合体を塗布する前後の基板表面の表面エネルギーを種
々の表面張力をもつ液滴の接触角を測定し計算するとポ
リ珪酸被膜上４３ ｅｒｇ／ｃｎｔから重合体塗布後で
は２３ ｅｒｇ／ｄに低下しヘッドき下地体との接着を
防止する効果が大きいことがわかった。
次に、このディスク基板とヘッドとの間に働く動摩擦係
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させた七きに生じるヘッド
とディスク間の動麿擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ、滑り速度
” ０ ”／ｆｎｊｎの榮件で行なった。その結果、動
９擦係数の値として０．１８０が得られ１重合体を塗布
しない場合の０．５４６に比べ動摩擦係数の頃を小さく
することができた。
数を測定した。動摩擦係数はヘッドに歪ゲージを連結し
、ディスクを一定速度で回転させた七きに生じるヘッド
とディスク間の動麿擦力を測定し、これをヘッドに加え
た荷重で割ってもとめた。測定は荷重１５ｇ、滑り速度
” ０ ”／ｆｎｊｎの榮件で行なった。その結果、動
９擦係数の値として０．１８０が得られ１重合体を塗布
しない場合の０．５４６に比べ動摩擦係数の頃を小さく
することができた。
また、この重合体を塗布したディスク基板と荷重７０ｇ
のモノリンツクヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触ｌ′Ｊ悴によるディス
クの表面状態の変化は皆無であった０ （実施例２） 分子箪約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦｔ −（Ｃｔ Ｆ
２Ｏ）Ｐ−（ＣＦｔＯ）Ｑ−ＣＦＩ −Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ
’ ｑ＝４ ’ １ ）をフレオンに浴解しＯ，ＯＳ重
量％のｍ液を作成し、０．２μｍのフィルターを通して
ろ過した。実施例１と同様に作成しポリ珪酸被膜を形成
したディスク基板に前記重合体を回転植布し１００℃の
温度で４０分間・ｔｐＪｙ、した後フレオンで余分の重
合体を洗い落とした。実施例１と同様の方法で表面エネ
ルギーと′＠摩擦係数の値を求めた。その結果、重合体
を塗布することにより表面エネルギーの値は４３ ｅｒ
ｇ／ｄから２４ｅｒｇ／７に低下し、動Ｍ擦係数の値は
０．５４６から０．１９０に小さくすることができた。
のモノリンツクヘッドを用いてディスクとヘッドの接触
摩擦試験を３００００回繰り返し行なったが、ヘッドク
ラッシュおよびヘッドによる接触ｌ′Ｊ悴によるディス
クの表面状態の変化は皆無であった０ （実施例２） 分子箪約３０００の０＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦｔ −（Ｃｔ Ｆ
２Ｏ）Ｐ−（ＣＦｔＯ）Ｑ−ＣＦＩ −Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ
’ ｑ＝４ ’ １ ）をフレオンに浴解しＯ，ＯＳ重
量％のｍ液を作成し、０．２μｍのフィルターを通して
ろ過した。実施例１と同様に作成しポリ珪酸被膜を形成
したディスク基板に前記重合体を回転植布し１００℃の
温度で４０分間・ｔｐＪｙ、した後フレオンで余分の重
合体を洗い落とした。実施例１と同様の方法で表面エネ
ルギーと′＠摩擦係数の値を求めた。その結果、重合体
を塗布することにより表面エネルギーの値は４３ ｅｒ
ｇ／ｄから２４ｅｒｇ／７に低下し、動Ｍ擦係数の値は
０．５４６から０．１９０に小さくすることができた。
また実施例１と同様に耐摩耗性を評価したが。
３００００回の接Ａ！［擦試験によるディスクの表面状
■の変化は皆無であった。
■の変化は皆無であった。
（実施例３）
実施例１と同様の方法で作成したディスク基板のＣｏ−
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにｈｌｔ
ａｓ （非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した
。このディスク基板に実施例１で作成・した重合体溶液
を回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した後フレ
オンで余分の重合体を洗い落とし、実施例１と同様の方
法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結
果１重合体を塗布することにより、表面エネルギーの値
は４５ ｅｒｇ／ ｃｒｄから２３ ｅｒｇ／ ｔｙ！
に低下し、動摩擦係数の値は０．２７０から０．１８０
に小さくすることができた。
Ｎ１−Ｐ合金膜の上にポリ珪酸被膜のかわりにｈｌｔ
ａｓ （非晶質アルミナ）をスパッタ法により被覆した
。このディスク基板に実施例１で作成・した重合体溶液
を回転塗布し１００℃の温度で４０分間焼成した後フレ
オンで余分の重合体を洗い落とし、実施例１と同様の方
法で表面エネルギー、動摩擦係数の値を求めた。その結
果１重合体を塗布することにより、表面エネルギーの値
は４５ ｅｒｇ／ ｃｒｄから２３ ｅｒｇ／ ｔｙ！
に低下し、動摩擦係数の値は０．２７０から０．１８０
に小さくすることができた。
また、実施例１と同機に３０００’）回の接触磨擦試に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（実施例４）
実施例１七同様の方法で作成し、ポリ珪酸被膜を形成し
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、施業１８ ｓｅｃｍ、電力密１１１ｔ
Ｏ，３５ｗ／７．圧力１．３ Ｐａ 、バイアス電位
１双の条件で２分間エツチングを行なった後、実施例１
で作成した重合体溶液を２５００回／分の速度で回転塗
布した。１００℃で４０分間焼成し、フレオンで基板を
洗浄した。実施例１と同様の方法で表面エネルギーと動
）泌夷係数の値を測定した。
たディスク基板を平行平板型のエツチング装置に入れ、
Ａｒを用いて、施業１８ ｓｅｃｍ、電力密１１１ｔ
Ｏ，３５ｗ／７．圧力１．３ Ｐａ 、バイアス電位
１双の条件で２分間エツチングを行なった後、実施例１
で作成した重合体溶液を２５００回／分の速度で回転塗
布した。１００℃で４０分間焼成し、フレオンで基板を
洗浄した。実施例１と同様の方法で表面エネルギーと動
）泌夷係数の値を測定した。
その結果、表面エネルギーの値はＡｒプラズマで処理し
た後のポリ珪酸破膜上の５０ｅｒｇ／ａｌから重合体塗
布後では１８ｅｒｇ／ｃ１ｄと、 Ａｒプラズマ処理し
ない場合よりさらに低下し、動摩擦係数の値も同様にポ
リ珪酸上の０．６１４から重合体塗布後０．１７４とさ
らに小さくすることができた。
た後のポリ珪酸破膜上の５０ｅｒｇ／ａｌから重合体塗
布後では１８ｅｒｇ／ｃ１ｄと、 Ａｒプラズマ処理し
ない場合よりさらに低下し、動摩擦係数の値も同様にポ
リ珪酸上の０．６１４から重合体塗布後０．１７４とさ
らに小さくすることができた。
また、実施例１と同様に３００００回の接触摩擦試験に
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
よるディスク表面状態の変化は皆無であった。
（発明の効果）
このように本発明における磁気記憶体はヘッドと磁気記
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、
磁気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用が
期待されるものである。
憶体間に生じる接触摩擦力を小さくする効果が大きく、
磁気ディスク装置および磁気ドラム装置等にその応用が
期待されるものである。
第１図は本発明の磁気記憶体７の断面をしめす図である
。 図において１は合金円盤、２は鏡面仕上げされた非磁性
合金層、３は金属母性薄膜媒体、４は非晶質無機酸化物
、５は配向性潤滑剤層、６は保護被膜であり、非晶質無
機酸化物４と配向性潤滑層５からなっている。
。 図において１は合金円盤、２は鏡面仕上げされた非磁性
合金層、３は金属母性薄膜媒体、４は非晶質無機酸化物
、５は配向性潤滑剤層、６は保護被膜であり、非晶質無
機酸化物４と配向性潤滑層５からなっている。
Claims (3)
- （１）表面が鏡面の非磁性合金層が被覆された合金円盤
上または表面が鏡面の合金円盤上に金属磁性薄膜媒体が
被覆されており、この上に非晶質無機酸化物層が被覆さ
れ、さらにこの上に前記非晶質無機酸化物と固着可能な
配向性潤滑剤が被覆されている磁気記憶体において、前
記配向性潤滑剤が、一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）ｐ−（ＣＦ
＿２Ｏ）ｑ−ＣＦ＿２−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ、ｑは整数） で表わされる重合体であることを特徴とする磁気記憶体
。 - （２）鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤
上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体
を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、さら
に前記非晶質無機酸化物層の上に、一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）ｐ−（ＣＦ
＿２Ｏ）ｑ−ＣＦ＿２−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ、ｑは整数） で表わされる重合体を塗布し、または塗布後焼成して前
記非晶質無機酸化物層と前記重合体を結合させることを
特徴とする磁気記憶体の製造方法。 - （３）鏡面研磨された非磁性合金層を被覆した合金円盤
上または鏡面研磨された合金円盤上に金属磁性薄膜媒体
を被覆し、この上に非晶質無機酸化物層を被覆し、プラ
ズマ中で処理した後、前記非晶質無機酸化物層の上に、
一般式 Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−ＣＦ＿２−（Ｃ＿２Ｆ＿４Ｏ）ｐ−（ＣＦ
＿２Ｏ）ｑ−ＣＦ＿２−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ（ｐ、ｑは整数） で表わされる重合体を塗布し、または塗布後焼成して前
記非晶質無機酸化物層と前記重合体を結合させることを
特徴とする磁気記憶体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28649785A JPS62145533A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28649785A JPS62145533A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62145533A true JPS62145533A (ja) | 1987-06-29 |
| JPH0465455B2 JPH0465455B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=17705166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28649785A Granted JPS62145533A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62145533A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3903264A1 (de) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Hitachi Ltd | Informationsaufzeichnungsmaterial, verfahren zu seiner herstellung, informationsaufzeichnungsvorrichtung sowie fluorhaltige isocyanatderivate und fluorhaltige polymere mit acylazidogruppen |
| JPH03153645A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-07-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜ディスクの潤滑方法 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28649785A patent/JPS62145533A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3903264A1 (de) * | 1988-02-03 | 1989-08-10 | Hitachi Ltd | Informationsaufzeichnungsmaterial, verfahren zu seiner herstellung, informationsaufzeichnungsvorrichtung sowie fluorhaltige isocyanatderivate und fluorhaltige polymere mit acylazidogruppen |
| US5008128A (en) * | 1988-02-03 | 1991-04-16 | Hitachi, Ltd. | Process for producing information recording medium |
| JPH03153645A (ja) * | 1989-11-01 | 1991-07-01 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 薄膜ディスクの潤滑方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0465455B2 (ja) | 1992-10-20 |
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