JPH0118500B2 - - Google Patents
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- JPH0118500B2 JPH0118500B2 JP53160842A JP16084278A JPH0118500B2 JP H0118500 B2 JPH0118500 B2 JP H0118500B2 JP 53160842 A JP53160842 A JP 53160842A JP 16084278 A JP16084278 A JP 16084278A JP H0118500 B2 JPH0118500 B2 JP H0118500B2
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- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 64
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 47
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N [P].[Co].[Ni] Chemical compound [P].[Co].[Ni] IGOJDKCIHXGPTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 description 1
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M sodium bisulfate Chemical compound [Na+].OS([O-])(=O)=O WBHQBSYUUJJSRZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000342 sodium bisulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気デイスクに関し、特にヘツドとの
摺動に対して信頼性高い磁気デイスクに関する。
摺動に対して信頼性高い磁気デイスクに関する。
一般に記録再生磁気ヘツド（以下ヘツドと呼
ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置
の記録再生方法には次のような方法がある。すな
わち操作開始時にヘツドと磁気記憶体面とを接触
状態でセツトした後、前記磁気記憶体に所要の回
転を与えることにより前記ヘツドと前記磁気記憶
体面との間に空気層分の空間を作り、この状態で
記録再生をする方法である（コンタクト・スター
ト・ストツプ方式。以下CSS方式と呼ぶ）。この
方法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止ま
り、この時ヘツドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態にある。
ぶ）と磁気記憶体とを構成部とする磁気記憶装置
の記録再生方法には次のような方法がある。すな
わち操作開始時にヘツドと磁気記憶体面とを接触
状態でセツトした後、前記磁気記憶体に所要の回
転を与えることにより前記ヘツドと前記磁気記憶
体面との間に空気層分の空間を作り、この状態で
記録再生をする方法である（コンタクト・スター
ト・ストツプ方式。以下CSS方式と呼ぶ）。この
方法では操作終了時に磁気記憶体の回転が止ま
り、この時ヘツドと磁気記憶体面は操作開始時と
同様に接触摩擦状態にある。
これらの接触摩擦状態におけるヘツドと磁気記
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツドおよび磁気記
憶体を摩耗させついにはヘツドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を生じせしめることがある。また前記
接触摩擦状態においてヘツドのわずかな姿勢の変
化がヘツドにかかる荷重を不均一にさせヘツドお
よび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
憶体の間に生じる摩擦力は、ヘツドおよび磁気記
憶体を摩耗させついにはヘツドおよび金属磁性薄
膜媒体に傷を生じせしめることがある。また前記
接触摩擦状態においてヘツドのわずかな姿勢の変
化がヘツドにかかる荷重を不均一にさせヘツドお
よび磁気記憶体表面に傷を作ることもある。
また更に記録再生中に突発的にヘツドが磁気記
憶体に接触しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦
力が働き、ヘツドおよび磁気記憶体が破壊される
ことがしばしば起こる。この様なヘツドと磁気記
憶体との接触摩擦、接触摩耗および接触破壊から
ヘツドおよび磁気記憶体を保護するために磁気記
憶体の表面に保護被膜を被覆することが必要であ
る。
憶体に接触しヘツドと磁気記憶体間に大きな摩擦
力が働き、ヘツドおよび磁気記憶体が破壊される
ことがしばしば起こる。この様なヘツドと磁気記
憶体との接触摩擦、接触摩耗および接触破壊から
ヘツドおよび磁気記憶体を保護するために磁気記
憶体の表面に保護被膜を被覆することが必要であ
る。
従来より種々の保護膜が提案され、そのうちの
あるものは前記接触摩擦、接触摩耗および接触破
壊に対し有効なものもある。
あるものは前記接触摩擦、接触摩耗および接触破
壊に対し有効なものもある。
しかるに、最近磁気記憶装置の使用環境条件に
よつてはヘツドと磁気記憶体表面間に大きな凝着
力が発生し、ヘツドと磁気記憶体間の機械的安定
性に悪影響を与える数多くの事例が見られるよう
になつた。
よつてはヘツドと磁気記憶体表面間に大きな凝着
力が発生し、ヘツドと磁気記憶体間の機械的安定
性に悪影響を与える数多くの事例が見られるよう
になつた。
この凝着力の発生に対し、種々検討した結果、
次のことが明らかになつた。
次のことが明らかになつた。
(i) 凝着力はヘツドと磁気記憶体間に介在する液
体膜により生じるもので、ヘツド及び磁気記憶
体の表面粗さが小さいもの程、凝着力は大きく
なる。
体膜により生じるもので、ヘツド及び磁気記憶
体の表面粗さが小さいもの程、凝着力は大きく
なる。
(ii) 凝着力の発生原因となる液体膜の１つは、液
体潤滑剤であり、その他にもヘツドが磁気記憶
体面上をある間隔をもつて走行あるいは摺動す
る際に磁気記憶体表面およびヘツド表面に空気
中の水分や有機ガスが凝集するものなどがあ
り、特に高湿度状態において多量に凝集する。
体潤滑剤であり、その他にもヘツドが磁気記憶
体面上をある間隔をもつて走行あるいは摺動す
る際に磁気記憶体表面およびヘツド表面に空気
中の水分や有機ガスが凝集するものなどがあ
り、特に高湿度状態において多量に凝集する。
(iii) 磁気記憶体表面上に発生した液体膜は前記
CSS状態でヘツドにより掻き集められて累積
し、この累積した液体膜はヘツドと磁気記憶体
の静止接触状態または摺動状態に於て、両者間
に浸入し、表面張力により凝着力を発生せしめ
る。
CSS状態でヘツドにより掻き集められて累積
し、この累積した液体膜はヘツドと磁気記憶体
の静止接触状態または摺動状態に於て、両者間
に浸入し、表面張力により凝着力を発生せしめ
る。
この凝着力は、磁気記憶体の回転駆動モータの
負荷を高めると同時にヘツドが磁気記憶体表面上
を摺動する際に大きな摩擦力を与え、ヘツドおよ
び磁気記憶体を破壊させることがある。
負荷を高めると同時にヘツドが磁気記憶体表面上
を摺動する際に大きな摩擦力を与え、ヘツドおよ
び磁気記憶体を破壊させることがある。
更に高密度記録を目的とした磁気記憶体は、記
録再生特性上記憶媒体層の表面粗さは非常に小さ
くする必要がある為、鏡面状態になつており、且
つこの鏡面を有する記憶媒体層上に被覆される保
護膜の表面粗さは一般に前記媒体層の表面粗さよ
り小さくなり、ヘツドと磁気記憶体との間により
大きな凝着力を発生させ、ヘツドおよび磁気記憶
体の機械的安定性に大きな影響を与えることが分
かつた 本発明の目的は、高密度記録に適した記憶媒体
層の小さな表面粗さを維持しつつ、凝着力の増大
を防止するに十分な大きさの表面粗さをもつ保護
膜を有する磁気デイスクを提供することにある。
録再生特性上記憶媒体層の表面粗さは非常に小さ
くする必要がある為、鏡面状態になつており、且
つこの鏡面を有する記憶媒体層上に被覆される保
護膜の表面粗さは一般に前記媒体層の表面粗さよ
り小さくなり、ヘツドと磁気記憶体との間により
大きな凝着力を発生させ、ヘツドおよび磁気記憶
体の機械的安定性に大きな影響を与えることが分
かつた 本発明の目的は、高密度記録に適した記憶媒体
層の小さな表面粗さを維持しつつ、凝着力の増大
を防止するに十分な大きさの表面粗さをもつ保護
膜を有する磁気デイスクを提供することにある。
すなわち本発明の磁気デイスクは、基体の上に
薄膜磁性層が設けられており、その上に非磁性層
を介して、または介さずに凝着力の増大を防ぐた
めに表面粗さを大きくした保護膜が被覆されて構
成されている。
薄膜磁性層が設けられており、その上に非磁性層
を介して、または介さずに凝着力の増大を防ぐた
めに表面粗さを大きくした保護膜が被覆されて構
成されている。
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図ａ，ｂは本発明の磁気デイスクの一実施
例を示す断面図である。第１図ａでは、本発明の
磁気デイスクは基体１の上に金属磁性薄膜３が設
けられており、その上に粗い表面粗さを有する保
護膜２が被覆されている。また、同図ｂに示すよ
うに金属磁性薄膜３と保護膜の間に非磁性層４を
設けてもよい。
例を示す断面図である。第１図ａでは、本発明の
磁気デイスクは基体１の上に金属磁性薄膜３が設
けられており、その上に粗い表面粗さを有する保
護膜２が被覆されている。また、同図ｂに示すよ
うに金属磁性薄膜３と保護膜の間に非磁性層４を
設けてもよい。
基体１および金属磁性薄膜３は、記録再生特性
に悪影響を及ぼさない程度の表面粗さ、すなわ
ち、小さなうねり（円周方向で50μｍ以下および
半径方向で100μｍ以下）および表面粗さ（0.02μ
ｍ以下）を有することが良好な記録再生特性を得
るために望ましい。
に悪影響を及ぼさない程度の表面粗さ、すなわ
ち、小さなうねり（円周方向で50μｍ以下および
半径方向で100μｍ以下）および表面粗さ（0.02μ
ｍ以下）を有することが良好な記録再生特性を得
るために望ましい。
このような金属磁性薄膜３の設けられた基体１
として、例えば特開昭52−20804に示された、表
面に金属磁性薄膜からなる記憶媒体が被覆された
円盤からなる下地体を用いることができる。また
該金属磁性薄膜からなる記憶媒体の上に非磁性合
金が被覆された円盤からなる下地体を用いること
もできる。
として、例えば特開昭52−20804に示された、表
面に金属磁性薄膜からなる記憶媒体が被覆された
円盤からなる下地体を用いることができる。また
該金属磁性薄膜からなる記憶媒体の上に非磁性合
金が被覆された円盤からなる下地体を用いること
もできる。
またさらに特願昭53−71915に示された、表面
に化成処理膜が被覆された円盤からなる下地体を
用いても良い。
に化成処理膜が被覆された円盤からなる下地体を
用いても良い。
保護膜２は粗い表面粗さを有する薄膜である。
この保護膜２として例えば特開昭52−20804に示
されたポリ珪酸、特願昭52−14385に示された前
処理層を介したポリ珪酸、特願昭52−108234に示
された金属アルコキシドの加水分解重合物あるい
は応力緩和剤を含むポリ珪酸、または特開昭52−
55603に示された表面に配向性潤滑剤を有する非
晶質無機酸化物を用いることができる。
この保護膜２として例えば特開昭52−20804に示
されたポリ珪酸、特願昭52−14385に示された前
処理層を介したポリ珪酸、特願昭52−108234に示
された金属アルコキシドの加水分解重合物あるい
は応力緩和剤を含むポリ珪酸、または特開昭52−
55603に示された表面に配向性潤滑剤を有する非
晶質無機酸化物を用いることができる。
この保護膜２の表面はヘツドとの凝着を防ぐた
めにはピツチ10μｍ〜0.2mm表面粗さ0.02〜0.05μｍ
であることが望ましい。
めにはピツチ10μｍ〜0.2mm表面粗さ0.02〜0.05μｍ
であることが望ましい。
すなわち前記下地体と同じかあるいはそれ以下
の表面粗さを有する保護膜を有する磁気記憶体は
ヘツドとの凝着が起こり易い。
の表面粗さを有する保護膜を有する磁気記憶体は
ヘツドとの凝着が起こり易い。
逆に保護膜の表面粗さをあまり大きくするとヘ
ツドの磁気記憶体に対する浮揚特性に悪い影響を
与える。
ツドの磁気記憶体に対する浮揚特性に悪い影響を
与える。
ところで、ここで用いた表面粗さは、中心線平
均あらさ表示法である。これを第３図を用いて説
明する。図に示すように、表面の形状がｙ＝ｆ
（ｘ）で表わされるような場合、表面粗さRaは、
測定長をＬとして以下のように表わされる。
均あらさ表示法である。これを第３図を用いて説
明する。図に示すように、表面の形状がｙ＝ｆ
（ｘ）で表わされるような場合、表面粗さRaは、
測定長をＬとして以下のように表わされる。
Ra＝１／Ｌ∫L 0｜ｆ（ｘ）−ｈ｜dx
ただし、ｈ＝１／Ｌ∫f（ｘ）dx
上記ｆ（ｘ）は例えば触針式表面粗さ測定法に
よつて直接測定することができる。この測定法を
第４図に示す。保護膜２の表面を針６でｘ方向に
走査することによつて、ｙ方向の変位が変位計７
によりｆ（ｘ）として読み取れる。
よつて直接測定することができる。この測定法を
第４図に示す。保護膜２の表面を針６でｘ方向に
走査することによつて、ｙ方向の変位が変位計７
によりｆ（ｘ）として読み取れる。
上記の様な望ましいピツチと表面粗さをもつ保
護膜を得る為に次の２つの方法を用いることがで
きる。１つの方法は保護膜の表面を適当な砥粒で
研磨することであり、他の方法は保護膜を塗布形
成するための塗布液の溶媒に沸点100℃以下のも
のを用いることである。そのような溶媒として、
例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコ
ール、ターシヤリーブタノール、セカンダリープ
タノールなどのアルコール類または酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸イソプロピル、プロピオン酸メ
チルなどのエステル類またはアセトン、エチルメ
チルケトン、イソプロピルメチルケトンなどのケ
トン類など有機溶媒を用いることが出来る。
護膜を得る為に次の２つの方法を用いることがで
きる。１つの方法は保護膜の表面を適当な砥粒で
研磨することであり、他の方法は保護膜を塗布形
成するための塗布液の溶媒に沸点100℃以下のも
のを用いることである。そのような溶媒として、
例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イ
ソプロピルアルコール、ノルマルプロピルアルコ
ール、ターシヤリーブタノール、セカンダリープ
タノールなどのアルコール類または酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸イソプロピル、プロピオン酸メ
チルなどのエステル類またはアセトン、エチルメ
チルケトン、イソプロピルメチルケトンなどのケ
トン類など有機溶媒を用いることが出来る。
砥粒の研磨による保護膜表面は表面粗さの方向
性はないが、上記の溶媒を用いて形成した保護膜
表面は方向性のある表面粗さを有する。すなわち
山と谷の部分が円周方向に10〜200μｍのピツチ
をもち、ほぼ平行に半径方向へ放射状に続いてい
る。
性はないが、上記の溶媒を用いて形成した保護膜
表面は方向性のある表面粗さを有する。すなわち
山と谷の部分が円周方向に10〜200μｍのピツチ
をもち、ほぼ平行に半径方向へ放射状に続いてい
る。
この様子を第２図に示す。図において、山と山
または谷と谷の間隔をピツチ５とする。放射状の
凹凸は外側に行くにしたがいピツチは開くが新た
な凸部が生じるため、磁気デイスクの内側と外側
のピツチはそれほど変わらない。
または谷と谷の間隔をピツチ５とする。放射状の
凹凸は外側に行くにしたがいピツチは開くが新た
な凸部が生じるため、磁気デイスクの内側と外側
のピツチはそれほど変わらない。
上記２つの方法は、いずれも所望の表面粗さを
もつ保護膜を形成することができるので、本発明
を達成するのに十分有効な方法であるが、特に特
定溶媒を用いる後者の方法は凸凹を形成する過程
において表面張力が作用しているので均一な大き
さの凸凹を形成することができ、より望ましい方
法である。
もつ保護膜を形成することができるので、本発明
を達成するのに十分有効な方法であるが、特に特
定溶媒を用いる後者の方法は凸凹を形成する過程
において表面張力が作用しているので均一な大き
さの凸凹を形成することができ、より望ましい方
法である。
なお、保護膜の厚さは現在のヘツドの浮上量
（保護膜表面とヘツド間の距離）は0.2μｍ程度で
あるので、保護膜厚さが0.1μｍ以下では磁性膜と
ヘツドの距離ｄ（保護膜厚と浮上量の和）が再生
出力に与える影響は少ない。なぜならば再生出力
はｅ−kd（ｋ：定数）に比例するためｄが0.3±
0.1μｍ程度ではあまり変化がない。
（保護膜表面とヘツド間の距離）は0.2μｍ程度で
あるので、保護膜厚さが0.1μｍ以下では磁性膜と
ヘツドの距離ｄ（保護膜厚と浮上量の和）が再生
出力に与える影響は少ない。なぜならば再生出力
はｅ−kd（ｋ：定数）に比例するためｄが0.3±
0.1μｍ程度ではあまり変化がない。
次に本発明の磁気デイスクを製造方法とともに
実施例により説細に説明する。
実施例により説細に説明する。
実施例 １
旋盤加工および熱矯正によつて十分小さなうね
り（円周方向で50μｍ以下および半径方向で10μ
ｍ以下）をもつた面に仕上げられたデイスク状ア
ルミニウム合金盤上にニツケル−燐非磁性合金を
約50μｍの厚さにめつきし、このニツケル−燐め
つき膜を機械的研磨により表面粗さ0.02μｍ以下、
厚さ約30μｍまで鏡面研磨仕上げしたのち、その
上にコバルト−ニツケル−燐金属磁性合金を約
0.05μｍの厚さにめつきした。さらに、このコバ
ルト−ニツケル−燐金属磁性合金の上に下に示し
た組成物溶液を回転塗布法により塗布した。すな
わち、このデイスク状円盤を50RPM（毎分の回転
数）より大きい速度で回転させ（水平面内で）、
前述の組成物溶液をデイスク状円盤の面上に前記
組成物溶液を含んだ容器より吐出すると、吐出さ
れた溶液は遠心力によつてデイスク状円盤の外側
へ、デイスク状円盤の面上をぬらしつつ広がる。
前記デイスク状円盤の面上に吐出された溶液の溶
媒（イソプロピルアルコール）が蒸発するにつ
れ、保護膜２としてポリ珪酸の被膜が前記デイス
ク状円盤の面上に形成された。このようにして
0.1μｍの膜厚にポリ珪酸の被膜が被覆された前記
デイスク状円盤を200℃の温度で３時間電気炉中
で焼成したものを磁気デイスクとした。
り（円周方向で50μｍ以下および半径方向で10μ
ｍ以下）をもつた面に仕上げられたデイスク状ア
ルミニウム合金盤上にニツケル−燐非磁性合金を
約50μｍの厚さにめつきし、このニツケル−燐め
つき膜を機械的研磨により表面粗さ0.02μｍ以下、
厚さ約30μｍまで鏡面研磨仕上げしたのち、その
上にコバルト−ニツケル−燐金属磁性合金を約
0.05μｍの厚さにめつきした。さらに、このコバ
ルト−ニツケル−燐金属磁性合金の上に下に示し
た組成物溶液を回転塗布法により塗布した。すな
わち、このデイスク状円盤を50RPM（毎分の回転
数）より大きい速度で回転させ（水平面内で）、
前述の組成物溶液をデイスク状円盤の面上に前記
組成物溶液を含んだ容器より吐出すると、吐出さ
れた溶液は遠心力によつてデイスク状円盤の外側
へ、デイスク状円盤の面上をぬらしつつ広がる。
前記デイスク状円盤の面上に吐出された溶液の溶
媒（イソプロピルアルコール）が蒸発するにつ
れ、保護膜２としてポリ珪酸の被膜が前記デイス
ク状円盤の面上に形成された。このようにして
0.1μｍの膜厚にポリ珪酸の被膜が被覆された前記
デイスク状円盤を200℃の温度で３時間電気炉中
で焼成したものを磁気デイスクとした。
テトラヒドロキシシラン11％イソプロピルアルコ
ール溶液 14重量％ イソプロピルアルコール 86重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ80μｍ、表
面粗さ0.04μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内径側から外径側へ分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
ール溶液 14重量％ イソプロピルアルコール 86重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ80μｍ、表
面粗さ0.04μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内径側から外径側へ分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
実施例 ２
実施例１と同様にして但し下記の組成物溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。
用いて磁気デイスクを作つた。
テトラヒドロキシシラン11％エチルルコール溶液
14重量％ エチルアルコール 86重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ200μｍ、
表面粗さ0.05μｍの凸凹が放射状に磁気デイスク
の内径側から外径側へ分布する表面を有する保護
膜が下地体上に形成された。
14重量％ エチルアルコール 86重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ200μｍ、
表面粗さ0.05μｍの凸凹が放射状に磁気デイスク
の内径側から外径側へ分布する表面を有する保護
膜が下地体上に形成された。
実施例 ３
実施例１と同様にして但し下記の組成物溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。
用いて磁気デイスクを作つた。
テトラヒドロキシシラン5.6％エチルアルコール
溶液 27重量％ セカンダリーブチルアルコール 73重量％ 以上の操作によりピツチ円周方向の60μｍ、表
面粗さ0.02μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内径側から外径側へ分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
溶液 27重量％ セカンダリーブチルアルコール 73重量％ 以上の操作によりピツチ円周方向の60μｍ、表
面粗さ0.02μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内径側から外径側へ分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
実施例 ４
実施例１と同様にして但し下記の組成物溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。
用いて磁気デイスクを作つた。
テトラヒドロキシシラン5.6％メチルアルコール
溶液 27重量％ 酢酸エチル 73重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ100μｍ、
表面粗さ0.05μｍの凸凹が放射状に磁気デイスク
の内径側から外径側へ分布する表面を有する保護
膜が下地体上に形成された。
溶液 27重量％ 酢酸エチル 73重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ100μｍ、
表面粗さ0.05μｍの凸凹が放射状に磁気デイスク
の内径側から外径側へ分布する表面を有する保護
膜が下地体上に形成された。
実施例 ５
実施例１と同様にして但し下記の組成物溶液を
用いて磁気デイスクを作つた。
用いて磁気デイスクを作つた。
テトラヒドロキシシラン5.6％イソプロピルアル
コール溶液 27重量％ アセトン 73重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ50μｍ、表
面粗さ0.05μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内径側から外径側へ分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
コール溶液 27重量％ アセトン 73重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ50μｍ、表
面粗さ0.05μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内径側から外径側へ分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
実施例 ６
実施例１と同様にして作つたコバルト−ニツケ
ル−燐金属磁性合金の上にニツケル−燐非磁性合
金を200Åの厚さにめつきしさらにこのニツケル
−燐非磁性合金をめつきした前記デイスク状円盤
を下記の溶液（）に30秒浸漬したのち、水洗、
乾燥して化成処理膜を形成した。
ル−燐金属磁性合金の上にニツケル−燐非磁性合
金を200Åの厚さにめつきしさらにこのニツケル
−燐非磁性合金をめつきした前記デイスク状円盤
を下記の溶液（）に30秒浸漬したのち、水洗、
乾燥して化成処理膜を形成した。
溶液（）
無水クロム酸 0.5重量％
硫酸水素ナトリウム 2.0重量％
水 残部
次に上記化成処理膜の上に下記の溶液（）を
実施例１に示した回転塗布法により塗布して保護
膜を前記デイスク状円盤の面上に形成したのち、
該保護膜の上にヘキサメチルジシラザンの0.1重
量％ｎ−ブチルアルコール溶液を回転塗布法によ
り塗布した後、全体を200℃で３時間焼成するこ
とにより磁気デイスクを作つた。
実施例１に示した回転塗布法により塗布して保護
膜を前記デイスク状円盤の面上に形成したのち、
該保護膜の上にヘキサメチルジシラザンの0.1重
量％ｎ−ブチルアルコール溶液を回転塗布法によ
り塗布した後、全体を200℃で３時間焼成するこ
とにより磁気デイスクを作つた。
溶液（）
テトラヒドロキシシラン5.6％イソプロピルアル
コール溶液 27重量％ イソプロピルアルコール 73重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ80μｍ、表
面粗さ0.04μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内周側から外周側に分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
コール溶液 27重量％ イソプロピルアルコール 73重量％ 以上の操作により円周方向のピツチ80μｍ、表
面粗さ0.04μｍの凸凹が放射状に磁気デイスクの
内周側から外周側に分布する表面を有する保護膜
が下地体上に形成された。
実施例 ７
実施例１と同様にして作つたコバルト−ニツケ
ル−燐金属磁性合金の上に実施例１と同様にし
て、但し下記の組成物の溶液を用いて膜厚0.2μｍ
の保護膜を前記デイスク状円盤上に形成し、次に
保護膜の表面を粒径0.3μｍの研磨砥粒にて10秒研
磨し、表面粗さ0.03μｍの表面を有する膜厚0.1μ
ｍの保護膜が被覆された磁気デイスクを作つた。
ル−燐金属磁性合金の上に実施例１と同様にし
て、但し下記の組成物の溶液を用いて膜厚0.2μｍ
の保護膜を前記デイスク状円盤上に形成し、次に
保護膜の表面を粒径0.3μｍの研磨砥粒にて10秒研
磨し、表面粗さ0.03μｍの表面を有する膜厚0.1μ
ｍの保護膜が被覆された磁気デイスクを作つた。
テトラヒドロキシシラン5.6％ｎ−ブチルアルコ
ール溶液 54重量％ ｎ−ブチルアルコール 46重量％ 実施例 ８ 実施例１と同様にして作つたコバルト−ニツケ
ル−燐金属磁性合金の上にホウケイ酸ガラスをス
パツタ法により0.02μｍの膜厚で被覆して保護膜
を形成し次にこの保護膜の表面を粒径0.3μｍの研
磨砥粒にて10秒研磨し、表面粗さ0.02μｍの表面
を有する膜厚0.1μｍの保護膜が被覆された磁気デ
イスクを作つた。
ール溶液 54重量％ ｎ−ブチルアルコール 46重量％ 実施例 ８ 実施例１と同様にして作つたコバルト−ニツケ
ル−燐金属磁性合金の上にホウケイ酸ガラスをス
パツタ法により0.02μｍの膜厚で被覆して保護膜
を形成し次にこの保護膜の表面を粒径0.3μｍの研
磨砥粒にて10秒研磨し、表面粗さ0.02μｍの表面
を有する膜厚0.1μｍの保護膜が被覆された磁気デ
イスクを作つた。
実施例 ９
実施例１と同様にして作つたコバルト−ニツケ
ル−燐金属磁性合金の上にSiO2ガラスをスパツ
タ法により0.2μｍの膜厚で被覆して保護膜を形成
し次にこの保護膜の表面を粒径0.3μｍの研磨砥粒
にて60秒研磨し、表面粗さ0.02μｍの表面を有す
る膜厚0.1μｍの保護膜が被覆された磁気デイスク
を作つた。
ル−燐金属磁性合金の上にSiO2ガラスをスパツ
タ法により0.2μｍの膜厚で被覆して保護膜を形成
し次にこの保護膜の表面を粒径0.3μｍの研磨砥粒
にて60秒研磨し、表面粗さ0.02μｍの表面を有す
る膜厚0.1μｍの保護膜が被覆された磁気デイスク
を作つた。
比較例 １
実施例１と同様な方法で作つたコバルト−ニツ
ケル−燐金属磁性合金の上にSiO2ガラスをスパ
ツタ法により0.1μｍの膜厚で被覆して保護膜を形
成し、磁気デイクスとした。表面粗さは0.005μｍ
であつた。
ケル−燐金属磁性合金の上にSiO2ガラスをスパ
ツタ法により0.1μｍの膜厚で被覆して保護膜を形
成し、磁気デイクスとした。表面粗さは0.005μｍ
であつた。
比較例 ２
実施例１と同様な方法で但し下記の組成の溶液
を用いて表面粗さ0.005μｍの滑らかな表面を有す
る保護膜が被覆された磁気デイスクを作つた。
を用いて表面粗さ0.005μｍの滑らかな表面を有す
る保護膜が被覆された磁気デイスクを作つた。
テトラヒドロキシシラン5.6％ｎ−ブチルアルコ
ール溶液 27重量％ ｎ−ブチルアルコール 73重量％ ｎ−ブチルアルコールの沸点は118℃である。
ール溶液 27重量％ ｎ−ブチルアルコール 73重量％ ｎ−ブチルアルコールの沸点は118℃である。
実施例１〜９および比較例１、２に示した各磁
気デイスクについて磁気デイスク装置の回転起道
時に、荷重10ｇのヘツドと磁気デイスク間に働く
力（以下接線抵抗力と呼ぶ）を湿度80％、温度20
℃の条件のもとで３万回のCSS試験の始めと終わ
りで測定した。
気デイスクについて磁気デイスク装置の回転起道
時に、荷重10ｇのヘツドと磁気デイスク間に働く
力（以下接線抵抗力と呼ぶ）を湿度80％、温度20
℃の条件のもとで３万回のCSS試験の始めと終わ
りで測定した。
その結果実施例１〜９の磁気デイスクとヘツド
における接線抵抗力はCSS開始前で２ｇ程度、３
万回CSS後で10ｇ程度であつたが、比較例１、２
の磁気デイスクとヘツドにおける接線力はCSS開
始前で３ｇ程度３万回CSS後で50ｇ程度に増加し
た。また比較例１、２の磁気デイスクは保護膜表
面に傷が生じた。以上の様に表面粗さの大きな保
護膜を有する磁気デイスク（実施例１〜９）は高
湿度下におけるCSSにおいても接線抵抗力の増加
が少なく磁気デイスク装置の起動トルクの増加に
よるモーターの負荷を少くとどめることができる
と同時に、ヘツドと磁気記憶体との摺動に対して
信頼性を高めることができることが分つた。
における接線抵抗力はCSS開始前で２ｇ程度、３
万回CSS後で10ｇ程度であつたが、比較例１、２
の磁気デイスクとヘツドにおける接線力はCSS開
始前で３ｇ程度３万回CSS後で50ｇ程度に増加し
た。また比較例１、２の磁気デイスクは保護膜表
面に傷が生じた。以上の様に表面粗さの大きな保
護膜を有する磁気デイスク（実施例１〜９）は高
湿度下におけるCSSにおいても接線抵抗力の増加
が少なく磁気デイスク装置の起動トルクの増加に
よるモーターの負荷を少くとどめることができる
と同時に、ヘツドと磁気記憶体との摺動に対して
信頼性を高めることができることが分つた。
なお実施例、比較例共記録再生特性に与える影
響は殆ど無かつた。
響は殆ど無かつた。
第１図は本発明の磁気デイスクの実施例を示す
断面図、第２図は本発明の実施例の表面を示す
図、第３図は表面粗さを説明する図、第４図は触
針式表面粗さ測定法を説明する図である。
断面図、第２図は本発明の実施例の表面を示す
図、第３図は表面粗さを説明する図、第４図は触
針式表面粗さ測定法を説明する図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基体の上に金属磁性薄膜が設けられており、
その上に非磁性層を介してまたは介さずに表面粗
さが0.02〜0.05μｍであるポリ珪酸、SiO2ガラス
またはホウケイ酸ガラス保護膜が被覆され、該保
護膜表面の凹凸が規則性を持たずに配列している
かまたは内径側から外径側へ放射状に分布してい
ることを特徴とする磁気デイスク。 ２ 放射状に分布している保護膜表面の凸凹は円
周方向ピツチ10〜200μｍで分布している特許請
求の範囲第１項記載の磁気デイスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16084278A JPS5584045A (en) | 1978-12-19 | 1978-12-19 | Magnetic memory substance and its manufacture |
| DE2948845A DE2948845C2 (de) | 1978-12-19 | 1979-12-05 | Magnetspeicherplatte und Verfahren zu deren Herstellung |
| US06/102,731 US4326229A (en) | 1978-12-19 | 1979-12-12 | Magnetic record member and process for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16084278A JPS5584045A (en) | 1978-12-19 | 1978-12-19 | Magnetic memory substance and its manufacture |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5584045A JPS5584045A (en) | 1980-06-24 |
| JPH0118500B2 true JPH0118500B2 (ja) | 1989-04-06 |
Family
ID=15723578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16084278A Granted JPS5584045A (en) | 1978-12-19 | 1978-12-19 | Magnetic memory substance and its manufacture |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4326229A (ja) |
| JP (1) | JPS5584045A (ja) |
| DE (1) | DE2948845C2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916139A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-27 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| DE3370710D1 (en) * | 1982-11-19 | 1987-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS605423A (ja) * | 1983-06-22 | 1985-01-12 | Fujitsu Ltd | 連続磁性膜型磁気記録媒体 |
| US4558383A (en) * | 1983-06-30 | 1985-12-10 | International Business Machines Corporation | Information storage disk transducer position control system using a prerecorded servo pattern requiring no alignment with the storage disk |
| JPS60111338A (ja) * | 1983-11-21 | 1985-06-17 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US4619872A (en) * | 1983-12-12 | 1986-10-28 | Digital Equipment Corporation | Magnetic plated media |
| DE3565694D1 (en) * | 1984-02-02 | 1988-11-24 | Hitachi Metals Ltd | Process for manufacturing magnetic recording media |
| JPH0610866B2 (ja) * | 1984-06-26 | 1994-02-09 | ティーディーケイ株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US4923574A (en) * | 1984-11-13 | 1990-05-08 | Uri Cohen | Method for making a record member with a metallic antifriction overcoat |
| US4663193A (en) * | 1984-12-26 | 1987-05-05 | Hitachi Metals, Ltd. | Process for manufacturing magnetic recording medium |
| JPS6275932A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-07 | Alps Electric Co Ltd | 磁気デイスク媒体 |
| US5082747A (en) * | 1985-11-12 | 1992-01-21 | Hedgcoth Virgle L | Magnetic recording disk and sputtering process and apparatus for producing same |
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- 1979-12-12 US US06/102,731 patent/US4326229A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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|---|---|
| US4326229A (en) | 1982-04-20 |
| JPS5584045A (en) | 1980-06-24 |
| DE2948845C2 (de) | 1982-12-09 |
| DE2948845A1 (de) | 1980-07-10 |
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