JP2000057564A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JP2000057564A JP2000057564A JP10226816A JP22681698A JP2000057564A JP 2000057564 A JP2000057564 A JP 2000057564A JP 10226816 A JP10226816 A JP 10226816A JP 22681698 A JP22681698 A JP 22681698A JP 2000057564 A JP2000057564 A JP 2000057564A
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- Japan
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- magnetic
- bonding ratio
- disk
- ultraviolet rays
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ヘッドの摩擦が小さく、かつ、スティッ
キング現象がなく、安定して回転駆動することができる
磁気記録媒体の製造方法の提供。 【解決手段】 基板上に下地層、磁性層および保護層を
積層した後潤滑剤を塗布する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、潤滑剤を塗布した後不活性ガス雰囲気下に紫外
線を照射して潤滑剤の保護層への結合比率を３０〜７０
％とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
キング現象がなく、安定して回転駆動することができる
磁気記録媒体の製造方法の提供。 【解決手段】 基板上に下地層、磁性層および保護層を
積層した後潤滑剤を塗布する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、潤滑剤を塗布した後不活性ガス雰囲気下に紫外
線を照射して潤滑剤の保護層への結合比率を３０〜７０
％とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体の製造
方法、更に詳しくは、ヘッドクラッシュがなく安定して
駆動可能な磁気記録媒体の製造方法に関する。
方法、更に詳しくは、ヘッドクラッシュがなく安定して
駆動可能な磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
しては、アルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ
−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施して下地層を形成
した非磁性基板に、Ｃｒ等の中間層を被覆し、次いで、
Ｃｏ系合金の磁性薄膜層を被覆し、更に炭素質の保護膜
を成膜したものが広く使用されている。磁気ディスク
は、ディスクドライブ装置に装着して高速で回転させる
ことによって磁気ヘッドを浮上させ、浮上した状態で磁
気ディスク面上を走査させて磁気ディスクへの情報の書
き込み／読み出しが行なわれている。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
しては、アルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ
−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施して下地層を形成
した非磁性基板に、Ｃｒ等の中間層を被覆し、次いで、
Ｃｏ系合金の磁性薄膜層を被覆し、更に炭素質の保護膜
を成膜したものが広く使用されている。磁気ディスク
は、ディスクドライブ装置に装着して高速で回転させる
ことによって磁気ヘッドを浮上させ、浮上した状態で磁
気ディスク面上を走査させて磁気ディスクへの情報の書
き込み／読み出しが行なわれている。
【０００３】近年、磁気ディスクの高記録密度化の要求
に伴い、磁気ディスクはその線記録密度およびトラック
密度が高くなり、１ピット当たりの面積が小さくなって
いる。このような高記録密度下で良好な磁気記録再生を
行うためには、磁気ヘッドと磁気ディスクとの浮上量を
記録密度の向上に伴って小さくする必要がある。また、
磁気ディスクは大容量化、高密度化と並行して小型化も
進められており、スピンドル回転用のモーター等も益々
小さくなっている。このため、モーターのトルクが不足
し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に固着したまま浮上し
ないという現象が生じやすい。この磁気ヘッドの固着
を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との摩擦を小さくす
ることにより防止する手段として、保護層の上に潤滑剤
を塗布して潤滑層を形成することが行なわれている。し
かし、情報記録が高密度化するに従って、潤滑層の欠陥
に基づくと判断される磁気ヘッドと磁気ディスク間のス
ティッキング現象やヘッドクラッシュの発生が増加して
いる。
に伴い、磁気ディスクはその線記録密度およびトラック
密度が高くなり、１ピット当たりの面積が小さくなって
いる。このような高記録密度下で良好な磁気記録再生を
行うためには、磁気ヘッドと磁気ディスクとの浮上量を
記録密度の向上に伴って小さくする必要がある。また、
磁気ディスクは大容量化、高密度化と並行して小型化も
進められており、スピンドル回転用のモーター等も益々
小さくなっている。このため、モーターのトルクが不足
し、磁気ヘッドが磁気ディスク面に固着したまま浮上し
ないという現象が生じやすい。この磁気ヘッドの固着
を、磁気ヘッドと磁気ディスク表面との摩擦を小さくす
ることにより防止する手段として、保護層の上に潤滑剤
を塗布して潤滑層を形成することが行なわれている。し
かし、情報記録が高密度化するに従って、潤滑層の欠陥
に基づくと判断される磁気ヘッドと磁気ディスク間のス
ティッキング現象やヘッドクラッシュの発生が増加して
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気ヘッド
の摩擦抵抗が小さく、かつスティッキング現象がなく、
安定して回転駆動することができる磁気記録媒体の製造
方法を提供するものである。
の摩擦抵抗が小さく、かつスティッキング現象がなく、
安定して回転駆動することができる磁気記録媒体の製造
方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる目的達成
のために鋭意検討を行った結果なされたもので、基板上
に下地層、磁性層および保護層を積層した後潤滑剤を塗
布する磁気記録媒体の製造方法において、潤滑剤を塗布
した後不活性ガス雰囲気下に紫外線を照射して潤滑剤の
保護層への結合比率を３０〜７０％とすることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
のために鋭意検討を行った結果なされたもので、基板上
に下地層、磁性層および保護層を積層した後潤滑剤を塗
布する磁気記録媒体の製造方法において、潤滑剤を塗布
した後不活性ガス雰囲気下に紫外線を照射して潤滑剤の
保護層への結合比率を３０〜７０％とすることを特徴と
する磁気記録媒体の製造方法を提供するものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明における磁気記録媒体の製
造方法は、ディスク基板上に下地層、磁性層および保護
層を形成して磁気記録媒体とするものであって、記録媒
体の構成材料は特に制限されるものではないが、通常次
の方法によって形成される。ディスク基板として非磁性
基板が用いられ、非磁性基板としては、セラミック基
板、ガラス基板やアルミニウム合金基板、シリコン基
板、チタン基板等の金属基板、カーボン基板、あるい
は、樹脂基板等が用いられる。これらの基板には、非磁
性の下地層が設けられる。この場合、下地層としては、
ＮｉＰ合金またはＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金層が好ましく、通
常、無電解メッキ法またはスパッタリング法により形成
される。下地層の厚みは、好ましくは５０〜２０，００
０ｎｍ、特に好ましくは１００〜１５，０００ｎｍであ
る。
造方法は、ディスク基板上に下地層、磁性層および保護
層を形成して磁気記録媒体とするものであって、記録媒
体の構成材料は特に制限されるものではないが、通常次
の方法によって形成される。ディスク基板として非磁性
基板が用いられ、非磁性基板としては、セラミック基
板、ガラス基板やアルミニウム合金基板、シリコン基
板、チタン基板等の金属基板、カーボン基板、あるい
は、樹脂基板等が用いられる。これらの基板には、非磁
性の下地層が設けられる。この場合、下地層としては、
ＮｉＰ合金またはＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金層が好ましく、通
常、無電解メッキ法またはスパッタリング法により形成
される。下地層の厚みは、好ましくは５０〜２０，００
０ｎｍ、特に好ましくは１００〜１５，０００ｎｍであ
る。
【０００７】この基板は、その表面をポリッシュ加工し
た後、テキスチャ加工を施し、特定の凹凸条痕パターン
を形成するのが一般的である。ポリッシュ加工は、例え
ば、表面に遊離砥粒を付着して浸み込ませたポリッシュ
パッドの間に基板を挟み込み、界面活性剤研磨液を補給
しながら実施される。通常の場合、ポリッシュ加工によ
り基板の表面層を２〜５μｍ程度ポリッシュし、表面を
平均表面粗さＲａが５０Å以下、望ましくは３０Å以下
に鏡面仕上げする。テキスチャ加工は、研磨テープと研
磨用砥粒を用いて機械的に表面を研磨したり、レーザ等
のエネルギービームを照射して微小凹凸を設けたり、ス
パッタリングやエッチングにより凹凸を設ける等、種々
の方法が提案されている。本発明の製造方法において、
テキスチャ加工の方法に制限はないが、微小でかつ精度
の高い加工痕を形成できる方法が好ましい。
た後、テキスチャ加工を施し、特定の凹凸条痕パターン
を形成するのが一般的である。ポリッシュ加工は、例え
ば、表面に遊離砥粒を付着して浸み込ませたポリッシュ
パッドの間に基板を挟み込み、界面活性剤研磨液を補給
しながら実施される。通常の場合、ポリッシュ加工によ
り基板の表面層を２〜５μｍ程度ポリッシュし、表面を
平均表面粗さＲａが５０Å以下、望ましくは３０Å以下
に鏡面仕上げする。テキスチャ加工は、研磨テープと研
磨用砥粒を用いて機械的に表面を研磨したり、レーザ等
のエネルギービームを照射して微小凹凸を設けたり、ス
パッタリングやエッチングにより凹凸を設ける等、種々
の方法が提案されている。本発明の製造方法において、
テキスチャ加工の方法に制限はないが、微小でかつ精度
の高い加工痕を形成できる方法が好ましい。
【０００８】下地層の上に磁性層が形成されるが、磁性
層の形成に先立ち、Ｃｒ層またはＣｕ層等の中間層を磁
性層と下地層との間に設けるのが好ましく、この場合、
中間層の膜厚は、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５
０〜１００ｎｍである。磁性層は、通常、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−
Ｗ−Ｘ等で表されるコバルト系強磁性合金薄膜によって
構成される。ここでＸとしては、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ
ａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、ＥｕおよびＢよりなる群より選ばれた１種または２
種以上の元素が用いられる。磁性層は、通常、無電解メ
ッキ法、電気メッキ法、蒸着法またはスパッタリング法
により形成される。磁性層の厚さは、通常、約１００〜
１０００Åの範囲である。
層の形成に先立ち、Ｃｒ層またはＣｕ層等の中間層を磁
性層と下地層との間に設けるのが好ましく、この場合、
中間層の膜厚は、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５
０〜１００ｎｍである。磁性層は、通常、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−
Ｗ−Ｘ等で表されるコバルト系強磁性合金薄膜によって
構成される。ここでＸとしては、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ
ａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、ＥｕおよびＢよりなる群より選ばれた１種または２
種以上の元素が用いられる。磁性層は、通常、無電解メ
ッキ法、電気メッキ法、蒸着法またはスパッタリング法
により形成される。磁性層の厚さは、通常、約１００〜
１０００Åの範囲である。
【０００９】磁性層を形成した後保護膜を成膜する。保
護膜としては蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、
イオンプレーティング、湿式法等の方法により、炭素
膜、水素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物膜、
ＳｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜等、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＺｒＯ
等の酸化物膜等が成膜される。これらのうち特に好まし
くは、炭素膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、
水素化窒素化カーボン膜等のカーボン系材質である。水
素化カーボン膜は、水素と炭素を含有する膜であればよ
く、特に限定されるものではなく、例えばカーボンター
ゲットを用いて、スパッタガス（通常は、アルゴンなど
の不活性ガスを用いる。）と水素ガスを含むプラズマ中
でスパッタリングする方法により形成することができ
る。スパッタ雰囲気中の水素の含有量は、通常、２〜２
０体積％である。
護膜としては蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、
イオンプレーティング、湿式法等の方法により、炭素
膜、水素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物膜、
ＳｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜等、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＺｒＯ
等の酸化物膜等が成膜される。これらのうち特に好まし
くは、炭素膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、
水素化窒素化カーボン膜等のカーボン系材質である。水
素化カーボン膜は、水素と炭素を含有する膜であればよ
く、特に限定されるものではなく、例えばカーボンター
ゲットを用いて、スパッタガス（通常は、アルゴンなど
の不活性ガスを用いる。）と水素ガスを含むプラズマ中
でスパッタリングする方法により形成することができ
る。スパッタ雰囲気中の水素の含有量は、通常、２〜２
０体積％である。
【００１０】窒素化カーボン膜は、窒素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガス含有ガ
スを含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形
成することができる。例えば、空気を用いた場合、スパ
ッタ雰囲気中の空気の含有量は、通常、２〜２０体積％
である。また、例えば、スパッタガス中に水素ガスおよ
び窒素（含有）ガスを同時に混入させることにより、水
素化と窒素化をしたカーボン膜を形成することもでき
る。
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガス含有ガ
スを含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形
成することができる。例えば、空気を用いた場合、スパ
ッタ雰囲気中の空気の含有量は、通常、２〜２０体積％
である。また、例えば、スパッタガス中に水素ガスおよ
び窒素（含有）ガスを同時に混入させることにより、水
素化と窒素化をしたカーボン膜を形成することもでき
る。
【００１１】ここで使用されるターゲットとしては、ダ
イヤモンド状、グラファイト状、または、アモルファス
状のカーボンが用いられる。スパッタリング時のチャン
バー内の圧力は、通常、０．５〜２０ｍＴｏｒｒ、望ま
しくは１〜１０ｍＴｏｒｒとされ、基板の温度は、通
常、３００℃以下、望ましくは常温〜２５０℃の範囲と
される。基板とターゲットとの間隔、スパッタ時間、投
入電力等は、形成する水素化カーボン保護膜の膜厚に応
じて適宜決定される。なお、カーボン保護膜の厚さは、
通常、５０〜１０００Å、望ましくは１００〜６００Å
の範囲である。
イヤモンド状、グラファイト状、または、アモルファス
状のカーボンが用いられる。スパッタリング時のチャン
バー内の圧力は、通常、０．５〜２０ｍＴｏｒｒ、望ま
しくは１〜１０ｍＴｏｒｒとされ、基板の温度は、通
常、３００℃以下、望ましくは常温〜２５０℃の範囲と
される。基板とターゲットとの間隔、スパッタ時間、投
入電力等は、形成する水素化カーボン保護膜の膜厚に応
じて適宜決定される。なお、カーボン保護膜の厚さは、
通常、５０〜１０００Å、望ましくは１００〜６００Å
の範囲である。
【００１２】保護層の表面には、潤滑剤層が設けられ
る。潤滑剤としては、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使
用され、通常、ディップコート法、スピンコート法、ス
プレーコート法等により、保護層の表面に形成される。
潤滑剤層の厚さは、通常、約１５〜５０Åの範囲であ
る。また、潤滑剤層形成後、加熱処理を施してもよい。
加熱温度は、５０℃以上、潤滑剤の分解温度よりも低い
温度の範囲で適宜選択すればよい。
る。潤滑剤としては、例えば、フッ素系液体潤滑剤が使
用され、通常、ディップコート法、スピンコート法、ス
プレーコート法等により、保護層の表面に形成される。
潤滑剤層の厚さは、通常、約１５〜５０Åの範囲であ
る。また、潤滑剤層形成後、加熱処理を施してもよい。
加熱温度は、５０℃以上、潤滑剤の分解温度よりも低い
温度の範囲で適宜選択すればよい。
【００１３】潤滑剤としては、末端または側鎖に水酸基
を有し、分子骨格中にフルオロカーボン骨格を有する化
合物、例えば、パーフルオロカルボン酸エステル、パー
フルオロチオールカルボン酸エステル、パーフルオロジ
カルボン酸エステル、パーフルオロカルボン酸パーフル
オロアルキルエステル、パーフルオロ安息香酸エステ
ル、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル、ジカル
ボン酸パーフルオロアルキルエステル、カルボン酸パー
フルオロアルコキシアルキルエステル、パーフルオロカ
ルボン酸アミド、パーフルオロポリエーテル、パーフル
オロポリエーテルカルボン酸、パーフルオロポリエーテ
ルアルコール、パーフルオロポリエーテルエステル等を
用いることができる。このような潤滑剤としては、Ａｕ
ｓｉｍｏｎｔ社製のＦｌｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ（商
品名）、Ｆｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ（商品
名）等が挙げられる。
を有し、分子骨格中にフルオロカーボン骨格を有する化
合物、例えば、パーフルオロカルボン酸エステル、パー
フルオロチオールカルボン酸エステル、パーフルオロジ
カルボン酸エステル、パーフルオロカルボン酸パーフル
オロアルキルエステル、パーフルオロ安息香酸エステ
ル、カルボン酸パーフルオロアルキルエステル、ジカル
ボン酸パーフルオロアルキルエステル、カルボン酸パー
フルオロアルコキシアルキルエステル、パーフルオロカ
ルボン酸アミド、パーフルオロポリエーテル、パーフル
オロポリエーテルカルボン酸、パーフルオロポリエーテ
ルアルコール、パーフルオロポリエーテルエステル等を
用いることができる。このような潤滑剤としては、Ａｕ
ｓｉｍｏｎｔ社製のＦｌｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ（商
品名）、Ｆｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ（商品
名）等が挙げられる。
【００１４】本発明においては、潤滑剤が塗布されたデ
ィスクは、紫外線照射が行なわれ潤滑剤の結合比率が調
節される。潤滑剤の結合比率とは潤滑剤が保護層に結合
し、潤滑剤の良溶媒で洗浄を行っても溶出しない潤滑剤
の割合を示し、一般には、潤滑剤を塗布する際用いた溶
媒に浸漬した後引き上げて溶媒を揮発せしめて重量測定
することによって測定することができる。また、フーリ
エ変換赤外分光法によりディスク表面上の潤滑剤の減少
を直接測定することができる。良溶媒浸漬は常温で３分
程度である。
ィスクは、紫外線照射が行なわれ潤滑剤の結合比率が調
節される。潤滑剤の結合比率とは潤滑剤が保護層に結合
し、潤滑剤の良溶媒で洗浄を行っても溶出しない潤滑剤
の割合を示し、一般には、潤滑剤を塗布する際用いた溶
媒に浸漬した後引き上げて溶媒を揮発せしめて重量測定
することによって測定することができる。また、フーリ
エ変換赤外分光法によりディスク表面上の潤滑剤の減少
を直接測定することができる。良溶媒浸漬は常温で３分
程度である。
【００１５】潤滑剤の結合比率は３０〜７０％とされ
る。結合比率が３０％より低いときは潤滑剤が流動的な
ために磁気ディスクと磁気ヘッドが粘着するスティッキ
ング現象を起こしやすくまた、７０％を越えるときは、
磁気ディスクと磁気ヘッドの摩擦によるフリクション現
象が生じ易くなる。紫外線照射は不活性ガス中で紫外線
光源を照射することによって行なわれる。不活性ガスと
しては、窒素、ヘリウム、アルゴンを用いることができ
る。中でも窒素が好ましい。紫外線照射の際の雰囲気に
Ｏ2 が存在するとＯ3 が発生し、保護層が著しく親水性
化して耐腐蝕性が低下するため好ましくない。
る。結合比率が３０％より低いときは潤滑剤が流動的な
ために磁気ディスクと磁気ヘッドが粘着するスティッキ
ング現象を起こしやすくまた、７０％を越えるときは、
磁気ディスクと磁気ヘッドの摩擦によるフリクション現
象が生じ易くなる。紫外線照射は不活性ガス中で紫外線
光源を照射することによって行なわれる。不活性ガスと
しては、窒素、ヘリウム、アルゴンを用いることができ
る。中でも窒素が好ましい。紫外線照射の際の雰囲気に
Ｏ2 が存在するとＯ3 が発生し、保護層が著しく親水性
化して耐腐蝕性が低下するため好ましくない。
【００１６】潤滑剤が塗布されたディスクに紫外線を照
射すると潤滑剤の結合比率が上昇する。その上昇速度
は、磁気ディスクの製造条件、紫外線照射条件によって
変化するが、結合比率は直線的に上昇する。従って、製
造条件毎の事前サンプルのＣＳＳ（コンタクトスタート
・ストップ）特性から紫外線照射条件を判定し、処理す
ることにより、潤滑剤の結合比率を調節することができ
る。
射すると潤滑剤の結合比率が上昇する。その上昇速度
は、磁気ディスクの製造条件、紫外線照射条件によって
変化するが、結合比率は直線的に上昇する。従って、製
造条件毎の事前サンプルのＣＳＳ（コンタクトスタート
・ストップ）特性から紫外線照射条件を判定し、処理す
ることにより、潤滑剤の結合比率を調節することができ
る。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、紫外線照射によって潤滑剤の
結合比率を調整するから、磁気ヘッドと磁気ディスクの
摩擦、粘着によるヘッドクラッシュの発生がなく、ま
た、生産性が高く、潤滑剤の結合比率を正確に調節する
ことができる。
結合比率を調整するから、磁気ヘッドと磁気ディスクの
摩擦、粘着によるヘッドクラッシュの発生がなく、ま
た、生産性が高く、潤滑剤の結合比率を正確に調節する
ことができる。
【００１８】
【実施例】無電解メッキ法によりＮｉＰメッキ被覆した
直径９５ｍｍのアルミニウム合金基板を、０．３μｍの
多結晶ダイヤを含む研磨液を用いて表面粗さＲａが１ｎ
ｍになるように表面研磨した。この基板に、スパッタリ
ング法でＣｏＮｉＣｒを主体とした磁性膜を製膜した。
その後、条件を変えたスパッタリング法で、水素ガスを
導入させることにより厚さ１００Åの３種のカーボン保
護膜を形成した。次に、潤滑剤としてＡｕｓｉｍｏｎｔ
社製のＦｏｍｂｌｉｎ Ｚ−ＤＯＬ−２０００をスピン
コートして１５〜２０Åの潤滑層を形成した。これに、
波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線を照射時間を変化
させて照射した。
直径９５ｍｍのアルミニウム合金基板を、０．３μｍの
多結晶ダイヤを含む研磨液を用いて表面粗さＲａが１ｎ
ｍになるように表面研磨した。この基板に、スパッタリ
ング法でＣｏＮｉＣｒを主体とした磁性膜を製膜した。
その後、条件を変えたスパッタリング法で、水素ガスを
導入させることにより厚さ１００Åの３種のカーボン保
護膜を形成した。次に、潤滑剤としてＡｕｓｉｍｏｎｔ
社製のＦｏｍｂｌｉｎ Ｚ−ＤＯＬ−２０００をスピン
コートして１５〜２０Åの潤滑層を形成した。これに、
波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線を照射時間を変化
させて照射した。
【００１９】得られた磁気ディスクをフーリエ変換赤外
分光法によって潤滑剤の量を測定した後、ハイドロクロ
ロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ２２５）に浸漬し、３分
後に引き上げて溶媒を揮発させた後再度潤滑剤の量を測
定して結合比率を求めた。その結果を図１に示す。図１
から判るように製造条件毎に照射すべき時間を予め設定
しておけば製品の潤滑剤結合比率を一定にすることがで
きる。
分光法によって潤滑剤の量を測定した後、ハイドロクロ
ロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ２２５）に浸漬し、３分
後に引き上げて溶媒を揮発させた後再度潤滑剤の量を測
定して結合比率を求めた。その結果を図１に示す。図１
から判るように製造条件毎に照射すべき時間を予め設定
しておけば製品の潤滑剤結合比率を一定にすることがで
きる。
【図１】実施例で得られた紫外線照射時間と結合比率の
関係を示すグラフ
関係を示すグラフ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に下地層、磁性層および保護層を
積層した後潤滑剤を塗布する磁気記録媒体の製造方法に
おいて、潤滑剤を塗布した後不活性ガス雰囲気下に紫外
線を照射して潤滑剤の保護層への結合比率を３０〜７０
％とすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10226816A JP2000057564A (ja) | 1998-08-11 | 1998-08-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10226816A JP2000057564A (ja) | 1998-08-11 | 1998-08-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000057564A true JP2000057564A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=16851060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10226816A Pending JP2000057564A (ja) | 1998-08-11 | 1998-08-11 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000057564A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527317A (ja) * | 2004-03-02 | 2007-09-27 | ヴィナイ ジー サクラニ | 易滑性表面を有する改良された物品およびその製造方法 |
| JP2009505084A (ja) * | 2005-08-19 | 2009-02-05 | ランデスティフトゥング バーデン−ヴュルテンベルク ゲーエムベーハー | 光への暴露による潤滑 |
| US8084103B2 (en) | 2006-08-15 | 2011-12-27 | Sakhrani Vinay G | Method for treating a hydrophilic surface |
| US8124207B2 (en) | 2004-03-02 | 2012-02-28 | Sakhrani Vinay G | Article with lubricated surface and method |
| US9133412B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-09-15 | Tribofilm Research, Inc. | Activated gaseous species for improved lubrication |
-
1998
- 1998-08-11 JP JP10226816A patent/JP2000057564A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007527317A (ja) * | 2004-03-02 | 2007-09-27 | ヴィナイ ジー サクラニ | 易滑性表面を有する改良された物品およびその製造方法 |
| JP4747253B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2011-08-17 | ヴィナイ ジー サクラニ | 易滑性表面を有する改良された物品およびその製造方法 |
| US8124207B2 (en) | 2004-03-02 | 2012-02-28 | Sakhrani Vinay G | Article with lubricated surface and method |
| JP2009505084A (ja) * | 2005-08-19 | 2009-02-05 | ランデスティフトゥング バーデン−ヴュルテンベルク ゲーエムベーハー | 光への暴露による潤滑 |
| JP4942750B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2012-05-30 | ランデスティフトゥング バーデン−ヴュルテンベルク ゲーエムベーハー | 光への暴露による潤滑 |
| US8084103B2 (en) | 2006-08-15 | 2011-12-27 | Sakhrani Vinay G | Method for treating a hydrophilic surface |
| US9133412B2 (en) | 2012-07-09 | 2015-09-15 | Tribofilm Research, Inc. | Activated gaseous species for improved lubrication |
| US9315757B2 (en) | 2012-07-09 | 2016-04-19 | Tribofilm Research, Inc. | Activated gaseous species for improved lubrication |
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