JP2000057563A

JP2000057563A - 磁気記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP2000057563A
Application number: JP10222566A
Authority: JP
Inventors: Masashi Fujiwara; 正志藤原; Nobuhide Hotta; 延秀堀田
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1998-08-06
Filing date: 1998-08-06
Publication date: 2000-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】磁気ディスク表面にスクラッチを発生させる
ことなく、スパッタリング中の成膜用成分粉等の微少異
物を完全に除去し、記録再生エラーのない高精度の磁気
記録媒体の製造方法の提供。【解決手段】ディスク基板上に、下地層、磁性層およ
び保護層を順次形成した後表面をテープクリーニングし
て磁気記録媒体を製造する方法において、保護層を形成
した後ディスク表面を１０〜３００秒間水と接触せし
め、次いで水切りをした後、テープクリーニングを行な
うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体の製造
方法に関し、更に詳しくは、磁気ディスク等の磁気記録
媒体の製造において、スクラッチを発生することなく表
面に異物の付着のない精度の高い磁気記録媒体を製造す
る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
しては、アルミニウム合金基板にアルマイト処理やＮｉ
−Ｐメッキ等の非磁性メッキ処理を施して下地層を形成
した非磁性基板に、Ｃｒ等の中間層を形成し、次いで、
Ｃｏ系合金の磁性薄膜層を被覆し、更に炭素質の保護膜
を成膜したものが広く使用されている。

【０００３】磁気ディスクは、ディスクドライブ装置に
装着して高速で回転させることによって磁気ヘッドを浮
上させ、浮上した状態で磁気ディスク面上を走査させて
磁気ディスクへの情報の書き込み／読み出しが行なわれ
ている。近年、磁気ディスクの高記録密度化の要求に伴
い、磁気ディスクはその線記録密度およびトラック密度
が高くなり、１ビット当たりの面積が小さくなってい
る。このような高記録密度下で良好な磁気記録再生を行
うためには、磁気ヘッドと磁気ディスクとの浮上量を記
録密度の向上に伴って小さくする必要がある。

【０００４】このため、磁気ディスクの表面は高度の平
滑性が要求され、異物の付着等によって突起が発生する
と微少粒子であってもヘッドと接触してヘッドクラッシ
ュの原因となる。また、スクラッチ等が発生すると記録
再生のエラーとなる。従って、保護膜の成膜時に発生す
るカーボン等の保護膜材料を主体とする異物の磁気ディ
スク表面付着を除去する研磨テープ等を用いたテープク
リーニングが行なわれている。しかし、従来のテープク
リーニング方式は、磁気ディスクの表面の研磨中に磁気
ディスク表面に表面傷（スクラッチ）が発生するという
問題があった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、磁気ディス
ク表面にスクラッチを発生させることなく、スパッタリ
ング中に付着した成膜用成分粉等の微少異物を完全に除
去し、記録再生エラーのない高精度の磁気記録媒体を製
造する方法を提供するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明はかかる課題を解
決するために鋭意検討をした結果なされたもので、ディ
スク基板上に、下地層、磁性層および保護層を順次形成
した後表面をテープクリーニングして磁気記録媒体を製
造する方法において、保護層を形成した後ディスク表面
を１０〜３００秒間水と接触せしめ、次いで水切りをし
た後、テープクリーニングを行なうことを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法を提供するものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明における磁気記録媒体の製
造方法は、ディスク基板上に下地層、磁性層および保護
層を形成して磁気記録媒体とするものであって、磁気記
録媒体の材料構成は特に制限されるものではないが、通
常、次の方法によって形成される。ディスク基板として
非磁性基板が用いられ、非磁性基板としては、セラミッ
ク基板、ガラス基板やアルミニウム合金基板、シリコン
基板、チタン基板等の金属基板、カーボン基板、あるい
は、樹脂基板等が用いられる。これらの基板には、非磁
性の下地層が設けられる。この場合、下地層としては、
ＮｉＰ合金またはＮｉ−Ｃｕ−Ｐ合金層が好ましく、通
常、無電解メッキ法またはスパッタリング法により形成
される。下地層の厚みは、好ましくは５０〜２０，００
０ｎｍ、特に好ましくは１００〜１５，０００ｎｍであ
る。

【０００８】この基板は、その表面をポリッシュ加工し
た後、テキスチャ加工を施し、特定の凹凸と条痕パター
ンを形成するのが一般的である。ポリッシュ加工は、例
えば、表面に遊離砥粒を付着して浸み込ませたポリッシ
ュパッドの間に基板を挟み込み、界面活性剤研磨液を補
給しながら実施される。通常の場合、ポリッシュ加工に
より、基板の表面層を２〜５μｍ程度ポリッシュし、表
面を平均表面粗さＲａが５０Å以下、望ましくは３０Å
以下に鏡面仕上げする。

【０００９】テキスチャ加工は、研磨テープと研磨用砥
粒を用いて機械的に表面を研磨したり、レーザ等のエネ
ルギービームを照射して微小凹凸を設けたり、スパッタ
リングやエッチングにより凹凸を設ける等、種々の方法
が提案されている。本発明の製造方法において、テキス
チャ加工の方法に制限はないが、微小でかつ精度の高い
加工痕を形成できる方法が好ましい。

【００１０】下地層の上に磁性層が形成されるが、磁性
層の形成に先立ち、Ｃｒ層またはＣｕ層等の中間層を磁
性層と下地層との間に設けるのが好ましく、この場合、
中間層の膜厚は、通常２０〜２００ｎｍ、好ましくは５
０〜１００ｎｍである。磁性層は、通常、Ｃｏ−Ｃｒ、
Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−
Ｗ−Ｘ等で表されるコバルト系強磁性合金薄膜によって
構成される。ここでＸとしては、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃ
ａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍ
ｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、ＥｕおよびＢよりなる群より選ばれた１種または２
種以上の元素が用いられる。磁性層は、通常、無電解メ
ッキ法、電気メッキ法、蒸着法またはスパッタリング法
により形成される。磁性層の厚さは、通常、約１００〜
１０００Åの範囲である。

【００１１】磁性層を形成した後保護膜を成膜する。保
護膜としては蒸着、スパッタリング、プラズマＣＶＤ、
イオンプレーティング、湿式法等の方法により、炭素
膜、水素化カーボン膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物膜、
ＳｉＮ、ＴｉＮ等の窒化膜、ＳｉＯ、ＡｌＯ、ＺｒＯ等
の酸化物膜等が成膜される。これらのうち特に好ましく
は、炭素膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、水
素化窒素化カーボン膜等のカーボン系材質である。

【００１２】水素化カーボン膜は、水素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガス（通常
は、アルゴンなどの不活性ガスを用いる。）と水素ガス
を含むプラズマ中でスパッタリングする方法により形成
することができる。スパッタ雰囲気中の水素の含有量
は、通常、２〜２０体積％である。

【００１３】窒素化カーボン膜は、窒素と炭素を含有す
る膜であればよく、特に限定されるものではなく、例え
ばカーボンターゲットを用いて、スパッタガスと窒素ガ
ス、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、アンモニアガス
などの窒素含有ガスあるいは空気などの窒素ガス含有ガ
スを含むプラズマ中でスパッタリングすることにより形
成することができる。例えば、空気を用いた場合、スパ
ッタ雰囲気中の空気の含有量は、通常、２〜２０体積％
である。

【００１４】また、例えば、スパッタガス中に水素ガス
および窒素（含有）ガスを同時に混入させることによ
り、水素化と窒素化をしたカーボン膜を形成することも
できる。保護層の厚さは、通常、約３０〜７００Å、
好ましくは約５０〜５００Åの範囲である。保護層が形
成された後テープクリーニングが行なわれるが、本発明
においては、保護層が形成されたディスクを水と接触せ
しめる処理が行なわれる。

【００１５】水との接触処理は、噴霧、浸漬などによっ
て行なうことができる。接触時間は１０〜３００秒の範
囲とされる。水と１０秒以上接触させることによって続
いて行なわれるテープクリーニングの際のスクラッチの
発生を軽減することができる。１０秒未満ではスクラッ
チの防止効果が充分でなく、３００秒を越えると水膜が
厚くなり研削されにくくなると共に品質低下が生じる。
また、生産の効率上から長時間の処理は望ましくはな
く、従って、接触時間は１０〜６０秒程度が好ましい。

【００１６】水と接触させたディスクは水切りを行な
う。水切りは、ディスクを水から引き上げた状態で水分
がなくなるまで静置することによって行なうことができ
る。また、ディスクを回転機構に装着して回転させるス
ピン法によって行なうことができる。水切りは、外観上
乾燥状態となるまで行なわれる。水切りの行なわれたデ
ィスクは、テープクリーニングが行なわれる。テープク
リーニングの方法は特に限定されるものではないが例え
ば次の方法によって行なうことができる。

【００１７】図１に示されるようにディスク１は、その
中心の開口１ａがスピンドル先端のチャック（図示略）
にチャックされ、軸芯回りに例えば２８００ｒｐｍ程度
で回転される。このディスク１の板面に添って研磨テー
プ２が例えば４ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度で送られる。研
磨テープ２としては、通常、ポリエチレンテレフタレー
ト製、ポリアミド製等のフィルム上に粒径０．３〜３μ
ｍのアルミナ粒子、ＳｉＣ粒子等の研磨砥粒を担持した
研磨テープが用いられる。例えば、日本ミクロコーティ
ング株式会社製の“ＡＷＡ８０００ＦＮＹ”、“ＡＷ
Ａ８０００ＮＡ１−Ｃ”等を用いることができる。

【００１８】図１では、ディスク１は時計方向に回転
し、研磨テープ２は下方に送られている。この研磨テー
プ２の隣接位置にエアーボックス３が配置される。この
エアーボックス３には、図２に示すように研磨テープ２
との対向面にスリット４が設けられており、エアーフィ
ードパイプ５からエアーボックス３内に供給されたエア
ーが該スリット４から流出し、このエアー圧によって研
磨テープ２がディスク１の板面に軽く押し付けられる。

【００１９】こうして、スパッタリング操作中に成膜用
の材質粉が付着したりした異物の除去が行なわれる。テ
ープクリーニングされた磁気ディスクは、通常、保護層
の表面に潤滑剤層が設けられる。潤滑剤としては、例え
ば、フッ素系液体潤滑剤が使用され、通常、ディップコ
ート法、スピンコート法、スプレーコート法等により、
保護層の表面に形成される。潤滑剤層の厚さは、通常、
約５〜５０Åの範囲である。

【００２０】

【実施例】無電解メッキ法によりＮｉＰメッキ被覆した
直径９５ｍｍのアルミニウム合金基板を、０．３μｍの
多結晶ダイヤを含む研磨液を用いて表面粗さＲａが１ｎ
ｍになるように表面研磨した。この基板に、スパッタリ
ング法でＣｏＮｉＣｒを主体とした磁性膜を製膜した。

【００２１】その後、スパッタリング法で、水素ガスを
導入させることにより厚さ１００Åのカーボン保護膜を
形成した。次に、０．１μｍのフィルターを通した超純
水中に浸漬時間を変えて浸漬した後スピンドライ法で水
切りをし、次いで図１の装置を用いてテープクリーニン
グをした。得られたディスクを光学顕微鏡を用いて１６
００倍の倍率で観察をしてスクラッチの発生を検査し
た。水との接触処理を行なわない場合の結果と合せてそ
の結果を図３に示す。水との接触時間が１０秒以上では
スクラッチの発生が極めて少ないことが判る。

【図面の簡単な説明】

【図１】テープクリーニングの方法を示す部分斜視図。

【図２】エアーボックスを示す斜視図。

【図３】実施例における結果を示すグラフ。

【符号の説明】

１磁気ディスク２研磨テープ３エアーボックス４スリット

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ディスク基板上に、下地層、磁性層およ
び保護層を順次形成した後表面をテープクリーニングし
て磁気記録媒体を製造する方法において、保護層を形成
した後ディスク表面を１０〜３００秒間水と接触せし
め、次いで水切りをした後、テープクリーニングを行な
うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】保護層がカーボン系材質よりなる請求項
１記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】保護層を形成したディスクを、水中に浸
漬することによって、水と接触せしめる請求項１または
２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】水と接触せしめたディスクを回転させる
ことにより水切りを行なう請求項１〜３いずれかに記載
の磁気記録媒体の製造方法。