JP2001209932A

JP2001209932A - 情報記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JP2001209932A
Application number: JP2000182603A
Authority: JP
Inventors: Manabu Nakamichi; 学中道; Akitoshi Tsutsumi; 晶俊堤
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1999-11-17
Filing date: 2000-06-19
Publication date: 2001-08-03

Abstract

(57)【要約】【課題】エラーが少なく、ヘッドの浮上特性に優れた
情報記録媒体を歩留まり良く製造する方法を提供する。【解決手段】ディスク基板又はディスクのクリーニン
グ工程と該クリーニング後の洗浄工程とを含んでなるデ
ィスク状情報記録媒体の製造方法において、洗浄工程で
は、クリーニング後のディスクを回転させつつ、該ディ
スク表面に、１０００〜５０００ｒｐｍの回転数で、か
つ、ディスク表面の走行方向と相対的に逆の走行方向と
なるように回転させたスクラブを接触させ洗浄を行う情
報記録媒体の製造方法

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録装置に用い
る磁気ディスクなどの情報記録媒体の製造方法に関し、
より詳しくは、エラーが少なく、ヘッドの浮上特性に優
れた情報記録媒体を歩留まり良く得るための方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、情報記録媒体としては、磁気
ディスク装置をはじめとする磁気記録装置に用いる磁気
ディスクなどの磁気記録媒体、光ディスクや光磁気ディ
スクなどの光記録媒体、などが用いられている。磁気デ
ィスク装置をはじめとする磁気記録装置は、従来よりコ
ンピュータの外部記憶装置として用いられているが、近
年、動画像の録画装置やセットトップボックスなどにも
その適用範囲が拡大され、その重要性が増すと共に、数
十〜数百ギガバイトレベルへの大容量化が図られてい
る。また、磁気記録装置のコストダウンの一手法とし
て、磁気記録装置一台あたりの磁気記録媒体や磁気ヘッ
ドの数を少なくする傾向がある。これに伴い、磁気記録
媒体一枚（一面）あたりの記録密度の急速な向上が図ら
れている。

【０００３】磁気記録装置の一種である固定磁気ディス
ク装置は一般的に、磁気ディスクと、これを回転駆動す
る駆動部と、磁気ヘッド及びその駆動手段と、磁気ヘッ
ドの記録再生手段からなる。磁気ディスクの代表的な層
構成を以下に示す。通常、磁気ディスクの基板として
は、非磁性のものが用いられ、一般的には、ＡｌやＡｌ
Ｍｇ系合金からなるアルミニウム基板と、ガラス、セラ
ミクス、カーボン、シリコンなどからなる非金属基板に
大別される。アルミニウム基板は、精密な機械加工に適
すること、安価であること、などを特長とし、直径３．
５インチ用磁気記録媒体などの基板に広く採用されてい
る。

【０００４】通常の場合、これらの基板は、所定の厚さ
に加工後その表面を鏡面加工したのち、非磁性金属、例
えばＮｉ−Ｐ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ合金等を無電解メッ
キ処理等により約５〜２０μｍの膜厚で成膜して表面層
を形成させた後使用される。基板上に形成した表面層に
は必要に応じてテキスチャー加工を施し、微細な溝又は
凸凹を精度良く加工形成し、特定の表面粗さに仕上げた
表面加工層とする。このテキスチャー加工により、磁性
層が磁気異方性を持ち、磁気ヘッドと磁気記録媒体との
吸着が防止でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁気
異方性が良好となる。

【０００５】一方、ガラスに代表される非金属基板は、
磁気ディスクの小径化、薄板化に適する高い機械的硬度
を有することを特長とし、近年、特に直径２．５インチ
以下のサイズの小型の磁気ディスク装置に登載される磁
気記録媒体の基板として採用されている。これらアルミ
ニウム基板、ガラス基板のいずれも、その上に形成され
る層構成の基本的な部分は同じであり、通常、下地層、
磁性層、保護層、潤滑層等が形成される。

【０００６】さて、磁気ディスク表面に所定以上の高さ
の突起があったり異物やゴミが存在するとエラーの発生
につながり、また磁気ヘッドのクラッシュを引き起こし
良好なヘッド浮上特性が得られないため、磁気ディスク
の製造工程には、表面を洗浄したり異常突起を除去する
クリーニング工程を複数設けるのが通常である。具体的
には、基板のテキスチャー処理後の研磨砥粒や削りかす
除去のためのクリーニング工程、電気分解後の電解液除
去のためのクリーニング工程、保護層形成後に行われる
微小突起を除去するクリーニング工程等を挙げることが
できる。クリーニングの方法には、超純水によるシャワ
ーリング、浸漬洗浄、或いは、回転するディスク表面に
研磨粒子を担持した、又は担持しない研磨テープを接触
させるテープクリーニング等が用いられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このようなクリーニン
グ工程において異物や突起は、洗浄液とともに流れる、
テープに絡まる、ディスクの回転により飛ばされる等に
よってディスク表面から除去される。しかし、磁気ディ
スクの高記録密度化に伴い微小な異物や突起の存在も許
容されなくなってきている。例えば、高記録密度化に伴
い微小異物でもエラーが発生しやすくなり、また磁気ヘ
ッドの浮上高さが低くなり、微小異物や微小突起であっ
てもヘッドの浮上特性を悪化させる要因となる。すなわ
ち、除去すべき異物の大きさも非常に小さくなりつつあ
る。しかしながら、異物は小さくなるほどディスク表面
からスムースに離れずに付着しやすく、その除去は困難
になってきている。この現象は特にディスクを回転させ
ながら行うテープクリーニング、中でも保護層表面のテ
ープクリーニング処理時に顕著である。

【０００８】本発明者らの分析によると、ディスク表面
に残留しているのは、極微小の、例えばサブミクロン以
下の研磨粉やクリーニングテープの材料などであること
がわかった。加えて、保護層表面のテープクリーニング
では、スパッタリングやＣＶＤなどの成膜時に付着した
微小成膜粉等も残留していることが分かった。また、こ
れら異物はディスク表面に静電気吸着や表面組成物質と
の化学吸着を起こしており、単なる液体への浸漬だけで
は除去が困難であることが分かった。そして、これら微
小な異物が磁気ディスクの欠陥原因となり、ヘッド浮上
特性（グライド特性）などが悪化するのである。以上に
鑑み、本発明は、クリーニング工程で発生するこれら異
物を効果的に除去し、エラーが少なく、ヘッドの浮上特
性に優れた情報記録媒体を歩留まり良く製造する方法を
提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は上記問題点
を解決すべく鋭意検討した結果、上記の微小な異物はク
リーニング処理後、ロールスクラブによる特定条件の洗
浄処理で効率よく除去できることを見出し、本発明に到
達した。すなわち、本発明の要旨は、ディスク基板又は
ディスクのクリーニング工程と該クリーニング後の洗浄
工程とを含んでなるディスク状情報記録媒体の製造方法
において、洗浄工程では、クリーニング後のディスクを
回転させつつ、該ディスク表面に、１０００〜５０００
ｒｐｍの回転数で、かつ、ディスク表面の走行方向と相
対的に逆の走行方向となるように回転させたスクラブを
接触させ洗浄を行うことを特徴とする情報記録媒体の製
造方法に存する。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明は、磁気ディスク、光ディ
スク等円盤状の基板上に記録層等を形成した情報記録媒
体の製造に適用される。特に、記録密度が高く、記録・
再生ヘッドの浮上量が小さく、記録媒体表面の平滑性が
要求される情報記録媒体の製造に適するものである。な
お、本発明においてディスクとは、記録層を形成するた
めの基板から、各種の処理、下地層、記録層、保護層等
が形成されて製品となるまでの各段階におけるものを総
称するものとする。

【００１１】本発明における情報記録媒体の構造は、円
盤状の基板に記録層等を形成するものであればいかなる
構造であってもよいが、磁気ディスクを例にとって一般
的構造を説明すれば次の構造とされる。基板としては、
アルミニウム合金、ガラス、カーボン、セラミック、樹
脂、及びそれらの複合材などを用いることができる。例
えばアルミニウム合金からなるディスク基板を所定の厚
さに加工した後、その表面を鏡面加工してからディスク
表面に非磁性金属、例えばＮｉ−Ｐ合金またはＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｐ合金等を無電解メッキ処理等により約５〜２０μ
ｍ程度の膜厚に成膜して表面層を形成したものが用いら
れる。このディスクは、その表面をポリッシュ加工した
後、テキスチャー加工を施し、特定の条痕パターンを形
成するのが一般的である。

【００１２】ポリッシュ加工は、例えば、表面に遊離砥
粒を付着して浸み込ませたポリッシュパッドの間にディ
スクを挟み込み、界面活性剤研磨液を補給しながら実施
される。通常の場合、ポリッシュ加工により、ディスク
の表面層を２〜５μｍ程度ポリッシュし、表面を平均表
面粗さＲａが５ｎｍ以下、望ましくは３ｎｍ以下、より
望ましくは２ｎｍ以下に鏡面仕上げする。ポリッシング
加工は、アルミナ砥粒、ダイヤモンド砥粒、炭化珪素砥
粒等を通常はスラリーとして用いて行われる。またポリ
ッシュパッドとしてはウレタンフォーム系のものが広く
用いられている。例えばフジミインコーポレーテッド社
より、「ポリプラ７００」、「ポリプラ１０３」等の商
品名で市販されているスラリー状砥粒と、同じく同社か
ら「Ｓｕｒｆｉｎ１００」、「ＳｕｒｆｉｎＸＸＸ
−５」等の商品名で市販されているポリッシュパッドを
用いて、ポリッシング加工を行うことができる。

【００１３】続いて必要に応じてテキスチャー加工を施
し、微細な溝又は凸凹を精度良く加工形成し、特定の表
面粗さに仕上げた表面加工層とする。このテキスチャー
加工により、磁気ヘッドと磁気記録媒体との吸着が防止
でき、且つＣＳＳ特性が改善され、更に磁気異方性が良
好となる。テキスチャー加工は、平均粒径０．１〜２．
０μｍ程度のダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒等を担持
させた研磨テープを、回転している磁気ディスク用基板
に押圧して、平均表面粗さＲａが２ｎｍ以下となり、か
つ交差角度が１０度以下の刻条が形成されるように研磨
すればよい。平均表面粗さＲａは１．５ｎｍ以下、特に
１ｎｍ以下となるようにするのが好ましく、また交差角
度は５度以下となるようにするのが好ましい。このテキ
スチャ加工により、磁気ディスク用基板面の微細なうね
りや凹凸、ポリッシュ痕などを除去することができる。

【００１４】更に、この表面加工層上には下地層を形成
した後、磁性層を被着形成する。下地層は、通常はスパ
ッタリング法により、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金
属又はこれらを主成分とする合金からなる層を成膜する
ことにより形成される。特に好ましくはＣｒ又はＣｒ合
金である。Ｃｒ合金はＣｒを５０原子％以上含むもので
あって、Ｃｒ_100-b Ｘ_b（ただし、ＸはＭｏ、Ｗ、Ｔｉ
から選ばれる１種以上であり、２≦ｂ≦５０とする）か
らなることが望ましい。下地層の厚さは、通常５〜２０
０ｎｍとする。基板としてガラスを用いる場合には、ガ
ラス基板と上記下地層とのあいだに、更にＮｉＡｌ、Ｎ
ｉＣｒＺｒ、ＮｉＡｌＣｒ、ＣｏＣｒＺｒなどからなる
別の下地層を用いることで、磁性層のさらなる高保磁力
化を図ることができる。特に、Ｎｉ_a Ａｌ_100-a（ただ
し、４５≦ａ≦５５）を主成分とする膜であることが望
ましい。なお、主成分とは、通常、８０原子％以上を占
めることを言う。厚さは、通常５〜２００ｎｍとする。

【００１５】磁性層は、通常、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎ
ｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｘ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｘ、Ｃｏ−Ｗ−Ｘ等
で表わされるコバルト系強磁性合金薄膜によって構成さ
れる。ここでＸとしては、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃａ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒ
ｕ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｂ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅ
ｕおよびＢよりなる群より選ばれた１種または２種以上
の元素が用いられる。好ましくはＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣ
ｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、
ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＢＴａ、
ＣｏＳｍなどである。

【００１６】磁性層は、通常、無電解メッキ法、電気メ
ッキ法、蒸着法またはスパッタ法により形成される。磁
性層の厚さは、好ましくは、約１０〜１００ｎｍの範囲
であり、より好ましくは５〜６０ｎｍの範囲である。保
護層は、炭素膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜
などの炭素質膜、炭化チタン、炭化ケイ素等の炭化膜、
窒化ケイ素や窒化チタン等の窒化膜、酸化ケイ素、酸化
アルミニウム、酸化ジルコニウム等の酸化物膜等によっ
て構成されるが、特に炭素膜、水素化カーボン膜及び窒
素化カーボン膜などの炭素質膜からなる保護層が好まし
い。保護層は、通常、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタ法、
イオンプレーティング法、湿式法等により形成される。

【００１７】例えば、水素化カーボン膜としては、水素
と炭素を含有する膜であれば良く、特に限定されるもの
ではないが、例えば、カーボンをターゲットとして希ガ
スと水素ガスを含むプラズマ中でスパッタリングするこ
とにより形成される。ここで使用されるターゲットとし
ては、ダイヤモンド状、グラファイト状、又は、アモル
ファス状のカーボンが用いられる。また、希ガスとして
は、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、ラドン、
クリプトン等が挙げられるが、これらのうち、特に、ア
ルゴンが好適に用いられる。アルゴンガス等の希ガスと
水素ガスを含むスパッタリング雰囲気中の水素ガスの含
有量は、通常、２〜２０体積％、望ましくは５〜１０体
積％の範囲である。

【００１８】スパッタリング法としては、通常直流マグ
ネトロンスパッタリング法が採用されるが、高周波マグ
ネトロンスパッタリング法も使用できる。スパッタリン
グ時のチャンバー内の圧力は、通常、０．５〜２０ｍＴ
ｏｒｒ、望ましくは１〜１０ｍＴｏｒｒとされ、基板の
温度は通常３００℃以下であり、望ましくは常温〜２５
０℃の範囲とする。基板とターゲットとの間隔、スパッ
タ時間、投入電力等は、形成する水素化カーボン保護層
の膜厚に応じて適宜決定される。なお、保護層の厚さは
１〜７０ｎｍとするのが好ましく、より好ましくは２〜
５０ｎｍの範囲とする。

【００１９】光記録ディスクに本発明を利用する場合
は、浮上ヘッドを用いて膜面から記録、再生を行なう方
式に適用される。光記録ディスクの基板としては、アク
リル系樹脂、ノルボルネン系などのポリオレフィン樹
脂、液晶ポリマー、ポリカーボネート等が用いられ、こ
れ等の材料からスタンパーを用いてグループ、ピットが
形成された円盤状基板が成形され、基板上に放熱層ある
いは反射層となるＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属膜が
形成される。

【００２０】放熱層の上には、光を干渉させ増幅させる
目的や記録層保護の目的等で誘電体層を設けることがで
きる。この誘電体層としては、酸化物、窒化物、カルコ
ゲン化物、炭化物、フッ化物、およびその混合物などが
用いられる。酸化物としてはＡｌ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔｉ
Ｏ₂等の金属酸化物単独またはこれらの混合物、或いは
Ａｌ−Ｔａ−Ｏの複合酸化物等が挙げられ、また非金属
酸化物としてはＳｉＯ₂ 、ＳｉＯが挙げられる。窒化物
としては、窒化シリコン、窒化アルミニウム等が挙げら
れる。カルコゲン化物としては、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の
カルコゲン化亜鉛、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ等のII−Ｖ族化合
物、Ｌａ₂Ｓ₃、Ｃｅ₂Ｓ₃等の希土類硫化物、ＴａＳ₂、
ＭｇＳ、ＣａＳ等が挙げられる。

【００２１】これらの誘電体層は、反応性スパッタリン
グ、或いは、高周波スパッタリングにより得られる。誘
電体層上に形成する光記録層としては、各種のものを採
用することができ、例えば光磁気記録層、相変化型記録
層あるいは色素型記録層が用いられる。また、層構成と
しても特に制限はなく、各種層構成を採用することがで
きる。

【００２２】光磁気記録層としては、例えばＴｂＦｅ、
ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＴｂＦｅ
Ｃｏ等の希土類と遷移金属との非晶質磁性膜、ＭｎＢ
ｉ、ＭｎＣｕＢｉ等の多結晶垂直磁化膜、Ｐｔ／Ｃｏ多
層膜等が用いられる。光磁気記録層は単層であってもよ
いし、オーバーライトやＭＳＲを可能とするためにＧｄ
ＴｂＦｅ／ＴｂＦｅのように２層以上の磁性層を重ねて
用いてもよい。相変化型記録層としては、例えばＧｅＳ
ｂＴｅやＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴ
ｅといった化合物が使用できる。これらの記録層の膜厚
は、２０〜５０ｎｍ程度とするのが好ましい。

【００２３】この光記録層上には耐候性、高硬度、高滑
性などの性質を備えた誘電体層を保護層として形成す
る。この保護層は、上記の誘電体層と同様のものが用い
られるが、特に記録層の酸化を防止するという意味で、
酸化物は用いないことが望ましい。この保護層の膜厚
は、４０〜１５０ｎｍ程度とするのが好ましい。また、
記録再生ヘッドによる損傷を防ぐために、本保護層上に
さらに上述の炭素質膜からなる保護層を設けることも好
ましい。

【００２４】上述のように各層を形成したのち、例え
ば、研磨テープを用いたテープクリーニング工程を行
う。本発明のテープクリーニングに使用される研磨テー
プとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート製、
ポリアミド製等のフィルム上に粒径０．３〜３μｍのア
ルミナ粒子、ＳｉＣ粒子等の研磨砥粒を担持した研磨テ
ープが用いられる。具体的には、日本ミクロコーティン
グ株式会社製の「ＡＷＡ８０００ＦＮＹ」、「ＡＷＡ８
０００ＮＡ１−Ｃ」等を用いることができる。

【００２５】本発明は、クリーニング後のディスクを回
転させ、洗浄液をシャワーしながら、該ディスク表面に
１０００〜５０００ｒｐｍの回転数で、かつディスク表
面の走行方向と相対的に逆の走行方向となるように回転
させたスクラブを接触させて洗浄を行うことを特徴とす
るものである。また、テキスチャー加工後に洗浄を行っ
ても良い。スクラブの回転数は１０００〜５０００ｒｐ
ｍとする。このスクラブ回転数が１０００ｒｐｍ未満で
は、洗浄後の異物残存量が多くなる。好ましくは１３０
０ｒｐｍ以上とする。一方、５０００ｒｐｍを超えると
スクラブの劣化が著しくなる。好ましくは３０００ｒｐ
ｍ以下とし、さらに好ましくは２０００ｒｐｍ以下とす
る。

【００２６】また、本発明では、ディスク表面の走行方
向を相対的に逆の走行方向となるように回転させたスク
ラブを接触させることを特徴とする。これにより、ディ
スク表面の異物除去効果が飛躍的に大きくするものであ
る。ディスクの回転方向をスクラブの回転方向に対して
相対的同一方向に回転させた場合には、洗浄後の異物残
存量が多くなってしまう。ディスクの回転数としては２
００〜５００ｒｐｍの範囲が好ましい。洗浄されディス
ク表面から遊離した異物を、遠心力によりディスク系外
に飛ばすことにより洗浄性能が向上するため、２００ｒ
ｐｍ以上の高速で回転させるのが好ましい。一方、高速
回転しすぎることで、ディスク駆動ローラーとディスク
とのあいだの摩擦が大きくなり駆動部における発塵が多
くなりディスク上に再付着しやすくなるため、５００ｒ
ｐｍ以下とするのが好ましい。

【００２７】スクラブとしてはロールスクラブを用い、
材質としては、耐久性、耐薬品性が良好なクズが出にく
いものが好適に用いられる。また、静電気吸着している
異物を除去するためには導電材であることが好ましい。
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）なども使用可能である
が、好ましい材質は、ポリウレタン系の複合材のスポン
ジ系材料である。ディスクとスクラブとは、上述の高速
回転状態以外の、静止状態或いは低速回転状態では接触
しないことが望ましい。従来、ロールスクラブ自身でデ
ィスクを挟持して、ディスクの保持、搬送を行う方式が
用いられていたが、静止状態或いは低速回転状態で接触
すると、スクラブに付着した異物やスクラブ材料がディ
スクに再付着する可能性がある。従って、ロールスクラ
ブとは別に、ディスク搬送ローラー等の保持具によりデ
ィスクの保持、搬送を行うのが好ましい。このとき、デ
ィスクの外周側で保持を行うのが好ましい。内周側で保
持すると、ディスクと保持具との間に異物が残留し、デ
ィスク表面に再付着する可能性があるからである。

【００２８】また、洗浄を行う際、除電処理を行うと洗
浄の効果をより高めることが出来る。除電処理として
は、導電性のスピンドルを用いて基板のアースを取りな
がら洗浄を行う、除電ブラシや導電性部材から構成され
る除電ローラー（図１（ａ））等の部材をディスクに接
触させながら帯電しにくいスクラブを用いて洗浄を行
う、電気抵抗の小さい洗浄液を用いる等を挙げることが
でき、これらを複数組み合わせて使うと除電効果は大き
くなる。洗浄液の電気抵抗は低い方が良いが、液自身が
磁気ディスクに悪影響を及ぼす可能性があるため、電気
抵抗の小さい純水が好ましい。具体的な電気抵抗値とし
ては１０Ω〜１ＭΩが好ましい。このような純水は、図
１（ｂ）に示すように、混合ノズルに純水と二酸化炭素
を供給し、炭酸純水とすることによって得ることが出来
る。このような洗浄液は、ロールスクラブによる洗浄の
みならず、他の洗浄方法においても異物の除去効率が高
くなるという効果がある。洗浄液の供給量を多くするこ
とで洗浄性能が向上するが、所定以上流量を多くしても
それ以上洗浄性能はあがらずコストが高くなるだけであ
るので、供給量は１．５〜３リットル／分が好ましい。
また、洗浄液の供給時間（シャワー時間）は長くするこ
とで洗浄性能が向上するが、所定以上長くしてもそれ以
上洗浄性能は上がらずコストが高くなるだけであるの
で、供給時間は１０〜３０秒の範囲が好ましい。

【００２９】図２は、洗浄装置の例を示す要部正面図で
ある。ディスク１は、複数のディスク搬送ローラー兼除
電ローラー２により外周を支持されている。ロールスク
ラブ３は、その軸をモータ６に接続され、ディスク１の
表面に所定の圧力で接するように支持されている。ま
た、ディスク１の表面及びロールスクラブ３に対して洗
浄液を供給できる位置にノズル５が配置されている。

【００３０】この状態でノズル５から洗浄液を供給しな
がらロールスクラブ３を回転させ、同時に搬送ローラ２
によりディスク１を移動して、ディスク１表面を洗浄す
ることにより、表面の異物除去が効果的に実施できる。
このようにして得られたディスクの表面には、好ましく
は潤滑層を設ける。潤滑層の厚さは約１．５〜５ｎｍの
範囲が好ましい。また、潤滑層形成後に加熱処理を施し
てもよい。加熱温度は５０℃以上であるが、潤滑剤の分
解温度よりも低い温度の範囲で適宜選択すればよい。

【００３１】潤滑剤としてはフッ素系液体潤滑剤が好ま
しい。特には、末端又は側鎖に水酸基を有し、分子骨格
中にフルオロカーボン骨格を有する化合物、例えば、パ
ーフルオロカルボン酸エステル、パーフルオロチオール
カルボン酸エステル、パーフルオロジカルボン酸エステ
ル、パーフルオロカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テル、パーフルオロ安息香酸エステル、カルボン酸パー
フルオロアルキルエステル、ジカルボン酸パーフルオロ
アルキルエステル、カルボン酸パーフルオロアルコキシ
アルキルエステル、パーフルオロカルボン酸アミド、パ
ーフルオロポリエーテル、パーフルオロポリエーテルカ
ルボン酸、パーフルオロポリエーテルアルコール、パー
フルオロポリエーテルエステル等を用いることができ
る。このような潤滑剤としては、例えば、Ａｕｓｉｍｏ
ｎｔ社製のＦｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−ＤＯＬ（商品名）、Ｆ
ｏｍｂｌｉｎ−Ｚ−Ｔｅｔｒａｏｌ（商品名）等が挙げ
られる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて更に詳細に説
明する。（実施例１および比較例１、２）Ｎｉ−Ｐメッキ層を形
成したアルミニウム合金基板に、スパッタリングにより
Ｃｒ８０原子％−Ｍｏ２０原子％の組成のＣｒＭｏ合金
からなる下地層を１６〜１８ｎｍ程度成膜した。続い
て、Ｃｏ６３原子％−Ｃｒ３７原子％の組成のターゲッ
トのスパッタリングを行い、非磁性下地層上に膜厚２〜
９ｎｍの非磁性中間層を形成した。さらに、Ｃｏ７１原
子％−Ｃｒ１６原子％−Ｐｔ８原子％−Ｔａ２原子％−
Ｂ３原子％の組成の磁性層を１５〜１８ｎｍ形成し、さ
らに、ＣＶＤ法により保護層として炭素層を７．５ｎｍ
形成してディスクを作製した。このように形成したディ
スクを、研磨テープを用いてテープクリーニングにより
保護層表面の微小突起及び異物を除去した。

【００３３】このようにして作製した複数の磁気ディス
クに対して、グライド高さ０．５μインチでグライドテ
ストを行い、また光学顕微鏡により表面を観察し、０．
２μｍ以上の大きさの異物数を数えた。さらに、表面の
清浄性を判断するためグライドノイズをそれぞれ測定
し、平均値を表−１に示した（比較例２）。次に、テー
プクリーニング後のディスクに対し、図２に示す装置を
用いてスクラブ洗浄を行った。搬送ローラー２として除
電ローラーを用いた。洗浄液としては、純水にＣＯ₂ガ
スを吹込んで導電化したものを用いた。洗浄液の電気抵
抗は２００００Ωであった。洗浄液の供給量は２リット
ル／分、シャワー時間は１１秒とした。

【００３４】まず、実施例１として、３５０ｒｐｍで回
転するディスク表面に、２０００ｒｐｍの回転数で、か
つ、ディスク表面の走行方向と相対的に逆の走行方向と
なるように回転させたスクラブを接触させ洗浄を行っ
た。スクラブ材質はポリウレタン系の複合材からなるス
ポンジ材とした。また、比較例１として、８０ｒｐｍで
回転するディスク表面に、７５０ｒｐｍの回転数で、か
つ、ディスク表面の走行方向と相対的に同じ走行方向と
なるように回転させたスクラブを接触させ洗浄を行っ
た。スクラブ材質はポリビニルアルコールのスポンジ材
とした。洗浄後の複数の磁気ディスクに対して、グライ
ド高さ０．５μインチでグライドテストを行い、また光
学顕微鏡により表面を観察し、０．２μｍ以上の大きさ
の異物数を数えた。さらに、表面の清浄性を判断するた
めグライドノイズをそれぞれ測定し、平均値を表−１に
示した（実施例１、比較例１）。実施例１によれば、デ
ィスク表面に残留する異物数が少なく、ノイズレベルも
小さく、ヘッド浮上特性に優れた磁気ディスクが高い歩
留まりで得られた。

【００３５】

【表１】

【００３６】（実施例２）Ｎｉ−Ｐメッキ層を形成し後
テキスチャー加工処理を施したアルミニウム合金ディス
ク用基板を、図２に示す装置を用いてスクラブ洗浄を行
った。搬送ローラー２として除電ローラーを用いた。洗
浄液としては、純水にノニオン系界面活性剤、もしくは
アニオン系界面活性剤を１wt%から５wt%溶かしたものを
用いた。まず、次の条件で洗浄を行った。スクラブロー
ルとしてポリウレタン系の複合材からなるスポンジ材を
用い、スクラブロールの回転数は２０００ｒｐｍとし
た。ディスクの回転数は３００ｒｐｍとし、スクラブロ
ールのディスクへの押圧力は１３０ｇ／ｃｍ²とした。
洗浄水量は２リットル／分で、スクラブロールによる擦
り洗浄を１５秒間行った。その後、スクラブロールをデ
ィスク面から離し、洗浄水量１．５リットル／分でディ
スクを５秒間シャワー洗浄した。

【００３７】その後更に次の条件で洗浄を行った。スク
ラブロールとしてポリビニールアルコールのスポンジ材
を用い、スクラブロールの回転数を７５０ｒｍｐとし
た。ディスクの回転数を８０ｒｐｍとし、スクラブロー
ルのディスクへの押圧力は１３０ｇ／ｃｍ²とした。洗
浄液としては、純水にＣＯ₂ガスを吹き込んで導電化し
たものをもちいた。洗浄液の電気抵抗は２００００Ω
であった。洗浄水量は０．７５リットル／分で、スクラ
ブロールによる擦り洗浄を１５秒間行った。その後スク
ラブロールをディスクから離し、洗浄水量１．５リット
ル／分でディスクを１０秒間シャワー洗浄した。次に、
１ＭＨｚの周波数、１．５リットル／分の水量でメガソ
ニックシャワー洗浄を１０秒間行った。その後、４５０
０ｒｐｍで８秒間スピンドライを行った。得られたディ
スク表面を光学顕微鏡により観察し、０．２μｍ以上の
大きさの異物を数えた。異物の観察は１０枚のディスク
について行い、ディスクの１面あたりの異物数を求め
た。

【００３８】次にスパッタリング法によりＣｒ８０原子
％−Ｍｏ２０原子％の組成のＣｒＭｏ合金からなる下地
層を１６〜１８ｎｍ程度成膜した。続いて、Ｃｏ６３原
子％−Ｃｒ３７原子％の組成のターゲットのスパッタリ
ングを行い、ＣｏＣｒ系合金中間層を２〜９ｎｍ形成し
た。さらに、Ｃｏ７１原子％−Ｃｒ１６原子％−Ｐｔ８
原子％−Ｔａ２原子％−Ｂ３原子％の組成の磁性層を１
５〜１８ｎｍ形成し、さらに、ＣＶＤ法により保護層と
して炭素層を５ｎｍ形成した。研磨テープを用いてテー
プクリーニングをした後、潤滑膜を形成した。このよう
にして作製した複数枚の磁気ディスクに対して、グライ
ド高さ０．４μインチでグライドテストを行い、グライ
ド歩留りとグライドノイズを求めた。また、トラックピ
ッチ１０μｍでサーティファイテストを行いサーティフ
ァイ歩留りをもとめた。

【００３９】（実施例３）Ｎｉ−Ｐメッキ層を形成し後
テキスチャー加工処理を施したアルミニウム合金ディス
ク用基板を、図２に示す装置を用いてスクラブ洗浄を行
った。搬送ローラー２として除電ローラーを用いた。洗
浄液としては、純水にノニオン系界面活性剤、もしくは
アニオン系界面活性剤を１wt%から５wt%溶かしたものを
用いた。まず、次の条件で洗浄を行った。スクラブロー
ルとしてポリウレタン系の複合材からなるスポンジ材を
用い、スクラブロールの回転数は２０００ｒｐｍとし
た。ディスクの回転数は３００ｒｐｍとし、スクラブロ
ールのディスクへの押圧力は１３０ｇ／ｃｍ²とした。
洗浄水量は２リットル／分で、スクラブロールによる擦
り洗浄を１５秒間行った。その後、スクラブロールをデ
ィスク面から離し、洗浄水量１．５リットル／分でディ
スクを５秒間シャワー洗浄した。

【００４０】その後更に次の条件で洗浄を行った。スク
ラブロールとしてポリウレタン系の複合材からなるスポ
ンジ材を用い、スクラブロールの回転数は２０００ｒｍ
ｐとした。ディスクの回転数は３００ｒｐｍとし、スク
ラブロールのディスクへの押圧力は１３０ｇ／ｃｍ²と
した。洗浄液としては、純水にＣＯ₂ガスを吹き込んで
導電化したものをもちいた。洗浄液の電気抵抗は２００
００Ωであった。洗浄水量は２リットル／分で、スクラ
ブロールによる擦り洗浄を１５秒間行った。その後スク
ラブロールをディスクから離し、洗浄水量１．５リット
ル／分でディスクを１０秒間シャワー洗浄した。その
後、４５００ｒｐｍの回転数で８秒間スピンドライを行
った。得られたディスク表面を光学顕微鏡により観察
し、０．２μｍ以上の大きさの異物を数えた。これ以降
は実施例２と同じ条件で磁気ディスクを作製、評価を行
った。

【００４１】（比較例３）Ｎｉ−Ｐメッキ層を形成し後
テキスチャー加工処理を施したアルミニウム合金ディス
ク用基板を、図２に示す装置を用いてスクラブ洗浄を行
った。搬送ローラー２として除電ローラーを用いた。洗
浄液としては、純水にノニオン系界面活性剤、もしくは
アニオン系界面活性剤を１wt%から５wt%溶かしたものを
用いた。洗浄液の電気抵抗は２００００Ωであった。ま
ず、次の条件で洗浄を行った。スクラブロールとしてポ
リビニルアルコールのスポンジ材を用い、スクラブロー
ルの回転数は７５０ｒｐｍとした。ディスクの回転数は
８０ｒｐｍとし、スクラブロールのディスクへの押圧力
は１３０ｇ／ｃｍ²とした。洗浄水量は０．７５リット
ル／分で、スクラブロールによる擦り洗浄を２５秒間行
った。その後、スクラブロールをディスク面から離し、
洗浄水量１．５リットル／分でディスクを５秒間シャワ
ー洗浄した。その後、ディスクを１５０秒間超音波洗浄
した。

【００４２】その後更に次の条件で洗浄を行った。スク
ラブロールとしてポリビニールアルコールのスポンジ材
を用い、スクラブロールの回転数は７５０ｒｍｐとし
た。ディスクの回転数は８０ｒｐｍとし、スクラブロー
ルのディスクへの押圧力は１３０ｇ／ｃｍ²とした。洗
浄液としては、純水にＣＯ₂ガスを吹き込んで導電化し
たものをもちいた。洗浄液の電気抵抗は２００００Ωで
あった。洗浄水量は０．７５リットル／分で、スクラブ
ロールによる擦り洗浄を１５秒間行った。その後スクラ
ブロールをディスクから離し、洗浄水量１．５リットル
／分でディスクを１０秒間シャワー洗浄した。

【００４３】次に、１ＭＨｚの周波数、１．５リットル
／分の水量でメガソニックシャワー洗浄を１０秒間行っ
た。その後、４５００ｒｐｍで８秒間スピンドライを行
った。得られたディスク表面を光学顕微鏡により観察
し、０．２μｍ以上の大きさの異物を数えた。これ以降
は実施例２と同じ条件で磁気ディスクの作製、評価を行
った。洗浄後のディスクの表面で観察された異物の数、
作製した磁気ディスクのグライドノイズ、グライド歩留
り、サーティファイ歩留りの結果を表−２に示した。実
施例２、３によれば、ディスク表面に残留する異物数が
少なく、グライドノイズレベルが小さく、ヘッド浮上特
性に優れた磁気ディスクが高い歩留りで得られた。

【００４４】

【表２】

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、クリーニング後のディ
スク表面に付着した微小異物を効率よく除去することが
可能となり、エラーが少なくノイズレベルが低く、また
ヘッドの浮上特性の良好なディスクを歩留まりよく製造
することができる。特に、本発明を成膜後のテープクリ
ーニング工程後に用いると、クリーニングにより発生す
る研磨粉、テープクリーニング後の残存物・付着物を効
率よく除去することができ、効果が大きい。また、本方
法により製造した磁気ディスクと磁気ヘッドを備えた磁
気ディスク装置は、ヘッドクラッシュを起こしにくく、
低フライングハイトを実現することができ、また異物に
よるエラーやノイズが少なく高密度記録を実現すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に適用可能な除電ローラー及び混合ノズ
ルの断面図

【図２】本発明の実施に適したクリーニング装置の一例
を示す図

【符号の説明】

１ディスク２搬送ローラー（除電ローラー）３ロールスクラブ５ノズル６モーター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D075 EE03 FG11 GG16 5D112 AA02 AA24 BA06 GA08 GA11 GA13 5D121 AA02 GG18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ディスク基板又はディスクのクリーニン
グ工程と該クリーニング後の洗浄工程とを含んでなるデ
ィスク状情報記録媒体の製造方法において、洗浄工程では、クリーニング後のディスクを回転させつ
つ、該ディスク表面に、１０００〜５０００ｒｐｍの回
転数で、かつ、ディスク表面の走行方向と相対的に逆の
走行方向となるように回転させたスクラブを接触させ洗
浄を行うことを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
【請求項２】クリーニング工程では研磨テープによる
テープクリーニングを行う請求項１に記載の情報記録媒
体の製造方法。
【請求項３】上記ディスクの回転数が、２００〜５０
０ｒｐｍの範囲である請求項１又は２に記載の情報記録
媒体の製造方法。
【請求項４】上記洗浄に用いる洗浄液の電気抵抗が１
０Ω〜１ＭΩの範囲である請求項１乃至３のいずれかに
記載の情報記録媒体の製造方法。