JPH11134647A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH11134647A JPH11134647A JP29403597A JP29403597A JPH11134647A JP H11134647 A JPH11134647 A JP H11134647A JP 29403597 A JP29403597 A JP 29403597A JP 29403597 A JP29403597 A JP 29403597A JP H11134647 A JPH11134647 A JP H11134647A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気記録媒体上の異物を、磁気ディスクに傷
等の欠陥を生じることなく効果的に除去することができ
る磁気記録媒体の製造方法の提供。 【解決手段】 非磁性基板上に磁性層を形成して磁気記
録媒体を形成する磁気記録媒体の製造方法において、水
蒸気または霧状水滴が含まれる気流中で、基板またはそ
の加工物に低波長レーザーを照射して異物除去を行なう
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
等の欠陥を生じることなく効果的に除去することができ
る磁気記録媒体の製造方法の提供。 【解決手段】 非磁性基板上に磁性層を形成して磁気記
録媒体を形成する磁気記録媒体の製造方法において、水
蒸気または霧状水滴が含まれる気流中で、基板またはそ
の加工物に低波長レーザーを照射して異物除去を行なう
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体の製造
方法に関し、詳しくは、磁気ディスク等の磁気記録媒体
の製造において、表面に異物の付着のないきれいな磁気
記録媒体を製造する方法に関する。
方法に関し、詳しくは、磁気ディスク等の磁気記録媒体
の製造において、表面に異物の付着のないきれいな磁気
記録媒体を製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピュータ等の情報処理技術の
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
しては、アルミニウム合金基板にアルマイト処理やNi
−Pメッキ等の非磁性メッキ処理を施した非磁性基板
に、Cr等の下地層を被覆し、次いで、Co系合金の磁
性薄膜層を被覆し、更に炭素質の保護膜を成膜したもの
が使用されている。この保護膜上には、通常、液体又は
固体の潤滑剤よりなる潤滑剤層が設けられる。潤滑剤層
はヘッドと磁気ディスクとの潤滑性を高める他、保護膜
への不純物等の進入を防止し、結果として耐久性の向上
に寄与する。
発達に伴い、その外部記憶装置として磁気ディスク等の
磁気記録媒体が用いられている。従来、磁気記録媒体と
しては、アルミニウム合金基板にアルマイト処理やNi
−Pメッキ等の非磁性メッキ処理を施した非磁性基板
に、Cr等の下地層を被覆し、次いで、Co系合金の磁
性薄膜層を被覆し、更に炭素質の保護膜を成膜したもの
が使用されている。この保護膜上には、通常、液体又は
固体の潤滑剤よりなる潤滑剤層が設けられる。潤滑剤層
はヘッドと磁気ディスクとの潤滑性を高める他、保護膜
への不純物等の進入を防止し、結果として耐久性の向上
に寄与する。
【0003】磁気ディスクは、ディスクドラブ装置に装
着して高速で回転させることによって磁気ヘッドを浮上
させ、浮上した状態で磁気ディスク面上を走査させて磁
気ディスクへの情報の書き込み/読み出しが行なわれて
いる。近年、磁気ディスクの高記録密度化の要求に伴
い、磁気ディスクはその線記録密度及びトラック密度が
高くなり、1ビット当たりの面積が小さくなっている。
このような高記録密度下で良好な磁気記録再生を行うた
めには、磁気ヘッドと磁気ディスクとの浮上量を記録密
度の向上に伴って小さくする必要がある。
着して高速で回転させることによって磁気ヘッドを浮上
させ、浮上した状態で磁気ディスク面上を走査させて磁
気ディスクへの情報の書き込み/読み出しが行なわれて
いる。近年、磁気ディスクの高記録密度化の要求に伴
い、磁気ディスクはその線記録密度及びトラック密度が
高くなり、1ビット当たりの面積が小さくなっている。
このような高記録密度下で良好な磁気記録再生を行うた
めには、磁気ヘッドと磁気ディスクとの浮上量を記録密
度の向上に伴って小さくする必要がある。
【0004】一方、磁気ディスクは、ヘッドとディスク
の吸着防止等の目的で、その表面に機械研磨による加工
痕形成処理、いわゆるテキスチャ加工が施される。この
テキスチャ加工においては、近年の記録容量増大に伴っ
て磁気ヘッドとのスペーシングロスを低減する目的で微
粒子砥粒が用いられ、凹凸の微小化に努力がはらわれ、
また、突起物の発生防止に細心の注意がはらわれてい
る。
の吸着防止等の目的で、その表面に機械研磨による加工
痕形成処理、いわゆるテキスチャ加工が施される。この
テキスチャ加工においては、近年の記録容量増大に伴っ
て磁気ヘッドとのスペーシングロスを低減する目的で微
粒子砥粒が用いられ、凹凸の微小化に努力がはらわれ、
また、突起物の発生防止に細心の注意がはらわれてい
る。
【0005】また、保護膜の成膜時には、カーボン等の
保護膜材料を主体とする異物が磁気ディスク表面に付着
するため、これらの異物を除去して、磁気ディスクの、
特にデータ記録領域における表面を平滑に仕上げて信号
特性の向上を図るために、研磨テープ等を用いた洗浄プ
ロセスで異物の除去処理が行なわれている。しかし、従
来行われている研磨テープ等による機械的研磨による保
護膜上の異物の除去処理では、保護膜に付着した微小な
異物や保護膜に食い込んだ異物の除去は充分でない。こ
のように除去できない異物が製品としての磁気ディスク
表面に残留すると、ヘッドと接触してヘッドクラッシュ
の原因になったり、ヘッドとの衝突の衝撃でディスクの
薄膜が剥離したりする。このため、このような欠陥のな
い、より効果的な異物除去技術の開発が望まれている。
保護膜材料を主体とする異物が磁気ディスク表面に付着
するため、これらの異物を除去して、磁気ディスクの、
特にデータ記録領域における表面を平滑に仕上げて信号
特性の向上を図るために、研磨テープ等を用いた洗浄プ
ロセスで異物の除去処理が行なわれている。しかし、従
来行われている研磨テープ等による機械的研磨による保
護膜上の異物の除去処理では、保護膜に付着した微小な
異物や保護膜に食い込んだ異物の除去は充分でない。こ
のように除去できない異物が製品としての磁気ディスク
表面に残留すると、ヘッドと接触してヘッドクラッシュ
の原因になったり、ヘッドとの衝突の衝撃でディスクの
薄膜が剥離したりする。このため、このような欠陥のな
い、より効果的な異物除去技術の開発が望まれている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決し、従来法では除去が困難であった磁気記録
媒体上の異物を、磁気ディスクに傷等の欠陥を生じるこ
となく効果的に除去することができる磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
題点を解決し、従来法では除去が困難であった磁気記録
媒体上の異物を、磁気ディスクに傷等の欠陥を生じるこ
となく効果的に除去することができる磁気記録媒体の製
造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基板上
に磁性層を形成して磁気記録媒体を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、水蒸気または霧状水滴が含まれ
る気流中で、基板またはその加工物に低波長レーザーを
照射して異物除去を行なうことを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法を提供するものである。
に磁性層を形成して磁気記録媒体を形成する磁気記録媒
体の製造方法において、水蒸気または霧状水滴が含まれ
る気流中で、基板またはその加工物に低波長レーザーを
照射して異物除去を行なうことを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法を提供するものである。
【0008】基板あるいは磁気記録媒体の表面を湿らせ
た状態でレーザを照射することにより、表面の微小な異
物や表面に食い込んだ異物等を効果的に除去することが
できる。即ち、湿潤した表面に低波長レーザを照射する
と、磁気記録媒体の極く表面が急速に昇温して水分が気
化膨張し、この時の体積膨張により、磁気記録媒体表面
に付着している異物(無機物ないし有機物、その他砥粒
等)が弾きとばされる。この低波長レーザによる処理
は、磁気記録媒体に機械的な力を付与するものではない
ので、低波長レーザ照射により磁気記録媒体が劣化ない
し損傷することはない。
た状態でレーザを照射することにより、表面の微小な異
物や表面に食い込んだ異物等を効果的に除去することが
できる。即ち、湿潤した表面に低波長レーザを照射する
と、磁気記録媒体の極く表面が急速に昇温して水分が気
化膨張し、この時の体積膨張により、磁気記録媒体表面
に付着している異物(無機物ないし有機物、その他砥粒
等)が弾きとばされる。この低波長レーザによる処理
は、磁気記録媒体に機械的な力を付与するものではない
ので、低波長レーザ照射により磁気記録媒体が劣化ない
し損傷することはない。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明における磁気記録媒体の製
造方法は非磁性基板上に磁性層を形成して磁気記録媒体
とするものであって、磁気記録媒体の構造は特に制限さ
れるものではないが、通常、次の工程によって形成され
る。非磁性基板としては、セラミック基板、ガラス基板
やアルミニウム合金基板、シリコン基板、チタン基板等
の金属基板、カーボン基板、あるいは、樹脂基板等が用
いられる。これらの基板には、必要に応じて、非磁性の
下地層が設けられる。この場合、下地層としては、Ni
P合金層が好ましく、通常、無電解メッキ法又はスパッ
タリング法により形成される。下地層の厚みは、好まし
くは50〜20,000nm、特に好ましくは100〜
15,000nmである。
造方法は非磁性基板上に磁性層を形成して磁気記録媒体
とするものであって、磁気記録媒体の構造は特に制限さ
れるものではないが、通常、次の工程によって形成され
る。非磁性基板としては、セラミック基板、ガラス基板
やアルミニウム合金基板、シリコン基板、チタン基板等
の金属基板、カーボン基板、あるいは、樹脂基板等が用
いられる。これらの基板には、必要に応じて、非磁性の
下地層が設けられる。この場合、下地層としては、Ni
P合金層が好ましく、通常、無電解メッキ法又はスパッ
タリング法により形成される。下地層の厚みは、好まし
くは50〜20,000nm、特に好ましくは100〜
15,000nmである。
【0010】次いで、一般にテキスチャ加工が施され
る。テキスチャ加工としては、微小砥粒を用いて機械的
に表面を研磨したり、レーザ等のエネルギービームを照
射して微小凹凸を設けたり、スパッタリングやエッチン
グにより凹凸を設ける等、種々の方法が提案されてい
る。本発明の製造方法において、テキスチャ加工の方法
に制限はないが、微小でかつ精度の高い加工痕を形成で
きる方法が好ましい。下地層の上には磁性層が形成され
るが、磁性層の形成に先立ち、Cr層又はCu層等の中
間層を磁性層と下地層との間に設けるのが好ましく、こ
の場合、中間層の膜厚は、通常20〜200nm、好ま
しくは50〜100nmである。
る。テキスチャ加工としては、微小砥粒を用いて機械的
に表面を研磨したり、レーザ等のエネルギービームを照
射して微小凹凸を設けたり、スパッタリングやエッチン
グにより凹凸を設ける等、種々の方法が提案されてい
る。本発明の製造方法において、テキスチャ加工の方法
に制限はないが、微小でかつ精度の高い加工痕を形成で
きる方法が好ましい。下地層の上には磁性層が形成され
るが、磁性層の形成に先立ち、Cr層又はCu層等の中
間層を磁性層と下地層との間に設けるのが好ましく、こ
の場合、中間層の膜厚は、通常20〜200nm、好ま
しくは50〜100nmである。
【0011】磁性層は、基板、下地層又は中間層の上
に、CoNiCr、CoNiPt、CoNiCrPt、
CoCrTa、CoCrTaPt、CoCrPt、Co
NiCrBTa等の強磁性合金薄膜を無電解メッキ、電
気メッキ、スパッタリング、蒸着等の方法によって成膜
することにより形成される。磁性層は単層構造でも多層
構造でも良い。磁性層の膜厚は、通常、30〜70nm
程度である。
に、CoNiCr、CoNiPt、CoNiCrPt、
CoCrTa、CoCrTaPt、CoCrPt、Co
NiCrBTa等の強磁性合金薄膜を無電解メッキ、電
気メッキ、スパッタリング、蒸着等の方法によって成膜
することにより形成される。磁性層は単層構造でも多層
構造でも良い。磁性層の膜厚は、通常、30〜70nm
程度である。
【0012】磁性層を形成した後保護膜を成膜する。保
護膜としては蒸着、スパッタリング、プラズマCVD、
イオンプレーティング、湿式法等の方法により、炭素
膜、水素化カーボン膜、TiC、SiC等の炭化物膜、
SiN、TiN等の窒化膜等、SiO、AlO、ZrO
等の酸化物膜等が成膜される。これらのうち特に好まし
くは、炭素膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、
水素化窒素化カーボン膜が用いられる。前述の如く、保
護膜の厚さは100Å以下、特に30〜80Åであるこ
とが好ましい。
護膜としては蒸着、スパッタリング、プラズマCVD、
イオンプレーティング、湿式法等の方法により、炭素
膜、水素化カーボン膜、TiC、SiC等の炭化物膜、
SiN、TiN等の窒化膜等、SiO、AlO、ZrO
等の酸化物膜等が成膜される。これらのうち特に好まし
くは、炭素膜、水素化カーボン膜、窒素化カーボン膜、
水素化窒素化カーボン膜が用いられる。前述の如く、保
護膜の厚さは100Å以下、特に30〜80Åであるこ
とが好ましい。
【0013】保護膜上に設ける潤滑剤層としては、パー
フルオロポリエーテル系、ポリフェノキシトリフォスフ
ァゼン系等、通常用いられる固体又は液体の潤滑剤を用
いることができる。潤滑剤層を設ける方法も任意であ
り、ディップ、スピンコート等が挙げられる。潤滑剤層
の厚みは80Å以下、特に10〜50Å、とりわけ10
〜20Åが好ましい。
フルオロポリエーテル系、ポリフェノキシトリフォスフ
ァゼン系等、通常用いられる固体又は液体の潤滑剤を用
いることができる。潤滑剤層を設ける方法も任意であ
り、ディップ、スピンコート等が挙げられる。潤滑剤層
の厚みは80Å以下、特に10〜50Å、とりわけ10
〜20Åが好ましい。
【0014】しかして、本発明は、かかる磁気記録媒体
の製造工程において、低波長レーザを用いた異物除去工
程、即ち、洗浄工程が行なわれるところに特徴を有す
る。以下、本発明において基板およびその加工物、即
ち、基板から、その基板上に磁性層、保護層が形成され
て磁気記録媒体に至るまでのものを総称してディスクと
称して説明する。
の製造工程において、低波長レーザを用いた異物除去工
程、即ち、洗浄工程が行なわれるところに特徴を有す
る。以下、本発明において基板およびその加工物、即
ち、基板から、その基板上に磁性層、保護層が形成され
て磁気記録媒体に至るまでのものを総称してディスクと
称して説明する。
【0015】ディスクの異物除去工程は、図1の装置を
用いて行なうことができる。図1において、ディスク1
は駆動ローラ2および従動ローラ3に支承され、鉛直方
向でかつ回転可能に保持される。このディスク1の表面
の放射方向に延びる細幅のレーザ照射部4にレーザ発振
器6から出射されるレーザ5が照射される。
用いて行なうことができる。図1において、ディスク1
は駆動ローラ2および従動ローラ3に支承され、鉛直方
向でかつ回転可能に保持される。このディスク1の表面
の放射方向に延びる細幅のレーザ照射部4にレーザ発振
器6から出射されるレーザ5が照射される。
【0016】本発明において照射されるレーザ5は低波
長レーザが望ましく、一般に300nm以下のレーザが
用いられる。レーザ5の波長が長い場合、ディスク1の
極く表面だけでなく、ディスク1の内部まで加熱されて
しまい、前述の急速な熱膨張による異物の除去効果が低
下する。一方、波長が極端に短いものは、真空中で処理
する必要があり、工業的プロセスとして処理が煩雑とな
る。従って、ディスク1の極く表面のみを加熱すること
ができ、しかも空気中で使用可能な波長300nm以
下、好ましくは波長250nm以下の低波長レーザ、具
体的にはエキシマレーザを用いるのが好ましい。
長レーザが望ましく、一般に300nm以下のレーザが
用いられる。レーザ5の波長が長い場合、ディスク1の
極く表面だけでなく、ディスク1の内部まで加熱されて
しまい、前述の急速な熱膨張による異物の除去効果が低
下する。一方、波長が極端に短いものは、真空中で処理
する必要があり、工業的プロセスとして処理が煩雑とな
る。従って、ディスク1の極く表面のみを加熱すること
ができ、しかも空気中で使用可能な波長300nm以
下、好ましくは波長250nm以下の低波長レーザ、具
体的にはエキシマレーザを用いるのが好ましい。
【0017】低波長レーザ5の照射は、保護膜の極表面
を短時間で温度上昇させるために、短時間の照射が望ま
しく、このため、パルスレーザや連続発振レーザーと高
速オン・オフが可能なシャッター等を組み合わせた照射
装置を用いて行うのが望ましい。具体的には、ディスク
1を回転させながら、その表面に出力を精度良く制御し
たパルスレーザ等を照射する方法、或いは、ディスク基
板を回転する代わりにパルスレーザを静止したディスク
基板上を走査させる方法などが挙げられる。低波長レー
ザ5の照射条件としては、次のような条件が好ましく、
このような低波長レーザ照射による処理時間は、レーザ
強度及びレーザ照射時間、ディスク基板とレーザスポッ
トとの相対線速度、等を調整することにより制御され
る。
を短時間で温度上昇させるために、短時間の照射が望ま
しく、このため、パルスレーザや連続発振レーザーと高
速オン・オフが可能なシャッター等を組み合わせた照射
装置を用いて行うのが望ましい。具体的には、ディスク
1を回転させながら、その表面に出力を精度良く制御し
たパルスレーザ等を照射する方法、或いは、ディスク基
板を回転する代わりにパルスレーザを静止したディスク
基板上を走査させる方法などが挙げられる。低波長レー
ザ5の照射条件としては、次のような条件が好ましく、
このような低波長レーザ照射による処理時間は、レーザ
強度及びレーザ照射時間、ディスク基板とレーザスポッ
トとの相対線速度、等を調整することにより制御され
る。
【0018】 レーザ照射面強度:10〜500mJ/cm2 照射パルス数 :1〜10000回/照射面 周波数 :10〜300Hz レーザスポット径:5〜40mm ディスク基板とレーザスポットとの相対線速度:0.8
〜15m/secレーザ強度が過度に小さいと、温度上
昇が瞬時に起こらず、熱膨張がゆっくりと進み、異物を
飛ばすに十分な加速度が得られないために、本発明によ
る異物除去効果が十分に得られないが、レーザ強度が過
度に大きいと瞬間的に磁気特性に影響を及ぼす温度にま
で温度上昇が起きるため、レーザ強度は10〜500m
J/cm2 、特に20〜300mJ/cm2 、とりわけ
20〜150mJ/cm2の範囲が好ましい。
〜15m/secレーザ強度が過度に小さいと、温度上
昇が瞬時に起こらず、熱膨張がゆっくりと進み、異物を
飛ばすに十分な加速度が得られないために、本発明によ
る異物除去効果が十分に得られないが、レーザ強度が過
度に大きいと瞬間的に磁気特性に影響を及ぼす温度にま
で温度上昇が起きるため、レーザ強度は10〜500m
J/cm2 、特に20〜300mJ/cm2 、とりわけ
20〜150mJ/cm2の範囲が好ましい。
【0019】また、レーザ強度が小さくても、温度の上
昇、降下による膨張、収縮の繰り返しによる応力で、保
護膜等が損傷する恐れがあるため、パルス数は少ないこ
とが望ましく、1〜10000回、特に3〜100回、
とりわけ5〜50回が好ましい。レーザ5のスポット径
は、スポット内のエネルギー分布に大きな差ができない
範囲であることが好ましく、5〜40mm、特に10〜
30mmが好ましい。このレーザのスポット径は、対物
レンズの開口率を変えたり、金属製のマスクを設置する
ことなどにより増減することができる。
昇、降下による膨張、収縮の繰り返しによる応力で、保
護膜等が損傷する恐れがあるため、パルス数は少ないこ
とが望ましく、1〜10000回、特に3〜100回、
とりわけ5〜50回が好ましい。レーザ5のスポット径
は、スポット内のエネルギー分布に大きな差ができない
範囲であることが好ましく、5〜40mm、特に10〜
30mmが好ましい。このレーザのスポット径は、対物
レンズの開口率を変えたり、金属製のマスクを設置する
ことなどにより増減することができる。
【0020】ディスク1の回転あるいは、レーザ5の走
査速度が遅く、ディスク1とレーザスポットの相対線速
度が遅いと、温度上昇が瞬時に起こらず、熱膨張がゆっ
くりと起こるため、表面の異物を弾きとばすために十分
な加速度が得られない。この相対線速度は0.8〜15
m/secとするのが好ましい。なお、保護膜上から低
波長レーザによるエネルギーを付与した場合、アルミニ
ウム基板等の非磁性基板、NiP等の下地層及び磁性層
と保護膜の主成分である炭素等の熱膨張係数が異なるた
めに、保護膜が過度に厚いとこの熱膨張係数の差で生じ
る応力に追随できなくなる。そして、熱膨張係数の小さ
い保護膜に応力集中が起こり、保護膜自体のひび割れ等
の欠陥が生じる。従って、本発明において、保護膜の厚
さは100オングストローム以下とするのが好ましい。
この応力割れ及び保護膜による保護効果を考慮した場
合、より好ましい保護膜の厚さは30〜80オングスト
ロームである。
査速度が遅く、ディスク1とレーザスポットの相対線速
度が遅いと、温度上昇が瞬時に起こらず、熱膨張がゆっ
くりと起こるため、表面の異物を弾きとばすために十分
な加速度が得られない。この相対線速度は0.8〜15
m/secとするのが好ましい。なお、保護膜上から低
波長レーザによるエネルギーを付与した場合、アルミニ
ウム基板等の非磁性基板、NiP等の下地層及び磁性層
と保護膜の主成分である炭素等の熱膨張係数が異なるた
めに、保護膜が過度に厚いとこの熱膨張係数の差で生じ
る応力に追随できなくなる。そして、熱膨張係数の小さ
い保護膜に応力集中が起こり、保護膜自体のひび割れ等
の欠陥が生じる。従って、本発明において、保護膜の厚
さは100オングストローム以下とするのが好ましい。
この応力割れ及び保護膜による保護効果を考慮した場
合、より好ましい保護膜の厚さは30〜80オングスト
ロームである。
【0021】本発明において、低波長レーザ5は、ディ
スク表面に対して垂直となるように照射しても良く、斜
め方向から、入射角(ディスク表面とレーザとの角度)
30〜60°程度で照射しても良い。レーザを斜め方向
から照射した場合には、照射領域を広くでき、また、照
射ビームから光源を保護することができることから好ま
しい方法である。
スク表面に対して垂直となるように照射しても良く、斜
め方向から、入射角(ディスク表面とレーザとの角度)
30〜60°程度で照射しても良い。レーザを斜め方向
から照射した場合には、照射領域を広くでき、また、照
射ビームから光源を保護することができることから好ま
しい方法である。
【0022】本発明は、低波長レーザ5を水蒸気または
霧状水滴が含まれる気流中でディスク1に照射するとこ
ろに特徴を有する。水蒸気または霧状水滴が含まれる気
体としては、水蒸気を用いることができ、また、水蒸気
を混合して加湿した気体、あるいは、霧状水滴が浮遊す
る気体を用いることができ、霧状水滴を形成する方法と
しては、超音波発振器を用いた霧滴発生器によって発生
させることができる。また、気体に水蒸気を加えて加湿
した後気体を冷却することによって生じさせることも可
能である。
霧状水滴が含まれる気流中でディスク1に照射するとこ
ろに特徴を有する。水蒸気または霧状水滴が含まれる気
体としては、水蒸気を用いることができ、また、水蒸気
を混合して加湿した気体、あるいは、霧状水滴が浮遊す
る気体を用いることができ、霧状水滴を形成する方法と
しては、超音波発振器を用いた霧滴発生器によって発生
させることができる。また、気体に水蒸気を加えて加湿
した後気体を冷却することによって生じさせることも可
能である。
【0023】気流として水蒸気を用いたときはディスク
1を100℃近くに保持し、水蒸気を混合した気体を用
いるときはディスク1をその気体の露点温度より若干低
い温度として気体に接触せしめて低波長レーザ5を照射
する。水蒸気の凝集点または露点温度より大きく低下す
るとき、あるいは霧状水滴が過度に多いときは、ディス
ク1表面に水滴が生じ、水滴が生じると水滴が低波長レ
ーザに対してレンズの作用をするため、レーザの照射が
均一でなくなる。
1を100℃近くに保持し、水蒸気を混合した気体を用
いるときはディスク1をその気体の露点温度より若干低
い温度として気体に接触せしめて低波長レーザ5を照射
する。水蒸気の凝集点または露点温度より大きく低下す
るとき、あるいは霧状水滴が過度に多いときは、ディス
ク1表面に水滴が生じ、水滴が生じると水滴が低波長レ
ーザに対してレンズの作用をするため、レーザの照射が
均一でなくなる。
【0024】従って、本発明においては、ディスク1表
面に肉眼で観察されるような水滴が発生しない状態で実
施される。ディスク1を水蒸気または霧状水滴を含む気
体7の気流中に保持する方法としては、図1に示すよう
に鉛直方向に保持されて回転するディスク1の上方に気
体の吹出ノズル8を設けることによって行なうことがで
きる。吹出ノズル8は、気体供給管9に連結され、気体
供給管9からは、フィルター(図示せず)等で濾過して
浮遊物を除去したクリーンな気体が供給される。
面に肉眼で観察されるような水滴が発生しない状態で実
施される。ディスク1を水蒸気または霧状水滴を含む気
体7の気流中に保持する方法としては、図1に示すよう
に鉛直方向に保持されて回転するディスク1の上方に気
体の吹出ノズル8を設けることによって行なうことがで
きる。吹出ノズル8は、気体供給管9に連結され、気体
供給管9からは、フィルター(図示せず)等で濾過して
浮遊物を除去したクリーンな気体が供給される。
【0025】クリーンな気体としては、0.1μm以下
のフィルタを通して高度に清浄化した空気、水素、窒
素、アルゴン、ネオン等の非反応性のガスを用いること
ができる。また、超音波発振器等を備えた霧滴発生器1
0から霧状水滴が供給され混合器11でクリーンにされ
た気体と混合されて吹出ノズル8から吹き出される。霧
状水滴の粒径は3.0μm以下、好ましくは1.0μm
以下のものが用いられる。
のフィルタを通して高度に清浄化した空気、水素、窒
素、アルゴン、ネオン等の非反応性のガスを用いること
ができる。また、超音波発振器等を備えた霧滴発生器1
0から霧状水滴が供給され混合器11でクリーンにされ
た気体と混合されて吹出ノズル8から吹き出される。霧
状水滴の粒径は3.0μm以下、好ましくは1.0μm
以下のものが用いられる。
【0026】気流は、低波長レーザ照射期間中継続的に
流しても断続的に流しても良い。一般的には、レーザ照
射開始前から低波長レーザ照射期間中連続して流すのが
好ましい。この気流の流速は、過度に小さいと気流によ
る異物の再付着防止効果が得られないため1m/sec
以上とするのが好ましい。しかし、気流の流速が過度に
大きいと、低波長レーザ照射による温度上昇が不十分と
なり、異物の除去効果が低減する。この気流は、蓄熱を
防止し得る範囲でごく小さな流速で良く、一般的には2
〜5m/secの範囲とされる。
流しても断続的に流しても良い。一般的には、レーザ照
射開始前から低波長レーザ照射期間中連続して流すのが
好ましい。この気流の流速は、過度に小さいと気流によ
る異物の再付着防止効果が得られないため1m/sec
以上とするのが好ましい。しかし、気流の流速が過度に
大きいと、低波長レーザ照射による温度上昇が不十分と
なり、異物の除去効果が低減する。この気流は、蓄熱を
防止し得る範囲でごく小さな流速で良く、一般的には2
〜5m/secの範囲とされる。
【0027】本発明の低波長レーザ照射による異物除去
工程は所望の段階で実施することができるが、一般に
は、基板状態、テキスチャー加工した後、あるいは保護
層を形成した後のいずれか1度又は2度以上行なうのが
一般的である。特に保護層を形成した最終段階で行なう
ことが望ましく、この場合、従来の研磨テープによる研
磨と併用してもよい。研磨テープと併用するときは、研
磨テープによる研磨の後で低波長レーザによる異物除去
を行なうことが望ましい。
工程は所望の段階で実施することができるが、一般に
は、基板状態、テキスチャー加工した後、あるいは保護
層を形成した後のいずれか1度又は2度以上行なうのが
一般的である。特に保護層を形成した最終段階で行なう
ことが望ましく、この場合、従来の研磨テープによる研
磨と併用してもよい。研磨テープと併用するときは、研
磨テープによる研磨の後で低波長レーザによる異物除去
を行なうことが望ましい。
【0028】本発明では、従来法とは異なり、低波長レ
ーザ照射により機械的な力を加えることなく、ディスク
表面の異物を除去するため、保護膜表面に従来の研磨処
理の場合のような筋状の表面傷が生じることはなくきれ
いにすることができる。また、気流によって除去した異
物の再付着を防止すると共に、蓄熱による基板に形成さ
れた各層の劣化ないし損傷を防止できる。このため、高
耐久性、高磁気特性で高品質の磁気ディスクを得ること
ができる。また、水蒸気まは霧状水滴でディスク表面を
湿潤させるため、レーザ照射によって水分が蒸発し、こ
のときの体積膨張によって磁気ディスク表面に付着する
異物が飛ばされ異物除去の効果が極めて大きくなる。
ーザ照射により機械的な力を加えることなく、ディスク
表面の異物を除去するため、保護膜表面に従来の研磨処
理の場合のような筋状の表面傷が生じることはなくきれ
いにすることができる。また、気流によって除去した異
物の再付着を防止すると共に、蓄熱による基板に形成さ
れた各層の劣化ないし損傷を防止できる。このため、高
耐久性、高磁気特性で高品質の磁気ディスクを得ること
ができる。また、水蒸気まは霧状水滴でディスク表面を
湿潤させるため、レーザ照射によって水分が蒸発し、こ
のときの体積膨張によって磁気ディスク表面に付着する
異物が飛ばされ異物除去の効果が極めて大きくなる。
【0029】
【実施例】以下、実施例により、本発明を更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例によって限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例によって限定されるものではない。
【0030】[実施例1〜3、比較例1]無電解メッキ
法によりNiPメッキ被覆した直径95mmのアルミニ
ウム合金基板を、0.3μmの多結晶ダイヤを含む研磨
液を用いて表面粗さRaが1nmになるように表面研磨
した。この基板に、スパッタリング法でCoNiCrを
主体とした磁性膜を製膜した。その後、スパッタリング
法で、水素ガスを導入させることにより厚さ100Åの
保護膜を形成した。次に、0.1μmのフィルターを通
した超純水を40kHzの超音波振動を加えることによ
り均一な粒径の0.1μmのミストを発生し、ディスク
表面に吹き付けながらKrFエキシマレーザ(248n
m)を用いてエネルギー密度65mJ/cm2 で500
パルス照射することにより、表面の洗浄を行った。基板
の清浄度は、レーザによる洗浄後の基板の異物数を光学
顕微鏡を用いて1600倍の倍率で観察することにより
評価した。保護膜の膜厚は、エリプスメータを用いて測
定した。また、基板の表面粗さは、TencorP−1
2を用いて80μmの波長で測定した。
法によりNiPメッキ被覆した直径95mmのアルミニ
ウム合金基板を、0.3μmの多結晶ダイヤを含む研磨
液を用いて表面粗さRaが1nmになるように表面研磨
した。この基板に、スパッタリング法でCoNiCrを
主体とした磁性膜を製膜した。その後、スパッタリング
法で、水素ガスを導入させることにより厚さ100Åの
保護膜を形成した。次に、0.1μmのフィルターを通
した超純水を40kHzの超音波振動を加えることによ
り均一な粒径の0.1μmのミストを発生し、ディスク
表面に吹き付けながらKrFエキシマレーザ(248n
m)を用いてエネルギー密度65mJ/cm2 で500
パルス照射することにより、表面の洗浄を行った。基板
の清浄度は、レーザによる洗浄後の基板の異物数を光学
顕微鏡を用いて1600倍の倍率で観察することにより
評価した。保護膜の膜厚は、エリプスメータを用いて測
定した。また、基板の表面粗さは、TencorP−1
2を用いて80μmの波長で測定した。
【0031】[実施例2]実施例1でレーザによる洗浄
時のエネルギー密度を100mJ/cm2 で500パル
スにした以外は同条件とした。
時のエネルギー密度を100mJ/cm2 で500パル
スにした以外は同条件とした。
【0032】[実施例3]実施例1でレーザによる洗浄
時のエネルギー密度を125mJ/cm2 で200パル
スにした以外は同条件とした。
時のエネルギー密度を125mJ/cm2 で200パル
スにした以外は同条件とした。
【0033】[実施例4]実施例1でミストの粒径を
0.3μmにした以外は同条件とした。
0.3μmにした以外は同条件とした。
【0034】[比較例1]実施例1でミストを吹き付け
なかった以外は同条件とした。
なかった以外は同条件とした。
【0035】[比較例2]実施例2でミストを吹き付け
なかった以外は同条件とした。
なかった以外は同条件とした。
【0036】[比較例3]実施例3でミストを吹き付け
なかった以外は同条件とした。
なかった以外は同条件とした。
【0037】[実施例5]実施例1でミストの粒径を
3.0μmにした以外は同条件とした。その結果を表1
に示す。
3.0μmにした以外は同条件とした。その結果を表1
に示す。
【0038】
【表1】 表1 レーザ強度 レーザ照 ミストの 洗浄後の 洗浄後の 射回数 粒径 異物数 表面状態 (mJ/cm2) (パルス) (μm)(個/面) 実施例1 65 500 0.1 2 変化無し 実施例2 100 500 0.1 4 変化無し 実施例3 125 200 0.1 3 変化無し 実施例4 65 500 0.3 5 変化無し 比較例1 65 500 無 4 部分的に光沢低下 比較例2 100 500 無 5 部分的に光沢変化 比較例3 125 200 無 6 部分的に光沢変化 実施例5 65 500 3.0 4 全面若干光沢変化
【0039】
【発明の効果】本発明は、磁気ディスク上の異物は、水
蒸気、または霧状水滴を含む気流中で低波長のレーザを
照射することにより、表面の異物等を基板の損傷無く除
去することが出来る。
蒸気、または霧状水滴を含む気流中で低波長のレーザを
照射することにより、表面の異物等を基板の損傷無く除
去することが出来る。
【図1】本発明を実施する装置の一例を示す説明図。
1 磁気ディスク 2 駆動ローラ 3 従動ローラ 4 レーザ照射部 5 レーザビーム 6 レーザ発振器 7 気流 9 気体供給管 10 霧滴発生器 11 混合器
Claims (4)
- 【請求項1】 非磁性基板上に磁性層を形成して磁気記
録媒体を形成する磁気記録媒体の製造方法において、水
蒸気または霧状水滴が含まれる気流中で、基板またはそ
の加工物に低波長レーザーを照射して異物除去を行なう
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項2】 レーザーの波長が250nm以下である
請求項1記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項3】 気流が、浮遊物の除去処理が行なわれた
気体に霧状水滴を含ませた気体の流れである請求項1ま
たは2記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項4】 気流が、浮遊物の除去処理が行なわれた
気体に、水蒸気を加えて加湿した気体の流れである請求
項1〜3いずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29403597A JPH11134647A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29403597A JPH11134647A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11134647A true JPH11134647A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17802430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29403597A Pending JPH11134647A (ja) | 1997-10-27 | 1997-10-27 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11134647A (ja) |
-
1997
- 1997-10-27 JP JP29403597A patent/JPH11134647A/ja active Pending
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