JPH0559487B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は面内方法もしくは垂直方向の磁気記録
として用いる磁気デイスクの製造方法に関する。 〔従来の技術〕 従来、磁気デイスクの１つとしてリジツト磁気
デイスクが用いられており、この磁気デイスクの
基盤としては柔軟性の少ないリジツトな材料が使
用されている。 通常、リジツド磁気デイスクの基盤としては、
アルミニウム盤（例えばJIS A5086）が使われて
いる。 このようなリジツド磁気デイスクは、一般に旋
盤によりアルミニウムを旋削し、ヘツドデイスク
のスペーシングを小さくし、高密度記録が行なえ
るようにデイスク表面の研磨を行つた後に、蒸
着、スピン塗布等によつて磁性層を設けることに
よつて作られている。この場合、高密度記録再生
のためには、デイスクの表面粗さは平滑な程好ま
しいが、中心線平均粗さRaが0.1μｍ以下の表面
を得ることは従来のアルミニウム基盤のデイスク
では困難であつた。さらに基盤が柔軟性を欠くた
め、磁性層を設ける際に、ウエブパス等に制約を
受け、扱いが著しく面倒であつた。さらに高密度
記録にとつて、表面に付着するごみの影響が大き
いためごみが付着せぬようデイスクを作らねばな
らず、ただでさえ手間のかかる工程をより面倒で
複雑で、巨額の設備投資を必要とするものにして
いた。 一方、アルミニウムに代表されるように従来の
基盤のリジツドであるため柔軟性が少なく、ヘツ
ドがデイスクの磁性層上をトレースする際、スペ
ーシングが狭いままで持続することは極めて困難
であり、信号のエラーを起こすことが多かつた。
一方、スペーシングが狭いままトレースすると基
盤がリジツドなため、摺動摩擦力がヘツドと磁性
層の接触している表面に集中しやすく、表面破壊
が発生し、デイスクの寿命を短いものとしてい
た。 さらに、上記の如き研磨したアルミニウム基盤
自体が高価であるという欠点があつた。 これに対して最近、第１図に示すように、デイ
スク基盤１の両面に凹部を設け、一面に磁性層を
有するフロツピーデイスク又はフレキシブルデイ
スク（以下フレキシブルデイスクと称する）を磁
性層を表面として基盤１の両面に貼り合わせ、フ
レキシブルデイスク２と裏面と基盤１との間に間
隙３を持たせた磁気デイスクが提案されている。 このタイプの磁気デイスクはフレキシブルデイ
スクの技術がそのまま応用でき、表面が平滑で且
つ耐久性のある磁性層を磁気デイスク用の磁性層
として用いられるので従来のリジツト磁気デイス
クの欠点を解消できるものとして注目されてい
る。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明者らは、このタイプの磁気デイスクにつ
いて検討した結果、なお大きな問題点があること
を知つた。すなわち、フレキシブルデイスクを、
第１図に示すように単に基盤を貼り合わせただけ
では、デイスクの一回転内の最小出力と最大出力
との比（いわゆるモジユレーシヨン）が0.4程度
になつてしまう（勿論、モジユレーシヨンの理想
値は１であつて、この値が１に近い程良い）。従
つて、このタイプの磁気デイスクを実用化するた
めには、更にその磁気特性を改良する必要があ
る。 従つて、本発明の目的は、上記したタイプの磁
気デイスクであつて、モジユレーシヨンが１に近
い磁気デイスクの製造方法を提供することにあ
る。 本発明の他の目的は、高密度記録が可能で、信
号のエラーを生じず、且つ耐久性の良好な磁気デ
イスクを容易にしかも安価に製造し得る方法を提
供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、上記の原因の究明を鋭意研究し
た結果、磁気デイスクに用いるフレキシブルデイ
スクの支持体の異方性に原因があることをつか
み、さらに研究を重ねた結果、熱処理によつて上
記異方性が緩和できることを見出した。 すなわち、本発明は、基盤の少くとも一側に、
フレキシブルデイスクの裏面と基盤との間に間隙
を設けるように、該フレキシブルデイスクを貼り
つけることによる磁気デイスクの製造方法におい
て、フレキシブルデイスクを基盤に貼りつけた後
に熱処理を行うことを特徴とする磁気デイスクの
製造方法である。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明で対象とする磁気デイスクは、第１図及
び第２図に断面図として例示するように基盤１の
１面又は両面（図示のものは両面に空間３を介し
て支持体４と磁性層５とよりなるフレキシブルデ
イスク２を貼りつけてある。なお、７はデイスク
を回転させる回転軸の入る中心孔である。 本発明で用いるフレキシブルデイスク２として
は、いわゆるフロツピーデイスクとして用いられ
ている材料を用いることができる。フレキシブル
デイスクの支持体４としては、ポリエチレンテレ
フタレート等のプラスチツクフイルムが用いら
れ、２軸配向ポリエチレンテレフタレートフイル
ム（PET）が好ましい。特に２軸配向ポリエチ
レンテレフタレートフイルムであつて、磁性層を
設けたものが、約70℃で48時間熱処理した後の収
縮率が0.2％以下で且つ縦横の収縮率の差が0.1％
以下、好ましくは0.05％以下になるようなものが
好ましい。 また、フレキシブルデイスクの支持体として
は、少くとも磁性層を設ける側の面のRa（中心粗
さ）が0.1μｍ以下であることが好ましく、このよ
うな支持体を用いることによつて最終製品である
磁気デイスクの記録密度を高くすることができ
る。 フレキシブルデイスクの場合、一般に支持体の
両面を平滑にすると摩擦が大きくなり、はりつき
易く、工程での扱いが困難となり、またこのよう
な支持体は高価になる。 支持体の面が粗であると、磁性層を設けたとき
に一般にスペーシングが大きくなり高密度記録に
適さない。従つて、一方が平滑で他方が粗な支持
体の平滑な面に磁性層を設けることが好ましい。 支持体に設ける磁性層５としては、磁性酸化鉄
や強磁性合金粉末をバインダー等と共に塗布する
もののみならず真空蒸着、スパツタリング、イオ
ンプレーテイング等のベーパーデポジシヨン法、
メツキ法等によつて形成したものでもよい。 本発明に用いるデイスク基盤としては、例え
ば、断面形状が第１図及び第２図に例示したもの
が用いられる。 間隙３は、ヘツドと磁性層５が接触する際、摩
擦力を分散して耐久性を強めること、および磁性
層５がヘツドに適当に接触できスペーシングも極
めて狭くなり高密度記録が可能となることの２つ
の目的で設けている。そのために、間隙３の深さ
ｄは少くとも0.1mm以上必要である。その他、間
隙３があると、原因は明確でないが、磁性層６に
付着したゴミの影響も少ないようである。 なお、第１図及び第２図には、内外周縁部分６
が水平の場合を示したが、傾斜していてもよい。
また、基盤の内径、外径や周縁部６の大きさは使
用目的に応じて任意に選ぶことができる。 デイスク基盤１の材質に要求される事項とし
て、本発明の熱処理工程で熱変形の生じないこと
が、まず挙げられる。 そのためには、基盤の材料としてはアルミニウ
ム、アルミニウム合金などの金属、ガラスもしく
は少くとも該熱処理工程で熱変形の生じないポリ
マー、または、これらの組合せが用いられる。 次に要求される事項としては安価なことであ
る。本発明で、例えば金属の代表であるアルミニ
ウムを基盤に用いても、第１図からわかるように
磁性層は基盤の表面粗さに影響されないので研磨
の精度はさほど要求されず、研磨等に要する費用
は大きくなくてすむ。 ポリマー基盤は射出成型で大量に製造できるた
め一般に安価である。 さらに該熱処理によつて変形しないために、結
晶性ポリマーで耐熱性を有するか、またはガラス
転位点が120℃以上の非晶性ポリマーが好ましい。
材料の具体例としては、ポリマーボネート、ポリ
フエニレンサルフアイド、ポリサルフアイドポリ
イミド、ポリサルホン、ポリアクリレート、ポリ
エーテルサルホン、ポリエーテルイミド、ポリエ
ーテルエーテルケトンなどがある。 なお、基盤の膨張係数の値を小さくするために
TiO₂、SiO₂などの金属酸化物やBaSO₄、ガラス
繊維などを５〜35重量％混入してもよい。 本発明における基盤の厚さは１〜５mm、貼りつ
けるフレキシブルデイスクの厚さは10〜100μｍ
が一般的であり、磁気デイスクの寸法安定性は基
盤のそれに支配されるので、基盤としては寸法安
定性のよいものを選ぶことが好ましい。 磁気ヘツドのアームの材質は普通アルミニウム
が使われるので、基盤の熱膨張係数は、アルミニ
ウムの値（2.4×10^-5／℃）に近く、かつ吸湿膨
張係数は小さい程よい。 前述の基盤に、フレキシブルデイスクを装着せ
しめるのであるが、接着剤としては、熱硬化型、
電子線、紫外線などの放射線硬化型等が使用でき
る。 接着の際、接着をさせる面の一方もしくは両方
に、接着を容易にするため、ポリエステル、ポリ
カーボネートなどのポリマーを用いて下引処理を
するか、またはコロナ放電、グロー放電、火焔処
理などの物理的表面処理を行つた方がよい。 かくしてフレキシブルデイスクを貼りつけて磁
気デイスクを、発明の構成に記したようにフレキ
シブルデイスクの支持体の異方性を取り除くため
に熱処理をする。 熱処理の温度として好ましくはフレキシブルデ
イスクの支持体のガラス転移点以上120℃以下で
あり、時間としては温度に応じて24時間から３秒
位で設定すればよい。熱処理後は室温迄冷却す
る。 ガラス転移点以上で熱処理することにより内部
熱応力（熱収縮応力）を発生でき、熱処理後の冷
却によつて応力緩和を凍結して平面性をより良化
せしめることができる。 支持体としてPETを用いる場合は、ガラス転
移点が一般に69℃であるので、70℃以上であれば
充分な効果を出すことができる。 一方、熱処理温度が120℃を越えるとフレキシ
ブルデイスクの磁性層表面があれ易すく好ましく
ない。 以下、実施例によつて本発明を具体的に説明す
るが、本発明の範囲を限定するものではない。 実施例 〔フレキシブルデイスクの調製〕 厚さ75μｍの２軸配向ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム支持体の片面に次の組成を有する磁
性液を乾燥及びカレンダー後の磁性層の厚さが
1.5μｍになるように塗布、乾燥、カレンダー処理
し、磁性層を設け、ドーナツ状シートに打抜きフ
レキシブルシートを作つた。 磁性液 −Fe₂O₃ 300重量部 PVC−Ac（塩化ビニル−酢酸ビニル共重体）
（VYHH UCC社製） 40重量部 エポキシ樹脂（エピコート1001シエル化学社製）
40重量部 ポリアミド（バーサミド115GM社製） 20重量部 メチルイソブチルケトン／キシロール（２／１）
800重量部 この磁性層を設けたフイルムの70℃で48時間の
熱処理後の収縮率は0.2％でかつ縦横の収縮率の
差が0.1％であつた。 〔基盤の調整〕 一方、ポリエーテルイミドにガラス繊維を30％
含有せしめた基盤を射出成型により形成した。 基盤の形状は第１図に示すとおりであり、デイ
スク基板の外径及び内径は夫々130mm及び40mmの
貼りつける部分６の長さは２mmであつた。また基
盤の厚さは２mm、間隙３の深さｄは0.25mmであつ
た。この基盤に熱硬化性接着剤エポキシを施して
前記ドーナツ状のシートに打抜いたフレキシブル
シートを貼りつけ、室温で24時間硬化させた。 次いで、下記の各条件で熱処理したものおよび
熱処理を施さないものについて、１回転内の最小
出力ｂと最大出力ａの比ｂ／ａであるモジユレー
シヨンおよび磁性面の表面粗さRaを測定した。 結果を表１に示す。

〔発明の効果〕

以上の結果からも明らかなように、本発明によ
る熱処理を施した試料は、熱処理をしないものに
比し、平面性が良好で、ヘツドとのあたりが良い
ことがわかる。また120℃を超えると面が粗れモ
ジユレーシヨンも悪くなることもわかる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明で対象としているタイプの磁気
デイスクの一例を示す断面図、第２図は第１図の
磁気デイスクの一部拡大断面図である。 １……基盤、２……フレキシブルデイスク、３
……間隙、４……支持体、５……磁性層、７……
中心孔。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基盤の少くとも一側に、フレキシブルデイス
   クを、該デイスクの裏面と基盤との間に間隙を設
   けて貼りつけることにより磁気デイスクの製造方
   法において、フレキシブルデイスクを基盤に貼り
   つけた後に熱処理を行うことを特徴とする磁気デ
   イスクの製造方法。 ２ 基盤が金属、ガラス、少くとも該熱処理工程
   で熱変形を生じないポリマー、又はこれらの組合
   せよりなる特許請求の範囲第１項に記載の磁気デ
   イスクの製造方法。 ３ 熱処理温度がフレキシブルデイスクの支持体
   のガラス転移点以上120℃以下である特許請求の
   範囲第１項に記載の磁気デイスクの製造方法。 ４ フレキシブルデイスクの支持体が２軸配向ポ
   リエチレンテレフタレートフイルムである特許請
   求の範囲第１項に記載の磁気デイスクの製造方
   法。 ５ 熱処理温度が70℃以上120℃以下である特許
   請求の範囲第４項に記載の磁気デイスクの製造方
   法。