JPH05334666A - 磁気ディスクの製造方法および磁気ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ディスク基板上に、所定の凹凸パターンを有
する磁性層を形成し、しかも磁気ディスクのうねりや歪
を減少させて、平面性を良好にする。 【構成】 樹脂製の剛性のディスク基板上に磁性層を形
成し、ディスク体５０を得た後、ディスク体５０を、凹
凸パターンを有する一対の加圧手段１、２間に挟んでプ
レスする。この場合、プレス前あるいはプレス中にディ
スク体５０を加熱する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂製の剛性基板上に
磁性層を有する、いわゆるハードタイプの磁気ディスク
の製造方法と、磁気ディスクとに関する。

【０００２】

【従来の技術】計算機等に用いられる磁気ディスク駆動
装置には、剛性基板上に磁性層を設層したハードタイプ
の磁気ディスクが用いられている。ハードタイプの磁気
ディスクに記録再生を行なう磁気ヘッドとしては、各種
浮上型磁気ヘッドが用いられている。

【０００３】近年、これらの磁気ディスク装置は大容量
化、小型化にともない高記録密度化が急速に進展してい
る。そのため、磁気ディスクでは高密度化に対応するた
めに磁性層の高保磁力化、薄層化、平滑化が進められて
おり、磁気ヘッドではギャップ部の狭間隙化、高飽和磁
束密度化、およびスライダーの低浮上化が行なわれてい
る。

【０００４】また、剛性基板には、通常、ディスク状の
Ａｌ系の金属性基板が用いられているが、転送レートや
記録密度の向上のための高速回転化や、駆動装置の小型
化の要請が大きく、磁気ディスクの軽量化、更には低コ
スト化が強く望まれている。このため、金属製基板より
軽く、しかも低コストな樹脂性の剛性基板を用いた磁気
ディスクが注目されている。

【０００５】しかしながら、樹脂製基板は、アルミ合金
やガラス製のディスク基板と比較し平面度が悪く、基板
回転中の面ぶれが大きいためにヘッドの浮上量を小さく
することが困難であり、高密度な媒体には向かないとさ
れていた。これらを解決する手段として特開平１−２３
７９３２号公報には、樹脂製基板を成形した後、基板を
平板間に挟み、加熱し、平板間に圧力を加えて基板の平
面性を向上させる磁気ディスク基板の製造方法が提案さ
れているが、磁性層を形成する工程における熱歪や磁性
層の内部応力により、最終的にはディスクの平面性が悪
化してしまう。

【０００６】また、ハードタイプの磁気ディスクには、
スパッタリング等の気相成膜法により形成される連続薄
膜型磁性層を有する薄膜型磁気ディスクと、磁性微粒子
とバインダとを含有する磁性塗料を塗布した後、配向、
硬化等を行なって形成される塗布型磁性層を有する塗布
型磁気ディスクとがある。

【０００７】塗布型磁気ディスクは、通常、下記のよう
に製造される。

【０００８】まず、磁性塗料をディスク基板上に塗布
し、配向を行なう。次いで、塗膜を少し硬化した後、研
磨テープ等を作用させて、塗膜の表面を研磨し、所望の
膜厚に規制すると同時に表面を平滑化する。次いで、デ
ィスクを洗浄した後、塗膜を完全に硬化させる。そし
て、磁性層に潤滑剤を塗布した後、さらに表面平滑化処
理等を行なって磁気ディスクが得られる。

【０００９】この工程において、樹脂製基板は熱膨張率
が大きく、かつ半径方向の膨張率の異方性をなくすこと
がきわめて困難である。このため、樹脂製基板は、トラ
ックピッチを小さくして面記録密度を大きくした高密度
媒体には適さないとされていた。

【００１０】また、特開昭６１−２４０２１号公報に
は、ディスク基板の主面に、溝を同心円状のパターンに
形成し、このディスク基板上に、磁性層を形成し、その
表面形状を溝と同じパターンの凹凸形状とし、溝間のラ
ンド部にて記録・再生を行なう磁気ディスクが提案され
ている。

【００１１】このような溝を有する磁気ディスクの場
合、溝内では磁気ヘッドからの距離が大きくなって分離
損による減磁が増大するため、隣接する記録トラックを
溝にて分離できる。このため、線記録密度が高い場合で
もクロストークを防止できる。

【００１２】しかし塗布型の磁性層の場合、磁性塗料を
ディスク基板上に塗布した際、溝が磁性塗料でうまって
しまうため、特に溝のピッチや寸法が小さいと磁性層の
表面を溝のパターンどおりの凹凸とすることはきわめて
難しい。

【００１３】また、薄膜型磁気ディスクの場合、溝を有
する凹凸のパターンをもつディスク基板上に、例えば、
スパッタリング等により磁性層を形成すれば、磁性層の
表面を溝のパターンどおりの凹凸とすることができる
が、スパッタリング時の熱や磁性層の収縮等によりディ
スク基板が変形してしまう。

【００１４】この場合、磁気ディスクを矯正するために
加熱プレスすると、凹凸のパターンをもった溝が変形な
いし壊れることがある。

【００１５】なお、特開昭５８−１７５１３８号公報に
は、微細鏡面加工を施した金属板の間に、熱可塑性樹脂
基板上に磁性層を施したシートを装入し、前記基板の軟
化点以上の温度にて前記金属板を加熱プレスし、その後
冷却プレスして磁性層表面を鏡面化した後、シートを円
形に打ち抜く磁気ディスクの製造方法が開示されてい
る。

【００１６】そして、具体例として、厚さ５００μｍの
塩化ビニル製フィルムを基板として使用した磁気ディス
クと、厚さ５００μｍのアクリル樹脂板を基板として使
用した磁気ディスクとが開示されている。前記公報に記
載されている磁気ディスクの製造方法によれば、生産の
能率を向上できる。

【００１７】しかし、基板上に磁性層を形成したシート
を加熱プレスした後、シートを円形に打ち抜くと、加熱
プレスによって矯正した基板が、微妙に変形することが
あり、しかもシート上にグルーブを形成した場合、円形
に打ち抜く際の位置決めが困難である。

【００１８】また、前記公報に示される、厚さ５００μ
ｍの樹脂製の基板を外径６５〜１３０mm程度の磁気ディ
スクに用いると、剛性が不十分であり、磁気ディスクの
回転始動時に、磁気ディスクのたわみによってヘッドク
ラッシュが生じることがある。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主たる目的
は、磁気ディスクに溝、例えばトラッキング用のグルー
ブなどの連続あるいは不連続な凹凸パターンを高精度に
形成でき、しかも平面性の優れた磁気ディスクの製造方
法と、樹脂製基板を用いた剛性が高く、かつ軽量な高密
度の磁気ディスクとを提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）の本発明によって達成される。

【００２１】（１）樹脂製の剛性のディスク基板上に磁
性層を形成し、ディスク体を得、前記ディスク体を、加
熱した後、および／または、前記ディスク体を加熱しな
がら、表面に凸部を有する一対の加圧手段を用いて、前
記ディスク体の両主面のほぼ全体を同時にディスク厚さ
方向に加圧し、前記ディスク体表面のディスク周方向に
連続または不連続な溝を形成することを特徴とする磁気
ディスクの製造方法。

【００２２】（２）前記加熱時の加熱温度が４０〜３０
０℃であり、前記加圧時のプレス圧力が１〜５００kgf/
cm² である上記（１）に記載の磁気ディスクの製造方
法。

【００２３】（３）前記溝を磁気ディスクの表面に連続
または不連続の同心円状またはスパイラル状に形成する
上記（１）または（２）に記載の磁気ディスクの製造方
法。

【００２４】（４）前記溝の幅が２０μｍ以下、前記溝
の深さが３μｍ以下、溝間間隙のランド部の幅が１００
μｍ以下である上記（１）ないし（３）のいずれかに記
載の磁気ディスクの製造方法。

【００２５】（５）上記（１）ないし（４）のいずれか
に記載の方法にて製造され、樹脂製の剛性のディスク基
板上に、磁性微粒子を含有する塗布型の磁性層を有する
ことを特徴とする磁気ディスク。

【００２６】（６）前記磁性微粒子が強磁性金属微粒子
または六方晶系酸化物微粒子である上記（５）に記載の
磁気ディスク。

【００２７】

【作用】本発明の磁気ディスクの製造方法では、まず、
ディスク基板上に磁性塗料を塗布して磁性塗膜を形成
し、または連続磁性薄膜を形成し、ディスク体を得る。
次いで、ディスク体を加熱した後、および／または加熱
しながら、表面に連続または不連続な同心円状、スパイ
ラル状等の、所定のパターンの凸部を有する加圧手段を
用いてディスク体をディスク厚さ方向に加圧する。

【００２８】この加圧および加熱処理により、ディスク
基板および磁性塗膜や連続磁性薄膜が変形し、磁気ディ
スクの表面に所定のパターンの溝、例えば高精度のトラ
ッキング用のグルーブなどの連続あるいは不連続な凹凸
パターンを形成できる。

【００２９】そして、このようにして形成された溝には
情報が記録されないため、連続または不連続なは磁気ヘ
ッドの位置に関係なくガードバンドとして機能する。こ
のため、磁気ディスクに、溝を設ければ、サーボ信号を
電気的に書き込む必要がなく、しかもトラッキングサー
ボの精度を向上できる。また、隣接トラックからのクロ
ストークが著しく減少する。この際、レーザ光を利用し
たトラッキングサーボを用いることもできる。

【００３０】また、本発明の磁気ディスクの製造方法で
は、表面に所定の凹凸パターンを有する一対の平板状の
加圧手段を用い、ディスク体全体を同時に加圧するた
め、ディスク基板にうねりや歪等があっても溝の形状を
保持したままこれを矯正することができる。

【００３１】また、特に塗布型の磁気ディスクを製造す
る場合には、前記の加圧および加熱処理により、溝によ
る凹凸は別として塗膜表面が平滑化し、ディスク基板上
に均一な表面粗さを有し、均一な膜厚の磁性層を形成で
きる。

【００３２】このため、面ブレや面ブレ加速度が減少
し、再生出力のモジュレーションを防止でき、更にＳ／
Ｎが向上し、良好な記録・再生を行なうことができる。
しかも、加圧および／または加熱処理により磁性層の空
孔率が減少し、残留磁束密度Ｂｒが増加する。

【００３３】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００３４】本発明の磁気ディスクは、樹脂製の剛性の
ディスク基板上に、磁性層を有する。この場合、ディス
ク基板のいずれか一方の主面上に磁性層を有する片面記
録型の磁気ディスクでも、ディスク基板の両主面上に、
それぞれ、磁性層を有する両面記録型の磁気ディスクで
もよい。また、磁性層は、磁性微粒子を含有する磁性塗
料の塗膜を硬化した塗布型磁性層でも連続磁性薄膜の磁
性層でもよい。

【００３５】本発明の磁気ディスクのディスク基板に用
いる樹脂には特に制限がなく、熱可塑性樹脂、熱硬化性
樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂等何れの樹脂を使用
してもよい。

【００３６】この場合、ディスク基板をキャスティング
法で成型する場合は、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリアミド、シリコーン樹脂、ポリエステ
ルおよびこれらの変性体等が使用できる。

【００３７】インジェクション法で成型する場合は、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、塩化ビ
ニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリスチレン、
アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリ
ル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリル樹脂、ポ
リアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエ
ステル、ポリサルホン、ポリオキシベンジレン、ポリエ
ーテルサルホン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエ
ーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェ
ニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリケト
ンサルファイド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリ
アクリルイミド、ポリエーテルイミド、ポリオレフィ
ン、アモルファスポリオレフィンおよびこれらの変性体
等が使用できる。

【００３８】これらの各種非磁性材料の中では機械的強
度が高く、加工性等が良好、特に、後述する加圧および
加熱処理によって容易に溝を形成できる等の点で、ポリ
カーボネート、ポリオレフィン、ポリエーテルイミド等
の熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。

【００３９】また、トラッキング精度を向上させるため
に、ディスク基板には剛性のディスク基板を用いる。デ
ィスク基板が剛性であるとは、定量的にはディスク基板
の外径によって異なるため一意的には定まらないが、デ
ィスク基板の外径が６５〜１３０mm程度の場合、ディス
ク基板のヤング率をＥ、厚さをｔとしたとき、Ｅ・ｔ³
／１２が１×１０⁶ dyn・cm以上、より好ましくは１．５
×１０⁶ dyn・cm以上の場合である。

【００４０】ディスク基板の外径が６５〜１３０mm程度
の場合、Ｅ・ｔ³ ／１２が、前記未満であると、磁気デ
ィスクがたわみ、回転始動時にヘッドクラッシュが生じ
る傾向にある。なお、ディスク基板の外径が６５mm程度
未満の場合には、Ｅ・ｔ³ ／１２が前記の値よりも小さ
くても問題がない。

【００４１】ディスク基板の製造方法には特に制限がな
く、例えば、射出成形等により、直接ディスク状に成形
してもよく、あるいは、押し出しロール加工により板状
にした後、ディスク状に打ち抜いてもよい。

【００４２】ディスク基板の寸法は、用途等に応じて適
宜選択すればよいが、通常、外径６５〜１３０mm程度、
内径２０〜４０mm程度、厚さ０．８〜１．９mm程度であ
る。

【００４３】また、ディスク基板の表面には、帯電防
止、基板の硬度の増加、基板と磁性層との接着性の向上
等の目的で、特に、連続薄膜の磁性層を形成する場合
は、磁性層のクラック防止、耐食性向上、基板からの脱
ガス防止等の目的で、各種下地層を設けてもよい。

【００４４】下地層としては、例えば、スパッタリング
等の気相成膜法により形成した酸化物、窒化物、炭化
物、ケイ化物、ホウ化物および炭素の１種以上を含有す
る連続薄膜が好ましい。

【００４５】あるいは、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、ＳｎおよびＡｕからなる群より選ばれる１種
以上を含有する非磁性金属ないし非磁性合金の連続薄膜
も好適であり、合金を用いる場合には、前記金属を８０
重量％以上含有することが好ましい。

【００４６】さらには、ＣまたはＣと、Ｈ、ＮおよびＯ
のうちの１種以上を含有するプラズマ重合膜等も好適に
使用できる。

【００４７】下地層の膜厚は、通常１００〜３０００Ａ
程度とすればよい。なお、形成する下地層は、目的や磁
性層の種類等に応じて適宜選択すればよい。

【００４８】磁性層は、前記のとおり塗布型と連続薄膜
型とがあり、以下場合分けをして説明する。

【００４９】［磁性層（１）］磁性層の第１の例は、塗
布型の磁性層である。

【００５０】磁性層は、ディスク基板上に、磁性微粒子
を含有する磁性塗料を塗布して形成される。

【００５１】磁性層の保磁力は７００ Oe 以上とするこ
とが好ましい。保磁力がこの値未満であると十分な電磁
変換特性が得られず高密度記録が困難となる他、高い再
生出力が得られない。

【００５２】磁性層の保磁力は、組み合わせる磁気ヘッ
ドの性能を考慮し、十分なオーバーライト特性が得られ
る範囲とすればよいので、その上限は特にないが、通
常、３０００ Oe 以下とすることが好ましい。

【００５３】塗布型の磁性層に用いる磁性微粒子には特
に制限はなく、各種酸化物磁性粉等も使用可能である
が、高保磁力の磁性微粒子、例えば強磁性金属微粒子が
好ましい。強磁性金属微粒子等の高保磁力の磁性微粒子
を用いれば高い記録密度と、高い記録・再生感度が得ら
れる。

【００５４】この場合、用いる強磁性金属微粒子には特
に制限はないが、前記のような磁気特性が得られるよう
に選択することが好ましい。

【００５５】例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの単体、これら
の合金、またはこれらの単体および合金に、Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，さらにはＺｎ，Ｃｕ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｂｉ，Ａｇ，Ｐｔ等を添加した強磁性金属微粒子が
使用できる。

【００５６】また、これらの金属にＢ，Ｃ，Ｓｉ，Ｐ，
Ｎなどの非金属元素を少量添加したものであってもよ
く、Ｆｅ₄ Ｎ等、一部窒化されたものであってもよい。

【００５７】さらに、強磁性金属微粒子は、耐食性、耐
候性の向上のために、表面に酸化物の被膜を有するもの
であってもよい。このような酸化物としては、強磁性金
属微粒子を構成する金属の酸化物、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の各種
セラミックスが好ましい。

【００５８】強磁性金属微粒子の形状に特に制限はない
が、形状磁気異方性を利用できることから針状形態のも
のを用いることが好ましい。

【００５９】また、磁性微粒子の寸法は目的とする磁性
層の構成に応じて選定すればよいが、通常、長径０．１
５〜０．３０μｍ程度、針状比６〜１０程度のものを用
いることが好ましい。

【００６０】なお、強磁性金属微粒子を用いる場合は、
α−ＦｅＯＯＨ(Goethite)を還元する方法など、公知の
各種方法により製造すればよく、また、市販のものを用
いてもよい。

【００６１】また、結晶異方性を利用する磁性微粒子と
しては、バリウムフェライト、ストロンチウムフェライ
ト等の六方晶系酸化物微粒子がある。

【００６２】この場合、六方晶系酸化物微粒子の寸法
は、目的とする磁性層の構成に応じて選定すればよい
が、電磁変換特性上、平均粒径が０．１５μｍ以下、特
に０．０２〜０．１０μｍ程度、板状比は２以上、特に
３〜１０程度であるものが好ましい。

【００６３】ここで、平均粒径とは、電子顕微鏡写真
［走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）］によって、例えば六方晶系のバリウムフェ
ライト粒子５０個程度を観察し、粒径についての測定値
を平均にしたものである。また板状比とは、平均粒径／
平均厚みの値である。

【００６４】バリウムフェライトとしては、ＢａＦｅ₁₂
Ｏ₁₉等の六方晶系バリウムフェライトやバリウムフェラ
イトのＢａ、Ｆｅの一部をＣａ、Ｓｒ、Ｐｂ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎ
ｂ、Ｚｒ、Ｓｎその他の金属から選ばれる１種以上で置
換したもの等が挙げられる。

【００６５】また、ストロンチウムフェライトとして
は、六方晶系ストロンチウムフェライトＳｒＦｅ
₁₂Ｏ₁₉、あるいはこれを上記に準じて置換したものであ
ってもよい。

【００６６】この場合、磁化量増大や温度特性改善のた
め、六方晶系フェライトの表面をスピネルフェライトで
変成した物でもよい。さらに、耐候性・分散性向上のた
めに、これら粒子の表面に酸化物や有機化合物の被膜を
有するものであってもよい。

【００６７】バリウムフェライト等の製法としては、セ
ラミック法、共沈−焼成法、水熱合成法、フラックス
法、ガラス結晶化法、アルコキシド法、プラズマジェッ
ト法等があり、本発明ではいずれの方法を用いてもよ
い。これらの方法の詳細については小池吉康、久保修共
著“セラミックス１８（１９８３）No. １０”などを参
照することができる。

【００６８】磁性層形成に用いる磁性塗料は、通常、上
記した磁性微粒子とバインダと溶剤とを混練して調製さ
れる。この場合、磁性微粒子は、必要に応じて２種以上
併用してもよい。

【００６９】また、用いるバインダには特に制限がな
く、熱硬化性樹脂、反応型樹脂、紫外線硬化性、放射線
硬化性樹脂等の活性エネルギー線硬化性樹脂などから目
的に応じて選択すればよいが、薄層で十分な膜強度を確
保し、高い耐久性を得る必要があることから熱硬化性樹
脂あるいは紫外線硬化性、放射線硬化性などの活性エネ
ルギー線硬化性樹脂を用いることが好ましい。

【００７０】熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ビニル共重合系樹脂、ポリウレ
タン硬化型樹脂、尿素樹脂、ブチラール樹脂、ホルマー
ル樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコン樹
脂、アクリル系反応樹脂、ポリアミド樹脂、エポキシ−
ポリアミド樹脂、飽和ポリエステル樹脂、尿素ホルムア
ルデヒド樹脂などの縮重合系の樹脂あるいは高分子量ポ
リエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混合
物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレポ
リマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシ
アネートの混合物、低分子量グリコール／高分子量ジオ
ール／トリフェニルメタントリイソシアネートの混合物
など、上記の縮重合系樹脂とイソシアネート化合物など
の架橋剤との混合物、ビニル共重合系樹脂と架橋剤との
混合物、ニトロセルロース、セルロースアセトブチレー
ト等の繊維素系樹脂と架橋剤との混合物、ブタジエン−
アクリロニトリル等の合成ゴム系と架橋剤との混合物、
さらにはこれらの混合物が好適である。

【００７１】そして、特に、エポキシ樹脂とフェノール
樹脂との混合物、米国特許第３，０５８，８４４号に記
載のエポキシ樹脂とポリビニルメチルエーテルとメチロ
ールフェノールエーテルとの混合物、また特開昭４９−
１３１１０１号に記載のビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂とアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル重
合体との混合物等が好ましい。

【００７２】活性エネルギー線硬化性化合物の具体例と
しては、ラジカル重合性を有する不飽和二重結合を示す
アクリル酸、メタクリル酸、あるいはそれらのエステル
化合物のようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレー
トのようなアリル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸
誘導体等の不飽和結合等の放射線照射による架橋あるい
は重合する基を熱可塑性樹脂の分子中に含有または導入
した樹脂である。その他放射線照射により架橋重合する
不飽和二重結合を有する化合物であれば用いることがで
きる。

【００７３】活性エネルギー線硬化性バインダとして用
いられる樹脂としては、上記不飽和二重結合を樹脂の分
子鎖中や末端、側鎖に含有する飽和、不飽和ポリエステ
ル樹脂、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリビ
ニルアルコール系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、
エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、繊維素系樹脂、アクリ
ロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリブタジエン等が
好適である。

【００７４】さらに、オリゴマー、モノマーとして本発
明で用いられる放射線硬化性化合物としては、単官能ま
た多官能のトリアジン系アクリレート、多価アルコール
系アクリレート、ペンタエリスリトール系アクリレー
ト、エステル系アクリレート、ウレタン系アクリレート
および上記系の単官能または多官能のメタクリレート化
合物等が好適である。

【００７５】磁性塗料中のバインダの含有量に特に制限
はないが、磁性微粒子１００重量部に対し、１０〜５０
重量部程度とすることが好ましい。

【００７６】用いる溶剤に特に制限はなく、シクロヘキ
サノン、イソホロン等のケトン系、イソプロピルアルコ
ール、ブチルアルコール等のアルコール系、エチルセロ
ソルブ、酢酸セロソルブ等のセロソルブ系、トルエン等
の芳香族系等の各種溶剤を目的に応じて選択すればよ
い。

【００７７】磁性塗料中の溶剤の含有量に特に制限はな
いが、磁性微粒子１００重量部に対し、２００〜７００
重量部程度とすることが好ましい。

【００７８】磁性塗料中には、磁性層の機械的強度を高
めるために、α−Ａｌ₂ Ｏ₃ 、Ｃｒ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、
ＳｉＣ、α−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 等の無機微粒子を含有させるこ
とが好ましい。また、磁性塗料中には、必要に応じ、シ
リコーンオイル等の潤滑剤、その他の各種添加物を添加
してもよい。

【００７９】このような磁性塗料は、図１に示されるよ
うに樹脂製のディスク基板５１の表面に塗布され、磁性
塗料の塗膜５３を形成する。

【００８０】この場合、ディスク基板５１の表面あるい
は必要に応じて設けられる下地層の表面は、カップリン
グ剤、硬化性樹脂などで処理されていてもよい。

【００８１】磁性塗料の塗布方法には特に制限はない
が、均一な塗布が容易にできることから、スピンコート
法を用いることが好ましい。

【００８２】磁性塗料を塗布した後、必要に応じて塗膜
５３中の磁性微粒子の配向を行なう。この場合、塗膜５
３の磁化容易軸が、ディスク周方向またはディスク厚さ
方向に向くように配向することが好ましい。なお、配向
は、従来公知の方法に従って行なえばよい。

【００８３】また、配向の前に、溶剤蒸気中で磁界を印
加して塗膜５３のレベリングを行なってもよい。

【００８４】なお、本発明の製造方法では、基板をディ
スク状に加工した後、磁性塗料を塗布して塗膜５３を形
成するため、磁性微粒子を所望の方向へ配向させること
ができる。

【００８５】配向後、ディスク基板５１上に塗膜５３を
形成したディスク体５０の両主面のほぼ全体を同時にデ
ィスク厚さ方向に加圧してディスク体５０の表面にディ
スク周方向に溝を形成する。この場合、ディスク体５０
を加圧する前に、所定の温度までディスク体５０を加熱
しておく。また、これにかえて、あるいはこれに加え
て、加圧中に例えばホットプレスで加熱を行なう。

【００８６】なお、ディスク体５０の両主面全体を同時
に加圧しないで、例えば、ローラ等を用いて加圧する
と、ディスク体５０がゆがんでしまう。このため、トラ
ッキング時に磁気ヘッドの追従が困難となり、特にゆが
みやうねりがひどい場合には、ヘッドクラッシュが生じ
ることがある。また、記録・再生が困難となる。

【００８７】本発明に用いる装置は、ディスク体５０の
両主面のほぼ全体を同時にディスク厚さ方向に加圧で
き、ディスク体５０の表面に溝を形成できるものであれ
ば特に制限がない。ただし、加圧中に加熱をする場合
は、ホットプレスの機構を備える必要がある。１例を図
１に示し、以下説明する。

【００８８】装置は、一対の加圧手段１、２を有する。
一対の加圧手段１、２は、それぞれ、プレス板１１、２
１とスタンパ１３、２３とから構成される。

【００８９】ディスク体５０の表面性を決定する一対の
スタンパ１３、２３の表面は、図示されるように、それ
ぞれ、所望の凹凸形状に加工され、例えば、連続あるい
は不連続な同心円状、スパイラル状等に規則的に凸部や
凹部が形成されている。そして、凸部や凹部の表面は、
所望の表面粗さ（Ｒa)に加工されている。

【００９０】ディスク体５０を加熱および加圧処理する
には、まず、遠赤外線炉中で加熱するなど、従来公知の
加熱手段を用いてディスク体５０を加熱する。その後、
プレス板２１上に対向して配置されているスタンパ２３
上に、加熱したディスク体５０を載置する。次いで、デ
ィスク体５０上にスタンパ１３を載置し、プレス板１１
とプレス板２１間にてディスク体５０をディスク厚さ方
向に加圧する。

【００９１】また、加圧前にディスク体５０の加熱を行
なわず、あるいは前記加熱に加えて、加圧しながらディ
スク体５０の加熱を行なってもよい。

【００９２】プレス圧力、加熱温度、加圧・加熱時間等
の諸条件は、バインダの材質やディスク基板の材質等に
応じて適宜決定すればよい。この場合、加熱温度は、通
常ディスク基板５１の熱変形温度以上であり、４０〜３
００℃、特に６０〜２５０℃が好ましい。また、プレス
圧力は、１〜５００kgf/cm² 、より好ましくは、１〜３
００kgf/cm² 、さらに好ましくは５〜１５０kgf/cm² 、
特に好ましくは１０〜１００kgf/cm² が好ましい。ま
た、加圧時間は、３０分以下、特に１５分以下が好まし
い。

【００９３】このようにして、ディスク基板５１および
塗膜５３を変形させ、スタンパ１３、２３の表面のパタ
ーンをそのままディスク体５０の表面に転写して所望の
パターンの溝を形成し、ディスク体５０の形状を矯正す
る。このとき、磁性層だけが変形するか、あるいは磁性
層と基板がともに変形するかは、加熱温度、プレス圧
力、磁性層・基板の材質、厚みなどの諸条件によって変
わってくる。

【００９４】次いで必要に応じて、各種の硬化処理を行
なって塗膜５３を硬化し、磁性層を形成する。熱硬化性
バインダを使用した場合の硬化条件は、温度６０〜２５
０℃程度、加熱時間１〜４８時間程度が好ましい。ま
た、活性エネルギー線硬化性バインダを使用した場合の
硬化条件は、放射線照射量２〜１０Ｍｒａｄ程度が好ま
しい。なお、熱硬化性バインダを使用した場合は、前記
加圧および加熱処理と同時に硬化処理を行なってもよ
い。

【００９５】塗膜５３の硬化後、必要があればテープ研
磨などの研磨加工を行う。そして、その後に、磁性層表
面に液体潤滑剤を塗布し、磁層中に含浸させることが好
ましい。液体潤滑剤の塗布方法に制限はなく、例えば、
ディップ法、スピンコート法等を用いればよい。

【００９６】液体潤滑剤の含浸後、再びバニッシングを
行なうことにより、磁気ディスク表面の平滑性をさらに
向上させることが好ましい。

【００９７】このようにして、図２に示されるように両
主面に溝５７を有する両面記録型の磁気ディスク５が製
造される。なお、片面記録型の磁気ディスクの場合は、
磁性層５５形成面側に溝５７を形成すればよい。

【００９８】溝５７は、ディスク周方向に規則的に形成
され、主にトラッキング用のグルーブやピットとして用
いられる。

【００９９】溝５７のパターンには特に制限がなく、通
常、同心円状またはスパイラル状の連続グルーブや、不
連続ないし連続散乱状のピットとする。また、溝５７の
断面形状には特に制限がなく、Ｖ字形、矩形等種々のも
のであってよい。また、溝５７の寸法や、溝５７配置間
隔や、不連続溝５７の不連続寸法等には特に制限がな
く、目的等に応じて適宜決定すればよいが、下記の寸法
が好適である。 溝５７の幅ａ：２０μm 以下、特に１０μｍ以下、一般
に０．２μm 以上、特に０．５μm 以上 溝５７の深さｈ：３μｍ以下、特に１μｍ以下、一般に
０．０３μm 以上、特に０．０５μm 以上 溝間間隙のランド部５９の幅ｂ：１００μm 以下、特に
５０μｍ以下、一般に０．２μm 以上、特に０．５μm
以上

【０１００】なお、ランド部５９の幅ｂは、通常等間隔
とするが、内周側にて、漸増するようにしてもよい。

【０１０１】このように製造される塗布型の磁気ディス
ク５の残留磁束密度Ｂr は１０００〜３０００Ｇ程度、
角形比Ｓは０．７０〜０．９５程度、保磁力角形比Ｓ^*
は０．７０〜０．９５程度である。

【０１０２】［磁性層（２）］磁性層の第２の例は、連
続磁性薄膜である。

【０１０３】連続磁性薄膜の材質には特に制限がなく、
例えば、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる１種以上を
含有する連続薄膜、特にＣｏ系の連続薄膜で構成すれば
よい。

【０１０４】磁性層の組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎ
ｉ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−
Ｍｎ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｓ
ｉ−Ａｌ合金、Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ合金、Ｃ
ｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合
金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ合金
等が挙げられる。

【０１０５】なお、これら合金には、必要に応じ、Ｏ、
Ｎ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｎ、Ａｒ等の他の元素が０．１重量
％程度以下含有されていてもよい。

【０１０６】磁性層の膜厚は、３００〜１０００Ａが好
ましい。

【０１０７】前記範囲未満では、記録再生時における出
力が不十分であり、前記範囲をこえると記録密度が低下
する。

【０１０８】ディスク基板と磁性層との間、または必要
に応じて形成される下地層と、磁性層との間には、必要
に応じて、非磁性中間層が設けられる。

【０１０９】例えば、磁性層をＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐ、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等に
て構成する場合、非磁性中間層を設けることにより、磁
性層のエピタキシャル成長を良好に行なうことができ、
磁気特性が向上する。

【０１１０】非磁性中間層は、例えば、Ｃｒ、Ｍｏおよ
びＷから選ばれる１種以上、特にＣｒおよび／またはＷ
を含有する連続磁性薄膜にて構成すればよい。

【０１１１】この場合、用いる金属は単体でも合金でも
よいが、合金の場合、前記金属を８０重量％以上含有す
ることが好ましい。

【０１１２】非磁性中間層の膜厚は、５００〜５０００
Ａが好ましい。

【０１１３】前記範囲未満では磁性層のエピタキシャル
成長が不十分であるため、良好な磁気特性が得られな
い。前記範囲をこえるときには、磁性層の磁気特性がほ
ぼ一定に収束してくるため、磁気特性上意味がなく、ま
た、量産上不利である。

【０１１４】このような非磁性中間層や前記磁性層は、
それぞれ、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、ＣＶＤ等の各種気相成膜法にて成膜すればよく、特
にスパッタリングにて成膜することが好ましい。

【０１１５】連続薄膜型の磁性層上には、必要に応じ
て、さらに保護層や有機系液体潤滑膜等を設けてもよ
い。

【０１１６】保護層は、通常炭素あるいは炭素に他の元
素を５重量％程度以下添加したもので構成され、その膜
厚は、３００〜１０００Ａ程度とすればよい。

【０１１７】また、潤滑膜は、通常フッ素系液体潤滑剤
等にて構成され、その膜厚は５〜２０Ａ程度とすればよ
い。

【０１１８】なお、保護層等は、各種気相成膜法、特に
スパッタリングにて成膜すればよい。また、潤滑膜等
は、ディップコーティング、スプレーコーティング、ス
ピンコーティングにて成膜すればよい。

【０１１９】このような連続磁性薄膜の磁性層を有する
磁気ディスクの場合も、連続磁性薄膜成膜後に、前述し
た塗布型の磁性層と同様に加圧および加熱処理し、ディ
スク体の表面に連続あるいは不連続な溝を形成する。そ
して、溝の形状、パターン、寸法、溝配置間隔等の諸条
件は、前記と同様に種々のものであってよい。

【０１２０】次に、本発明の磁気ディスクを用いる磁気
記録再生方法について説明する。

【０１２１】本発明の磁気ディスクと組合わせて用いら
れる磁気ヘッドは、メタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）
型の磁気ヘッド、薄膜型の磁気ヘッド、さらにはこれら
とＭＲヘッドとの複合型や、光レーザを目的とした半導
体レーザを搭載した磁気ヘッドなどが好適である。

【０１２２】ＭＩＧ型磁気ヘッドは、一対のコアの少な
くとも一方のギャップ部対向面に、これらのコアよりも
飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドであ
る。ＭＩＧ型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁
束を磁性層に印加できるため、高い保磁力を有する磁性
層に有効な記録を行なうことができる。また、本発明で
は、ＭＩＧ型の磁気ヘッドの一種であるいわゆるエンハ
ンスト・デュアル・ギャップ・レングス（ＥＤＧ）型の
磁気ヘッドを用いてもよい。

【０１２３】記録再生時の磁気ディスクの回転数に特に
制限はなく、目的とする転送レート、浮上量、記録密度
等のシステム環境に応じて適宜設定すればよいが、例え
ば１５００〜４０００rpm 程度である。この場合、本発
明では軽量な樹脂製のディスク基板を使用しているた
め、４０００rpm 程度の高速回転駆動が可能であり、高
速転送レートが得られる。

【０１２４】本発明では通常、デジタル信号を記録する
ので、飽和記録を行なう。また、飽和記録を行なうの
で、オーバーライト記録が可能である。

【０１２５】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。

【０１２６】実施例１ 射出成形により製造された、外径φ３．５インチ、厚さ
１．２７mmのポリエーテルイミド（ウルテム）製のディ
スク基板を使用した。ディスク基板のＥ・ｔ³／１２
（Ｅはヤング率、ｔは厚さ）は５．１×１０⁶ dyn・cm、
熱変形温度は２００℃であった。

【０１２７】次に、下記のとおり磁性塗料を調整した。 磁性粉 １００重量部 バリウムフェライト 保磁力： ９４０ Ｏｅ 平均粒径： ０．０５μｍ 板状比： ３ アルミナ ３重量部 エポキシ樹脂（エピコート１００４、シェル化学社製） ２０重量部 熱変形温度：９８℃ フェノール樹脂（スミラックＰＣ２５、住友ベークライト社製） ２０重量部 熱変形温度：１７０℃ （スミラックPC25、住友ベークライト社製） シクロヘキサノン／イソホロン（１／１混合溶剤） ４５０重量部

【０１２８】上記組成物をボールミル中にて８０時間混
合、分散させた。

【０１２９】このようにして得られた磁性塗料を、ディ
スク基板に、スピンコート法により塗設し、ディスク体
を得た。

【０１３０】そして、レベリング装置を用い、空気中に
シクロヘキサノン蒸気を存在させた雰囲気中にて、ＮＳ
対向磁石によりディスクに直交磁界を印加しながらディ
スクを回転させて塗膜のレベリングを行った。

【０１３１】次に、対向磁石を配した配向装置によりデ
ィスク円周方向に配向処理を行なった後、塗膜を乾燥さ
せた。

【０１３２】そして、図１に示される加圧および加熱用
の装置を使用し、トラッキング用のグルーブを形成する
ためのスタンパを用いて、ディスク体の両主面全体を同
時に加圧しながらディスク体を加熱し、ディスク体の両
主面にトラッキング用の同心円状のグルーブを形成し、
同時に塗膜の硬化を行なった。

【０１３３】グルーブは、断面ほぼ矩形とし、グルーブ
の寸法は、幅１０μｍ、深さ１μｍ、ランド部幅２０μ
ｍとした。

【０１３４】また、処理条件は下記のとおりとした。 プレス圧力：１００kgf / cm² 加熱温度：２２０℃ 加圧時間：１５分間

【０１３５】次いで、冷却水により冷却し、１００℃以
下の温度でディスク体を取り出した後に、ＷＡ＃８００
０の研磨テープを用いて、テープ研磨装置によりバーニ
ッシュを行なった。その後、ディスク体を洗浄し、磁性
層に濃度０．１％のフルオロカーボン（ＫＲＹＴＯＸ
１４３ＣＺ：デュポン社製）のフロン溶液をディップ法
により塗布し、含浸させ、両面記録型の磁気ディスクサ
ンプルＮｏ．１を作製した。磁性層の膜厚は０．４０μ
m であった。

【０１３６】また、比較用に射出成形によりグルーブを
形成したディスク基板を用い、加圧および加熱処理を行
なわず、２２０℃、３０分間塗膜の熱硬化処理を行なっ
た以外はサンプルＮｏ．１と同様のサンプル作製し、こ
れを比較サンプルNo. ２とした。

【０１３７】実施例２ 実施例１のサンプルＮｏ．１と同一のディスク基板と、
放射線硬化性バインダを使用した下記の磁性塗料とを用
いてサンプルNo. ３を作製した。塗料組成は下記の通り
である。 磁性粉 １００重量部 バリウムフェライト 保磁力 ： ９４０ Ｏｅ 平均粒径： ０．０５μm 板状比 ： ３ アルミナ ３重量部 アクリル二重結合導入塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体（マレイン酸１％含有： 重量平均分子量５０、０００） ２８重量部（固形分換算） アクリル二重結合導入ポリエーテルウレタンエラストマー （重量平均分子量４０、０００） １２重量部（固形分換算） ペンタエリストールトリアクリレート ４重量部 ステアリン酸 ４重量部 ステアリン酸ブチル １０重量部 シクロヘキサノン／イソホロン（１／１混合溶剤） ４５０重量部 上記組成物をボールミル中にて８０時間混合、分散させ
た。

【０１３８】このようにして得られた磁性塗料を、ディ
スク基板に、スピンコート法により塗設し、ディスク体
を得た。

【０１３９】そして、レベリング装置を用い、空気中に
シクロヘキサノン蒸気を存在させた雰囲気中にて、ＮＳ
対向磁石によりディスクに直交磁界を印加しながらディ
スクを回転させて塗膜のレベリングを行なった。

【０１４０】次に、対向磁石を配した配向装置によりデ
ィスク円周方向に配向処理を行なった後、塗膜を乾燥さ
せた。

【０１４１】その後、遠赤外装置をもちいてディスク体
を表面温度２２０℃まで予備加熱を行い、直ちに図１に
しめされる加圧用の装置を用いて、ディスク体の両主面
全体を同時に加圧し、ディスク体の両主面にトラッキン
グ用の同心円状のグルーブを形成し、冷却後、ディスク
体を取り出した。

【０１４２】グルーブは、断面ほぼ矩形とし、グル−ブ
の寸法は、巾１０μｍ、深さ１μｍ、ランド部幅 ２０
μｍとした。

【０１４３】また、処理条件は下記の通りとした。 予備加熱時のディスク体表面温度： ２２０℃ プレス圧力： １００kgf/cm² 加圧時間： １分間

【０１４４】次いで、エレクトロカーテンタイプ電子線
加速装置を使用して加速電圧１５０ｋｅＶ、電極電流２
０ｍＡ、全照射量５Ｍｒａｄの条件で窒素雰囲気下にて
電子線を照射し、塗膜を硬化させた。

【０１４５】その後、ディスク体を洗浄した後に、ＷＡ
＃８０００の研磨テープを用いて、テープ研磨装置によ
りバーニッシュを行なった後、磁性層に濃度０．１％の
フルオロカーボン（ＫＲＹＴＯＸ １４３ＣＺ：デュポ
ン社製）のフロン溶液をディップ法により塗布し、含浸
させ、両面記録型の磁気ディスクサンプルNo. ３を作製
した。磁性層の膜厚は０．４０μm であった。

【０１４６】また、比較用に、射出成形によりグルーブ
を形成したディスク基板を用い、予備加熱および加圧処
理を行なわない以外はサンプルNo. ３と同様のサンプル
を作製し、これを比較サンプルNo. ４とした。

【０１４７】実施例３ 実施例１のサンプルNo. １と同一のディスク基板上に膜
厚１０００ＡのＡｌ下地層を成膜した。

【０１４８】そして、膜厚５００ＡのＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
磁性層を成膜した後、膜厚４００ＡのＣ保護層を成膜し
て、ディスク体を得た。

【０１４９】この場合、下地層、磁性層および保護層の
成膜は、それぞれ、ＤＣ−マグネトロンスパッタにて行
なった。

【０１５０】また、スパッタ条件は、動作圧力を１Paと
し、Ａｒ雰囲気中とした。

【０１５１】次いで、実施例２と同一の予備加熱および
加圧用の装置を用いて、グルーブの深さを０．５μｍと
した以外はサンプルNo. １と同様の工程作業を行ない、
グルーブが形成された、両面記録型の磁気ディスクサン
プルNo. ５を作製した。

【０１５２】予備加熱および加圧処理条件は下記のとお
りとした。 予備加熱時のディスク体表面温度 ： ２２０℃ プレス圧力 ： １００kgf/cm² 加圧時間 ： １分間

【０１５３】また、比較用に、射出成形によりグルーブ
を形成したディスク基板を用い、予備加熱および加圧処
理を行わない以外はサンプルNo. ５と同様のサンプルを
作製し、これを比較サンプルNo. ６とした。

【０１５４】以上の各サンプルに対し、下記の項目の評
価を行った。

【０１５５】（１） 面ブレ それぞれのディスクサンプルの軸方向の面ブレ量（ＴＩ
Ｒ）、面ブレ加速度（ＡＣＣ）をＲＶＡテスターで測定
した。測定条件は、３６００（±３６）ｒｐｍ、５ＫＨ
ｚ（ＡＣＣ）、１ＫＨｚ（ＴＩＲ）である。

【０１５６】（２） グルーブ形状 それぞれのディスクサンプルの断面観察・表面観察を透
過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）・走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて行ない、サンプルの基板および磁性層の凹
凸状態を評価した。なお、倍率は、５０００〜２０００
０倍とした。

【０１５７】評価基準 ◎…基板上のグルーブの凹凸に従い磁性層が均一に形成
されている。 ○…基板上のグルーブの凹凸に従い磁性層が均一に形成
されているが、若干、磁性層にクラックが見られる。 ×…基板上のグルーブの凹凸と、磁性層表面の凹凸とが
一致していなく、ディスク表面に、基板上の凹凸が完全
には再現されていない。

【０１５８】（３） 表面粗さ（Ｒａ） それぞれのディスクサンプルの表面粗さ（Ｒａ）を触針
式段差計（タリーステップ）を用いて、ＪＩＳ Ｂ ０
６０１に準じて求めた。

【０１５９】また、それぞれのサンプルに対して、浮上
型磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置を用いて記録
・再生を行った。磁気ヘッドにはギャップ長０．６μｍ
のモノリシックタイプのＭＩＧヘッドを用い、記録・再
生時のヘッド浮上量は０．２５μｍとした。

【０１６０】（４） モジュレーション（ＭＯＤ） ディスク最内周に３．３ＭＨｚの単一波長の信号を記録
し、その１周分の出力波形エンベロープより、出力のＰ
−Ｐ（ピーク ツー ピーク）値の最大値をＡ、最小値
をＢとし、下記式からモジュレーション（ＭＯＤ）を算
出した。 ＭＯＤ ＝ （Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）×１００ （％）

【０１６１】（５） Ｓ／Ｎ比 Ｓ／Ｎ比の測定は、ディスクの最内周で下記のとおり行
った。記録周波数３．３ＭＨｚで書き込んだ後、再生出
力（Ｖｒｍｓ）を１０ＭＨｚの帯域の交流電圧計にて測
定した。次に、このトラックで直流消去を３回行なった
後、交流電圧計で再生出力（Ｖ_DCｒｍｓ）を測定した。
また、ヘッドをオンロードし、システムノイズ（Ｖｎｏ
ｉｓｅ）を測定した。そしてＳ／Ｎ比を下記式から求め
た。 Ｓ／Ｎ比 ＝ Ｖｒｍｓ／（Ｖ_DCｒｍｓ² −Ｖｎｏｉｓｅ² ）^1/2

【０１６２】これらの結果は表１に示されるとおりであ
る。

【０１６３】

【表１】

【０１６４】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。

【０１６５】なお、本発明のサンプルNo. １およびNo.
３は、比較サンプルNo. ２およびNo. ４と比較し、磁性
層の空孔率が低く、残留磁束密度が高かった。

【０１６６】また、α−Ｆｅ微粒子を用い塗布型磁気デ
ィスクサンプルを作製し、同様の評価を行なったところ
同等の結果が得られ、さらに、グルーブの形状、パター
ンや寸法、または、加圧時のプレス圧力や加熱温度や加
圧時間等の条件、または、磁性微粒子やバインダ、磁性
層の組成等をかえて種々の塗布型磁気ディスクサンプル
や薄膜磁気ディスクサンプルを作製し、同様の評価を行
なったところ、同等の結果が得られた。

【０１６７】実施例４ 実施例１において、連続グルーブパターンを、不連続ピ
ットパターンとした。ピットのグルーブ幅は０．８μm
、ランド幅は０．８μm 、断面はほぼ矩形で１６００A
深さ、ピット長および間隔は、それぞれ４０MHz とし
た。

【０１６８】また、約１．５×３．０μm 、深さ１６０
０A のピットを４０MHz の間隔で設けたものも作製し
た。

【０１６９】この結果、いずれの場合も実施例１と同等
の結果が得られた。

【０１７０】

【発明の効果】本発明の塗布型の磁気ディスクの製造方
法によれば、ディスク基板上に、均一な表面粗さおよび
均一な膜厚を有し、空孔率が小さい磁性層を形成でき、
しかもディスク表面に高精度のトラッキング用等の連続
あるいは不連続のグルーブを形成できる。

【０１７１】そして、例えば、ローラ等を用いて加圧す
るのとは異なり、ディスク体全体を同時に加圧するた
め、磁気ディスクに、ゆがみやうねりが生じることがな
く、しかもうねり等が生じていても、これを矯正でき
る。さらには、ディスク基板は、十分な剛性を有する。

【０１７２】このため、トラッキングエラーやヘッドク
ラッシュ等がなく、しかも、再生出力のモジュレーショ
ンが低減し、Ｓ／Ｎ比が向上し、良好な記録・再生を行
なうことができる。

【０１７３】また、高精度のトラッキング用等のグルー
ブを容易に形成できるためＳ／Ｎ比が向上し、しかも製
造工程が少ないため、量産上非常に有利である。

【０１７４】また、本発明の連続薄膜型の磁気ディスク
の製造方法では、所定の加圧手段・加熱手段を用いて、
スパッタリング時の熱や磁性層の収縮等によるディスク
体の変形の矯正と、凹凸パターン形成とをほぼ同時に行
なう。

【０１７５】このため、良好な形状の凹凸パターンを有
し、しかもゆがみや歪等のない機械的精度ないし寸法精
度の高い磁気ディスクが実現し、再生出力のモジュレー
ションが低減し、Ｓ／Ｎ比が向上し、良好な記録・再生
を行なうことができる。

【０１７６】また、本発明の磁気ディスクは、樹脂製の
剛性のディスク基板を有するため、高速回転駆動が可能
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ディスクの製造方法を説明するた
めの断面図である。

【図２】本発明の塗布型の磁気ディスクの１例が示され
る断面図である。

【符号の説明】

１、２ 加圧手段 １１、２１ プレス板 １３、２３ スタンパ ５ 磁気ディスク ５０ ディスク体 ５１ ディスク基板 ５３ 塗膜 ５５ 磁性層 ５７ 溝 ５９ ランド部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂製の剛性のディスク基板上に磁性層
   を形成し、ディスク体を得、 前記ディスク体を、加熱した後、および／または前記デ
   ィスク体を加熱しながら、表面に凸部を有する一対の加
   圧手段を用いて、前記ディスク体の両主面のほぼ全体を
   同時にディスク厚さ方向に加圧し、前記ディスク体表面
   のディスク周方向に連続または不連続な溝を形成するこ
   とを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
2. 【請求項２】 前記加熱時の加熱温度が４０〜３００℃
   であり、前記加圧時のプレス圧力が１〜５００kgf/cm²
   である請求項１に記載の磁気ディスクの製造方法。
3. 【請求項３】 前記溝を磁気ディスクの表面に、連続ま
   たは不連続な同心円状またはスパイラル状に形成する請
   求項１または２に記載の磁気ディスクの製造方法。
4. 【請求項４】 前記溝の幅が２０μｍ以下、前記溝の深
   さが３μｍ以下、溝間間隙のランド部の幅が１００μｍ
   以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気デ
   ィスクの製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の方
   法にて製造され、樹脂製の剛性のディスク基板上に、磁
   性微粒子を含有する塗布型の磁性層を有することを特徴
   とする磁気ディスク。
6. 【請求項６】 前記磁性微粒子が強磁性金属微粒子また
   は六方晶系酸化物微粒子である請求項５に記載の磁気デ
   ィスク。