JPH0441459Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は円盤状の剛性基盤表面にフレキシブル
磁気シートを貼付してなる磁気記録用デイスクに
関するものである。

（従来技術） 従来から用いられている磁気デイスクの１つと
してリジツド磁気デイスクがあり、このリジツド
磁気デイスクはアルミニウム（例えばJIS
A5086）の円盤を基盤として用い、この基盤表面
に磁性層を設けて作られている。このリジツド磁
気デイスクの製造に際して、基盤は旋盤による旋
削の後、表面が研磨され、次いでこの研磨後の基
盤の表面に蒸着、スピン塗布等によつて磁性層を
設けて作られる。

この場合、記録・再生用のヘツドとデイスク表
面の間〓を小さくし、高密度記録・再生を行なわ
せるためには、デイスクの表面粗さは平滑である
程好ましい。しかしながら、アルミニウム盤を用
いたデイスクの場合には、中心線平均粗さRaが
0.1μm以下の表面を得ることは困難であつた。さ
らに、基盤が柔軟性を欠くため、磁性層を設ける
際、ウエブに連続して塗布ができない等の制約を
受け、さらに、高密度記録にとつて表面に付着す
るごみの影響が大きいため、ごみが付着せぬよう
デイスクを作らねばならず、手間のかかる製造工
程をより面倒且つ複雑で、多大な設備投資を必要
とするものにしていた。

又、アルミニウムに代表されるように従来の基
盤はリジツドであるため柔軟性がなく、ヘツドは
デイスクの磁性層上を一定の狭い間〓を有して非
接触のままトレースするようにする必要がある
が、この狭い間〓を一定に持続するのが困難であ
る。又、今後は記録密度を上げるため上記ヘツド
とデイスクとの間〓を更に小さくすることも要求
されるが、この間〓を小さくすることは従来のリ
ジツド磁性デイスクでは極めて困難であつた。す
なわち、この間〓が狭いままヘツドのトレースを
行なわせ、ヘツドがデイスク表面に接触するよう
なことが起こると、基盤がリジツドなため、ヘツ
ドが接触した磁性層表面に大きな衝撃力が集中
し、表面破壊が発生してデイスクの寿命を短いも
のとしていた。

さらに、上記の如き研磨したアルミニウム基盤
自体が高価であるという欠点があつた。

これに対して、最近、第４図に示すように、デ
イスク基盤５１の両面に凹部５４を設け、片面に
磁性層を有するフロツピーデイスク又はフレキシ
ブル磁気シート（以下、フレキシブル磁気シート
と称する）５２を磁性層を表面として基盤５１の
両面に貼り合わせ、フレキシブル磁気シート５２
の裏面と基盤５１との間に間〓５３を持たせた磁
気デイスクが提案されている。

このタイプの磁気デイスクは磁気記録面が柔軟
性を持つため、ヘツドが磁気記録面に接触した場
合や、更に高密度記録を行なわせるためにヘツド
と磁気記録面とを接触させた場合であつても、リ
ジツドデイスクのような基盤の破壊は起こりにく
い。また、フレキシブル磁気シートの技術がその
まま応用でき、表面が平滑で且つ耐久性のある磁
性層を磁気デイスク用の磁性層として用いること
ができるので、従来のリジツド磁気デイスクの次
点を解消できるものとして注目されている。

なお、上記のタイプの磁気デイスクにおいて
は、基盤の表面に貼付されるフレキシブル磁気シ
ートはたるみのないように貼付されるものである
が、基盤の材料（例えば、剛性樹脂等）とフレキ
シブル磁気シートの材料（例えば、プラスチツク
フイルム等）との相違による熱膨張率の相違か
ら、磁気デイスクの使用される温度条件等によつ
ては基盤上に貼付されたフレキシブル磁気シート
にたるみが生ずるおそれがあるという問題があ
る。

特に、この磁気デイスクが従来のアルミ製デイ
スクと互換性を有するようにするため、基盤の熱
膨張率をアルミニウムのそれと同じにする必要が
あることも多く、このようなときに特にたるみの
問題が生じやすい。

（考案の目的） 本考案はこのような問題に鑑みてなされたもの
で、基盤に熱膨張が生じても、この熱膨張によつ
て基盤表面に貼付されたフレキシブル磁気シート
にたるみが生じることがないように磁気デイスク
を提供することを目的とするものである。

（考案の構成） 本考案の磁気デイスクは、所定径の内孔を有す
る円盤状の基盤の表面に、この表面の外周部と内
周部との間において環状の凹部を形成し、この基
盤の表面に合わせた形状のフレキシブル磁気シー
トを外周部と内周部において接着して基盤表面に
貼付してなり、 上記基盤を半径方向に異なる２種以上の環状基
体を一体化して構成し、この環状基体の熱膨張率
が外周側の基体の方が内周側の基体より大きくな
るような材料により構成したことを特徴とするも
のである。

なお、このとき内周側基体は熱膨張率がアルミ
ニウムのそれとほぼ等しいような材料を用いるの
が好ましく、また基盤の外周部から内周部に至る
半径方向寸法の熱膨張による変化量が、この基盤
に貼付されたフレキシブル磁気シートの外周部か
ら内周部に至る半径方向寸法の熱膨張による変化
量より大きいかもしくは両者が等しくなるような
材料により上記環状基体を構成するのが好まし
い。

（実施例） 以下、図面により本考案の好ましい実施例につ
いて説明する。

第１図は本考案に係る磁気デイスク１０の使用
状態を示し、外部からのホコリ・ゴミ等の侵入を
防止したケース４内に、デイスクドライブ機構２
および記録・読取装置３が配されている。デイス
クドライブ機構２の駆動軸２ａと嵌合して磁気デ
イスク１０が取り付けられ、デイスクドライブ機
構２により磁気デイスク１０は高速回転（例え
ば、3600r.p.m.）される。一方、磁気デイスク１
０の表裏両面に対向して記録・読取装置３のヘツ
ド３ａ，３ｂが配されており、磁気デイスク１０
の高速回転により生じる空気流によりヘツド３
ａ，３ｂは磁気デイスク１０の表面から極く微小
の間〓（0.05〜0.15μm程度）を有して該表面上を
トレースし、記録・読取りを行なうようになつて
いる。

この磁気デイスク１０の構造を第２図および第
３図を用いて詳細に説明する。

磁気デイスク１０は、所定径の内孔１３ａを有
する円盤状の基盤１３および基盤１３の両面に貼
付された基盤表面と略同形状の２枚のフレキシブ
ル磁気シート１１，１２から構成される。

フレキシブル磁気シート１１，１２は支持体表
面に磁性層を設けてなり、いわゆるフロツピーデ
イスク用材料をそのまま用いることが可能であ
る。この支持体としては、ポリエチレンテレフタ
レート等のプラスチツクフイルムが用いられ、２
軸配向ポリエチレンテレフタレートフイルム
（PET）が好ましい。特に、２軸配向ポリエチレ
ンテレフタレートフイルムであつて、表面に磁性
層を設けたものが、約70℃で48時間熱処理した後
の収縮率が0.2％以下で、且つ縦横の収縮率の差
が、0.1％以下、好ましくは0.05％以下になるよ
うなものが好ましい。また、この支持体の少なく
とも磁性層を設ける側の面のRa（中心線平均粗
さ）が0.1μm以下であることが好ましく、このよ
うな支持体を用いることによつて最終製品である
磁気デイスクの記録密度を高くすることができ
る。支持体表面に設ける磁性層としては、磁性酸
化鉄や強磁性合金粉末をバインダー等と共に塗布
するもののみならず、真空蒸着、スパツタリン
グ、イオンプレーテイング等のベーパーデイポジ
シヨン法、メツキ法等によつて形成したものでも
よい。

一方、基盤１３の材料としてはアルミニウム、
アルミニウム合金などの金属、ガラス、合成樹脂
もしくはフイラー入り合成樹脂、又はこれらの組
合せが用いられ、これらのうちの２種の異なる材
料を用いた外周側環状基体１４と内周側環状基体
１５とが接合面１６（破線で示す）において一体
に接合されて基盤１３が構成されている。なお、
本考案の磁気デイスクの場合は、基盤１３上にフ
レキシブル磁気シート１１，１２を貼付するもの
であり、基盤１３の表面粗さはさほど要求され
ず、アルミニウムを用いても研磨等に要する費用
はそれ程大きくはない。なお、合成樹脂、フイラ
ー入り合成樹脂を用いた基盤は射出成型で大量に
製造でき、製造コストも低いという利点がある。

上記基盤１３の厚さは１〜５mm、フレキシブル
磁気シート１１，１２の厚さは10〜100μmが一般
的であり、磁気デイスクの寸法安定性は基盤のそ
れに支配されるので、基盤１３としては寸法安定
性のよいものを選ぶことが好ましい。なお、磁気
ヘツドのアームの材質は普通アルミニウムが使わ
れるので、基盤の熱膨張係数はアルミニウムの値
（2.4×10_U-5／℃）に近く、かつ吸湿膨張係数は
小さい程よい。

このような基盤１３の表および裏面にフレキシ
ブル磁気シート１１，１２を接着するのである
が、この接着は基盤１３の最外周部１３ｂおよび
最内周部１３ｃにおいてなされ、接着剤としては
熱硬化型、電子線、紫外線などの放射線硬化型等
が使用される。

一方、基盤１３の両面には最外周部１３ｂと最
内周部１３ｃの間において凹部１３ｄ，１３ｄが
形成されており、このため、基盤１３の両面にフ
レキシブル磁気シート１１，１２が接着される
と、このフレキシブル磁気シート１１，１２と凹
部１３ｄ，１３ｄとの間には間〓１６，１６が形
成される。

この間〓１６，１６があると、ヘツド３ａ，３
ｂが当接するフレキシブル磁気シート１１，１２
の表面が柔軟であり、ヘツド３ａ、３ｂとシート
１１，１２の磁性層が接触しても摩擦力を分散し
て耐久性を高めることができ、ヘツド３ａ，３ｂ
を磁性層に適当に接触させることができヘツド３
ａ，３ｂと磁性層との間〓を極めて小さくして高
密度記録が可能となる。このためには、凹部１３
ｄの深さは0.1mm以上であることが好ましい。な
お、原因は明確でないが間〓１６があると磁性層
６に付着したゴミの影響も少ないようである。

このように、ヘツド３ａ，３ｂは高速回転する
磁気デイスク１０のフレキシブル磁気シート１
１，１２の表面に極く近接して、もしくは接触し
て磁気デイスク１０上をトレースされるものであ
り、フレキシブル磁気シート１１，１２が基盤１
３に対したたるみのないように接着する必要があ
る。さらに、磁気デイスク１０が比較的高温条件
下で使用される場合などに、基盤１３とシート１
１，１２との熱膨張率、吸水膨張率等の差からた
るみが生ずることも防止する必要がある。

このため、２つの環状基体１４，１５からなる
基盤１３は、外周側環状基体１４の熱膨張率およ
び吸水膨張率が内周側環状基体１５の熱膨張率お
よび吸水膨張率より大きくなるような材料を用い
て作られ、これによつて基盤１３に熱膨張もしく
は吸水膨張が生じても最外周部１３ｂから最内周
部１３ｃに至る寸法が収縮することがなく、シー
ト１１，１２がたるむのを防止することができ
る。なお、シート１１，１２自体にも熱膨張等が
生じることを考えれば、基盤１３の最外周部１３
ｂから最内周部１３ｃに至る半径方向寸法の熱膨
張による変化量がシート１１，１２の対応する寸
法（最外周部から最内周部に至る半径方向寸法）
の熱膨張による変化量より大きいかもしくは等し
くなるような材料により上記環状基体を作るのが
好ましい。

さらに、本磁気デイスク１０は従来から用いら
れているアルミニウム製リジツド磁気デイスクと
の互換性を持たせることができるのが望ましく、
このため内周側環状基体１５を、熱膨張率がアル
ミニウムの熱膨張率と等しい材料により作るのが
好ましい。

なお、本実施例では２種の材料を用いた２つの
環状基体１４，１５からなる基盤１３について説
明したが、半径方向に異なる３種以上の環状基体
を一体化して基盤１３を構成してもよい。

また、本実施例においては基盤１３の両面にフ
レキシブル磁気シート１１，１２を貼り付ける場
合について説明したが、片面にのみ貼り付けても
よい。

（考案の効果） 以上説明したように、本考案によれば表面に環
状凹部を有する基盤にフレキシブル磁気シートを
貼付してなる磁気デイスクにおいて、この基盤を
半径方向に異なる２種以上の環状基体を一体化し
て構成し、且つ外周側の環状基体を熱膨張率が内
周側の環状基体のそれより大きい材料から構成し
ているので、基盤の熱膨張により基盤に貼付され
たフレキシブル磁気シートにたるみが生じるのを
防止することができる。さらに、内周側の環状基
体の熱膨張率をアルミニウムと略等しくすること
ができ、従来のアルミ製デイスクとの互換性も確
保できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案に係る磁気デイスクを記録・読
取装置に装着した状態を示す断面図、第２図は上
記磁気デイスクの断面図、第３図は上記磁気デイ
スクの構成部品の斜視図、第４図は従来の磁気デ
イスクを示す断面図である。 ２……デイスクドライブ機構、３ａ，３ｂ……
ヘツド、１０……磁気デイスク、１１，１２……
フレキシブル磁気シート、１３……基盤、１４…
…外周側基体、１５……内周側基体、１６……間
〓。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 所定径の内孔を有する円盤状の基盤の少なく
   とも一方の面における外周部と内周部との間に
   環状の凹部を形成し、環状のフレキシブル磁気
   シートを上記外周部と内周部において接着し
   て、該シートを上記一方の面に貼付してなる磁
   気デイスクにおいて、 基盤が半径方向に異なる２種以上の環状基体
   を一体化したものから構成され、外周側の環状
   基体の熱膨張率が内周側の環状基体の熱膨張率
   より大きいことを特徴とする磁気デイスク。 ２ 上記内周側の環状基体の熱膨張率がアルミニ
   ウムの熱膨張率とほぼ等しいことを特徴とする
   実用新案登録請求の範囲第１項記載の磁気デイ
   スク。 ３ 上記環状基体が、上記基盤の外周部と内周部
   との半径方向寸法の熱膨張による変化量が該基
   盤に貼付された上記フレキシブル磁気シートの
   外周部から内周部に至る半径方向寸法の熱膨張
   による変化量より大きいもしくは両変化量が等
   しくなるような材料からなることを特徴とする
   実用新案登録請求の範囲第１項もしくは第２項
   記載の磁気デイスク。