JPH0560170B2 - - Google Patents
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- JPH0560170B2 JPH0560170B2 JP60259564A JP25956485A JPH0560170B2 JP H0560170 B2 JPH0560170 B2 JP H0560170B2 JP 60259564 A JP60259564 A JP 60259564A JP 25956485 A JP25956485 A JP 25956485A JP H0560170 B2 JPH0560170 B2 JP H0560170B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0025—Preventing defects on the moulded article, e.g. weld lines, shrinkage marks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
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- B29C2045/0049—Details relating to the filling pattern or flow paths or flow characteristics of moulding material in the mould cavity the injected material flowing against a mould cavity protruding part
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は円盤状の剛性基盤表面にフレキシブル
磁気シートを貼付してなる磁気記録用デイスクの
製造方法に関するものである。
磁気シートを貼付してなる磁気記録用デイスクの
製造方法に関するものである。
(従来技術)
従来から用いられている磁気デイスクの1つと
してリジツド磁気デイスクがあり、このリジツド
磁気デイスクはアルミニウム(例えばJIS
A5086)の円盤を基盤として用い、この基盤表面
に磁性層を設けて作られている。このリジツド磁
気デイスクの製造に際して、基盤は旋盤による旋
削の後、表面が研磨され、次いでこの研磨後の基
盤表面に蒸着、スピン塗布等によつて磁性層を設
けて作られる。
してリジツド磁気デイスクがあり、このリジツド
磁気デイスクはアルミニウム(例えばJIS
A5086)の円盤を基盤として用い、この基盤表面
に磁性層を設けて作られている。このリジツド磁
気デイスクの製造に際して、基盤は旋盤による旋
削の後、表面が研磨され、次いでこの研磨後の基
盤表面に蒸着、スピン塗布等によつて磁性層を設
けて作られる。
この場合、記録・再出用のヘツドとデイスク表
面の間隙を小さくし、高密度記録・再生を行なわ
せるためには、デイスクの表面粗さは平滑である
程好ましい。しかしながら、アルミニウム盤を用
いたデイスクの場合には、中心線平均粗さRaが
0.1μm以下の表面を得ることは困難であつた。さ
らに、基盤が柔軟性を欠くため、磁性層を設ける
際、ウエブに連続して塗布ができない等の制約を
受け、さらに、高密度記録にとつて表面に付着す
るごみの影響が大きいため、ごみが付着せぬよう
デイスクを作らねばならず、手間のかかる製造工
程をより面倒且つ複雑で、多大な設備投資を必要
とするものにしていた。
面の間隙を小さくし、高密度記録・再生を行なわ
せるためには、デイスクの表面粗さは平滑である
程好ましい。しかしながら、アルミニウム盤を用
いたデイスクの場合には、中心線平均粗さRaが
0.1μm以下の表面を得ることは困難であつた。さ
らに、基盤が柔軟性を欠くため、磁性層を設ける
際、ウエブに連続して塗布ができない等の制約を
受け、さらに、高密度記録にとつて表面に付着す
るごみの影響が大きいため、ごみが付着せぬよう
デイスクを作らねばならず、手間のかかる製造工
程をより面倒且つ複雑で、多大な設備投資を必要
とするものにしていた。
又、アルミニウムに代表されるように従来の基
盤はリジツドであるため柔軟性がなく、ヘツドは
デイスクの磁性層上を一定の狭い間隙を有して非
接触のままトレースするようにする必要がある
が、この狭い間隙を一定に持続するのが困難であ
る。又、今後は記録密度を上げるため上記ヘツド
とデイスクとの間隙を更に小さくすることも要求
されるが、この間隙を小さくすることは従来のリ
ジツド磁気デイスクでは極めて困難であつた。す
なわち、この間隙が狭いままヘツドのトレースを
行なわせ、ヘツドがデイスク表面に接触するよう
なことが起こると、基盤がリジツドなため、ヘツ
ドが接触した磁性層表面に大きな衝撃力が集中
し、表面破壊が発生してデイスクの寿命を短いも
のとしていた。
盤はリジツドであるため柔軟性がなく、ヘツドは
デイスクの磁性層上を一定の狭い間隙を有して非
接触のままトレースするようにする必要がある
が、この狭い間隙を一定に持続するのが困難であ
る。又、今後は記録密度を上げるため上記ヘツド
とデイスクとの間隙を更に小さくすることも要求
されるが、この間隙を小さくすることは従来のリ
ジツド磁気デイスクでは極めて困難であつた。す
なわち、この間隙が狭いままヘツドのトレースを
行なわせ、ヘツドがデイスク表面に接触するよう
なことが起こると、基盤がリジツドなため、ヘツ
ドが接触した磁性層表面に大きな衝撃力が集中
し、表面破壊が発生してデイスクの寿命を短いも
のとしていた。
さらに、上記の如き研磨したアルミニウム基盤
自体が高価であるという欠点があつた。
自体が高価であるという欠点があつた。
これに対して、最近、第4図に示すように、デ
イスク基盤51の両面に凹部54を設け、片面に
磁性層を有するフロツピーデイスク又はフレキシ
ブル磁気シート(以下、フレキシブル磁気シート
と称する)52を磁性層を表面として基盤51の
両面に貼り合わせ、フレキシブル磁気シート52
の裏面と基盤51との間に間隙53を持たせた磁
気デイスクが提案されている。
イスク基盤51の両面に凹部54を設け、片面に
磁性層を有するフロツピーデイスク又はフレキシ
ブル磁気シート(以下、フレキシブル磁気シート
と称する)52を磁性層を表面として基盤51の
両面に貼り合わせ、フレキシブル磁気シート52
の裏面と基盤51との間に間隙53を持たせた磁
気デイスクが提案されている。
このタイプの磁気デイスクは磁気記録面が柔軟
性を持つため、ヘツドが磁気記録面に接触した場
合や、更に高密度記録を行なわせるためにヘツド
と磁気記録面とを接触させた場合であつても、リ
ジツドデイスクのような基盤の破壊は起こりにく
い。また、フレキシブル磁気シートの技術がその
まま応用でき、表面が平滑で且つ耐久性ある磁性
層を磁気デイスク用の磁性層として用いることが
できるので、従来のリジツド磁気デイスクの欠点
を解消できるものとして注目されている。
性を持つため、ヘツドが磁気記録面に接触した場
合や、更に高密度記録を行なわせるためにヘツド
と磁気記録面とを接触させた場合であつても、リ
ジツドデイスクのような基盤の破壊は起こりにく
い。また、フレキシブル磁気シートの技術がその
まま応用でき、表面が平滑で且つ耐久性ある磁性
層を磁気デイスク用の磁性層として用いることが
できるので、従来のリジツド磁気デイスクの欠点
を解消できるものとして注目されている。
このような磁気デイスクの場合には、フレキシ
ブル磁気シート52の平面精度は高いことが要求
されるが、基盤51の寸法精度等は、従来のアル
ミニウム基盤程の高精度は必要ないため、この基
盤をプラスチツク材料等の射出成型により作り、
生産性を向上させることができる。基盤を射出成
型する場合には、射出後の基盤に異方性を生じさ
せないように、基盤の中心部にランナー・スプー
ル部を設け、材料を金型内において該中心部から
半径方向外方へ送り込んで成型するのが一般的で
あるが、基盤には磁気デイスクを回転駆動させる
軸が嵌合する内孔が必要であり、このため射出成
型後にこの基盤を機械加工してこの内孔を形成す
る必要がある。
ブル磁気シート52の平面精度は高いことが要求
されるが、基盤51の寸法精度等は、従来のアル
ミニウム基盤程の高精度は必要ないため、この基
盤をプラスチツク材料等の射出成型により作り、
生産性を向上させることができる。基盤を射出成
型する場合には、射出後の基盤に異方性を生じさ
せないように、基盤の中心部にランナー・スプー
ル部を設け、材料を金型内において該中心部から
半径方向外方へ送り込んで成型するのが一般的で
あるが、基盤には磁気デイスクを回転駆動させる
軸が嵌合する内孔が必要であり、このため射出成
型後にこの基盤を機械加工してこの内孔を形成す
る必要がある。
このようにして基盤を製造すると、射出成型工
程と内孔の機械加工工程との2つの工程を必要と
するため製造上手間がかかるものとなつている。
このため、上記内孔も射出成型により形成し、機
械加工工程を省略することも考えられる。内孔を
有する円盤を射出成型するには、射出成型後の円
盤に異方性が生じないように、第5図に示すよう
に内孔55の近傍に等間隔で複数(本例では3か
所)のピンゲート56a,56b,56cを設け
て射出成型する。このようにして、射出成型する
と各ピンゲート56a,56b,56cから射出
された樹脂は図中矢印で示すようにして扇形状に
広がる。このため、各ピンゲートからの樹脂流が
出会う所にウエルドライン57a,57b,57
cが形成され、このようにして成型された基盤5
1はウエルドライン57a,57b,57cの部
分においてひずみが生じ易く、かつこの部分での
強度が低下し易いという問題がある。
程と内孔の機械加工工程との2つの工程を必要と
するため製造上手間がかかるものとなつている。
このため、上記内孔も射出成型により形成し、機
械加工工程を省略することも考えられる。内孔を
有する円盤を射出成型するには、射出成型後の円
盤に異方性が生じないように、第5図に示すよう
に内孔55の近傍に等間隔で複数(本例では3か
所)のピンゲート56a,56b,56cを設け
て射出成型する。このようにして、射出成型する
と各ピンゲート56a,56b,56cから射出
された樹脂は図中矢印で示すようにして扇形状に
広がる。このため、各ピンゲートからの樹脂流が
出会う所にウエルドライン57a,57b,57
cが形成され、このようにして成型された基盤5
1はウエルドライン57a,57b,57cの部
分においてひずみが生じ易く、かつこの部分での
強度が低下し易いという問題がある。
(発明の目的)
本発明はこのような問題に鑑みたもので、内孔
を有する円盤状の基盤をウエルドラインを生ぜし
めることなく射出成型できるようにして、生産性
の良い磁気デイスクの製造方法を提供することを
目的とするものである。
を有する円盤状の基盤をウエルドラインを生ぜし
めることなく射出成型できるようにして、生産性
の良い磁気デイスクの製造方法を提供することを
目的とするものである。
(発明の構成)
本発明の製造方法は、所定径の内孔を有する円
盤状の基盤を射出成型し、且つ、この基盤の少な
くとも一方の面の外周部と内周部との間に環状の
凹部を形成し、この外周部およ内周部においてフ
レキシブル磁気シートを接着してこのシートを上
記一方の面に貼付してなる磁気デイスクの製造方
法であり、 基盤の内孔近傍に射出成型用ピンゲートを設け
るとともに、このピンゲートの近傍外周における
基盤上に上記内孔と同心円状の環状溝を設けて、
ピンゲートから射出流入された樹脂材料をまず環
状溝の内周側に充填させ、次いで外周側へ流入さ
せてこの樹脂材料が半径方向外方へ均一に流出す
るようになし、ウエルドラインを生ぜしめること
なく基盤の射出成型ができるようにしたことを特
徴とするものである。
盤状の基盤を射出成型し、且つ、この基盤の少な
くとも一方の面の外周部と内周部との間に環状の
凹部を形成し、この外周部およ内周部においてフ
レキシブル磁気シートを接着してこのシートを上
記一方の面に貼付してなる磁気デイスクの製造方
法であり、 基盤の内孔近傍に射出成型用ピンゲートを設け
るとともに、このピンゲートの近傍外周における
基盤上に上記内孔と同心円状の環状溝を設けて、
ピンゲートから射出流入された樹脂材料をまず環
状溝の内周側に充填させ、次いで外周側へ流入さ
せてこの樹脂材料が半径方向外方へ均一に流出す
るようになし、ウエルドラインを生ぜしめること
なく基盤の射出成型ができるようにしたことを特
徴とするものである。
(実施例)
以下図面により、本発明の好ましい実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図は本発明に係る磁気デイスク10の使用
状態を示し、外部からのホコリ・ゴミ等の侵入を
防止したケース4内に、デイスクドライブ機構2
および記録・読取装置3が配されている。デイス
クドライブ機構2の駆動軸2aと嵌合して磁気デ
イスク10が取り付けられ、デイスクドライブ機
構2により磁気デイスク10は高速回転(例え
ば、3600r.p.m.)される。一方、磁気デイスク1
0の表裏両面に対向して記録・読取装置3のヘツ
ド3a,3bが配されており、磁気デイスク10
の高速回転により生じる空気流によりヘツド3
a,3bは磁気デイスク10の表面から極く微少
の間隙(0.05〜0.15μm程度)を有して該表面上を
トレースし、記録・読取りを行なうようになつて
いる。
状態を示し、外部からのホコリ・ゴミ等の侵入を
防止したケース4内に、デイスクドライブ機構2
および記録・読取装置3が配されている。デイス
クドライブ機構2の駆動軸2aと嵌合して磁気デ
イスク10が取り付けられ、デイスクドライブ機
構2により磁気デイスク10は高速回転(例え
ば、3600r.p.m.)される。一方、磁気デイスク1
0の表裏両面に対向して記録・読取装置3のヘツ
ド3a,3bが配されており、磁気デイスク10
の高速回転により生じる空気流によりヘツド3
a,3bは磁気デイスク10の表面から極く微少
の間隙(0.05〜0.15μm程度)を有して該表面上を
トレースし、記録・読取りを行なうようになつて
いる。
この磁気デイスク10は、所定径の内孔22を
有する円盤状の基盤21の表面に基盤21とほぼ
同形状のフレキシブル磁気シート11,12を貼
付してなる。この基盤21はプラスチツク材料を
射出成型して作られるのであるが、その製造方法
を第2図および第3図により説明する。
有する円盤状の基盤21の表面に基盤21とほぼ
同形状のフレキシブル磁気シート11,12を貼
付してなる。この基盤21はプラスチツク材料を
射出成型して作られるのであるが、その製造方法
を第2図および第3図により説明する。
磁気ヘツドのアームの材質はアルミニウムが使
われることおよび従来のアルミニウム製基盤との
互換性が要求されることから、基盤20の材料と
しては樹脂材料に各種のフイラーを混入して熱膨
脹率をアルミニウムの値に近くしたものが用いら
れる。この材料を、基盤21の内孔22の近傍に
おいて射出成型用金型上に等間隔で配された3か
所のピンゲート23a,23b,23cから金型
内へ射出して、図示のような基盤21を成型す
る。このとき、基盤21の表および裏面にはピン
ゲート23a,23b,23cの外周近傍に位置
し半径方向に交互にずれた内孔と同心円状の環状
溝24,25が形成されるようになつている。こ
のため、この環状溝24,25の部分には金型が
突出している。このような金型によつて射出成型
するためピンゲート23a,23b,23cから
金型内に射出された樹脂は、環状溝24を作るた
めに突出した金型の部分に邪魔されて半径方向外
方へ流出しにくいため、まず内孔22と環状溝2
4とに挟まれた部分に充満し、次いで環状溝2
4,25によつて狭められたすき間24a,25
aを通つて半径方向外方へ流れ出す。このように
すると、内孔22と環状溝24とに挟まれた部分
からすき間24a,25aを通つて流れ出す樹脂
はピンゲート23a,23b,23cの位置に拘
らず、全周にわたつてほぼ均一に半径方向外方へ
流れ出すため、第5図に示したようなウエルドラ
インが生ずることもない。
われることおよび従来のアルミニウム製基盤との
互換性が要求されることから、基盤20の材料と
しては樹脂材料に各種のフイラーを混入して熱膨
脹率をアルミニウムの値に近くしたものが用いら
れる。この材料を、基盤21の内孔22の近傍に
おいて射出成型用金型上に等間隔で配された3か
所のピンゲート23a,23b,23cから金型
内へ射出して、図示のような基盤21を成型す
る。このとき、基盤21の表および裏面にはピン
ゲート23a,23b,23cの外周近傍に位置
し半径方向に交互にずれた内孔と同心円状の環状
溝24,25が形成されるようになつている。こ
のため、この環状溝24,25の部分には金型が
突出している。このような金型によつて射出成型
するためピンゲート23a,23b,23cから
金型内に射出された樹脂は、環状溝24を作るた
めに突出した金型の部分に邪魔されて半径方向外
方へ流出しにくいため、まず内孔22と環状溝2
4とに挟まれた部分に充満し、次いで環状溝2
4,25によつて狭められたすき間24a,25
aを通つて半径方向外方へ流れ出す。このように
すると、内孔22と環状溝24とに挟まれた部分
からすき間24a,25aを通つて流れ出す樹脂
はピンゲート23a,23b,23cの位置に拘
らず、全周にわたつてほぼ均一に半径方向外方へ
流れ出すため、第5図に示したようなウエルドラ
インが生ずることもない。
なお、本例ではピンゲートを内孔の近傍に等間
隔で3か所に設けた例を示したが、ピンゲートの
数はこれに限らず2か所でもよいし、さらに多く
の箇所に設けてもよい。また、環状溝の数も、一
方の面に1つだけ設けてもよく、さらに多くの溝
を設けてもよい。
隔で3か所に設けた例を示したが、ピンゲートの
数はこれに限らず2か所でもよいし、さらに多く
の箇所に設けてもよい。また、環状溝の数も、一
方の面に1つだけ設けてもよく、さらに多くの溝
を設けてもよい。
また、フレキシブル磁気シートとの間に間隙を
作るための環状の凹部26a,26bは射出成型
により形成せしめるのが好ましい。
作るための環状の凹部26a,26bは射出成型
により形成せしめるのが好ましい。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、基盤の
内孔近傍にピンゲートを設けるとともに、ピンゲ
ートの外周近傍に環状溝を設け、ピンゲートを介
して射出された樹脂材料を環状溝の内周側に充填
させた後に外周側へ流出させるようにしているの
で、 外周側への樹脂材料の流出を環状溝の全周にわ
たつて均一に行なわせることができ、射出成型後
の基盤にウエルドラインが生じることを防止する
ことができる。
内孔近傍にピンゲートを設けるとともに、ピンゲ
ートの外周近傍に環状溝を設け、ピンゲートを介
して射出された樹脂材料を環状溝の内周側に充填
させた後に外周側へ流出させるようにしているの
で、 外周側への樹脂材料の流出を環状溝の全周にわ
たつて均一に行なわせることができ、射出成型後
の基盤にウエルドラインが生じることを防止する
ことができる。
第1図は本発明に係る磁気デイスクを記録・読
取装置に装着した状態を示す断面図、第2図は上
記磁気デイスクの基盤を示す斜視図、第3図は上
記基盤の部分断面図、第4図は従来の磁気デイス
クを示す断面図、第5図は従来の磁気デイスク用
基盤を示す斜視図である。 2…デイスクドライブ機構、3a,3b…ヘツ
ド、10…磁気デイスク、11,12…フレキシ
ブル磁気シート、21…基盤、22…内孔、2
4,25…環状溝。
取装置に装着した状態を示す断面図、第2図は上
記磁気デイスクの基盤を示す斜視図、第3図は上
記基盤の部分断面図、第4図は従来の磁気デイス
クを示す断面図、第5図は従来の磁気デイスク用
基盤を示す斜視図である。 2…デイスクドライブ機構、3a,3b…ヘツ
ド、10…磁気デイスク、11,12…フレキシ
ブル磁気シート、21…基盤、22…内孔、2
4,25…環状溝。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 所定径の内孔を有する円盤状の基盤の少なく
とも一方の面における外周部と内周部との間に環
状の凹部を形成し、環状のフレキシブル磁気シー
トを上記外周部と内周部において接着して、該シ
ートを上記少なくとも一方の面に貼付してなる磁
気デイスクの製造方法であつて、 上記基盤の上記内孔近傍に射出成型用ピンゲー
トを設けるとともに該ピンゲートの近傍外周にお
ける上記基盤上に上記内孔と同心円状の環状溝を
設け、上記ピンゲートより流入された射出成型用
樹脂材料を該環状溝の内周側を充填した後に該環
状溝の外周側へ流出させて上記基盤を射出成型す
ることを特徴とする磁気デイスクの製造方法。 2 上記環状溝が上記基盤の両面に少なくとも1
つずつ半径方向交互にずれて設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気デ
イスクの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60259564A JPS62119730A (ja) | 1985-11-19 | 1985-11-19 | 磁気デイスクの製造方法 |
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