JPH0644344B2 - 磁気デイスク - Google Patents
磁気デイスクInfo
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- JPH0644344B2 JPH0644344B2 JP60171896A JP17189685A JPH0644344B2 JP H0644344 B2 JPH0644344 B2 JP H0644344B2 JP 60171896 A JP60171896 A JP 60171896A JP 17189685 A JP17189685 A JP 17189685A JP H0644344 B2 JPH0644344 B2 JP H0644344B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/74—Record carriers characterised by the form, e.g. sheet shaped to wrap around a drum
- G11B5/82—Disk carriers
- G11B5/825—Disk carriers flexible discs
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
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- G11B5/73927—Polyester substrates, e.g. polyethylene terephthalate
- G11B5/73931—Two or more layers, at least one layer being polyester
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は面内方向もしくは垂直方向の磁気記録として用
いるデイスクに関する。
いるデイスクに関する。
従来、磁気デイスクの１つとしてリジツド磁気デイスク
が用いられており、この磁気デイスクの基盤としては柔
軟性の少ないリジツドな材料が使用されている。
が用いられており、この磁気デイスクの基盤としては柔
軟性の少ないリジツドな材料が使用されている。
通常、リジツド磁気デイスクの基盤としては、アルミニ
ウム盤（例えばＪＩＳ Ａ5086）が使われている。
ウム盤（例えばＪＩＳ Ａ5086）が使われている。
このようなリジツド磁気デイスクは、一般に旋盤により
アルミニウムを旋削し、ヘツドとデイスクのスペーシン
グを小さくし、高密度記録が行なえるようにデイスク表
面の研磨を行つた後に、蒸着、スピン塗布等によつて磁
性層を設けることによつて作られている。この場合、高
密度記録再生のためには、デイスクの表面粗さは平滑な
程好ましいが、中心旋平均粗さＲa が0.1μｍ以下の表
面を得ることは従来のアルミニウム基盤のデイスクでは
困難であつた。さらに基盤が柔軟性を欠くため、磁性層
を設ける際、ウエブへ連続して塗布することができない
等の制約を受け、扱いが著しく面倒であつた。さらに高
密度記録にとつて表面に付着するごみの影響が大きいた
めごみが付着せぬようデイスクを作らねばならず、ただ
でさえ手間のかかる工程をより面倒で複雑で、巨額の設
備投資を必要とするものにしていた。
アルミニウムを旋削し、ヘツドとデイスクのスペーシン
グを小さくし、高密度記録が行なえるようにデイスク表
面の研磨を行つた後に、蒸着、スピン塗布等によつて磁
性層を設けることによつて作られている。この場合、高
密度記録再生のためには、デイスクの表面粗さは平滑な
程好ましいが、中心旋平均粗さＲa が0.1μｍ以下の表
面を得ることは従来のアルミニウム基盤のデイスクでは
困難であつた。さらに基盤が柔軟性を欠くため、磁性層
を設ける際、ウエブへ連続して塗布することができない
等の制約を受け、扱いが著しく面倒であつた。さらに高
密度記録にとつて表面に付着するごみの影響が大きいた
めごみが付着せぬようデイスクを作らねばならず、ただ
でさえ手間のかかる工程をより面倒で複雑で、巨額の設
備投資を必要とするものにしていた。
又、アルミニウムに代表されるように従来の基盤はリジ
ツドであるため柔軟性がなく、ヘッドがデイスクの磁性
層上をトレースする際非接触であらねばならず、このス
ペーシングが狭いままで一定に持続することは困難であ
り、今后更に記録密度を上げるためヘツドとデイスクの
スペースを更に小さくすることは極めて困難であつた。
ツドであるため柔軟性がなく、ヘッドがデイスクの磁性
層上をトレースする際非接触であらねばならず、このス
ペーシングが狭いままで一定に持続することは困難であ
り、今后更に記録密度を上げるためヘツドとデイスクの
スペースを更に小さくすることは極めて困難であつた。
スペーシングが狭いままトレースとするとたまたまヘツ
ドが、デイスク表面に接触するようなことがおこると基
盤がリジツドなため、ヘツドと磁性層の接触した表面に
大きな衝撃力が集中し、表面破壊が発生し、デイスクの
寿命を短いものとしていた。
ドが、デイスク表面に接触するようなことがおこると基
盤がリジツドなため、ヘツドと磁性層の接触した表面に
大きな衝撃力が集中し、表面破壊が発生し、デイスクの
寿命を短いものとしていた。
さらに、上記の如き研磨したアルミニウム基盤自体が高
価であるという欠点があつた。
価であるという欠点があつた。
これに対して最近、第１図に示すように、デイスク基盤
１の両面に凹部を設け、一面に磁性層を有するフロツピ
ーデイスク又はヘレキシブルデイスク（以下総称して
「フレキシブルデイスク」と称する）を磁性層を表面と
して基盤１の両面に貼り合わせ、フレキシブルデイスク
２の裏面と基盤１との間に間隙３を持たせた磁気デイス
クが提案されている。
１の両面に凹部を設け、一面に磁性層を有するフロツピ
ーデイスク又はヘレキシブルデイスク（以下総称して
「フレキシブルデイスク」と称する）を磁性層を表面と
して基盤１の両面に貼り合わせ、フレキシブルデイスク
２の裏面と基盤１との間に間隙３を持たせた磁気デイス
クが提案されている。
このタイプの磁気デイスクは磁気記録面が柔軟性をもつ
ため、たまたまヘツドが磁気記録面に接触しても、更に
はヘツドと磁気記録面と接触させて、より高記録密度で
記録を行うようなときにも、リジツド・デイスクの場合
と異なり、磁気層の破壊がおこりにくい。このためフレ
キシブルデイスクの技術がそのまま応用でき、表面が平
滑で且つ耐久性のある磁性層を磁気デイスク用と磁性層
として用いられるので従来のリジツド磁気デイスクの欠
点を解消できるものとして注目されている。
ため、たまたまヘツドが磁気記録面に接触しても、更に
はヘツドと磁気記録面と接触させて、より高記録密度で
記録を行うようなときにも、リジツド・デイスクの場合
と異なり、磁気層の破壊がおこりにくい。このためフレ
キシブルデイスクの技術がそのまま応用でき、表面が平
滑で且つ耐久性のある磁性層を磁気デイスク用と磁性層
として用いられるので従来のリジツド磁気デイスクの欠
点を解消できるものとして注目されている。
本発明者らは、このタイプの磁気デイスクについて検討
した結果、なお大きな問題点があることを知つた。すな
わち、フレキシブルデイスクを、第１図に示すように、
単に間隙３が形成されるように基盤１の両側に任意に貼
り合せただけでは経時により、又、磁気デイスクが高温
環境下（７０℃程度）に置かれたりすると、一般にフレ
キシブルデイスク２の収縮力によつて磁気デイスクにそ
りが生じてしまう。また温湿度を変化させてもそりが生
じ、変化の度合が大きい程、そりも大きくなつてしま
う。
した結果、なお大きな問題点があることを知つた。すな
わち、フレキシブルデイスクを、第１図に示すように、
単に間隙３が形成されるように基盤１の両側に任意に貼
り合せただけでは経時により、又、磁気デイスクが高温
環境下（７０℃程度）に置かれたりすると、一般にフレ
キシブルデイスク２の収縮力によつて磁気デイスクにそ
りが生じてしまう。また温湿度を変化させてもそりが生
じ、変化の度合が大きい程、そりも大きくなつてしま
う。
前者のそりは一般に基盤１の塑性変形を誘発するもので
不可逆であり、後者のそりは可逆である。又、後者のそ
りは一般に小さく、実害は少ない。しかし前者の如き収
縮による不可逆のそりが生じるとデイスク表面と磁気ヘ
ツドとの接触状態（実際には非接触）等の悪化により出
力が減じ、ひどい場合には出力がゼロになつてしまう。
つまり高密度記録ができない。
不可逆であり、後者のそりは可逆である。又、後者のそ
りは一般に小さく、実害は少ない。しかし前者の如き収
縮による不可逆のそりが生じるとデイスク表面と磁気ヘ
ツドとの接触状態（実際には非接触）等の悪化により出
力が減じ、ひどい場合には出力がゼロになつてしまう。
つまり高密度記録ができない。
従つて本発明の目的は上記したタイプの磁気デイスクで
あつて、経時および高温環境下等に保管されてもそれが
生じない磁気デイスクを提供することにある。
あつて、経時および高温環境下等に保管されてもそれが
生じない磁気デイスクを提供することにある。
本発明の他の目的は、高密度記録が可能で、信号の書き
込みエラーあるいは読み出しエラーを生じず、且つ耐久
性が良好で容易にしかも安価に製造し得る磁気デイスク
を提供することにある。
込みエラーあるいは読み出しエラーを生じず、且つ耐久
性が良好で容易にしかも安価に製造し得る磁気デイスク
を提供することにある。
本発明者らは、上記の原因の究明を鋭意研究した結果、
磁気デイスクに用いるフレキシブルデイスクの支持体の
異方性に原因があることをつかみ、さらに研究を重ねた
結果、フレキシブルデイスクを基盤に貼りつける際、基
盤の両側の夫々のフレキシブルデイスクの支持体の機械
方向（ＭＤ方向）をそろえることで上記そりが緩和でき
ることを見出した。
磁気デイスクに用いるフレキシブルデイスクの支持体の
異方性に原因があることをつかみ、さらに研究を重ねた
結果、フレキシブルデイスクを基盤に貼りつける際、基
盤の両側の夫々のフレキシブルデイスクの支持体の機械
方向（ＭＤ方向）をそろえることで上記そりが緩和でき
ることを見出した。
すなわち、本発明は、フレキシブルデイスクがその基盤
の上下両側に、該基盤と間隙を有するように貼りつけら
れた磁気デイスクにおいて、前記両フレキシブルデイス
クの夫々の支持体の機械方向（ＭＤ方向）と光軸方向と
のうち少なくとも機械方向が一致するように構成された
ことを特徴とする磁気デイスクにある。
の上下両側に、該基盤と間隙を有するように貼りつけら
れた磁気デイスクにおいて、前記両フレキシブルデイス
クの夫々の支持体の機械方向（ＭＤ方向）と光軸方向と
のうち少なくとも機械方向が一致するように構成された
ことを特徴とする磁気デイスクにある。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で対象とする磁気デイスクは、第１図及び第２図
に断面図として例示するように基盤１の両面に間隙３を
介して支持体４上に磁性層５を設けたフレキシブルデイ
スク２を貼りつけたものである。なお、７はデイスクを
回転させる回転軸の入る中心孔である。
に断面図として例示するように基盤１の両面に間隙３を
介して支持体４上に磁性層５を設けたフレキシブルデイ
スク２を貼りつけたものである。なお、７はデイスクを
回転させる回転軸の入る中心孔である。
本発明で用いるフレキシブルデイスク２としては、いわ
ゆるフロツピーデイスクとして用いられる材料を用いる
ことができる。フレキシブルデイスクの支持体４として
は、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチツクフイ
ルムが用いられ、２軸配向ポリエチレンテレフタレート
フイルム（ＰＥＴ）が好ましい。特に２軸配向ポリエチ
レンテレフタレートフイルムであつて、磁性層を設けた
ものが、約７０℃で４８時間熱処理した後の収縮率が
０．２％以下で且つ縦横の収縮率の差が０．１％以下、
好ましくは０．０５％以下になるようなものが好まし
い。また熱膨張係数は、基盤がアルミニウムの場合には
縦横ともアルミニウムの値に近く、かつ吸湿膨張係数は
小さい程よい。
ゆるフロツピーデイスクとして用いられる材料を用いる
ことができる。フレキシブルデイスクの支持体４として
は、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチツクフイ
ルムが用いられ、２軸配向ポリエチレンテレフタレート
フイルム（ＰＥＴ）が好ましい。特に２軸配向ポリエチ
レンテレフタレートフイルムであつて、磁性層を設けた
ものが、約７０℃で４８時間熱処理した後の収縮率が
０．２％以下で且つ縦横の収縮率の差が０．１％以下、
好ましくは０．０５％以下になるようなものが好まし
い。また熱膨張係数は、基盤がアルミニウムの場合には
縦横ともアルミニウムの値に近く、かつ吸湿膨張係数は
小さい程よい。
また、フレキシブルデイスクの支持体としては、少くと
も磁性層を設ける側の面のＲa（中心粗さ）が０．１μ
ｍ以下であることが好ましく、このような支持体を用い
ることによつて最終製品である磁気デイスクの記録密度
を高くすることができる。支持体に設ける磁性層５とし
ては、磁性酸化鉄や強磁性合金粉末をバインダー等と共
に塗布するもののみならず真空蒸着、スパツタリング、
イオンプレーテイング等のベーパーデポジシヨン法、メ
ツキ法等によつて形成したものでもよい。
も磁性層を設ける側の面のＲa（中心粗さ）が０．１μ
ｍ以下であることが好ましく、このような支持体を用い
ることによつて最終製品である磁気デイスクの記録密度
を高くすることができる。支持体に設ける磁性層５とし
ては、磁性酸化鉄や強磁性合金粉末をバインダー等と共
に塗布するもののみならず真空蒸着、スパツタリング、
イオンプレーテイング等のベーパーデポジシヨン法、メ
ツキ法等によつて形成したものでもよい。
本発明に用いるデイスク基盤としては、例えば、断面形
状が第１図及び第２図に例示したものが用いられる。
状が第１図及び第２図に例示したものが用いられる。
間隙３は、ヘツドと磁性層５が接触する際、摩擦力を分
散して耐久性を強めること、および磁性層５がヘツドに
適当に接触できスペーシングも極めて狭くなり高密度記
録が可能となることの２つの目的で設けている。そのた
めに、間隙３の深さｄは、使用時の諸条件を考慮すると
少くとも０．１mm以上必要である。その他、間隙３があ
ると、原因は明確でないが、例えば、磁気ヘツドとデイ
スク面との対応状態において、フレキシブルデイスク２
の柔軟性が有効に発揮され、該ヘツドの掃き出し作用等
により、磁性層６に付着したゴミの影響も少ないようで
ある。
散して耐久性を強めること、および磁性層５がヘツドに
適当に接触できスペーシングも極めて狭くなり高密度記
録が可能となることの２つの目的で設けている。そのた
めに、間隙３の深さｄは、使用時の諸条件を考慮すると
少くとも０．１mm以上必要である。その他、間隙３があ
ると、原因は明確でないが、例えば、磁気ヘツドとデイ
スク面との対応状態において、フレキシブルデイスク２
の柔軟性が有効に発揮され、該ヘツドの掃き出し作用等
により、磁性層６に付着したゴミの影響も少ないようで
ある。
なお、第１図及び第２図には、内外周縁部分６が水平の
場合を示したが、傾斜していてもよい。また、基盤の内
径、外径や周縁部６の大きさは使用目的に応じて任意に
選ぶことができる。
場合を示したが、傾斜していてもよい。また、基盤の内
径、外径や周縁部６の大きさは使用目的に応じて任意に
選ぶことができる。
デイスク基盤１の材料としてはアルミニウム、アルミニ
ウム合金などの金属、ガラスもしくは合成樹脂、フイラ
ー入りの樹脂、または、これらの組合せが用いられる。
ウム合金などの金属、ガラスもしくは合成樹脂、フイラ
ー入りの樹脂、または、これらの組合せが用いられる。
次に要求される事項としては安価なことである。本発明
で、例えば金属の代表であるアルミニウムを基盤に用い
ても、第１図からわかるように磁性層は基盤の表面粗さ
に影響されないので研磨の精度はさぼど要求されず、研
磨等に要する費用は大きくなくてすむ。
で、例えば金属の代表であるアルミニウムを基盤に用い
ても、第１図からわかるように磁性層は基盤の表面粗さ
に影響されないので研磨の精度はさぼど要求されず、研
磨等に要する費用は大きくなくてすむ。
ポリマー基盤は射出成型で大量に製造できるため一般に
安価である。
安価である。
さらに高温での保存によつて変形しないために、結晶性
ポリマーで耐熱性を有するか、またはガラス転位点が８
０℃以上の非晶性ポリマーが好ましい。材料の具体例と
しては、ポリカーボネート、ポリフエニレンサルフアイ
ド、ポリサルフアイドポリイミド、ポリサルホン、ポリ
アクリレート、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイ
ミド、ポリエーテルエーテルケトンなどがある。
ポリマーで耐熱性を有するか、またはガラス転位点が８
０℃以上の非晶性ポリマーが好ましい。材料の具体例と
しては、ポリカーボネート、ポリフエニレンサルフアイ
ド、ポリサルフアイドポリイミド、ポリサルホン、ポリ
アクリレート、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルイ
ミド、ポリエーテルエーテルケトンなどがある。
なお、基盤の膨張係数の値を小さくするためにＴiＯ2,
ＳiＯ2などの金属酸化物やＢaＳＯ4,ガラス繊維などを
５〜３５重量％混入してもよい。
ＳiＯ2などの金属酸化物やＢaＳＯ4,ガラス繊維などを
５〜３５重量％混入してもよい。
本発明における基盤の厚さは１〜５mm、貼りつけるフレ
キシブルデイスクの厚さは10〜100μｍが一般的であ
り、磁気デイスクの寸法安定性は基盤のそれに支持され
るので、基盤としては寸法安定性のよいものを選ぶこと
が好ましい。
キシブルデイスクの厚さは10〜100μｍが一般的であ
り、磁気デイスクの寸法安定性は基盤のそれに支持され
るので、基盤としては寸法安定性のよいものを選ぶこと
が好ましい。
磁気ヘッドのアームの材質は普通アルミニウムが使われ
るので、基盤の熱膨張係数は、アルミニウムの値（２．
４×10-5／℃）に近く、かつ吸湿膨張係数は小さい程よ
い。これはフレキシブルデイスクの支持体と同様の条件
である。
るので、基盤の熱膨張係数は、アルミニウムの値（２．
４×10-5／℃）に近く、かつ吸湿膨張係数は小さい程よ
い。これはフレキシブルデイスクの支持体と同様の条件
である。
前述の基盤に、フレキシブルデイスクを接着せしめるの
であるが、接着剤としては、熱硬化型、電子線、紫外線
などの放射線硬化型等が使用できる。
であるが、接着剤としては、熱硬化型、電子線、紫外線
などの放射線硬化型等が使用できる。
接着の際、接着をさせる面の一方もしくは両方に、接着
を容易にするため、ポリエステル、ポリカーボネートな
どのポリマーを用いて下引処理をするか、またはコロナ
放電、グロー放電、火焔処理などの物理的表面処理を行
つた方がよい。
を容易にするため、ポリエステル、ポリカーボネートな
どのポリマーを用いて下引処理をするか、またはコロナ
放電、グロー放電、火焔処理などの物理的表面処理を行
つた方がよい。
かくしてフレキシブルデイスクを基盤に貼りつけるので
あるが、この際発明の構成に記したようにフレキシブル
デイスクのそりを防ぐため、基盤の両側の夫々のフレキ
シブルデイスクの支持体のＭＤ方向、さらに好ましくは
ＭＤ方向と光軸方向とをそろえる。
あるが、この際発明の構成に記したようにフレキシブル
デイスクのそりを防ぐため、基盤の両側の夫々のフレキ
シブルデイスクの支持体のＭＤ方向、さらに好ましくは
ＭＤ方向と光軸方向とをそろえる。
本発明において光軸方向とは、支持体の熱膨張係数が最
小となる方向をいう。又、ＭＤ方向とは、周知の如く樹
脂成形時における分子配向によつて生ずる樹脂の機械的
物性の特性を示す方向を云う。なお、一般に支持体の製
造に際しては、冷却処理、伸延処理等が施された長尺の
樹脂素材を用いるが、光軸方向は素材幅方向と中心部分
で一致し、両端方向に行くにしたがつて一定割合でずれ
ている。従つて、素材からドーナツツ状の支持体を取り
出すときは、ＭＤ方向と光軸方向とが同じ割合でずれた
一対のものを取り出して、その向き（角度）を換えるこ
となく互に裏返しになるように基盤と上下両側に貼り付
けることにより、ＭＤ方向及び熱収縮率ならびに光軸方
向及び熱膨張・吸湿膨張係数を一致させることができ、
また、ＭＤ方向および熱収縮率のみを一致させるには、
単に樹脂素材の幅方向の中心軸線に対して等距離に位置
した部分を取り出して樹脂素材の方向姓のみを一致させ
ればよく、基盤の上下両側において互に裏返しに貼り付
けるようにしなくてもよい。
小となる方向をいう。又、ＭＤ方向とは、周知の如く樹
脂成形時における分子配向によつて生ずる樹脂の機械的
物性の特性を示す方向を云う。なお、一般に支持体の製
造に際しては、冷却処理、伸延処理等が施された長尺の
樹脂素材を用いるが、光軸方向は素材幅方向と中心部分
で一致し、両端方向に行くにしたがつて一定割合でずれ
ている。従つて、素材からドーナツツ状の支持体を取り
出すときは、ＭＤ方向と光軸方向とが同じ割合でずれた
一対のものを取り出して、その向き（角度）を換えるこ
となく互に裏返しになるように基盤と上下両側に貼り付
けることにより、ＭＤ方向及び熱収縮率ならびに光軸方
向及び熱膨張・吸湿膨張係数を一致させることができ、
また、ＭＤ方向および熱収縮率のみを一致させるには、
単に樹脂素材の幅方向の中心軸線に対して等距離に位置
した部分を取り出して樹脂素材の方向姓のみを一致させ
ればよく、基盤の上下両側において互に裏返しに貼り付
けるようにしなくてもよい。
なお、フレキシブルシートの製造工程において、磁性層
は樹脂素材がドーナツツ状に切断される以前に形成され
ることが多く、後者の場合となることは少ない。
は樹脂素材がドーナツツ状に切断される以前に形成され
ることが多く、後者の場合となることは少ない。
本発明においてそりを防ぐ効果は、ＭＤ方向ならびに光
軸方向のずれが小さい程著しく、ずれが大きくなるにつ
れ指数関数的に効果が減少する。効果が許容範囲になる
目安として、ＭＤ方向は±１５゜以内、光軸方向は±２
０゜以内が好ましい。
軸方向のずれが小さい程著しく、ずれが大きくなるにつ
れ指数関数的に効果が減少する。効果が許容範囲になる
目安として、ＭＤ方向は±１５゜以内、光軸方向は±２
０゜以内が好ましい。
以下、実施例によつて本発明を具体的に説明するが、本
発明の範囲を限定するものではない。
発明の範囲を限定するものではない。
実施例 〔フレキシブルデイスクの調製〕 厚さ３５μｍのＭＤおよび光軸を予め調べた２軸配向ポ
リエチレンテレフタレートフイルム支持体の片面に次の
組成を有する磁性液を乾燥及びカレンダー後の磁性層の
厚さが１．５μｍになるように塗布、乾燥、カレンダー
処理し、磁性層を設け、ドーナツ状シートに打抜きフレ
キシブルシートを作つた。
リエチレンテレフタレートフイルム支持体の片面に次の
組成を有する磁性液を乾燥及びカレンダー後の磁性層の
厚さが１．５μｍになるように塗布、乾燥、カレンダー
処理し、磁性層を設け、ドーナツ状シートに打抜きフレ
キシブルシートを作つた。
磁性液Ｉ γ−Ｆe2Ｏ3 300重量部 ＰＶＣ−Ａc（塩化ビニル−酢酸ビニル共重体） （ＶＹＨＨ ＵＣＣ社製） 40重量部 エポキシ樹脂（エピコート1001 シエル化学社製） 40重量部 ポリアミド（バーサミド115 ＧＭ社製） 20重量部 メチルイソブチルケトン／キシロール（２／１） 800重量部 〔基盤の調整〕 一方、ポリエーテルイミドにガラス繊維を３０％含有せ
しめた基盤を射出成型により形成した。
しめた基盤を射出成型により形成した。
基盤の形状は第１図に示すとおりであり、デイスク基板
の外径及び内径は夫々１３０mm及び４０mmの貼りつける
部分６の長さは２mmであつた。また基盤の厚さは２mm、
間隙３の深さｄは０．２５mmであつた。この基盤に熱硬
化性接着剤エポキシを施して前記ドーナツ状のシートに
打抜いた２枚のフレキシブルシートを支持体のＭＤ方向
を下記の各条件のように変えて貼りつけ、室温で２４時
間硬化させた。
の外径及び内径は夫々１３０mm及び４０mmの貼りつける
部分６の長さは２mmであつた。また基盤の厚さは２mm、
間隙３の深さｄは０．２５mmであつた。この基盤に熱硬
化性接着剤エポキシを施して前記ドーナツ状のシートに
打抜いた２枚のフレキシブルシートを支持体のＭＤ方向
を下記の各条件のように変えて貼りつけ、室温で２４時
間硬化させた。
次いでこれらのサンプルを７０℃ １６８時間（１週
間）熱処理し、そりを測定した。そりは中心孔を垂直な
回転軸に入れ、中心孔とデイスク外周部との垂直方向の
ずれの最大値を測定し、合わせてその際の出力の減少
（出力劣化）も測定した。
間）熱処理し、そりを測定した。そりは中心孔を垂直な
回転軸に入れ、中心孔とデイスク外周部との垂直方向の
ずれの最大値を測定し、合わせてその際の出力の減少
（出力劣化）も測定した。
基盤の貼りつけた上下２枚のフレキシブルデイスクの支
持体間のＭＤ方向のなす角、そりおよび出力の減少程度
の関係を表１に記す。
持体間のＭＤ方向のなす角、そりおよび出力の減少程度
の関係を表１に記す。
〔発明の効果〕 以上の結果からも明らかなように本発明によるＭＤ方向
あるいはＭＤ方向と光軸方向とをそろえたサンプルはそ
ろえないものに比し、そりがなく出力劣化もないことが
わかる。
あるいはＭＤ方向と光軸方向とをそろえたサンプルはそ
ろえないものに比し、そりがなく出力劣化もないことが
わかる。
また、ＭＤ方向のなす角θが±１５゜以内であれば、そ
り、出力劣化とも少なく実用的に好ましいことがわか
る。
り、出力劣化とも少なく実用的に好ましいことがわか
る。
第１図は本発明で対象としているタイプの磁気デイスク
の一例を示す断面図、第２図は第１図の磁気デイスクの
一部拡大断面図である。 １……基盤、２……フレキシブルデイスク ３……間隙、４……支持体 ５……磁性層、７……中心孔
の一例を示す断面図、第２図は第１図の磁気デイスクの
一部拡大断面図である。 １……基盤、２……フレキシブルデイスク ３……間隙、４……支持体 ５……磁性層、７……中心孔
Claims (2)
- 【請求項１】フレキシブルデイスクがその基盤の上下両
側に、該基盤と間隔を有するように貼りつけられてなる
磁気デイスクにおいて、上記フレキシブルデイスクの夫
々の支持体の機械方向が１５゜以内の角度で一致してい
ることを特徴とする磁気デイスク。 - 【請求項２】前記夫々の支持体の光軸方向が２０゜以内
の角度で一致していることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の磁気デイスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171896A JPH0644344B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 磁気デイスク |
| US06/889,974 US4704650A (en) | 1985-08-06 | 1986-07-28 | Oriented sheet supports in a recording disc |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60171896A JPH0644344B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 磁気デイスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233333A JPS6233333A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0644344B2 true JPH0644344B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=15931815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60171896A Expired - Fee Related JPH0644344B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 磁気デイスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4704650A (ja) |
| JP (1) | JPH0644344B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4887178A (en) * | 1988-06-13 | 1989-12-12 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Aligned stretched surface recording medium |
| JPH02226533A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 情報記録媒体 |
| JPH1040578A (ja) * | 1996-07-23 | 1998-02-13 | Mitsubishi Chem Corp | ディスク用基板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0030623B1 (en) * | 1979-12-10 | 1984-02-22 | International Business Machines Corporation | Methods of fabricating magnetic records, magnetic records so fabricated, and magnetic recording and reproducing apparatus comprising such fabricated magnetic records |
| US4464693A (en) * | 1982-04-19 | 1984-08-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Snap-action cartridge for recording disc |
| US4543619A (en) * | 1982-09-30 | 1985-09-24 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Magnetic disk cartridge and disk drive |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60171896A patent/JPH0644344B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-07-28 US US06/889,974 patent/US4704650A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233333A (ja) | 1987-02-13 |
| US4704650A (en) | 1987-11-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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