JPH01271908A - 磁気記憶体及び磁気記憶装置及び製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記憶装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置）及び該磁気記憶装置に用いら
れる磁気記憶体（以下、記憶体と呼ぶ）及びその製造方
法に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性媒体（以下、金属媒体と呼ぶ）を有する記憶体
に於いては、°記録再生ヘッド（以下、へラドと呼ぶ）
との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と水分、塩
素等の腐食環境に充分耐える耐食性が要求される。

従来より基板はアルマイト処理やＮ１−Ｐメツキ等の非
磁性メツキ処理後、鏡面化やすし目付けのための研摩が
施こされたＡ／、合金基板、ガラス板やセラミック板等
が用いられ、次にＮ１−Ｐ。

Ｎ　ｉ　−Ｏｕ　−Ｐ等の非磁性メツキやＯｒ、Ｂｉ等
の被覆の有無の後、強磁性金属媒体を被覆し、更にｓｔ
ｏ、（ポリケイ酸を含む）　ｐ　Ａ　Ｌ　Ｎ　、　Ｏ。

Ｓｉ、Ｐｉ、とＡｔ、Ｏ８の固溶体等の保護膜が被覆サ
レ、更にパー７０ロポリエーテルに代表される液体潤滑
剤や高級アルコールや脂肪酸に代表される固体潤滑剤の
薄層が被覆される。

上記記憶体は一応の耐久性能を有し、既に市場に出回り
始めているものの大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載した磁気記憶装置を４０℃８０％Ｒ，
Ｈ，の環境下に放置すると記憶体１枚の１〜２ケ所に腐
食点が発生し、デイ７エクトエラーに至る。又記憶体と
ヘッドとの接触を繰り返すことにより、両者間の摩擦係
数が増大し、スピンドルモーターがしばしば停止に至っ
た。

（発明が解決しようとする課題〕 従来の技術では、金属媒体の耐食性を充分に確保できず
、又記憶体とヘッド間の機械的信頼性を充分に確保でき
ないという課題を有していた。

本発明は上記の課題を解決するものであり、その目的と
するところは、水分や塩素等の環境下に於ける金属媒体
の耐食性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とヘッ
ド間の摩擦係数を大幅に低減し、且つその効果を長期に
維持しうる信頼性に優れた記憶体の製造、提供と該記憶
体を用いた磁気記憶装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、基体上に金属磁性媒体が被覆され、該金属磁
性媒体上に該金属磁性媒体を構成する金属元素の酸化物
薄膜が被覆され、次に該酸化物薄膜上に炭素質薄膜が被
覆され、更に７渉化ポリ工−テル重合体を被覆せしめた
事を特徴とする。

金属媒体は従来技術と同様の材料、製法によって形成す
る。すなわち、Ｃｏ、ＩＦｅ、Ｏｒ、ｌｉｉ、Ｐ、貴金
属等から成る合金を、湿式メツキ法やスパッタリングに
代表される乾式成膜法で形成する。

上記金属媒体を構成する金属元素の酸化物は、０ｏ３０
４　　、ｌＦｅ２Ｏ３，０ｒｂ５等に代表されるが、Ｐ
ＶＤ法やＣＩＶＤ法等の乾式成膜法や有機金属化合物の
熱分解法等の湿式成膜法によって得られるが、最も適切
な方法は、酸素ガスを含むガス体のプラズマにさらす事
によって酸化物を成長される方法である。膜厚は５０〜
２００１が適切である。

炭素質薄膜は、グラファイト、ダイヤモンド１、アモル
ファスの単独、混合、積層であり、１．００〜ｓｏｏ′
ｊ−の膜厚が適切である。成膜は、スノぐツタリング法
、イオンブレーティング法等のＰＶＤ法やＯＶＤ法の乾
式成膜法で可能である。

フッ化ポリエーテル重合体は、主骨格に−ｏｐ、　−ｏ
−（ｏ、　１ｐ４ｏ）ｒＬ−（ａｙ、ｏ）ｒＩＬ−ＯＦ
２−（ここで、ｍ、ｎは１０以上の整数を表わす）を持
ち、分子両端ともパー７０ロアルキル基を有するタイプ
、極性基（−〇Ｈ基、−０００１基。

＝Ｎ６０基、−ＮＨ，基、−０００Ｒ基等、Ｒはアルキ
ル或いはパー７０ロアルキル等）を有するタイプ、ベン
ゼン環、シクロヘキサン環、アルキル基等のハイドロカ
ーボンを有するタイプ、又分子中央部に前記極性基、ハ
イドロカーボンを有するタイプ等であり、更に、分子中
にＮ、Ｐ、Ｓ等の元素を含んでもよい。これらのフッ化
ポリエーテル重合体は、単独或いは混合し、フロン１１
３等の可溶性溶媒に希釈した後、スプレー法、スピンナ
ー法、ディッピング法や超音波噴霧吹き付は法等の既知
の製法で塗布し、必要に応じて焼成する。溶媒希釈の割
合は得たい膜厚に応じて適宜決定する。又焼成は５０〜
１５０℃　１分〜２０分で充分であり、膜厚は２０〜１
５０大が適切である〔作用〕 本発明によれば、金属媒体上に、硬度、緻密性、絶縁性
に優れ、ヘッド材料との凝着を起こしにくい酸化物薄膜
が被覆される。特に酸素ガスを含むガス体のプラズマ処
理により、金属媒体上の付着物な除去され、極めてピン
ホールが少なく且つ金属媒体との密着性に優れる酸化物
薄膜が被覆される。

該酸化物薄膜が水分や塩素等の腐食因子から金属媒体を
保護する。又炭素質薄膜そしてフッ化ポリエーテル重合
体の薄膜によってヘッドとの耐摩耗性を確保しようとす
るものであるが、ヘッドの衝撃摩耗が繰り返されること
により、ヘッドが炭素質薄膜を通過し金属媒体部に至る
場合が生じ、それによりヘッドが致命的ダメージを受け
、ヘッドクラッシュに至った。本発明ではヘッドが炭素
質薄膜を通過しても、金属媒体に直接接触することが無
く、酸化物薄膜の低摩擦係数、非凝着性によってヘッド
にほとんどダメージを与える事は無い。

以上により長期機械的信頼性及び保存信頼性に優れた記
憶体の製造、提供が可能になり、更に該記憶体を用いる
ことにより磁気記憶装置の信頼性は著るしく向上した。

〔実施例〕

鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性Ｎ１−Ｐ合金メツキを約１５μｍ厚に施こした後
、研摩により表面粗度Ｒα＝７０〜１２０Ａ、Ｒｍａｘ
＝＝７００〜１５００Ｋに表面すし目付は加工し、更に
Ｏｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｐ合金メツキを約０．０５μｍ厚に
施こした。

次にマグネトロンスパッタ装置に上記基板をセットし、
５　Ｘ　１０−’　ｔｏｒｒ　　まで排気後、酸素ガス
を導入し、０．１ｔＯｒｒとし、ＲＦ印加（基板を陰極
）４００Ｗで第１表に示す処理時間により、金属媒体上
に酸化物薄膜を成長させた。

次に酸素ガスの導入を止め、再び５　Ｘ　１０−’ｔｏ
ｒｒ　　まで排気後、Ａ　ｒガスを導入し、同じく第１
表に示したターゲ補トを用い、パワー密度４Ｗ／ｄ　で
炭素質薄膜を成膜した。

更に同じく第１表に示すフッ化ポリエーテル重合体をフ
ロン１１３にｏ、１ｗ／ｖ％　の濃度で希釈し、ディッ
ピング法（１０α／−）で塗布した。

第　　１　　表 上記製造方法により作製した記憶体と、５３７０タイプ
の薄膜ヘッド（フライハイドＩ］、１５μｍ、　９　ｙ
ｒＬ／５ｅｃ）を用い磁気記憶装置を作製し、下記試験
によって評価した。結果は第２表に示す。

（１）　ＯＳ　Ｓ耐久試験 ａＳＳ動作（立ち上がり、立ち下がり時間１０ｓｅｃ）
前後の外観変化、静摩擦係数と出力の低下率を求める。

（２）耐食性試験 ８０℃、９０％Ｒ−Ｈ，の環境下に放置して、放置時間
の経過をおって、ミッシングピット数を測定し、その増
加が認められた時点を寿命と判断した。

第　　２　　表 〔発明の効果〕 高記録密度対応の記憶体としての薄膜型記憶体を用いた
磁気記憶装置が登場して久しいが、長期信頼性に対する
不安からその使用は一部に限られていた。

本発明によれば、加温理工で記憶体が用いられても金属
媒体は実用的に何等の影響を受けず、又増々硬質化、低
フライハイド化するヘッドを用いての機械的信頼性が高
いので、更に小型化し、厳しい環境下で用いられる磁気
記憶装置に搭載されても、記憶体、ヘッドはともに特性
劣化は、はとんど認められない。

以上の如く、高記録密度対応の高耐久性記憶体の製造、
提供そして該記憶体を用いることにより信頼性の高い磁
気記憶装置の提供が可能になった以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に金属磁性媒体が被覆され、該金属磁性媒
   体上に該金属磁性媒体を構成する金属元素の酸化物薄膜
   が被覆され、次に該酸化物薄膜上に炭素質薄膜が被覆さ
   れ、更にフッ化ポリエーテル重合体を被覆せしめた事を
   特徴とする磁気記憶体。
2. （２）第１項記載の磁気記憶体を用いた事を特徴とする
   磁気記憶装置。
3. （３）基体上に金属磁性媒体を形成する工程、次に金属
   磁性媒体上に該金属磁性媒体を構成する金属元素の酸化
   物薄膜を形成させる工程、次に該酸化物薄膜上に炭素質
   薄膜を形成させる工程、更に該炭素質薄膜上にフッ化ポ
   リエーテル重合体の薄膜を形成させる工程より成る事を
   特徴とする磁気記憶体の製造方法。
4. （４）金属磁性媒体を被覆した基体を少なくとも酸素ガ
   ス含むガス体のプラズマにさらす事により、該金属磁性
   媒体の酸化物薄膜を形成させる事を特徴とする第３項記
   載の磁気記憶体の製造方法。
5. （５）第４項記載の製造方法によって得られた磁気記憶
   体。
6. （６）第５項記載の磁気記憶体を用いた事を特徴とする
   磁気記憶装置。