JPS63239602A - 磁気記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、発明の背景 技術分野 本発明は、いわゆるハードタイプの磁気ディスクと浮上
型磁気ヘッドを用いた磁気記録方法に関するものである
。

先行技術とその問題点 磁気ディスク装置に用いられる磁気記録媒体は、一般に
磁気ディスク、またはディスク媒体と呼ばれ、その基本
構造はドーナツ状の基板と通常その両面に設層された磁
性層を有している。

このような記録媒体の基板材質は、例えばアルミ合金等
のハード材と、磁気テープ媒体と同じマイラーなどのプ
ラスチック材の二種類があリ、一般に前者をハードタイ
プの磁気ディスク、後者をフレキシブルディスクと呼ん
でいる。

ところで、ハードタイプの磁気ディスクでは、浮上型の
磁気ヘッドを用いており、このヘッドのコンタクト・ス
タート・ストップ時に大きな衝撃が加わり、磁気ヘッド
との機械的接触に対する耐久性、耐摩耗性、ヘッド吸着
等が問題となっている。

従来、これらめ問題は主として、媒体表面の有する諸物
性に起因するものと考えられており、これらの媒体の最
上層として保護膜を設ける旨の提案が種々なされている
。

しかしながら、耐久性等の問題に対しては、単に媒体表
面の改良に目を向けるのみならず、用いる浮上型磁気ヘ
ッドの諸物性との相関をも考慮に入れ、この媒体と磁気
ヘッドとの最適記録方法を設定していく必要がある。

■　発明の目的 本発明の目的は、媒体およびヘッド浮上面の耐久性等に
優れる磁気記録方法を提供することにある。

■　発明の開示 このような目的は、下記の本発明によって達成される。

すなわち本発明は、非磁性基材上に磁性層を有する磁気
記録媒体と、浮上型磁気ヘッドとを用いて記録・再生を
行う磁気記録方法において、 基材表面のビッカース硬度Ｈｖｓと浮上型磁気ヘッドの
浮上面のビッカース硬度Ｈｖｈとの硬度差△Ｈｖ　＝　
（Ｈｖｓ　−Ｈｖｈ）／Ｈｖｈ　ｘ　１００が±２０％
以内であることを特徴とする磁気記録方法である。

■　発明の具体的構成 本発明は、磁気記録媒体と浮上型磁気ヘッドとを用いる
磁気記録方法に関するものであり、以下、これらの具体
的構成について詳細に説明する。

本発明に用いられる磁気記録媒体は、非磁性基材上に金
属薄膜等の磁性層を有して構成される。

非磁性基材としては、種々の非磁性基板を用いることが
できる。　そして、その材質としては、アルミニウム等
の各種非磁性金属材料、Ｓ　ｉＣ％Ａｎ□０．　、Ｚｒ
Ｏ２，Ｓ　ｉ３Ｎ、、Ｙ、Ｏ，、チタン酸カルシウム等
あるいはこれらの混合材料や固溶体など、酸化物、炭化
物、ケイ化物、チッ化物等各種非磁性セラミック材料、
各種ガラス材料、各種プラスチック材料、その億円盤状
に高精度の加工が可能なものが用いられる。

さらにこのような非磁性基板の表面上にＣＶＤ、スパッ
タ、メッキ等により、公知の種々の非磁性の下地層を設
けたものも本発明の非磁性基材として使用可能である。

　また、これら非磁性下地層に各種熱処理を施すことも
できる。

このような、非磁性基材表面のビッカース硬度Ｈｖｓは
、後述する浮上型磁気ヘッドの浮上面のビッカース硬度
Ｈｖｈに対し、硬度差（％）が±２０％以内である。

この値△Ｈｖが＋２０％をこえると、媒体としての硬度
がヘッド浮上面のそれと比べ限界以上に大きくなり、ヘ
ッド浮上面の耐久性が悪くなる。　一方、この値が一２
０％未満となると、今度は逆に媒体の耐久性が悪くなる
。

この場合、基材表面のビッカース硬度Ｈｖｓは、磁性層
ないし各種中間層の成膜前の基材表面のビッカース硬度
であるが、これらを成膜して媒体を形成した後のもので
あっても、媒体に例えば酸処理、研摩処理等を施して基
材表面を露出させることにより、基材表面のビッカース
硬度を測定することができる。

本発明では、必要に応じ下地層表面を有する基材のビッ
カース硬度Ｈｖｓを、ヘッド浮上面のビッカース硬度Ｈ
ｖｈに対し調整する。

この場合、ヘッド浮上面とは、後述する各種浮上型磁気
ヘッドが媒体表面上に浮上するまでに媒体表面と摺接す
る面をいう。

例えばウィンチェスタ型ヘッドで代表されるモノリシッ
クヘッドの場合はトランスデユーサ一部分が浮上面とな
る。

また、ヘッド浮上面が複数の材質から形成されるときに
は、浮１面の６０％以上を占める同一材質部分の硬度を
、浮上面の硬度とする。

従ってセラミック等の構造体（いわゆるスライダ）にト
ランスデユーサ−をガラス等で固着したいわゆるコンポ
ジットヘッドや、半導体製造テクノロジーと同様のプロ
セスによってつくられた薄膜素子をセラミック等の構造
体（いわゆるスライダ）に付着させた薄膜ヘッド等の場
合には、浮上面はスライダ部分のみとは限らずトランス
デユーサ−の部分も入りつるわけであるが、これらの場
合においてはスライダが浮上面の６０％以上を占めるの
で、スライダの硬度をもって浮上面の硬度Ｈｖｈとする
。

このような磁気ヘッドの浮上面の材質としては、ｌ）例
えばＭｎ−Ｚｎ系、Ｎ　ｉ−７，ｎ系等のフェライト、
２）ＣａＴｉＯ３系、３）Ａｆｉ、０３−ＴｉＣ系のも
の等が挙げられ、これらのビッカース硬度Ｈｖｈは、そ
れぞれ１）４００〜５ＯＯ１２）８００〜１５００．３
）１５００〜２５００程度である。

また、用いる基材の材質およびその硬度としては、ビッ
カース硬度Ｈｖｓ４００〜８００の範囲内に例えば、ア
ルミニウム製基板上に形成したＮ１−Ｐ系下地層などが
あり、８００〜１５００の範囲内には、例えばジルコニ
ア、イツトリア、ガラス、アルミナ、窒化アルミ等の各
種セラミクスや各種ガラスなどがあり、また１５００〜
２５００の範囲内には、アルミナ、窒化ケイ素、窒化チ
タンなどがある。

なお、ビッカース硬度Ｈｖは材料の硬さを表示する一つ
の方法で、頂角１３６°の四角錐ダイヤモンドを使用し
、荷重を除荷後のくぼみの表面積で割った値をもって表
示するものである。

ビッカース硬さに関するＪＩＳは、ＪＩＳ２２２４４−
１９７６．２２２５１− １９８０、Ｂ７７２５−１９７６、Ｂ７７３４に規定さ
れている。

上記したような非磁性基材は、非磁性基板そのものであ
ってよいが、基板とその上に設層された下地層から構成
してもよい。

下地層を設層するときには、ＨｖＳの値を所望の値に制
御することができるからである。　基板上に形成される
下地層としては、種々の材質の膜を用いることができる
。

ところで、基材表面のＨｖｓは、上述のように、フェラ
イト、特にＭｎ−Ｚｎ系フェライトをヘッド浮上面とし
て用いるときには４００〜８００であり、特にＳＯＯ〜
８００が好ましい。

そして、特にこのようなＭｎ−Ｚｎ系フェライトヘッド
を用いるときにはＮ１−Ｐ、Ｎ１−Ｃｕ−Ｐ、Ｎ１−Ｗ
−Ｐ等のＮ１−Ｐ系の金属膜が好ましい。

これらのもの、特にＮ１−Ｐ系の金属膜は、液層メッキ
、特に無電解メッキ法で成膜させることが好ましい。　
無電解メッキ法によれば、きわめて厚さの均一な膜がで
き、機械的剛性、硬度、加工性をあげることができる。

そして、容易にＨｖｓを調整することができる。

Ｎ１−Ｐ系下地層の組成としては、下記のものが好まし
い。

（ＮｉｘＣｕｙ）ＡｐＢ （Ｎ　ｉ　ＸＷｙ）Ａ　ＰＲ これらの場合において、 ｘ：ｙ＝１００：０〜１０：９０、 Ａ：Ｂ＝９７：３〜８５：１５である。

無電解メッキ法による下地層形成のプロセスの一例を簡
単にのべると、まず、アルカリ性説詣および酸性脱脂を
行う。　その後、数回のジンケート処理をくり返して行
い、さらに重炭酸ナトリウム等で表面調整したのちｐＨ
４，０〜６．０のニッケル・メッキ洛中で約８０〜９５
℃、約０．５〜３時間メッキ処理すればよい。

これらメッキ処理は、例えば特公昭第４８−１８８４２
号公報、特公昭第５０−１４３８号公報等に記載されて
いる。

このような下地層の膜厚は３〜５０Ｐ、特に５〜２５−
が好ましい。

通常、Ｎ１−Ｐ系下地層のビッカース硬度Ｈｖｓは、後
述の成膜後の熱処理前のものでは、４００以上、特に４
００〜５００である。

このようなＮ１−Ｐ系等の下地層には、設層後熱処理を
施すことが好ましい。。

熱処理により、硬度を所望の値に設定し調整できるから
である。

この熱処理による硬度および最大磁束密度の変化をそれ
ぞれ、第１図および第２図に示す。

第１図および第２図は、それぞれ下地層の組成として用
いられるＮ１Ｐ（Ｎｉ：Ｐ＝８７：１３）メッキ膜を２
０＃ｍに設層した場合のそのビッカース硬度Ｈｖおよび
最大磁束密度Ｂ、と熱処理温度の関係を示したグラフで
ある。

これによれば、処理温度が２８０℃近辺までは、Ｈｖが
温度上昇につれて徐々に大きくなるが、３００℃近辺に
なると、Ｈｖは急激に大きくなる。　そして３００℃を
こえても、徐々にではあるが、依然Ｈｖは大きくなって
いく。

従って、単にＨｖを大きくするには、３００℃近辺ある
いは、それ以上の温度で熱処理することが有利である。

しかしながら、処理温度を高くしすぎると、第２図に示
されるように、ＮｉＰの磁性化が始まり、実用上好まし
くないという不都合が生じてしまう。　この場合、Ｂ、
は１００以上、特に５００Ｇ以上となると実用上不適で
ある。

従って、Ｎ１−Ｐ膜の場合、熱処理温度は、２００〜２
９５℃、特に２００〜２８０℃、処理時間は３０分〜３
時間程度が好適である。

この温度が２９５℃をこえると上述したように下地層が
磁性化され、しかも蹟密研摩後の表面性が悪くなるため
実用上好ましくない。

２００℃未満であると、硬度が所定以上に大きくならず
１機械的耐久性等におどる。

なお、熱処理に際しては、クリーンオーブン等を用いれ
ばよい。

このような熱処理により、ＮｉＰ系下地層表面のビッカ
ース硬度は５００〜１１００、特に５００〜８００、よ
り好適には５５０〜７５０程度となり、上記のとおり、
ヘッド浮上面のビッカース硬度に対し△Ｈｖを±２０％
以内に調整することができる。

このようなＮ１−Ｐ系膜下地層を形成する場合の基板材
質としては、金属、ガラス、セラミックス、エンジニア
リングプラスチックス等が挙げられるが、これらの中で
も、機械的剛性、加工性等が良好な点では下地層が容易
に設層できるアルミニウム、アルミニウム合金等を用い
るのが好ましい。

なお、Ｎ１−Ｐ系膜の他、下地層としては、所望のＨｖ
ｓに応じ種々のものが使用可能である。

本発明の基材は、基板そのものから形成されるか、基板
上に、下地層を設層し、双方が一体となって基材を形成
する。　そして、基板の厚さは例えば１，２〜１．９ｍ
ｍであり、その形状は通常ディスク形状である。

非磁性基材の表面には凹凸部を設けることが好ましい。

凹凸部を設けるには、例えば下地層が設層された円板状
基板を回転させながら、研磨剤等を作用させ、例えば下
地層の表面に同心円状に不規則な溝を設ける。

なお、凹凸部は、例えば下地層上にランダムに設けても
よい。

そして、基材の表面粗度Ｒａは０．００１〜０．０５μ
ｍ、より好ましくは０．００５〜０．０２μｍとするこ
とが好ましい。

このような凹凸部を設けることによって、吸着特性およ
び耐久性が向上する。

さらにこのような基材上には通常ＣｏまたはＣＯとＮｉ
、Ｃｒ、Ｐのうちの１種以りを主成分とする金属薄膜の
磁性層が設層される。

このものの組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ％Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｐ％Ｃｏ−Ｚ
ｎ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等がある。　こ
れらの中では特にＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｃｏ
−Ｃｒ。

Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ等が好ましく、これらの合金の好適組成
比は重量比で、Ｃｏ：Ｎ１＝１：１〜９：１、 （ＣｏＸＮ　ｉｙ　）Ａ　Ｃｒ　　ａにおいてｘ：ｙ＝
１＋１〜９：１゜ Ａ　　：Ｂ　＝９９．９：０．１〜７５　：　２５、Ｃ
ｏ　：　Ｃｒ＝７　：　３〜９　：　１、（ＣｏＸＮｉ
　　ｙ）Ａ　Ｐ　Ｂにおいて、ｘ：ｙ＝１：０〜１：９
、 Ａ　：Ｂ＝９９．９：０．１〜８５：１５である。　こ
れらの範囲をはずれると記録特性が低下する。

このような金属薄膜の磁性層は気相もしくは液相の種々
のメッキ法で設層可能であるが、中でも特に気相法の１
種であるスパッタ法が好ましい。

スパッタ法を用いることによって磁気特性の良好な磁性
層が得られる。　スパッタ法は作業を行う領域によって
、さらにプラズマ法とイオンビーム法の２つに大別する
ことができる。

プラズマ法によりスパッタ法では、八「等の不活性ガス
雰囲気中で異常グロー放電を発生させ、Ａ「イオンによ
ってターゲット（蒸着物質）のスパッタを行い、例えば
、被着体に蒸着させる。

ターゲットに数にＶの直流電圧を印加する直流スパッタ
リング、数百〜数にＷの高周波数電力を印加する高周波
スパッタリングのいずれであってもよい。

また、２極から３極、４極スパツタ装置と多極化したほ
か、直行電磁界を加えてプラズマ中の電子のマグネトロ
ンと同様サイクロイド運動を与え、高密度プラズマを作
るとともに、印加電圧を低くし、スパッタを高能率化し
たマグネトロン系スパッタリングを用いてもよい。

イオンビーム法では、適当なイオン源を用いてＡ「など
をイオン化し、引出し、電極に印加した負高電圧によっ
て高真空側にイオンビームとして引出し、ターゲット表
面に照射してスパッタしたターゲット物質を例えば被着
体に蒸着させる。

また、スパッタ法における被着粒子の運動エネルギーは
約数ｅＶ〜１００ｅＶであり、例えば蒸着法のそれ（約
０．１ｅＶ〜１ｅＶ）と比べてきわめて大きい。

本発明において、ターゲットの材質としては、目的とす
る金属薄膜の磁性層の組成に対応する合金等を用いれば
よい。

ところで、金属薄膜の磁性層の組成をＣｏＰないしＣｏ
Ｎ　ｉ　Ｐとする場合には、液相メッキ法、特に無電解
メッキ法で設層してもよい。

そしてその磁性層は上記スパッタ法と同様に良好な磁気
特性を示す。

無電解メッキに用いるメッキ浴組成、メッキ条件等とし
ては公知の種々のものが適用可能であり、・例えば、特
公昭第５４−９１３６号公報、特公昭第５５−１４８６
５号公報等に記載のものはいずれも使用可能である。

上述してきたような金属薄膜の磁性層の膜厚は２００〜
５０００人、特に５００〜１０００人が好ましい。

このような金属薄膜の磁性層を前述したようなスパッタ
法で設層する場合には、前記基材、好ましくは下地層と
磁性層との間に非磁性金属中間層を設けることが好まし
い。　この非磁性金属中間層を設けることによって、媒
体の磁気特性が向上し、記録特性の信頼性の向上をも図
ることができる。

そしてこの非磁性金属中間層は通常Ｃｒから形成される
のが最も好ましいが、Ｃ「含有量は９９ｗｔ％以上であ
ればよい。

そしてこの中間層は、種々の公知の気相成膜法で形成可
能であるが、通常、上述した金属薄膜の磁性層と同様に
スパッタ法で成膜することが好ましい。　このような非
磁性金属中間層の膜厚は用いる金属薄膜磁性層の種類に
よって適宜決定すべきであるが、通常５００〜４０００
λ程度である。

さらに上記磁性層の上には、非磁性金属保護膜を設層す
ることが好ましい。

そして、この保護膜の組成および成膜方法は通常上記の
非磁性金属中間層の場合と同様にすればよい。

このような非磁性金属保護膜の膜厚は３０〜３００人、
特に５０〜２００人が好ましい。

さらにこの非磁性金属保護膜の上には、保護層、トップ
コート層を順次積層することが好ましい。

保護層としては、その組成としてＣ単独からなるものが
好ましいが、他の元素を５ｗｔ％未満含有するものであ
ってもよい。

このような保護層は、スパッタ法、イオンブレーティン
グ法、蒸着法、ＣｖＤ等の各種気相成膜法で形成可能で
あるが、中でも特にスパッタ法によるのが好ましい。　
この場合には、形成された膜がきわめて緻密となり、耐
久性、耐候性に優れた効果を有する。

このように形成される保護層の膜厚は１０〜８００人、
特に１００〜４００人が好ましい。

トップコート層としては、フッ素化合物を含有するもの
が好ましく、塗布法によるもの、あるいはプラズマ重合
膜をも含めた各種気相成膜法によるものいずれであって
もよい。　膜厚は３〜３００λ程度とされる。

しかしながら上記の構成に限定されるものではなく、組
成をも考慮した種々の態様が考えられる。　例えばプラ
ズマ重合膜を各種積層間に新たに、あるいは任意の１層
にかえて形成してもよい。　また積層間の表面をプラズ
マ処理することもできる。　これらは媒体の積層間の接
着力を高め、耐久性を向上させるうえで特に有効である
。

上述してきたような磁気記録媒体は、磁性層を基板の片
側のみとするいわゆる片面記録の媒体としたり、また、
基板の両面側に磁性層を設けたいわゆる両面記録の媒体
としてもよい。

ところで、本発明に用いる媒体は、上述してきたような
薄膜型の磁性層を有するものの代りに塗布型の磁性層を
有するものとすることも可能である。

この場合の磁性層中には磁性粉とバインダー、そして必
要に応じ研摩剤等の添加剤とが含有されている。

ただ、これら比較的磁性層の厚さが厚い塗布型の場合に
は、磁性層によるクッション効果のため基体の影響を磁
性層が受けにくいのに対して、金属薄膜型磁性層・の場
合には、基体のビッカース硬度が直接影響するため、本
発明は金属薄膜型の磁性層に特に有効である。

本発明の記録方法においては、上述してきたような磁気
記録媒体と下記の浮上型磁気ヘッドとを同時に使用する
。

浮上型磁気ヘッドは、大記憶容量、高速データ転送速度
を実現するために開発されたものである。

そしてこのものは、このものと磁気記録媒体が高速で相
対的に移動する時に空気の粘性によって発生する動圧に
よって、媒体上に所定のすきまを保ちながら浮上してお
り、この状態のままで、媒体に情報を書き込んだり、あ
るいは媒体から情報を読み出すように作用する。

このような磁気ヘッドの種類としては、例えば前述した
公知のウィンチェスタ型、コンポジット型、薄膜型等が
挙げられるが、本発明においては、いずれのものを用い
てもよく特に制限はない。

再記するとウィンチェスタ型ヘッドは、前記の動圧を発
生させる部分、すなわち浮上面がトランスデユーサ−の
一部に形成されている代表的なものである。

コンポジット型ヘッドは、浮上面を有するセラミック等
の構造体にトランスデユーサをガラス等で固着したもの
であり、薄膜型ヘッドは、半導体製造テクノロジーと同
様のプロセスによってつくられた薄膜素子を、セラミッ
ク構造体に付着させたものである。

これら磁気ヘッドは、いずれも磁気記録媒体特にディス
ク媒体が静上中は、ヘッドはばね力によってディスク表
面に押しつけられていて、ディスクが回転をはじめると
動圧が発生し、ばね力とつりあフて浮上する、いわゆる
Ｃ８Ｓ方式が通常採用されている。

これら磁気ヘッドの浮上面の材質は前述したとおりであ
り、この部分は記録・再生時に記録媒体表面と微小間隙
を隔ててほぼ平行に対向する平面であり、しかも浮上前
はディスク表面と慴接している。

これら浮上面のＨｖｈは４００〜２５００、特に６００
〜２５００である。

■　発明の具体的作用効果 本発明によれば、非磁性基材の硬度が、浮上型磁気ヘッ
ドの浮上面の硬度に対し、所定の関係を有するように設
定されているので、これらのものを用いて５記録・再生
した場合において媒体の耐久性等は格段と向上する。

さらに磁気ヘッド浮上面の耐久性も向７トする。

■　発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳
細に説明する。

（実施例１） φ３．５″、厚さ１．９ａ＋ｍのディスク状であって、
下記に示される種々の材質の基板１〜１１を媒体の基板
として用いた。

盃亙」 神戸製鋼ＣＤ−１グレード　３．５＃アルミニウムデイ
スク、ダイヤターン品。

五扱ユ 神戸ｌＪｊ鋼ＣＥ−１グレード　３．５″アルミデイス
ク、グラインド品に２０μｍのＮｉＰメッキを行なった
もの（Ｎ　ｉ　／　Ｐ　＝　８８　／　１２（ｗｔ％）
）。

なお、メッキは下記のプロセスおよび製造条件の無電解
メッキで行った。

（Ｎ　ｉ　Ｐｊ！！！電解メッキ） プロセス　　　　　　　　製　造　条　件１、アルカリ
性　アルブレツブ２０４（奥野製薬社説脂　　　　　ｉ
）２５０ｍ皇／２．６５℃、５分２、酸性脱脂　　アル
プレツブ２３０（奥野製薬社製）　１５０　Ｊ／ｌ、６
５℃、 ５分 ３、ジンケート　アープ３０２（奥野製薬社製）２５０
　！１１　／　Ｊ！、２５℃、３０秒４、ジンケート　
６２　ｖｏ１％濃硝酸、剥＄　　　　　　６００１１１
／ｌ、２５℃、３０秒５、ジンケート　アープ３０２（
奥野製薬社製）２５０　ｍｌ　／　ｌ　、　２５℃、２
０秒６、表面調整　　重炭酸ナトリウム３０ｇ／ｆｆｉ
、２０℃、３０秒 ７、ニッケルメ　ナイフラッド７１９Ａ（奥野製薬ツキ
　　　　社製）８０Ｊ／Ｊ！ ナイフラッド７１９Ｂ（奥野製薬 社製）　１５０＊ｌ　／　ｎ ｐＨ４，５、９０℃、２時間 これを、スピードファム９Ｂ−５Ｐラツピングマシン、
不二見研磨の研磨液、メディボールＮ−０８（５０％希
釈液）を用い、１００ｇ荷重、１０分研磨し、５μｍの
研磨を行った。

ｌ叛ユ 基板２の研磨前に、２００℃大気中２時間の熱処理を行
なった。

以下、同様に研磨した。

ｌ叛Ａ 基板２の研磨面に２７５℃大気中２時間の熱処理を行な
った。

五五１ 基板２の研磨前に２９０℃大気中２時間の熱処理を行な
った。

ｌ亙玉 Ｙ　　２　　０　３　　−　　　Ｚ　　　ｒ　　　Ｏ２
、イ　　ッ　　ト　　リ　　ア　　２　　、　　２ｍａ
ｉ１％、１５００℃大気中で１時間焼成し、その後基板
表面を０．１μｍダイヤモンドにて研磨した。

五五ユ アルミノシリケードガラス上にＣＶＤにて５０人のＣｒ
、Ｃ２を設層した。

基」（旦 ＡＩｔ□　０３　　／Ｓ　ｉ　０２　　／ＭｇＯ／Ｃａ
０＝９６／２／１／１となるように基板組成を配合し１
４５０℃大気中１ｈｒの条件で焼成した。

仄返ユ Ａｊ１２０３　／Ｍｇ０＝９９．５１０．５となるよう
に基板組成原料を配合し１６００℃大気中１ｈｒの条件
で焼成した。

１仮１Ａ Ａｎ／Ｔｉ＝６／４　　Ｃｅ０２ｏ、５％Ａｎ２０３−
ＴｉＣを１７００℃、Ａｒ中３００ｋｇ／ａｍ２にてｌ
ｈｒ焼成した。

五仮土ユ ＳｉＣ基板表面にＳｉＣが５０人厚となるようにＣＶＤ
で被膜した。

なお、基板７〜１１は、それぞれ、基板６の場合と同様
に表面研磨を行った。

次いで、これら各基板をディスク基板洗浄装置（スピー
ドファムクリーンシステム（株）社製）を用いて下記の
工程にて洗浄した。

〈洗浄工程〉 １、中性洗剤溶液、浸漬、超音波 ２、超純水、スクラブ ３、超純水、スクラブ ４、超純水、浸漬、超音波 ５、超純水、浸漬 ６、フロン／エタノール混合液、浸漬、超音波７ｏフロ
ン／工タノール混合液、浸漬 ８、フロン／エタノール、蒸気（→乾燥）このような洗
浄工程後、各基板の表面に凹凸部を下記のようにして設
けたく以下、テクスチャリング工程という）。　すなわ
ち、テープポリッシングマシン（巴テクノ■社製）を用
い、基板を回転させながら、基板表面に同心円状の不規
則な溝を設けた。　工程条件は、ポリッシングテープ番
手＃４０００、コンタクト圧力１．２にｇ／ｃ♂、オシ
レーション５０回／分、ワーク回転数１５０回／分とし
た。

テクスチャリング工程後のＲａは基板１〜５にて０．０
１０　μｍ、基板６〜１１にて０．０１５　μｍであっ
た。

この後、前記の洗浄を行った後、Ｃｒの非磁性金属中間
層をスパッタで膜厚２０００人に設層した。

設層条件は、Ａｒ圧力２　、　ＯＰａ、　Ｄ　Ｃ８ＫＷ
とした。　なお、この中間層形成前にＡ「ガス圧０．２
Ｐａ、ＲＦ４００Ｗの条件でエツチング処理を行った。

その後、この上に連続して以下に示すような各種金属薄
膜磁性層を設層した。　なお、無電解メッキ法で磁性層
を設層する場合には、上記のエツチング処理は行わず、
しかもＣｒ非磁性金属中間層も設けなかった。

〈金属薄膜磁性層の形成〉 １１履血−ユ ＣｏＮ　ｉ磁性層をスパッタ法を用いて形成した。　成
膜条件はＡｒガス圧２．ＯＰａ、ＤＣ８にＷとした。　
　ＣｏＮ　ｉ組成重量比はＣｏ／Ｎｉ：８０／２０、膜
厚は６００人どした。

数社」１組−呈 ＣｏＮｉＣｒ磁性層をスパッタ法を用いて形成した。　
成膜条件はＡ「ガス圧０．８Ｐａ、ＤＣ８ＫＷとした。

ＣｏＮｉＣｒ組成重量比は６２．５：３０ニア３５とし
、膜厚は６００人とした。

藍１五！エユ ＣｏＣｒ磁性層をスパッタ法を用いて形成した。　成１
摸条件はＡｒガス圧２．ＯＰａ、ＤＣ８にＷとした。

ＣｏＣｒの組成重量比はＣｏ　／　Ｃｒ　−８７／１３
、膜厚は１０００人とした。

畦立Ａυ（工Ａ ＣｏＮｉＰ磁性層を無電解メッキ法を用いて形成した。

　　ＣｏＮ１Ｐの組成重量比はＣＯ：Ｎｉ：Ｐ＝６＋４
：１．膜厚は１０００人とした。

無電解メッキプロセスおよび製造条件は以下のとおりと
した。

プロセス　　　　　　製造条件 １、アルカリ性　アルプレツブ２０４（奥野製薬社説脂
　　　製）２５０＋ｘｌ／Ｒ５６５℃、５分２、酸性脱
脂　　アルプレツブ２３０（奥野製薬社製）　１５０　
ｒｄｌｌ、６５℃、５分３、塩酸脱塩　　ＨＣＩＬ５ｖ
ｏ１％、２５℃、１分４、硫酸脱脂　　１１２５０４　
５ｖｏ１％、２５℃、１分 ５、ニッケルメ　ナイフラッド７１９Ａ　（奥野製薬ツ
キ　　　　社製）８０ＩＩＪ１／Ｒ ナイクラツド７１９Ｂ（奥野製薬 社製）　１５０　ｍＩＱ／込 ｐＨ，５、９０℃、３０秒 ６、コバルトメ　メッキ浴 ツキ　　　　　硫酸コバルト０．０６モル／１硫酸ニッ
ケル０．０４モルフ１ 次亜リン酸ナトリウム ０．２５モルｌｆｌ ロツセル塩　１．００モル／Ｊ２ 硫　安　　　０．４０モル／２ ホウ酸　　　０．１０モル／ｌ ＮａＯＨを加えてｐＨ９，５、７０℃、３分 このようにして設層された種々の磁性層上にＣｒから成
る非磁性金属保護膜を形成した。

成膜はスパッタ法で行い、その条件は、Ａｒガス圧２．
Ｏｐａ、ＤＣ８にＷとし、膜厚は２００人とした。

さらにこの保護膜の上に、カーボン保護膜をスパッタ法
で、厚さ４００人に設けた。　なお、スパッタ条件はＡ
ｒガス圧０．　２Ｐａ、　ＤＣ８に胃とした。

ただし、磁性層として前述した磁性層勤、１〜４のうち
の磁性層勤、４の材料を用いた場合に限り、非磁性金属
層を形成する直前に、磁性層表面にＡｒガス圧０．２Ｐ
ａ、ＲＦ４００Ｗの条件でエツチング処理を施した。

このカーボン保護膜の表面をプラズマ処理した。　なお
、プラズマ条件は処理ガスＮ２．圧力５　Ｐａ、電源は
１３．５６ＭＨｚの高周波とし、投入電力は３ＫＷとし
た。　その上に下記に示すような潤滑剤を含むトップコ
ート層をスピンコード法で設層した。　スピンコード条
件は回転数１０００　ｒｐｍ、１０秒間とした。　膜厚
は１００人とした。

くトップコート層組成〉 潤滑剤として以下に示される構造式からなるＫＲＹＴＯ
ＸＩ　５７ＦＳ　（デュポン社製）（ここでｎ＝１１〜
４９） をフロン１１３（ダイキン工業社製、ダイフロン５−３
）の溶媒中に混合し、潤滑剤含有塗布液濃度を０．０５
重量％に調整した。

このようにして、下記表１に示される種々の磁気ディス
クサンプルを作製し、これらのものと、表１に示される
浮上型磁気ヘッドとの組み合せにより下記に示すような
特性を測定した。

なお、用いた磁気ヘッドの種類は以下の３種類とした。

ヘッドＡ　：　ＡＲ２０３−Ｔ　ｉ　Ｃ（ＡＭ／Ｔ　１
＝７７３、その他、Ｂａ、Ｔｉ、Ｃｅ＝２／１１０．５
％） ヘッドＢ：ＣａＴｉ０．系（Ｔｉ／Ｃａ＝６２．６／３
７．３） ヘッドＣ：Ｍｎ−Ｚｎフェライト系 （Ｆｅ２０ａ　／ＭｎＯ／Ｚｎ０＝５４／２９（ｔ）ｃ
ｓｓ耐久性 ３．５’ハードデイスクドライブにサンプルをセットし
、コンタクト、スタートストップをくり返し、最初に記
録した信号出力の強度が９０％に減少するまでの回数を
調べた。

スライダの負荷荷重は９．５ｇ±１．０ｇとした。

（２）　Ｈｖｓ、　Ｈｖｈ、△Ｈｖ　　（％）の測定明
石ＭＶＫ−１型を用い、ＪＩＳＺ ２２５１、Ｂ７７３４に準じて荷重５ｇの条件で求めた
。

これらの結果を表１に示す。

表１の結果より本発明の効果が明らかである。

〔実施例２〕 実施例１の基板１上に、実施例１と同様にＮｉＰメツキ
下地層を形成した。

なお、下地層の組成はＮｉ　：Ｐ＝８７：　１３（重量
比）、厚さは２０μＩとした。　、次いで、下地層の表
面を実施例１の条件にて研磨処理し、次いで実施例１と
同様に洗浄した。

このような洗浄工程後、下地層の表面に実施例１と同様
にして凹凸部を設け、Ｒａ　＝　０．０１０μｍとした
。

その後、さらに同様な洗浄を行った後、下地層の熱処理
を行った。　すなわち、熱処理の条件を処理温度１００
．２００，２５０゜２８５．３００℃（処理時間：すべ
て２時間）の範囲で種々かえて、表２に示されるような
ビッカース硬度値をもつ下地層とした。

その後、さらに航記と同様な洗浄を行った後、実施例１
と全く同様にして媒体を作成した。

モノリシック型各種Ｍｎ−Ｚｎヘッドを用いたときの結
果を表２に示す。

表２の結果より本発明の効果が明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図はＮｉＰのビッカース硬度Ｈｖと熱処理温度との
関係を示すグラフである。 第２図はＮｉＰの熱処理温度と最大磁束密度Ｂ、どの関
係を示すグラフである。 Ｆｌ（３，１ ヌさ　王里　鵠、　度　じＣ） Ｆ　Ｉ　Ｇ、２

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）非磁性基材上に磁性層を有する磁気記録媒体と、
   浮上型磁気ヘッドとを用いて記録・再生を行う磁気記録
   方法において、 基材表面のビッカース硬度Ｈｖｓと浮上型磁気ヘッドの
   浮上面のビッカース硬度Ｈｖｈとの硬度差△Ｈｖ＝（Ｈ
   ｖｓ−Ｈｖｈ）／Ｈｖｈ×１００が±２０％以内である
   ことを特徴とする磁気記録方法。
2. （２）非磁性基材が非磁性基板であるか、非磁性基板上
   に下地層を有する特許請求の範囲第１項に記載の磁気記
   録方法。
3. （３）磁性層が金属薄膜磁性層である特許請求の範囲第
   １項または第２項に記載の磁気記録方法。
4. （４）基材表面の表面粗度Ｒａが０．００１〜０．０５
   μｍである特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
   かに記載の磁気記録方法。