JPS62219320A - 磁気記憶体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録装置（磁気ディスク装置、磁気ドラム
装置及び磁気テープ装置等）に用いられる磁気記憶体（
以下、記ｔは体と呼ぶ）に関する。

〔従来の技術〕

金属磁性′＃膜膜体体以下、金属媒体と呼ぶ）を有する
記憶体に於いては、記録再生ヘッド（以下１ヘツドと呼
ぶ）との接触に耐えるだけの充分な機械的信頼性と、水
分等の腐食環境に充分に金属Ｉｊ伊　Ｉ五−−ｄ　遍＋
ＸＺ　　需４　轟　８し　礒（Ｉ鼾　−―　六　詰　２
従来より、基体は、アルマイト処理やＮ１−Ｐメッキ等
の非磁性メッキ処理の後、鏡面化のための研磨が施こさ
れたｈｔ合金基板等が用いられ、該基体上に、Ｎ　ｉ−
Ｐ　、　Ｎ　１−Ｗ−’Ｐ等の非磁性薄膜メッキやＣｒ
、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗｂ等の被覆の有無の後、強磁性金属媒
体を被覆し、更に、Ｓｉｎ、、（ポリケイ酸を含む）＊
ＡＺＮ＊ＴｉＯ、Ｃ，ＭｏＷ、等の潤滑剤が被覆される
。

上記の記憶体は一応の耐久特性を有し、既に市場に出回
り始めているが、大きな欠点を有している。

上記記憶体を搭載したドライブを４０℃、８０Ｒ，Ｈ，
の環境下に放置すると、記憶体１枚に１゜２Ｗ所に腐食
点が発生し、ディ７エクトエラーに至る。又記憶体とヘ
ッドの接触の繰り返゛しにより、両者間の摩擦係数が増
大し、ついには記憶体回転用スピンドル回転用モーター
が停止するスティッキング現象に至る。

〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕従来の技術
では、記憶体の金属媒体の耐食性を充分に確保できず、
又記憶体とヘッドとの接触による記憶体とヘッドの物理
的劣化及びスティッキング現象という問題点を有してい
た。

本発明は上記の問題点を解決するものであり、その目的
とするところは、水分等の環境に対する金属媒体の耐食
性を飛躍的に向上させるとともに、記憶体とへレド間の
摩擦係数を大幅に低減させ、記憶体の機械的信頼性を高
めた記憶体を提供するところにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の記憶体は、アルマイト処理やＮ　ｉ　−１メツ
キ等の非磁性メッキ処理等の硬質被膜被覆基体を鏡面化
のための研磨加工を施こした後、ｏｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｉ
ｔ）、ＭＯ，Ｗから選ばれる少なくとも１種の金属薄膜
の形成の有無において、酸化物、窒化物及び炭化物から
選ばれる少なくとも１種の物質より成る化合物薄膜を被
覆し、次に該金属薄膜の形成の有無において、金属媒体
を被覆し、再び該金属薄膜媒体の形成の有無において、
該化合物薄膜を被覆し、次に該金属薄膜の形成を必須と
し、炭素質膜を被覆し、更に融点が８０℃以上の有機物
を被覆した事を特徴とする。

該化合物薄膜と炭素質膜との間の該金属薄膜以外の上記
の金属薄膜は、着層性を充分に確保する目的で形成する
ものであるため、必須ではないが５０〜２００λの膜厚
で上記目的を達成する。

該化合物薄膜は、酸化物として、ＡＡ、Ｏ，。

ＴｉＯ２、Ｃｒ、０３　　、Ｔａ２０Ｂ　　、Ｓｉｎ。

Ｓｉｎ、、Ｂ、Ｏ，等、窒化物として、ＡｔＮ。

’［’ｉＮ、Ｓｉ、Ｎ、、ＢＮ等、炭化物として、Ｔｉ
ｅ、ＴａＣ，ＮｂＯ，Ｓｉｎ、ＢＣ等であり、それらの
混合、積層は任意であり、化学量論比は前記化学式に限
定されるものでは無い。膜厚は２００〜１０００Ｘが適
切である。

金属媒体は、Ｃｏ　、　Ｃｏ−Ｎｉ　、　０ｏ−Ｎｉ　
−Ｏｒ　　、ｃｏ−ｃｒ　　、ｃｏ−ｐｔ　　、ｃｏ−
Ｎ　１−ｐ等であり、必要とされる磁気特性に応じ選択
される。

炭系質屓は、ヘキサコナル状、ダイヤモンド状は任意で
ある。膜厚は１００〜６ｏｏＸが適切である。

以上の被膜は、真空蒸着法、ゑバッタリング法、イオン
ブレーティング法等のＰ”ｌＦＤ法やＯＶＤ法等の既知
の方法で形成、被覆できる。

融点が８０℃以上の有機物は、炭素数が８〜３０の直鎖
９分校、飽和、不飽和のアルコール類、エステル類、ア
ミン類、カルボン酸類や塩類から選ばれる少なくとも１
種の物質である。これらは溶媒に溶′解してスピンコー
ド法、スプレー法。

等速引き上げ法等の塗布法で被覆するか、真空蒸着法等
の真空成膜法で被覆しても良い。膜厚は２０〜２００Ｘ
が適切である。融点が８０℃以下の有機物は高温下に記
憶体が放置された場合や記憶体とヘッド間の摩擦時に除
々に気化したり、炭素質膜に含浸してその効果が失なわ
れる。

〔作用〕

本発明の構成によれば、金属媒体の上下に緻密性、ＩＩ
Ｌ気絶気絶心性れる酸化物、窒化物及び炭化―売ち通げ
れスルかυ１１珊の物質ｒり虎る化金物が被覆され、よ
り下地層に含有されるイオン性不純物の上層への浸透を
防止し、又記憶体最表面等に付着する物質や環境雰囲気
に存在するイオン性不純物が水分とともに金属媒体まで
浸透する事を防止し、更にイオン性不純物含有水分によ
り形づくられる腐食系を絶縁化するものである。

又炭素質膜下にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍ。

、Ｗから選ばれる少なくとも１種の金属薄膜を形成する
が、該金属薄膜は金属媒体より卑な金属であるため、炭
素質膜がカゲードになる腐食反応が、金属薄膜がアノー
ドになり優先し進行する。これにより、種々の環境下に
記憶体が放置されても、金属媒体が何等劣化する事が無
くなった。

一方、本発明で述べる炭素質膜が優れた潤滑性能な示す
′事は知られているが、ヘッドとの接触により除々に摩
耗し、炭素質膜の表面が平滑化し、他方のヘッドに摩耗
粉が移行しヘッド浮上性が悪化して摩耗を加速させる。

これによりヘッドと記憶体間の摩擦係数が大きくなり、
ついにはスピンドルモーターが停止するスティッキング
現象を起こした。

本発明の如く炭素質膜上に融点８０℃以上の有機物、特
に炭素数が８〜３０で、直鎖９分枝、飽和、不飽和のア
ルコール類、エステル類、アミン類、カルボン酸類や塩
類から選ばれる少なくとも１種は、塑性変形流動性に優
れる事から、ヘッド。

記憶体［■の摩擦係数を減じさせ、その結果として）ヘ
ッド、記憶体の物理的劣化も減じ、スティッキング現象
の問題が完壁に解決できた。

以上により、小型ハードディスクドライブに代表される
厳しい使用条件（８０℃、８０％Ｒ、Ｈ、）下でも信頼
して使用できる記憶体を提供する事が可能になりた。

〔実施例１〕 鏡面仕上げされたディスク状アルミニウム合金基板上に
非磁性合金（Ｎｌ−Ｐ）メッキを約１５μ鶏厚に被覆後
、研磨により１０μ扉厚９表面粗度Ｑ、０２μ溝以下に
加工する。

次にマグネ）ａシスバッタ法で上記基板をセット後、１
０”−”ｔｏｒｒ以下に排気し、基板を８０℃になるま
で加熱し、３分間保持する。

次にＴ１を５ｏＸ（Ｄａｄ加、操作圧カニＡｒガス導入
により６　ｘ　１０＝ｔｏｒｒ）　　、　Ｓ　ｉ　Ｏ，
ヲ５００Ｘ（ａｒ印加、操作圧カニ　６　Ｘ　１０−　
ｔ＠ｒｒ曳 ）、Ｏｒを５ｏｏＸ、ｃｏ−Ｎｉ　（Ｃｏ−２０ａｔ％
Ｎｉ）を６ｏｏｉ（Ｄｃ印加、操作圧力；４　Ｘ　１０
−２ｔｏｒｒ）　、　Ｔ　ｉ　ＯＨを２０′ａ＾、Ｔｉ
を５０＾、Ｃを２００λ（ＤＣ印加、操作圧力＝６Ｘ　
１０−３ｔｏｒｒ　）連続成膜した。更に下記処理液を
用い、等速引き上げ法により、ステアリン醗Ｌｉを約５
０＾被覆した。

〔実施例２〕 実施例１同様の基板上にアルマイト処理を施こし２０μ
詐厚のＡｔ、０３層を形成した後、研摩により１５μ扉
厚、表面粗度を０．０５μ扉以下に加工した。

ｙＩＰ　１ｊｌＪｒｔ１６７５１１４　　　ＷｍＬ−９
ｈ’ｈ　　　ｋｔｔ−／　　ズ　パ　１．　々　≧仁「
より、前加熱の後、Ｔ１を５ＯＡ、ＴｉＮを３０ｏＸ、
ａｒを１　ｏｏｏＸ、ｃｏ−Ｎｉ−Ｏｒ　（Ｃｏ−３０
ａｔ％Ｎ　ｉ　−７，５ａ　ｔ％Ｏｒ）を６００Ａ、Ｔ
ａ２０５を２０ＯＡ、Ｔａを５ＯＡ　　、０を２００Ｘ
連続成膜した。

〔実施例３〕 実施例１同様にＮ１−Ｐメッキを被覆した基板ヲ用い、
マグネトロンスパッタ法で次の成膜を行った。

Ｏｒを５　ＯＡ　、　Ｃｒ、０３を４０ＯＡ、Ｏｒを８
０ＯＡ、Ｃｏ−Ｎｉ−０ｒを６０ＯＡ、ＴｉＯ。

を２ｏｏＸ、ＴｔをｓｏＸ、ａを２００に、連続成膜し
た後、下記処理液を用い、等速引き上げ法でステアリン
＠Ｎａを３０Ｘ被覆した。

〔実施例４〕 実施例１に於ける３１０．ｔ−ＢＣにかえて、他は実施
例１と同様にしてディスクを作製した。

〔実施例５〕 実施例１に於けるステアリン酸Ｌ１をステアリン酸アミ
ドにかえて、他は実施例１と同様にしてディスクを作製
した。

〔比較例１〕 実施例１に於ける磁性膜下のＴｉ、Ｓｉｎ、の被覆を除
き、他は実施例１に準じてディスクを作製した。

〔比較例２〕 実施例１に於ける磁性膜上のＴｉＯ，、Ｔｉの被覆を除
き、他は実施例１に準じてディスクを作製した。

〔比較例３〕 実施例３に於けるＣｒ、Ｃｒ１０３及びＴ１０゜、Ｔｉ
の被覆を除き、又Ｏｏ　−Ｎ　ｉ　−ＯｒにかえてＣｏ
−Ｐｔ　（Ｃｏ−１０ａｔ％ｐｔ）を用い、実施例３に
準じてディスクを作製した。

以上の実施例、比較例で述べたディスクの品質評価をａ
ＳＳ試験及び耐湿試験で行った。

ａＳＳ試験は、０８３前後の外観変化、静摩擦係数と出
力低下率を求めた。（ヘッド：３３７０ミノモノリシツ
ク） 耐湿試験は８０℃、９０％Ｒ，Ｈ，の環境にディスクを
放置し、放置時間の経過を追って、ミッシングピット数
を測定し、その増加が確認された時点を寿命と判断した
。

以上の如く、金属媒体に、Ｃｒ、Ｐｔに代表される耐食
元素が添加されても、防食効果は不充分である。

本発明の化合物薄膜及び化合物薄膜と炭素質膜間の特定
金属薄膜により、耐湿性が、融点が８０℃以上の特定の
有機物の被覆により、機械的信頼性が大幅に向上した。

〔発明の効果〕

高密度化対応の記憶体として薄膜メディアが登場して久
しいが、長期信頼性に不安があるため、その使用は一部
に限られていた。

本発明によれば、加湿下で記憶体が用いられても金属媒
体に何等の変化も与えず又、機械的信頼性も高いので、
増々小型化し厳しい環境下でドライブが用いられようと
も、記憶体、ヘッドともにそれにより特性が劣化するも
のではない。

以上の如く、高密度、高耐久化記憶体の提供が可能にな
りた。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、第１層として酸化物、窒化物、及び炭
   化物から選ばれる少なくとも１種の物質より成る化合物
   薄膜が被覆され、第２層に金属磁性薄膜が被覆され、第
   ３層として、酸化物、窒化物及び炭化物から選ばれる少
   なくとも１種の物質より成る化合物薄膜が被覆され、第
   ４層にＣｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる
   少なくとも１種の金属薄膜が被覆され、第５層に炭素質
   膜を被覆された事を特徴とする磁気記憶体。
2. （２）基体と第１層の間、第１層と第２層の間及び第２
   層と第３層の間の少なくとも、いずれかの層間に、Ｃｒ
   、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも
   １種の金属膜を形成した事を特徴とする特許請求の範囲
   第１項記載の磁気記憶体。
3. （３）酸化物、窒化物及び炭化物が、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ
   、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｂから選ばれる元素の化合物であ
   る事を特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２項記載
   の磁気記憶体。
4. （４）炭素質膜上に融点が８０℃以上の有機物を被覆し
   た事を特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項及び第
   ３項記載の磁気記憶体。