JPH0262888B2 - - Google Patents
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- JPH0262888B2 JPH0262888B2 JP2297986A JP2297986A JPH0262888B2 JP H0262888 B2 JPH0262888 B2 JP H0262888B2 JP 2297986 A JP2297986 A JP 2297986A JP 2297986 A JP2297986 A JP 2297986A JP H0262888 B2 JPH0262888 B2 JP H0262888B2
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、耐摩耗性磁気記録体に関する。
（従来の技術）
従来、耐摩耗性磁気記録体として、Al、プラ
スチツクフイルム、NiPをめつきしたAl、アル
マイト処理したAl、ガラス等から成るデイスク、
テープ状などの非磁性基材の上面にCo−Ni、Co
−Ni−Cr、Co−Ni−Ｐ、rFe2O3、Co−Cr、Co
−Ni−Pt、Fe−Ｎなどの磁性金属、金属酸化物、
窒化物などの磁性薄膜をスパツタリング、蒸着、
メツキ法などで積層形成し、その上面に、炭素質
表面保護膜として(a)グラフアイトターゲツトを用
いてスパツタリング法により非晶質炭素の膜（以
下スパツタ炭素膜と称する）を積層形成したも
の、或は(b)炭化水素ガス又はその１部をフツ素で
置換したフツ化炭化水素ガスなどのガスを用いて
プラズマCVD法でＣ乃至Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ重合系
炭素質膜（以下Ｐ−CVD炭素質膜と称する）を
積層形成したもの、或は(c)アーク放電により炭素
を蒸発させその蒸着膜を積層形成するものが夫々
提案されている。
スチツクフイルム、NiPをめつきしたAl、アル
マイト処理したAl、ガラス等から成るデイスク、
テープ状などの非磁性基材の上面にCo−Ni、Co
−Ni−Cr、Co−Ni−Ｐ、rFe2O3、Co−Cr、Co
−Ni−Pt、Fe−Ｎなどの磁性金属、金属酸化物、
窒化物などの磁性薄膜をスパツタリング、蒸着、
メツキ法などで積層形成し、その上面に、炭素質
表面保護膜として(a)グラフアイトターゲツトを用
いてスパツタリング法により非晶質炭素の膜（以
下スパツタ炭素膜と称する）を積層形成したも
の、或は(b)炭化水素ガス又はその１部をフツ素で
置換したフツ化炭化水素ガスなどのガスを用いて
プラズマCVD法でＣ乃至Ｃ−Ｈ、Ｃ−Ｆ重合系
炭素質膜（以下Ｐ−CVD炭素質膜と称する）を
積層形成したもの、或は(c)アーク放電により炭素
を蒸発させその蒸着膜を積層形成するものが夫々
提案されている。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の耐摩耗性磁気記録体は、夫々次の欠
点を有する。即ち、スパツタ炭素膜を有するもの
は、第１図に示すように、Mn・Znフエライトの
モノリシツクヘツドに対しては、すぐれた耐摩耗
性を示すが、高密度記録用の複合ヘツドや薄膜ヘ
ツド、即ちスライダーとしてCaTiO2やAl2O3・
TiCのような硬いセラミツク材料を用いたヘツド
に対しては、その使用において、摩擦係数が急激
に上昇して、ヘツドがデイスクに吸着してしまう
かデイスクに傷がつくなどの不都合を生じる。又
Ｐ−CVD炭素質膜を有するものは、スパツタ炭
素膜に比し硬度は小さいが、潤滑性に優れている
ので、CaTiO2やAl2O3・TiCに対しての摩擦係数
は小さく、使用中の急激な上昇はないが、比較的
軟かいので、膜が破れて磁性膜を傷めてしまい、
又その製造中のガス圧が高くなると膜質が非晶質
炭素質から重合高分子質へ変化する傾向が高まり
膜の破れ、デイスクの損傷を生ずる傾向が増大す
る嫌いがあり、その製造条件を厳しく制御しなけ
ればならない不都合を伴う。又蒸着炭素膜も、ス
パツタ炭素膜と同様、使用中に摩擦係数が増大す
る問題を有する。しかもスパツタ炭素膜にくらべ
て密着性が悪い欠点をも有する。
点を有する。即ち、スパツタ炭素膜を有するもの
は、第１図に示すように、Mn・Znフエライトの
モノリシツクヘツドに対しては、すぐれた耐摩耗
性を示すが、高密度記録用の複合ヘツドや薄膜ヘ
ツド、即ちスライダーとしてCaTiO2やAl2O3・
TiCのような硬いセラミツク材料を用いたヘツド
に対しては、その使用において、摩擦係数が急激
に上昇して、ヘツドがデイスクに吸着してしまう
かデイスクに傷がつくなどの不都合を生じる。又
Ｐ−CVD炭素質膜を有するものは、スパツタ炭
素膜に比し硬度は小さいが、潤滑性に優れている
ので、CaTiO2やAl2O3・TiCに対しての摩擦係数
は小さく、使用中の急激な上昇はないが、比較的
軟かいので、膜が破れて磁性膜を傷めてしまい、
又その製造中のガス圧が高くなると膜質が非晶質
炭素質から重合高分子質へ変化する傾向が高まり
膜の破れ、デイスクの損傷を生ずる傾向が増大す
る嫌いがあり、その製造条件を厳しく制御しなけ
ればならない不都合を伴う。又蒸着炭素膜も、ス
パツタ炭素膜と同様、使用中に摩擦係数が増大す
る問題を有する。しかもスパツタ炭素膜にくらべ
て密着性が悪い欠点をも有する。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記の従来の炭素質保護膜をもつ耐
摩耗性磁気記録体を提供するもので、非磁性基材
の上面に、磁性薄膜と炭素質表面保護膜とを直接
又は介在層を介して順次積層形成して成る耐摩耗
性磁気記録体において、該炭素質表面保護膜をＰ
−CVD炭素質膜からなる表層とスパツタ炭素膜
とから成る裏層とで構成したことを特徴とする。
摩耗性磁気記録体を提供するもので、非磁性基材
の上面に、磁性薄膜と炭素質表面保護膜とを直接
又は介在層を介して順次積層形成して成る耐摩耗
性磁気記録体において、該炭素質表面保護膜をＰ
−CVD炭素質膜からなる表層とスパツタ炭素膜
とから成る裏層とで構成したことを特徴とする。
（実施例）
次に本発明実施例を説明する。
実施例 １
NiP／Alデイスク基板上に、1000Å厚のCrと
900Å厚のCoNiCrの２層から成る磁性膜をスパ
ツタリングにより積層形成した後、連続的にグラ
フアイトターゲツトを用いてスパツタし、その磁
性膜の上面に100〜800Å厚の範囲の厚さのスパツ
タ炭素膜を積層形成しし、更にそのスパツタ炭素
膜の上面に１×10-2〜１トールの範囲のアセチレ
ンガス中でRF又はDC放電を行ない、Ｃを主体と
しＨ原子を結合したＰ−CVD炭素質膜を積層形
成した。そのＰ−CVD炭素質膜の厚さは50〜500
Åの範囲とするのが一般である。かくして、本発
明の耐摩耗性磁気記録体を製造した。この記録体
につき、その耐摩耗性を試験するべく、この記録
体デイスクを45r.p.mで回転し、Al2O3・TiCから
成る3370型ヘツドを使用してヘツド加重を32ｇ加
えて5500回（２時間）連続的に摩擦係数を測定し
た。その結果を第３図に例示する。その記録体の
スパツタ炭素膜の厚さは200Å、Ｐ−CVD炭素質
膜の厚さは300Åである。これから明らかなよう
に、本発明の磁気記録体は、Al2O3・TiCヘツド
を用いても摩擦係数は大きくならず、又トラツク
跡も殆ど認められなかつた。CSSテスト15000回
の結果でも全く変化は現われず、スパツタ炭素膜
の硬さとＰ−CVD膜の潤滑性により優れた耐摩
耗性を持つ表面保護膜が得られることが分つた。
比較のため、従来と同様に厚さ400Åのスパツタ
炭素膜単独を前記の２層磁性膜の上面に積層形成
して作成した耐摩耗性磁気記録体デイスクを
Al2O3・TiCヘツド、CaTiO3ヘツド、MnZn−フ
エライトヘツドを使用し、前記と同様に加速試験
を行なつた結果は、第１図示の通りであり、特に
Al2O3・TiCヘツドやCaTiO3ヘツドなどのセラミ
ツクヘツドの場合には、回数と共にその摩擦係数
が著しく増大し１を越えてしまうことが認められ
た。又厚さ400ÅのＰ−CVD炭素質膜単独をガス
圧の条件を変えて前記２層磁性膜の上面に積層形
成して作成した各種の耐摩耗性磁気記録体デイス
クをAl2O3・TiCヘツドで前記と同様に加速試験
を行つた。その結果を第２図に例示する。これか
ら明らかなように、Ｐ−CVD炭素膜作成時のガ
ス圧の増加と共に摩擦係数は減少する。然し乍
ら、膜が軟かくなるほど膜が破れ易く、Al2O3・
Ticヘツドによるデイスクの損傷が早くなる嫌い
がある。これは、そのガス圧の増大と共にＰ−
CVD炭素質膜の生成は、非晶質炭素質から重合
高分子質へ変化する傾向にあることが認められ
る。しかし、この試験結果から、CVDによる膜
は摩擦係数が小さく、潤滑性を示すことが分つ
た。
900Å厚のCoNiCrの２層から成る磁性膜をスパ
ツタリングにより積層形成した後、連続的にグラ
フアイトターゲツトを用いてスパツタし、その磁
性膜の上面に100〜800Å厚の範囲の厚さのスパツ
タ炭素膜を積層形成しし、更にそのスパツタ炭素
膜の上面に１×10-2〜１トールの範囲のアセチレ
ンガス中でRF又はDC放電を行ない、Ｃを主体と
しＨ原子を結合したＰ−CVD炭素質膜を積層形
成した。そのＰ−CVD炭素質膜の厚さは50〜500
Åの範囲とするのが一般である。かくして、本発
明の耐摩耗性磁気記録体を製造した。この記録体
につき、その耐摩耗性を試験するべく、この記録
体デイスクを45r.p.mで回転し、Al2O3・TiCから
成る3370型ヘツドを使用してヘツド加重を32ｇ加
えて5500回（２時間）連続的に摩擦係数を測定し
た。その結果を第３図に例示する。その記録体の
スパツタ炭素膜の厚さは200Å、Ｐ−CVD炭素質
膜の厚さは300Åである。これから明らかなよう
に、本発明の磁気記録体は、Al2O3・TiCヘツド
を用いても摩擦係数は大きくならず、又トラツク
跡も殆ど認められなかつた。CSSテスト15000回
の結果でも全く変化は現われず、スパツタ炭素膜
の硬さとＰ−CVD膜の潤滑性により優れた耐摩
耗性を持つ表面保護膜が得られることが分つた。
比較のため、従来と同様に厚さ400Åのスパツタ
炭素膜単独を前記の２層磁性膜の上面に積層形成
して作成した耐摩耗性磁気記録体デイスクを
Al2O3・TiCヘツド、CaTiO3ヘツド、MnZn−フ
エライトヘツドを使用し、前記と同様に加速試験
を行なつた結果は、第１図示の通りであり、特に
Al2O3・TiCヘツドやCaTiO3ヘツドなどのセラミ
ツクヘツドの場合には、回数と共にその摩擦係数
が著しく増大し１を越えてしまうことが認められ
た。又厚さ400ÅのＰ−CVD炭素質膜単独をガス
圧の条件を変えて前記２層磁性膜の上面に積層形
成して作成した各種の耐摩耗性磁気記録体デイス
クをAl2O3・TiCヘツドで前記と同様に加速試験
を行つた。その結果を第２図に例示する。これか
ら明らかなように、Ｐ−CVD炭素膜作成時のガ
ス圧の増加と共に摩擦係数は減少する。然し乍
ら、膜が軟かくなるほど膜が破れ易く、Al2O3・
Ticヘツドによるデイスクの損傷が早くなる嫌い
がある。これは、そのガス圧の増大と共にＰ−
CVD炭素質膜の生成は、非晶質炭素質から重合
高分子質へ変化する傾向にあることが認められ
る。しかし、この試験結果から、CVDによる膜
は摩擦係数が小さく、潤滑性を示すことが分つ
た。
本発明の上記構成の磁気記録体は、硬度の高い
スパツタ炭素膜の上面に潤滑性の優れたＰ−
CVD膜を形成した２層から成る炭素質表面保護
膜を備えるので、Al2O3・TiCなどのセラミツク
系の硬質ヘツドは表面の潤滑性Ｐ−CVD膜によ
り摩擦係数が小さい状態で円滑な作動が長期間に
亘り行なわれ、該ヘツドにより表面のＰ−CVD
膜の１部分が摩耗しても、その摩耗部分はその下
面の硬度の高いスパツタ炭素膜が存在するので、
該ヘツドにより直ちに磁性膜を傷付けることな
く、該スパツタ炭素膜により該磁性膜を該ヘツド
との接触から保護し而もその上面の大部分の残る
Ｐ−CVD膜により潤滑性は良好に維持されるの
で、極めて長期間に亘り摩擦係数の急激な上昇な
くAl2O3・TiCヘツドによる記録ができる。
スパツタ炭素膜の上面に潤滑性の優れたＰ−
CVD膜を形成した２層から成る炭素質表面保護
膜を備えるので、Al2O3・TiCなどのセラミツク
系の硬質ヘツドは表面の潤滑性Ｐ−CVD膜によ
り摩擦係数が小さい状態で円滑な作動が長期間に
亘り行なわれ、該ヘツドにより表面のＰ−CVD
膜の１部分が摩耗しても、その摩耗部分はその下
面の硬度の高いスパツタ炭素膜が存在するので、
該ヘツドにより直ちに磁性膜を傷付けることな
く、該スパツタ炭素膜により該磁性膜を該ヘツド
との接触から保護し而もその上面の大部分の残る
Ｐ−CVD膜により潤滑性は良好に維持されるの
で、極めて長期間に亘り摩擦係数の急激な上昇な
くAl2O3・TiCヘツドによる記録ができる。
上記の効果は、CaTiO3ヘツドその他の硬質ヘ
ツドと摩擦させた場合でも同様に有する。
ツドと摩擦させた場合でも同様に有する。
尚、Ｐ−CVD炭素質膜生成に用いる炭化水素
ガスとしては、アセチレンガスの他、メタン、エ
タン、エチレン、ベンゼン等のＣ−Ｈ系ガスが用
いられる。
ガスとしては、アセチレンガスの他、メタン、エ
タン、エチレン、ベンゼン等のＣ−Ｈ系ガスが用
いられる。
実施例 ２
実施例１に用いたアセチレンガスに代え、
CHF3ガスを使用した以外は実施例１と同じ条件
でＰ−CVD炭素質膜を表層にスパツタ炭素膜を
裏層にもつ耐摩耗性磁気記録体を作成した。試験
の結果、第３図示と同様に摩耗係数が長期間に亘
り小さく安定した優れた磁気記録体であることが
確認された。又、CHF3ガスに代え、CH2F2、
CF4＋H2、CF4＋C2H2などのＣ、Ｈ、Ｆを含む
ガスを夫々使用したが、同様に優れた耐摩耗性磁
気記録体が得られた。
CHF3ガスを使用した以外は実施例１と同じ条件
でＰ−CVD炭素質膜を表層にスパツタ炭素膜を
裏層にもつ耐摩耗性磁気記録体を作成した。試験
の結果、第３図示と同様に摩耗係数が長期間に亘
り小さく安定した優れた磁気記録体であることが
確認された。又、CHF3ガスに代え、CH2F2、
CF4＋H2、CF4＋C2H2などのＣ、Ｈ、Ｆを含む
ガスを夫々使用したが、同様に優れた耐摩耗性磁
気記録体が得られた。
このように、本発明によるＰ−CVD炭素質膜
は、そのガスの種類やガス圧によつて、非晶質炭
素、Ｃ−Ｈ系、Ｃ−Ｈ−Ｆ系等の重合高分子系炭
素質膜等の種々のものが作成できるが、いずれも
潤滑性を有する。
は、そのガスの種類やガス圧によつて、非晶質炭
素、Ｃ−Ｈ系、Ｃ−Ｈ−Ｆ系等の重合高分子系炭
素質膜等の種々のものが作成できるが、いずれも
潤滑性を有する。
尚、磁性膜とスパツタ炭素膜との密着性を向上
せしめるため、スパツタ法によりCr、Ti等の層
を介在させたものは公知であるが、本発明の場合
にも、かゝる介在層を磁性膜とスパツタ炭素膜と
の間に介在させることができる。
せしめるため、スパツタ法によりCr、Ti等の層
を介在させたものは公知であるが、本発明の場合
にも、かゝる介在層を磁性膜とスパツタ炭素膜と
の間に介在させることができる。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、磁性膜の上面
を保護する膜を、Ｐ−PVC炭素質膜から成る表
層とスパツタ炭素膜から成る裏層とで構成したの
で、従来のＰ−CVD炭素質膜単独又はスパツタ
炭素膜単独を保護膜とした耐摩耗性磁気記録体が
実用に適しないヘツドにも適用でき、長期に亘り
摩耗係数の小さく安定した耐摩耗性磁気記録体を
もたらす効果を有する。
を保護する膜を、Ｐ−PVC炭素質膜から成る表
層とスパツタ炭素膜から成る裏層とで構成したの
で、従来のＰ−CVD炭素質膜単独又はスパツタ
炭素膜単独を保護膜とした耐摩耗性磁気記録体が
実用に適しないヘツドにも適用でき、長期に亘り
摩耗係数の小さく安定した耐摩耗性磁気記録体を
もたらす効果を有する。
第１図はスパツタ炭素膜の各ヘツドによる加速
試験の結果を示す摩耗係数特性曲線図、第２図は
Ｐ−CVD膜のAl2O3・TiCヘツドによる摩耗係数
特性曲線とＰ−CVD膜生成時のガス圧との関係
を示す図、第３図は本発明の炭素質保護膜の
Al2O3・TiCヘツドによる加速試験の結果を示す
摩耗係数特性曲線図を示す。
試験の結果を示す摩耗係数特性曲線図、第２図は
Ｐ−CVD膜のAl2O3・TiCヘツドによる摩耗係数
特性曲線とＰ−CVD膜生成時のガス圧との関係
を示す図、第３図は本発明の炭素質保護膜の
Al2O3・TiCヘツドによる加速試験の結果を示す
摩耗係数特性曲線図を示す。
Claims (1)
- １ 非磁性基材の上面に、磁性薄膜と炭素質表面
保護膜とを直接又は介在層を介して順次積層形成
して成る耐摩耗性磁気記録体において、該炭素質
表面保護膜をＰ−CVD炭素質膜から成る表層と
スパツタ炭素膜とから成る裏層とで構成したこと
を特徴とする耐摩耗性磁気記録体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2297986A JPS62183022A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 耐摩耗性磁気記録体 |
| US06/934,594 US4804590A (en) | 1986-02-06 | 1986-11-25 | Abrasion resistant magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2297986A JPS62183022A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 耐摩耗性磁気記録体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183022A JPS62183022A (ja) | 1987-08-11 |
| JPH0262888B2 true JPH0262888B2 (ja) | 1990-12-26 |
Family
ID=12097673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2297986A Granted JPS62183022A (ja) | 1986-02-06 | 1986-02-06 | 耐摩耗性磁気記録体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183022A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0731807B2 (ja) * | 1987-03-20 | 1995-04-10 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体 |
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| JP4793531B2 (ja) * | 2001-07-17 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | 非晶質炭素被膜と非晶質炭素被膜の製造方法および非晶質炭素被膜の被覆部材 |
-
1986
- 1986-02-06 JP JP2297986A patent/JPS62183022A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62183022A (ja) | 1987-08-11 |
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