JPH04195920A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は磁気記録媒体、特に、Ｃ８Ｓ耐久性を高めたハ
ードタイプの連続薄膜型の磁気ディスクに関する。

〈従来の技術〉 計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
が用いられている。　ハードタイプの磁気ディスクに記
録再生を行なう磁気ヘッドとしては、各種浮上型磁気ヘ
ッドが用いられている。

このような場合には、コンタクト・スタート・ストップ
（ＣＳＳ）時に、磁気ディスクは磁気ヘッドにより損傷
を受ける。

また、記録密度を高めるためには、磁気ヘッドの浮上量
をできるだけ小さくしようという要請が強いが、このと
きＣ８Ｓ時のディスクの損傷はより一層大きくなる。

このようなＣ８Ｓ耐久性を高めるためディスク表面に各
種保護膜を設ける提案がなされている。　例えば特開昭
５８−１９４１３１号、特開昭５６−１５６９３１号等
では、フッ素を含むプラズマ重合膜を磁性層上に形成す
る方法が提案されている。

また、ポリフルオロエチレンをスパッタ法で成膜する方
法等も知られている。

さらに特開昭５６−１５６９３１号ではフッ化黒鉛粒子
を磁性層表面に移着する方法が提案されている。

また、カーボンスパッタ膜も知られている。

〈発明が解決しようとする課題〉 しかし、特に連続薄膜型の磁性層を有する磁気ディスク
において、低浮上量にて駆動すると、上記従来のフッ化
カーボン系保護膜は、潤滑性、摩擦特性、硬度等のいず
れかにおいて不十分であり、Ｃ８Ｓ耐久性が低い。

本発明の目的は、潤滑性、摩擦特性、硬度にすぐれ、Ｃ
８Ｓ耐久性のきわめて高いフッ化カーボン系保護膜を有
する磁気記録媒体を提供することにある。

〈課題を解決するための手段〉 このような目的は下記（１）〜（５）の本発明により達
成される。

（１）剛性基板を有し、この基板上に形成された磁性層
を有し、この磁性層上に形成され、ＣｎＦ　（１０≦ｎ
≦１００）の組成をもち、水素含有量０〜１０ａｔ％の
フッ化カーボン保護膜を有することを特徴とする磁気記
録媒体。

（２）前記保護膜の膜厚が１００〜８００人である上記
（１）に記載の磁気記録媒体。

（３）前記保護膜がスパッタ法またはＣＶＤ法により形
成されたものである上記（１）または（２）に記載の磁
気記録媒体。

（４）前記保護膜が、フッ化カーボンと炭素とを混合成
形したターゲットをスパッタリングしたものである上記
（３）に記載の磁気記録媒体。

（５）前記磁性層が、気相成膜法による連続磁性薄膜で
ある上記（１）ないしく４）のいずれかに記載の磁気記
録媒体。

〈作用〉 本発明の磁気記録媒体においては、剛性基板上に磁性層
を形成し、この磁性層上にフッ化カーボンの保護膜を設
ける。

ここで保護膜を構成するフッ化カーボンＣｎＦの組成は
１０≦ｎ≦１００とし、水素含有量を０〜１０ａｔ％に
規制する。

フッ化カーボンの組成をこのように規制することで、潤
滑性や摩擦特性が飛躍的に向上し、磁気ヘッドの吸着が
抑えられ、Ｃ８Ｓ耐久性は大幅に向上する。

〈発明の具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成にって詳細に説明する。

本発明の磁気記録媒体に用いる剛性基板は、金属製であ
っても樹脂製であってもよい。　金Ｍ製の剛性基板材質
としては、例＾ば機械的剛性や加工性等が良好なアルミ
ニウムやアルミニウム合金等の各種非磁性金属が挙げら
れる。

これら金属基板は、ＮＬＰ等の公知の各種表面層を有し
ていてもよい。

樹脂製の剛性基板材質としては、例えばキャスティスグ
法で成型する場合は、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、シリコーン樹
脂あるいはポリエステル等が使用できる。

インジェクション法で成型する場合は、ポリエチレン、
ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂
、フッ化ビニリデン樹脂、ポリスチレン、アクリロニト
リル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジェ
ン−スチレン共重合体、アクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ポリエステル、ポリ
フェニレンサルファイド、ポリエーテルイミドあるいは
アモルファスポリオレフィン等が使用できる。　また熱
硬化樹脂として、フェノール樹脂、フラン樹脂、キシレ
ン樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アニリン樹脂、スル
ホンアミド樹脂、アルキド樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂あるいはエポキシ樹脂等も使用できる。

基板の寸法は目的に応じて選定すればよいが、通常、厚
さ０．８〜１．９ｍｍ程度、直径６Ｃｌ〜１３０ｍｍ程
度である。

基板の磁性層形成面側には、磁性層の配向性を向上し、
応力を解放するためテクスチャリング加工等による溝を
形成することが好ましい。

溝の形状、パターン、寸法等には特に制限がないが、磁
性層のディスクの周方向の配向性が向上する点で、溝を
ディスクの周方向に形成することが好ましい。

清は、基板を回転させながら研磨テープ等を作用させ、
基板表面に、同心円状等に不規則に形成したいわゆるテ
クスチャー加工による溝であっても、基板表面に、成形
時に同心円状、渦巻状等に規則的に形成した溝であって
も、あるいは、両者であってもよい。

規則的な溝は、トラッキング用のグループとして使用す
ることができ、記録密度が向上する。

このような場合の溝の寸法や溝装置間隔は、溝の幅が０
．１〜１０−１特に０，５〜２−程度、溝間間隙がｏ、
ｉ〜１０−１特に０．５〜２−程度、溝の深さが１００
〜５０００人、特に５００〜１０００人程度が好ましい
。

なお、グループには情報が記録されないため、グループ
は磁気ヘッドの位置に関係な（ガートバンドとなる。　
このため、基板に、グループを設ければ、トラッキング
サーボの精度が比較的低くて済み、サーボ信号に使用さ
れる記録面の面積を少なくできる。　また、隣接トラッ
クからのクロストークが著しく減少する。

また、ディスク周方向に、前記寸法の溝を特に規則的に
形成するときには、磁性層のクラック発生が防止され、
ディスク周方向の配向性が向上し、ディスク周方向の保
磁力が向上する。

なお、この溝は、基板表面層を有するときには、この表
面層上に設けられる。

剛性基板上には、下地層が設けられていてもよい。

下地層の材質には特に制限がなく、各種の無機材料、有
機材料、金属ないし合金等を用いればよく、成膜方法や
膜厚等も目的や用途等に応じて適宜選択すればよい。

以下に好適例を示す。

下地層の第１の例は、ＣまたはＣと、Ｈ，Ｎおよび０の
うちの１種以上とを含有するプラズマ重合膜である。

この場合、より好ましくはＣと、Ｈと、Ｎおよび／また
は０、さらに好ましくはＣと、Ｈと、Ｎと、０とを含有
しているものが好ましい。

プラズマ重合膜の下地層３の膜厚は、 １００〜２０００人、より好ましくは３ｏ０〜１０００
人であることが好ましい。

プラズマ重合膜は、公知の方法に従い、原料ガスの放電
プラズマを基板に接触させることにより重合膜を形成す
るものである。

なお、プラズマ重合膜中には、特願昭６１−２０７５６
７号に記載されているように、プラズマ重合膜部に電極
材料を堆積したり、有機金属化合物をソースガスとして
用いたりして、各種金属を３０ａｔ％程度以下含有させ
てもよい。

二のようなプラズマ重合膜は、基板上、特にプラズマ処
理された基板上に形成されることが好ましい。

下地層の第２の例は、Ａｆｆ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ
、Ｉｎ、ＳｎおよびＡｕからなる群より選ばれる１種以
上を含有する非磁性金属ないし非磁性合金の連続薄膜で
ある。

用いる金属は、単体でも合金でもよいが、合金の場合、
前記金属を８０重量％以上含有することが好ましい。

下地層の膜厚は、１００〜３０００人、特に５００〜１
５００人であることが好ましい。

下地層３の第３の例は、酸化物、窒化物、炭化物、ケイ
化物、ホウ化物および炭素からなる群より選ばれる１種
以上を含有する連続薄膜である。

この場合、酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化
物の１種以上が含有され、酸化窒化物、酸化炭化物、窒
化炭化物、酸化窒化炭化物、等となっていてもよい。

酸化物の連続薄膜としては、Ｓ　ｉ　Ｏｘ（１≦Ｘ≦２
）、Ｚｒ０ｚ　、Ａｆｆ２０ｘ、５ｉ−Ａｆｆ−０−Ｎ
系化合物、Ｌａ−５ｉ−０−Ｎ系化合物等が好適である
。

窒化物の連続薄膜としては、Ｓ　１　ｘ　Ｎ　４、Ａρ
Ｎ、ＴｉＮ等が好適である。

炭化物の連続薄膜としては、５ｉＣ１ ＴｉＣ，ｈ−ＢＣ，ｃ−ＢＣ，ＷＣ等が好適である。

ケイ化物の連続薄膜としては、ＳｉＯｘ、ＳＩＣ，Ｓ１
！　Ｎ４　、　Ｓｉ　　Ａ、ｊ２　　ＯＮｚ系化合物、
Ｌａ−５ｉ−０−Ｎ系化合物等が好適である。

ホウ化物の連続薄膜としては、ｈ−ＢＮ、Ｃ−ＢＮ等が
好適である。

炭素の連続薄膜としては、アモルファスカーボン等が好
適である。

下地層の膜厚は、１００〜３０００人、特に５００〜１
５００人であることが好ましい。

前記第２および第３の例の下地層は、蒸着、スパッタリ
ング、イオンブレーティング、ＣＶＤ等の各種気相成膜
法にて成膜すればよいが、第２の例の下地層は、特にス
パッタリング、第３の例の下地層は、特にスパッタリン
グまたはプラズマＣＶＤにて成膜することが好ましい。

下地層上には、直接あるいは中間層４を介して磁性層が
形成される。

磁性層は、塗布型であってもよいが、連続薄膜型である
と、本発明の効果はより一層有効に実現する。

連続薄膜型磁性層の材質には特に制限がなく、例えば、
Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる１種以上を含有する
連続薄膜、特にＣｏ系の気相成膜法による連続薄膜で構
成すればよい。

磁性層の組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ合金１．Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｂ
合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−３１−ＡＡ金
合金Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合金。

Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｃｏ　−
Ｎ　ｉ　−Ｍ　ｎ　−Ｒｅ　−Ｐ合金等が挙げられる。

なお、これら合金には、必要に応じ、０、Ｎ、Ｓｉ、Ａ
ｎ、Ｍｎ、Ａｒ等の他の元素が０．１重量％程度以下含
有されていてもよい。

磁性層の膜厚は、３００〜１０００人が好ましい。

前記範囲未満では、記録再生時における出力が十分でな
く、前記範囲をこえると出力は十分であるが記録密度が
低下し不利である。

下地層と、磁性層との間には、必要に応じて、非磁性中
間層が設けられる。

例えば、磁性層をＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、Ｃｏ−
Ｚｎ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｍｎ−Ｒｅ−Ｐ等にて構成す
る場合、非磁性中間層を設けることにより、磁性層のエ
ピタキシャル成長を良好に行なうことができ、磁気特性
が向上する。

非磁性中間層は、例えば、Ｃｒ、Ｗから選ばれる１種以
上を含有する連続薄膜にて構成すればよい。

この場合、用いる金属は単体でも合金でもよいが、合金
の場合、前記金属を８０重量％以上含有することが好ま
しい。

非磁性中間層の膜厚は、５００〜５０００人が好ましい
。

前記範囲未満では良好な磁気特性が得られない。

前記範囲をこえるときには、磁気特性の向上はほぼ一定
値に収束し、特性上および量産上あまり意味をもたない
。

このような非磁性中間層や前記磁性層は、それぞれ、蒸
着、スパッタリング、イオンブレーティング、ＣＶＤ等
の各種気相成膜法にて成膜すればよく、特にスパッタリ
ングにて成膜することが好ましい。

本発明の磁気記録媒体においては、前記磁性層上に保護
膜を形成する。

この保護膜は気相成長膜であり、フッ化カーボンＣｎＦ
により構成される。

ここで炭素含有量を示すｎの値は１０≦ｎ≦１００、よ
り好ましくは３０≦ｎ≦７０とする。

ｎの値をこのように規制することにより、磁気ディスク
表面の潤滑性、摩擦特性が向上し、磁気ヘッドの吸着現
象が抑えられ、これらに加え、さらに硬度が向上し、こ
の結果Ｃ８Ｓ耐久性が大幅に向上する。

ｎの値が１０未満ないし１００より大となると、Ｃ８Ｓ
耐久性が臨界的に低下する。

さらに、保護膜中のＨの含有量は、０〜１０ａｔ％、好
ましくは０〜５ａｔ％とする。

Ｈ含有量が１０ａｔ％をこえると、Ｃ８Ｓ耐久性は臨界
的に低下する。

本発明の保護膜においては、その膜厚を１００〜８００
人、より好ましくは３００〜５００人とすることが好ま
しい。

膜厚がこれより厚いと、スペーシングロスにより型持上
不利であり、膜厚が１００人未満となると、その実効が
なくなって（る。

上記の組成をもつ保護膜の形成は通常のスパッタ法また
はＣＶＤ法により行なうことができる。

保護膜の形成をスパッタ法で行なう場合には、スパッタ
の方式、装置等には特に制限がなくまた諸条件もスパッ
タ方式等に応じて適宜決定すればよいが、ターゲットに
はフッ化カーボンを用いる。

より具体的には、フッ化カーボンは粒体として入手され
るので、フッ化カーボン粒子に、炭素、例えばカーボン
ファイバーをバインダーとして混合し、これをプレス成
型してターゲットとすればよい。

フッ化カーボンと炭素の混合量を制御することにより、
スパッタ膜のＣ／Ｆ比を調整することができる。

あるいは、さらにこの混合ターゲットにカーボンターゲ
ットを併用して、いわゆる２元スパッタにより成膜する
こともできる。

本発明の保護膜はＣＶＤ法によっても形成し得る。

ＣＶＤ法を用いる場合は、プラズマＣＶＤ法を用いるこ
とが好ましい。

プラズマＣＶＤ法で保護膜を形成する場合は、通常は、
ソースガスとして混合ガスを用いる。

混合ソースガスの、１つは、ハイドロカーボン系のガス
と、フッ化カーボン系のガスとの混合ガスである。

ハイドロカーボン系としては、メタン、エタン、プロパ
ン、ブタン、エチレン、アセチレン、プロペン、プロピ
ン、ブテン、ブタジェン等が使用可能であり、これらの
うち、特に不飽和ハイドロカーボンが好ましい。

フッ化カーボン系としては、バーフルオロメタン、パー
フルオロエチレン、パーフルオロプロピレン、パーフル
オロブタジェン等が使用可能であり、特に重合性のない
ＣＦ、が好ましい。

この場合、フッ化カーボンの代わりに、Ｆ２を用いても
よい。

他方、フッ化カーボン系とＦ２との混合ガスも使用可能
である。

Ｈ８はフッ化カーボンのＦと結合し、ＨＦとして系外に
排出される。

この場合のフッ化カーボンは、前記と同じものでよ（、
これら２つの混合ガス系のいずれかを用いることにより
、所望のＣ／Ｆ比の膜が形成される。

このような保護膜を磁性層上に形成することにより、潤
滑性や摩擦特性にすぐれ、Ｃ８Ｓ耐久性のきわめて高い
磁気記録媒体が実現する。

なお、本発明の磁気記録媒体においては保護膜上に、必
要に応じて、さらに有機系液体の潤滑層を設けてもよい
、　潤滑層は通常フッ化カーボン系の材質等にて構成さ
れ、その膜厚は５〜２０人程度とすわばよい。

本発明の磁気記録媒体の記録・再生のために磁気ディス
ク媒体と組合わせて用いられる磁気ヘッドは、浮上型磁
気ヘッドである。

この浮上型磁気ヘッドは、少なくともギヤツブ部付近が
飽和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で形成されてい
ることが好ましく、その他の構成に特に制限はない。

このような構成を有する浮上型磁気ヘッドとしては、メ
タル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型の磁気ヘッドまたは
薄膜型の磁気ヘッドが好適である。

ＭＩＧ型磁気ヘッドは、一対のコアの少なくとも一方の
ギャップ部対向面に、これらのコアよりも飽和磁束密度
の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドである。　ＭＩＧ
型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁束を磁性層
に印加できるため、高い保磁力を有する磁性層に有効な
記録を行なうことができる。

また、本発明では、ＭＩＧ型の磁気ヘッドの１種である
いわゆるエンハンスト・デュアルギャップ・レングス（
ＥＤＧ）型の磁気ヘッドを用いてもよい。

本発明において、浮上型磁気ヘッドの浮上量は、０．２
−以下とすることが好ましい。　浮上量がこの範囲を超
えるとオーバーライド特性が不十分となり、また、高い
記録密度を得ることが困難となる。

なお、浮上量のより好ましい範囲は、 ０．１７−以下である。

また、浮上量の下限は特になく、浮上型磁気ヘッドの浮
揚面と磁気ディスク表面とが準接触状態となるまで浮上
量を小さくすることができる。

なお、浮上量とは浮上型磁気ヘッドの浮揚面と磁気ディ
スク表面との距離である。

浮上量は、スライダの形状変更、ジンバル、サスペンシ
ョン等の荷重変更、磁気ディスクの回転数の変更などに
より種々の値に設定することができる。

記Ｈ再生時の磁気ディスクの回転数に特に制限はな（、
目的とする転送レート、浮上量、記録密度等に応じて適
宜設定すればよいが、例えば１５００〜４０００ｒｐｍ
程度である。

本発明では通常、デジタル信号を記録するので、飽和記
録を行なう。

また、飽和記録を行なうので、オーバーライド記録が可
能である。

〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１ アルミニウム製のディスク状剛性基板上に、ＮＬＰメツ
キ膜を成膜した後、ポリッシングおよびテクスチャリン
グを行ない、基板の一方の主面に溝を形成した。

清は、ディスクの周方向に形成し、断面はぼ矩形とし、
その寸法は、幅１〜２−１溝間間隙１〜２−１深さ３０
０〜４００人とした。

次いで基板の溝形成面に、膜厚３０００人のＣｒ中間層
を成膜した。

そして、膜厚５００人のＣｏ−Ｎ１−ＣｒＦａ性層を成
膜した。

この場合、下地層および磁性層の成膜は、それぞれ、Ｄ
Ｃ−マグネトロンスパッタにて行なった。

また、スパッタ条件は、動作圧力をＩ　Ｐａとし、Ａｒ
雰囲気中とした。

なお、ターゲットには、それぞれ、ＣｒおよびＣＯｙｏ
Ｎ　ｉ　ｚｏｃ　ｒ　ｔｏ　（ａｔ％）を用いた。

この連続薄膜磁性層上にスパッタにより保護膜を成膜し
た。

スパッタ条件は、動作圧力を１．ＯＰａとし、Ａｒ雰囲
気中とした。

ターゲットには、フッ化カーボンのパウダーとカーボン
ファイバーと溶剤とを混合してプレス成型したベレット
（１０ｍｍφ）とカーボンターゲットとを用いた。

ここでフッ化カーボンとしては、平均粒径０．５−のカ
ーボンモノフルオライドの重合体を使用し、これにカー
ボンファイバーを３０ｗｔ％添加した。

ベレットのフッ化カーボンとカーボンターゲットの面積
比を変化させて、表１に示される組成をもち、膜厚４０
０人の保護膜を有する磁気ディスクサンプルＮｏ、　　
１〜サンプルＮｏ、　　５を作製した。

表　　　　　　１ Ｎｏ、　　　　　　ＣｎＦ　　　　　Ｈａｔ％Ｉ　　　
　　　　　Ｃ０ ２Ｃ，Ｆ　　　　　　　　　　　１６．７３　　　　　
　Ｃ１゜Ｆ　　　　−４，８４ＣｇｏＦ　　　　−２，
０ ５Ｇ、、ＯＦ　　　−０，７ なお、保護膜組成ＣｎＦのｎ値はＥＳＣＡによって用い
て測定した。

サンプルＮｏ、　　１〜サンプルＮｏ、　５について浮
上型磁気ヘッド搭載した磁気ディスク装置を用いて記録
・再生を行なった。

この場合、磁気ヘッドには、ギャップ長０．６−のモノ
リシックタイプのＭＩＧヘッドを用い、記録・再生時の
ヘッド浮上量は０．１４鱗とした。

ヘッド浮上量は、磁気ディスク表面と磁気ヘッド浮揚面
のギャップ部との距離であり、自動浮上量テスタ（ＰＰ
Ｌ社製）を用いて下記のようにして求めた。

測定用の石英製ディスクを下記各測定と同様の条件にて
回転させてディスク表面に浮上型磁気ヘッドを浮上させ
、そのとき石英製ディスクの裏面側から白色光を浮上型
磁気ヘッドのギャップ部に照射し、その反射光とディス
ク表面からの反射光との干渉を検出して浮上量を算出し
た。

また、記録電流は、飽和記録特性の再生出力の最大値の
９０％に相当する記録電流値を１．。

とじたとき、■。。×２とした。

なお、Ｃ８Ｓ耐久性は以下の定義とし、以下のようにし
て求めた。

ＣＳＳ　（コンタクト・スタート・ストップ）耐久性の
測定には、プラス社製３．５″磁気デイスクドライブを
用いた。

Ｃ８Ｓの１サイクルは、静止時間ｌＯ秒−立ち上がり時
間５秒一定常回転の時間１０秒−立ち下がり時間３０秒
とし、定常状態のディスクの回転数は３６００　ｒｐｍ
とした。　また、Ｃ８Ｓはディスク中心から２２ｍａ＋
の位置で行なった。

そして、ディスクの摩擦係数が１．０以上になったとき
、または、磁性層に傷が発生したときのＣ８Ｓサイクル
数で評価した。

結果を表２に示す。

表　　　　　２ サンプル　　　　　ＣＳＳサイクル Ｎｏ。

表２に示される結果から、１０≦ｎ≦１００かつＨ≦１
０ａｔ％であるサンプルＮ０９３およびサンプルＮｏ、
　４は、きわめて高いＣ８Ｓ耐久性を示すことがわかる
。

実施例２ 実施例１と同一の基板、下地層および磁性層を有する磁
気ディスクの磁性層上にプラズマ重合により保護膜を形
成した。

成膜法は磁気ディスクを真空チャンバ中に入れ、−旦１
０−”Ｔｏｒｒの真空に引いた後、処理ガスとして０２
とＡｒとを用い、０２含有量：１０％、流量：５０ｍｆ
ｆ１／分にてガス圧０．　１Ｔｏｒｒに保ちながら１０
０　ＫＨｚの高周波電圧をかけてプラズマを発生させ、
磁性層表面をプラズマ処理した。　その後、さらに下Ｈ
ｅ表３に示される条件にて、プラズマ重合膜を磁性層面
に形成し、サンプルＮｏ、　６およびサンプルタＮｏ、
　　７を作製した。

これらのプラズマ重合膜の元素分析は ＳＩＭＳで測定し、また膜厚はエリプソメーターにて測
定した。　結果を表３に示す。

表３のサンプルＮ０１６およびサンプルＮｏ、　　７に
ついて、実施例１と同一条件でｃｓｓ耐久性を測定した
。

結果を表４に示す。

表　　　　　　　４ Ｎｏ。

〈発明の効果〉 本発明によれば潤滑性、摩擦特性、硬度が向上し、Ｃ８
Ｓ耐久性が大幅に向上する。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）剛性基板を有し、この基板上に形成された磁性層
   を有し、この磁性層上に形成され、ＣｎＦ（１０≦ｎ≦
   １００）の組成をもち、水素含有量０〜１０ａｔ％のフ
   ッ化カーボン保護膜を有することを特徴とする磁気記録
   媒体。
2. （２）前記保護膜の膜厚が１００〜８００Åである請求
   項１に記載の磁気記録媒体。
3. （３）前記保護膜がスパッタ法またはＣＶＤ法により形
   成されたものである請求項１または２に記載の磁気記録
   媒体。
4. （４）前記保護膜が、フッ化カーボンと炭素とを混合成
   形したターゲットをスパッタリングしたものである請求
   項３に記載の磁気記録媒体。
5. （５）前記磁性層が、気相成膜法による連続磁性薄膜で
   ある請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気記録媒体
   。