JPH0465445B2 - - Google Patents
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- JPH0465445B2 JPH0465445B2 JP59225388A JP22538884A JPH0465445B2 JP H0465445 B2 JPH0465445 B2 JP H0465445B2 JP 59225388 A JP59225388 A JP 59225388A JP 22538884 A JP22538884 A JP 22538884A JP H0465445 B2 JPH0465445 B2 JP H0465445B2
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Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
本発明は磁気記憶媒体、特に録画用、録音用あ
るいは電算機用磁気ドラムあるいは磁気デイスク
等に用いられる磁性金属薄膜の表面に二層の保護
膜を形成させた磁気記憶媒体に関するものであ
る。 （従来技術と問題点） 記録密度の向上のために、鉄（Fe）、コバルト
（Co）、ニツケル（Ni）、又は、これらの合金から
成る強磁性金属薄膜を真空蒸着、スパツタリング
またはメツキなどの方法で基体上に形成させた磁
気記憶媒体が知られている。これらの薄膜型の金
属磁気記憶媒体を記録再生装置に使用する場合、
磁気ヘツド等と物理的に接触し高速度で走行する
ので、耐摩耗性、耐蝕性に優れていることが必要
であり、そのために強磁性薄膜の表面に保護膜を
形成する方法がいろいろ提案されている。例えば (1) 基体上の磁性層の表面にRh、Cr、Ni−Ｐな
どの非磁性金属、SiO2、Al2O3、Cr2O3、
TiO2、ZrO2などの酸化物、SiC、WC、NbC、
B4Cなどの炭化物及びCrN、TiN、NbN、
ZrNなどの窒化物から選ばれた少くとも１種を
メツキ法、スパツタリング法、CVD法などに
よつて薄膜を形成させる方法、 （特開昭50−104602号公報、特開昭50−137701
号公報、特開昭53−143206号公報） (2) 前記保護膜上にワツクスなどの潤滑剤を塗布
する方法がある。 (1)の方法による保護膜はいずれも硬質である
が、摩擦係数が大きく、保護膜又は磁気ヘツドの
いずれかが損耗しやすく、(2)の方法は潤滑剤と磁
気ヘツドとが固着するいわゆる、ヘツドステイク
などの問題が生じやすい欠点がある。 （問題点を解決するための手段） 本発明は非磁性基体上の強磁性金属薄膜に保護
膜を形成させた磁気記憶媒体において、その保護
膜が炭化水素のプラズマ重合薄膜とその上に炭素
類あるいは炭化物を薄膜を形成させ二層とするこ
とによつて、従来の問題点を解決したものであ
る。 すなわち、本発明は非磁性基体上の強磁性金属
薄膜に保護膜を形成させた磁気記憶媒体におい
て、その保護膜が炭化水素のプラズマ重合膜（以
下第１保護膜）とその上にグラフアイト、ダイヤ
モンド状炭素などの炭素類SiC、WC、TiC、
NbC、B4Cなどの炭化物から選ばれた少くとも一
種の薄膜（以下第２保護膜）とを形成させたもの
からなることを特徴とする磁気記憶媒体である。 以下、本発明の磁気記憶媒体及びその製法につ
いて説明する。 本発明の磁気記憶媒体は、第１図に示す様に、
基体１、磁性層２、第１保護膜３、および第２保
護膜４からなるものである。 本発明に用いられる基体としては無機物質及び
有機物質のいずれのものであつてもよいが非磁性
のものであることが必要である。 その具体例は無機物質としてアルミニウム、ア
ルミニウム合金、銅、シリコンなどの非磁性金属
又は合金、ガラス、Al2O3、SiO2、などのセラミ
ツクス、有機物質としてはABS樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹
脂などの合成樹脂があげられる。 これら基体の形状、大きさ等は、目的とするも
のによつて異なるが、面精度のすぐれたものが好
ましい。 次に、強磁性金属薄膜を基体上に常法により被
覆するが、その強磁性金属の具体例としては、
Ni−Co−Ｐ、Co−Ｐ、Co−Ｗなどがあげられ
る。その被覆方法としては、電解メツキ又は無電
解メツキ法等が用いられる。これらの条件は特に
制限されるものは無く、またその厚さは0.1μm程
度のものが好ましい。 次に、強磁性金属薄膜の表面に、前記した第１
保護膜を炭化水素の重合膜をプラズマ重合装置に
より形成させる。本発明に用いられる炭化水素の
具体例としては、C2H2、C2H4、C2H6、CH4、
C4H10などがあげられる。これらをそのまま又は
ガス化して原料ガスとするが、さらにAr、He、
Ne、H2CF4などの炭化水素ガス以外のガスを併
用する事ができる。 プラズマ重合装置の操作条件は、装置内の圧力
を0.001〜10Torrとし、電極間に200〜2000Vの直
流あるいは交流の電圧、又は200〜2000Vの100K
Hz〜20MHzの高周波電圧を印加すれば良い。 次いでその第１保護膜の表面に、直接あるいは
エツチング等の処理を行つた後に前記した第２保
護膜を形成する炭素類、炭化物の薄膜をスパツタ
リング法を用いて、均一に被覆すれは、第２保護
膜が形成される。これらの第２保護膜の形成方法
の中でスパツタリング法により形成された膜は、
密着性、安定性、均一性および作業性などの点で
真空蒸着法、CVD法より優れている。 スパツタリング装置を使う場合の操作条件は、
例えば操作圧力をArガスを導入して0.001〜
1Torrとし、電極間に100〜2000Vの直流あるい
は100KHz〜20MHzの高周波の電圧を印加する。 この様にして形成された保護膜は、以下の特徴
を有する。 第１保護膜の炭化水素のプラズマ重合膜は、従
来の炭素膜と構造が異なり、Ｃ／Ｈのモル比で水
素が10〜50モル％程度存在し、かつＣ＝Ｃ結合
は、ほとんど存在しないものである。重合性の膜
であるために、軟かく金属との密着性も良い。ま
た従来の炭素膜に比べて、水蒸気、空気等のガス
の透過を妨げる性質を有している。 第２保護膜は、密着性、均一性、硬度に優れて
おり、摩擦係数も極めて小さく、ヘツドステイツ
ク現象を生ずる事は無い。この磁気記憶媒体上に
被着された２層の保護膜は、１層目が軟く２層目
が摩擦係数の極めて小さい硬い膜の構造を有する
ので、１層目が一種の緩衝材の様な働きをし、ヘ
ツドクラツシユ、ヘツドステイク等が無く磁気記
憶媒体の長期間の使用が可能である。 また第１保護膜の水蒸気、空気等のガスの透過
を妨げる性質のために、耐湿性、耐蝕性に優れた
保護膜となつている。 この様に、磁気記憶媒体上に被着された２層の
保護膜は強磁性金属薄膜に密着しており、保護膜
表面は非常に硬く、かつ小さな摩擦係数をもち、
また耐湿性にも優れている。 本発明の２層からなる保護膜合計の厚みとして
は、2000Å以下、好ましくは、1000Å以下であ
る。これ以上の厚みになると、スペーシングロス
が大きくなるので好ましくない。 また本発明において第１保護膜の炭化水素のプ
ラズマ重合膜は市販のプラズマ重合装置を用いて
作製する事ができる。しかし、同一容器内で、順
次スパツタリングまたは蒸着を行う事も可能であ
る。 第２図は、プラズマ重合装置の説明図である。
反応容器８は、反応容器台９の上に気密が保持さ
れるように構成したもので、反応容器台９には、
ガス供給口１０及び排気ポンプに接続された排気
管１１が設けられている。本装置を用いて、保護
膜を作製するには、反応容器８内に、電極６，７
によつてプラズマを発生させ、一方前記電極６上
に設置した薄膜が被着される磁気記憶媒体５には
電極６と同じ電位を印加して、この磁気記憶媒体
上でプラズマ重合すればよい。 （実施例） 実施例 １ メツキデイスクの製造 直径９cm、厚み２mmの鏡面研摩したアルミ板上
に非磁性Ni−Ｐを50μm厚さに無電解メツキした
後、30μm厚さまで、鏡面研摩し、更にその上に
第１表に示すメツキ液を用い、メツキ条件PH7.5、
液温75℃でCo−Ni−Ｐ（Co；80％、Ni；15％、
Ｐ；５％）の磁性膜を0.1μm厚さとなる様に、無
電解メツキ（以下メツキデイスクＡという）し
た。無電解メツキの前処理としては、日本カニゼ
ン(株)のシユーマセンシタイザー及びシユーマアク
チベータを使用した。
るいは電算機用磁気ドラムあるいは磁気デイスク
等に用いられる磁性金属薄膜の表面に二層の保護
膜を形成させた磁気記憶媒体に関するものであ
る。 （従来技術と問題点） 記録密度の向上のために、鉄（Fe）、コバルト
（Co）、ニツケル（Ni）、又は、これらの合金から
成る強磁性金属薄膜を真空蒸着、スパツタリング
またはメツキなどの方法で基体上に形成させた磁
気記憶媒体が知られている。これらの薄膜型の金
属磁気記憶媒体を記録再生装置に使用する場合、
磁気ヘツド等と物理的に接触し高速度で走行する
ので、耐摩耗性、耐蝕性に優れていることが必要
であり、そのために強磁性薄膜の表面に保護膜を
形成する方法がいろいろ提案されている。例えば (1) 基体上の磁性層の表面にRh、Cr、Ni−Ｐな
どの非磁性金属、SiO2、Al2O3、Cr2O3、
TiO2、ZrO2などの酸化物、SiC、WC、NbC、
B4Cなどの炭化物及びCrN、TiN、NbN、
ZrNなどの窒化物から選ばれた少くとも１種を
メツキ法、スパツタリング法、CVD法などに
よつて薄膜を形成させる方法、 （特開昭50−104602号公報、特開昭50−137701
号公報、特開昭53−143206号公報） (2) 前記保護膜上にワツクスなどの潤滑剤を塗布
する方法がある。 (1)の方法による保護膜はいずれも硬質である
が、摩擦係数が大きく、保護膜又は磁気ヘツドの
いずれかが損耗しやすく、(2)の方法は潤滑剤と磁
気ヘツドとが固着するいわゆる、ヘツドステイク
などの問題が生じやすい欠点がある。 （問題点を解決するための手段） 本発明は非磁性基体上の強磁性金属薄膜に保護
膜を形成させた磁気記憶媒体において、その保護
膜が炭化水素のプラズマ重合薄膜とその上に炭素
類あるいは炭化物を薄膜を形成させ二層とするこ
とによつて、従来の問題点を解決したものであ
る。 すなわち、本発明は非磁性基体上の強磁性金属
薄膜に保護膜を形成させた磁気記憶媒体におい
て、その保護膜が炭化水素のプラズマ重合膜（以
下第１保護膜）とその上にグラフアイト、ダイヤ
モンド状炭素などの炭素類SiC、WC、TiC、
NbC、B4Cなどの炭化物から選ばれた少くとも一
種の薄膜（以下第２保護膜）とを形成させたもの
からなることを特徴とする磁気記憶媒体である。 以下、本発明の磁気記憶媒体及びその製法につ
いて説明する。 本発明の磁気記憶媒体は、第１図に示す様に、
基体１、磁性層２、第１保護膜３、および第２保
護膜４からなるものである。 本発明に用いられる基体としては無機物質及び
有機物質のいずれのものであつてもよいが非磁性
のものであることが必要である。 その具体例は無機物質としてアルミニウム、ア
ルミニウム合金、銅、シリコンなどの非磁性金属
又は合金、ガラス、Al2O3、SiO2、などのセラミ
ツクス、有機物質としてはABS樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹
脂などの合成樹脂があげられる。 これら基体の形状、大きさ等は、目的とするも
のによつて異なるが、面精度のすぐれたものが好
ましい。 次に、強磁性金属薄膜を基体上に常法により被
覆するが、その強磁性金属の具体例としては、
Ni−Co−Ｐ、Co−Ｐ、Co−Ｗなどがあげられ
る。その被覆方法としては、電解メツキ又は無電
解メツキ法等が用いられる。これらの条件は特に
制限されるものは無く、またその厚さは0.1μm程
度のものが好ましい。 次に、強磁性金属薄膜の表面に、前記した第１
保護膜を炭化水素の重合膜をプラズマ重合装置に
より形成させる。本発明に用いられる炭化水素の
具体例としては、C2H2、C2H4、C2H6、CH4、
C4H10などがあげられる。これらをそのまま又は
ガス化して原料ガスとするが、さらにAr、He、
Ne、H2CF4などの炭化水素ガス以外のガスを併
用する事ができる。 プラズマ重合装置の操作条件は、装置内の圧力
を0.001〜10Torrとし、電極間に200〜2000Vの直
流あるいは交流の電圧、又は200〜2000Vの100K
Hz〜20MHzの高周波電圧を印加すれば良い。 次いでその第１保護膜の表面に、直接あるいは
エツチング等の処理を行つた後に前記した第２保
護膜を形成する炭素類、炭化物の薄膜をスパツタ
リング法を用いて、均一に被覆すれは、第２保護
膜が形成される。これらの第２保護膜の形成方法
の中でスパツタリング法により形成された膜は、
密着性、安定性、均一性および作業性などの点で
真空蒸着法、CVD法より優れている。 スパツタリング装置を使う場合の操作条件は、
例えば操作圧力をArガスを導入して0.001〜
1Torrとし、電極間に100〜2000Vの直流あるい
は100KHz〜20MHzの高周波の電圧を印加する。 この様にして形成された保護膜は、以下の特徴
を有する。 第１保護膜の炭化水素のプラズマ重合膜は、従
来の炭素膜と構造が異なり、Ｃ／Ｈのモル比で水
素が10〜50モル％程度存在し、かつＣ＝Ｃ結合
は、ほとんど存在しないものである。重合性の膜
であるために、軟かく金属との密着性も良い。ま
た従来の炭素膜に比べて、水蒸気、空気等のガス
の透過を妨げる性質を有している。 第２保護膜は、密着性、均一性、硬度に優れて
おり、摩擦係数も極めて小さく、ヘツドステイツ
ク現象を生ずる事は無い。この磁気記憶媒体上に
被着された２層の保護膜は、１層目が軟く２層目
が摩擦係数の極めて小さい硬い膜の構造を有する
ので、１層目が一種の緩衝材の様な働きをし、ヘ
ツドクラツシユ、ヘツドステイク等が無く磁気記
憶媒体の長期間の使用が可能である。 また第１保護膜の水蒸気、空気等のガスの透過
を妨げる性質のために、耐湿性、耐蝕性に優れた
保護膜となつている。 この様に、磁気記憶媒体上に被着された２層の
保護膜は強磁性金属薄膜に密着しており、保護膜
表面は非常に硬く、かつ小さな摩擦係数をもち、
また耐湿性にも優れている。 本発明の２層からなる保護膜合計の厚みとして
は、2000Å以下、好ましくは、1000Å以下であ
る。これ以上の厚みになると、スペーシングロス
が大きくなるので好ましくない。 また本発明において第１保護膜の炭化水素のプ
ラズマ重合膜は市販のプラズマ重合装置を用いて
作製する事ができる。しかし、同一容器内で、順
次スパツタリングまたは蒸着を行う事も可能であ
る。 第２図は、プラズマ重合装置の説明図である。
反応容器８は、反応容器台９の上に気密が保持さ
れるように構成したもので、反応容器台９には、
ガス供給口１０及び排気ポンプに接続された排気
管１１が設けられている。本装置を用いて、保護
膜を作製するには、反応容器８内に、電極６，７
によつてプラズマを発生させ、一方前記電極６上
に設置した薄膜が被着される磁気記憶媒体５には
電極６と同じ電位を印加して、この磁気記憶媒体
上でプラズマ重合すればよい。 （実施例） 実施例 １ メツキデイスクの製造 直径９cm、厚み２mmの鏡面研摩したアルミ板上
に非磁性Ni−Ｐを50μm厚さに無電解メツキした
後、30μm厚さまで、鏡面研摩し、更にその上に
第１表に示すメツキ液を用い、メツキ条件PH7.5、
液温75℃でCo−Ni−Ｐ（Co；80％、Ni；15％、
Ｐ；５％）の磁性膜を0.1μm厚さとなる様に、無
電解メツキ（以下メツキデイスクＡという）し
た。無電解メツキの前処理としては、日本カニゼ
ン(株)のシユーマセンシタイザー及びシユーマアク
チベータを使用した。
【表】
第１保護膜の形成
第２図に示すプラズマ重合装置を用いて、デイ
スクＡに第２表に示す条件でプラズマ重合膜を形
成した。
スクＡに第２表に示す条件でプラズマ重合膜を形
成した。
【表】
第２保護膜の形成
(株)徳田製作所製のスパツタリング装置（商品名
「CFS−8ES」）を用い、またターゲツトとしては
日立化成(株)の高密度カーボン（商品名「HCB−
18」）を用い、Arガス雰囲気下で第１保護膜を被
着したメツキデイスクＡ上に炭素膜の厚さを200
Å、400Å、600Å、800Åのものを作製した。第
３表にその評価結果を示す。なお比較のために、
プラズマ重合膜のみ、スパツタリングによる炭素
膜のみ形成させたものの結果も、実験No.９、10、
11に示した。
「CFS−8ES」）を用い、またターゲツトとしては
日立化成(株)の高密度カーボン（商品名「HCB−
18」）を用い、Arガス雰囲気下で第１保護膜を被
着したメツキデイスクＡ上に炭素膜の厚さを200
Å、400Å、600Å、800Åのものを作製した。第
３表にその評価結果を示す。なお比較のために、
プラズマ重合膜のみ、スパツタリングによる炭素
膜のみ形成させたものの結果も、実験No.９、10、
11に示した。
【表】
【表】
実施例 ２
(株)徳田製作所製スパツタリング装置（商品名
「CFS−8ES」）を用い、ターゲツトとしてそれぞ
れSiC、WC、TiCを用いてガス圧４×10-3Torr
アルゴンガス雰囲気下500W〜1KWの直流電力あ
るいは高周波電力を供給して、スパツタリングを
行い、実施例１で作製したメツキデイスクＡの上
に第１保護膜の炭化水素のプラズマ重合膜を形成
させた後、それぞれSiC、WC、TiCを厚さ400Å
のものを形成させ第２保護膜とした。 これらの条件及び物性等の測定結果を、第４表
に示す。
「CFS−8ES」）を用い、ターゲツトとしてそれぞ
れSiC、WC、TiCを用いてガス圧４×10-3Torr
アルゴンガス雰囲気下500W〜1KWの直流電力あ
るいは高周波電力を供給して、スパツタリングを
行い、実施例１で作製したメツキデイスクＡの上
に第１保護膜の炭化水素のプラズマ重合膜を形成
させた後、それぞれSiC、WC、TiCを厚さ400Å
のものを形成させ第２保護膜とした。 これらの条件及び物性等の測定結果を、第４表
に示す。
【表】
実施例の物性測定は、次の方法によつた。
(1) CSS（コンタクト・スタートストツプ）テス
ト 固定デイスクドライブ装置を用いて、ヘツド
クラツシユが発生するまでのサイクル数を測定
した。 ヘツド；IBM−3350タイプ （Mn−Zn製） ヘツド荷重；9.5ｇ 回転速度；3600rpm ON−OFFサイクル；30秒 (2) 動摩擦係数測定 第３図に示す回転装置を用いて測定した。 ヘツド荷重；IBM−3350タイプ （Mn−Zn製） ヘツド荷重；9.5ｇ 相対速度；43cm／sec （発明の効果） 本発明品の効果を要約すると次のとおりであ
る。 (1) 摩擦係数が極めて小さいこと (2) ヘツドステイツク現象が生じないこと (3) 保護膜の密着性が良く、くり返し使用が可能
である (4) 耐湿性に優れている。
ト 固定デイスクドライブ装置を用いて、ヘツド
クラツシユが発生するまでのサイクル数を測定
した。 ヘツド；IBM−3350タイプ （Mn−Zn製） ヘツド荷重；9.5ｇ 回転速度；3600rpm ON−OFFサイクル；30秒 (2) 動摩擦係数測定 第３図に示す回転装置を用いて測定した。 ヘツド荷重；IBM−3350タイプ （Mn−Zn製） ヘツド荷重；9.5ｇ 相対速度；43cm／sec （発明の効果） 本発明品の効果を要約すると次のとおりであ
る。 (1) 摩擦係数が極めて小さいこと (2) ヘツドステイツク現象が生じないこと (3) 保護膜の密着性が良く、くり返し使用が可能
である (4) 耐湿性に優れている。
第１図は本発明の実施例の断面図、第２図は本
発明の実施例に用いるプラズマ重合装置の説明
図、第３図は本発明品の評価に用いられる動摩擦
係数測定装置の説明図である。 符号、１……基体、２……磁性層、３……第１
保護膜、４……第２保護膜、５……メツキデイス
クＡ、６……電極、７……電極、８……反応容
器、９……反応容器台、１０……ガス供給口、１
１……排気管、１２……磁気記憶媒体、１３……
ホールダー、１４……ヘツド、１５……板バネ、
１６……歪ゲージ、１７……XYステージ、１８
……モーター、１９……架台。
発明の実施例に用いるプラズマ重合装置の説明
図、第３図は本発明品の評価に用いられる動摩擦
係数測定装置の説明図である。 符号、１……基体、２……磁性層、３……第１
保護膜、４……第２保護膜、５……メツキデイス
クＡ、６……電極、７……電極、８……反応容
器、９……反応容器台、１０……ガス供給口、１
１……排気管、１２……磁気記憶媒体、１３……
ホールダー、１４……ヘツド、１５……板バネ、
１６……歪ゲージ、１７……XYステージ、１８
……モーター、１９……架台。
Claims (1)
- １ 非磁性基体上の磁性金属薄膜に保護膜を形成
させた磁気記憶媒体において、その保護膜が炭化
水素のプラズマ重合薄膜とその上に、グラフアイ
ト、ダイヤモンド状炭素などの炭素類、SiC、
WC、TiC、NbC、B4Cなどの炭化物から選ばれ
た少くとも１種の薄膜を形成させたものからなる
ことを特徴とする磁気記憶媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22538884A JPS61105720A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22538884A JPS61105720A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105720A JPS61105720A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0465445B2 true JPH0465445B2 (ja) | 1992-10-20 |
Family
ID=16828576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22538884A Granted JPS61105720A (ja) | 1984-10-26 | 1984-10-26 | 磁気記憶媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105720A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6398825A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH01125717A (ja) * | 1987-11-10 | 1989-05-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH01245417A (ja) * | 1988-03-28 | 1989-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JP2523839B2 (ja) * | 1988-12-09 | 1996-08-14 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US5030494A (en) * | 1989-01-26 | 1991-07-09 | International Business Machines Corporation | Carbon overcoat for a thin film magnetic recording disk containing discrete clusters of tungsten (W) or tungsten carbide (WC) which project from the surface of the overcoat |
| JPH03130919A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH0817052A (ja) * | 1994-11-08 | 1996-01-19 | Nec Corp | 磁気記憶体およびその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123477A (ja) * | 1974-07-25 | 1976-02-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Haienchunochitsusosankabutsunokyushuhohonarabini kyushusochi |
| JPS5321901A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Formation of carbonized protective film for magnetic recording medium |
| JPS5961107A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6023406A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポリブタジエンの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-26 JP JP22538884A patent/JPS61105720A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5123477A (ja) * | 1974-07-25 | 1976-02-25 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Haienchunochitsusosankabutsunokyushuhohonarabini kyushusochi |
| JPS5321901A (en) * | 1976-08-11 | 1978-02-28 | Fujitsu Ltd | Formation of carbonized protective film for magnetic recording medium |
| JPS5961107A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Nec Corp | 磁気記憶体 |
| JPS6023406A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | ポリブタジエンの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61105720A (ja) | 1986-05-23 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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